Eletrônica Analógica II

Apostila 1

Prof. Me. Eng. Eduardo José Nogueira

 Engenharia Elétrica / da Computação

Sumário
1 - Transistor de efeito de campo (FET) ................................................................................................................. 3
1.1 – Transistor de efeito de campo de junção (JFET)................................................................................... 4
1.1.1 – JFET de canal N ...................................................................................................................................... 4
1.1.2 – Curva de transferência do JFET ......................................................................................................... 8
1.1.3 – Região de operação do JFET............................................................................................................... 8
1.1.4 – Simbologia do JFET ............................................................................................................................... 9
1.1.5 – Polarização do JFET ............................................................................................................................ 10
1.2 – Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor – MOSFETs ................................. 11
1.2.1 – MOSFET do tipo depleção .................................................................................................................. 12
1.2.2 – MOSFET do tipo intensificação......................................................................................................... 13
REFERÊNCIAS:........................................................................................................................................................... 17

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1 - Transistor de efeito de campo (FET)

Neste tópico desenvolveremos estudos sobre os Transistores de Efeito de Campo, ou, do inglês,
Field Effect Transistor (FET). Para entendermos o funcionamento do FET abordaremos inicialmente como é
realizada a sua construção, quais são as suas características e as principais diferenças entre o FET e o TJB
(Transistor de Junção Bipolar). Na sequência veremos a construção, características e parâmetros dos Tran-
sistores de Efeito de Campo de Junção (JFETs). Em seguida estudaremos como polarizar o JFET em cor-
rente contínua (CC), aplicando os conceitos da reta de carga e do ponto quiescente. Depois abordaremos
as características, parâmetros e a polarização dos Transistores de Efeito de Campo tipo MOSFET de de-
pleção e de intensificação. Finalmente veremos algumas aplicações e circuitos práticos utilizando os tran-
sistores de efeito de campo (FETs).
Um dos poucos casos na história da engenharia eletrônica em que prevaleceu o pior desempenho é
o caso do transistor MOS (Metal-Óxido-Semicondutor). Ele possui um desempenho teórico inferior ao do
TBJ, porém é mais fácil de ser fabricado e consequentemente possui dimensões menores e fornece altís-
sima impedância de entrada dissipando menos potência. É o preferido para integração em larga escala [1,
2, 3 e 6].
Em 22 de outubro de 1925 o físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld registrou a primeira patente
para transistores no Canadá. Infelizmente ele não publicou nenhuma pesquisa sobre a invenção do transis-
tor e com isso a indústria ignorou seu trabalho. De qualquer forma, Lilienfeld teve um papel importante na
invenção do transistor de efeito de campo (FET) [1 e 6].
Em 1959 John Atalla e Dawon Kahng, da Bell Labs, conseguiram desenvolver o primeiro transistor
de efeito de campo (FET) de sucesso, que havia sido antecipado por Lilienfeld, Heil e Shockley, entre outros.
Fred Heiman e Steven Hofstein, em 1962, conseguiram produzir na RCA um dispositivo integrado experi-
mental contendo 16 transistores FET [1 e 6].
Para entendermos o funcionamento dos Transistores de Efeito de Campo (FET), é necessário estu-
darmos como é a sua construção, bem como sua estrutura e características internas.

Tensão controlando corrente

Diferentemente do TBJ (Transistor de Junção Bipolar) npn ou pnp, que é um dispositivo de corrente
controlado por corrente, o FET é um dispositivo unipolar de corrente controlada por tensão. Vide Figura 1.

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FIGURA 1: Comparativo entre o TBJ e o FET. Fonte: BOYLESTAD & NASHELSKY.

Basicamente o FET é um dispositivo no qual a corrente é controlada por tensão. A corrente de dreno
(drain) varia em função da tensão entre a porta (gate) e a fonte (source). Desde que adequadamente pola-
rizado, o FET pode ser utilizado em circuitos amplificadores, da mesma forma que o TJB [1, 2, 3 e 6].

Comparativo entre o TBJ e o FET

a) O FET apresenta uma impedância de entrada altíssima comparada à impedância de entrada do TBJ;
b) O FET é muito menos sensível à temperatura que o TBJ;
c) A estabilidade da polarização no FET é bem melhor em comparação ao TBJ.
d) O ganho de tensão do FET é pequeno comparado ao ganho que pode ser obtido com o TBJ;
e) O tamanho do FET é muito menor que o do TBJ, o que facilita a integração (fabricação de circuitos
integrados).

1.1 – Transistor de efeito de campo de junção (JFET)

Este dispositivo possui três terminais, em que um deles irá controlar a corrente entre os outros. Assim
como nos TBJs, os JFETs podem ser divididos em dois tipos, os de canal n e os de canal p, nos quais os
primeiros são os mais utilizados [1].

1.1.1 – JFET de canal N

Os JFETs de canal n são construídos de tal modo que a maior parcela de material utilizado seja um
semicondutor do tipo n. Este material formará, portanto, um canal entre as camadas imersas de material do
tipo p, como podemos visualizar na figura 2.

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FIGURA 2: Estrutura física do JFET, canal N. Fonte: BOYLESTAD & NASHELSKY.

Analisando a figura 2 podemos entender a construção do JFET de canal n, na qual [1]:

• A parte superior do canal n é conectada por meio de um contato ôhmico ao terminal denominado
Dreno (D).
• A parte inferior do canal n é conectada por meio de um contato ôhmico ao terminal denominado
Fonte (S) – do inglês Source.
• Os dois materiais do tipo p são conectados entre si, juntamente ao terminal denominado Porta (G) –
do inglês Gate.
Resumindo, temos que o Dreno (D) e a Fonte (S) são conectados aos extremos do material do tipo
n, e a porta (G) está conectada às camadas do material do tipo p.

Como o JFET de canal N trabalha

Na ausência de um potencial aplicado, o JFET apresentará duas junções p-n não polarizadas. Como
resultado, obteremos uma região de depleção em cada junção, semelhante à mesma região que vimos em
um diodo não polarizado. Devemos lembrar que em uma região de depleção não há portadores livres, por-
tanto, não permite a condução através da região [1].

Analogia com fluxo de água para explicar o funcionamento do JFET

Para entendermos mais facilmente o funcionamento de um JFET, veremos a analogia da água, apre-
sentada na figura 3. Nesta analogia, podemos comparar a fonte de pressão da água com a tensão aplicada
do Dreno para a Fonte, e esta estabelece um fluxo de água (elétrons) a partir da torneira (fonte). A Porta,
por meio de um sinal aplicado (potencial), controlará o fluxo de água (carga) para o dreno.

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FIGURA 3: Analogia do fluxo de água com o controle do JFET. Fonte: BOYLESTAD & NASHELSKY.

Um ponto importante que devemos notar é que os terminais de Dreno e Fonte estão em extremidades
opostas do canal n, da figura 2, sendo que a fonte tem uma concentração de portadores majoritários (elé-
trons no caso do material n) muito maior do que o dreno.

Funcionamento para VGS = 0 e VDS > 0

Para esta análise vamos considerar que uma tensão positiva VDS foi aplicada através do canal, e o
terminal da Porta foi conectado diretamente à Fonte, estabelecendo que VGS = 0. Como resultado, teremos
o terminal da Porta e o terminal de Fonte no mesmo potencial e uma região de depleção na extremidade
inferior de cada material p, conforme vimos anteriormente.
No instante em que aplicamos a tensão VDS > 0, os elétrons serão atraídos para o terminal de Dreno,
estabelecendo a corrente ID. Podemos visualizar isto na figura 4.

FIGURA 4: Funcionamento do JFET. Fonte: BOYLESTAD & NASHELSKY.

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Analisando a figura 4, podemos tirar algumas conclusões:

• As correntes de Dreno e Fonte são iguais (ID = IS).
• A região de depleção é mais larga na parte superior de ambos os materiais do tipo p.

A segunda afirmação nos ajuda a entender o que acontece ao elevarmos o valor de 𝑉𝐷𝑆 de modo
que o dispositivo chegue à saturação. Quando isso ocorre, as duas regiões de depleção irão se “tocar”,
conforme podemos visualizar na figura 5. O valor de VDS que estabelece essa condição é chamado de
tensão de pinch-off, denotado por VP.

FIGURA 5: JFET levado à saturação (pinch-off). Fonte: BOYLESTAD & NASHELSKY.

A figura 96 mostra o comportamento da corrente através do dispositivo nesta situação. IDSS é a

corrente máxima de Dreno para um JFET e é definida pela condição VGS = 0 e VDS > |VP|.

FIGURA 6: Tensão de pinch-off. Fonte: BOYLESTAD & NASHELSKY.

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1.1.2 – Curva de transferência do JFET

Diferentemente de um transistor TBJ, no qual a corrente de saída 𝐼𝐶 e a corrente de entrada 𝐼𝐵 se

relacionam por meio do parâmetro beta (𝛽), tomado como constante em sua análise, um transistor do tipo
JFET não apresenta a linearidade, causada por esta constante. Esta não linearidade entre as variáveis de
saída e entrada de um JFET pode ser visualizada na equação abaixo, conhecida como equação de Shoc-
kley, que relaciona a entrada 𝑉𝐺𝑆 com a saída 𝐼𝐷. O termo quadrático desta equação resulta da relação não
linear mencionada anteriormente, gerando uma curva característica, que é apresentada na Figura 96.

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑃

FIGURA 7: Curva de transferência do JFET. Fonte: BOYLESTAD & NASHELSKY.

A curva mais à esquerda na figura 7 é recebe o nome de curva de transferência e descreve o com-
portamento da corrente de Dreno (ID) em função da tensão VGS entre a Porta (Gate) e a Fonte (Source).

1.1.3 – Região de operação do JFET

Em projetos que utilizam JFET, normalmente se deseja saber quais são os limites de operação do
dispositivo. Para isso, utilizamos um gráfico que determina qual é a região de operação o dispositivo. Na
Figura 8 temos um exemplo da região de operação de um JFET. Esses parâmetros podem ser obtidos
diretamente das folhas de dados (datasheets), fornecidos pelos fabricantes do dispositivo.
Veja como as informações extraídas de um datasheet são necessárias em um projeto assistindo ao vídeo
cujo link encontra-se abaixo:

https://www.youtube.com/watch?v=wZmuBAZSgco acesso em 04/02/2022.

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FIGURA 8: Região de operação do JFET. Fonte: BOYLESTAD & NASHELSKY.

1.1.4 – Simbologia do JFET

Na figura 9 temos os símbolos mais usuais para os JFETs de canal N e de canal P. Na figura 10
temos uma simbologia alternativa.

FIGURA 9: Simbologia mais usual para os JFETs. Fonte: http://eletronica-analogica2015.blogspot.com/2017/02/jfet-junction-field-

effect-transistor.html

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D D

G G
S S

Canal N Canal P
FIGURA 10: Simbologia alternativa, também muito utilizada para o JFET.

1.1.5 – Polarização do JFET

Veremos primeiramente o mais simples arranjo de polarização do JFET, na Figura 100, denominado
polarização fixa.

VDD

RD
C2
vo

C1
vi

RG
2

VGG
1

FIGURA 11: Polarização fixa de um JFET canal N.

O circuito da figura 11 é um estágio amplificador na configuração fonte comum. Os capacitores C1 e

C2 são de acoplamento, como já visto no estudo do TBJ (em Eletrônica Analógica I), representando curto
para o sinal a ser amplificado e circuito aberto para os sinais CC.
Como não é prático utilizar uma fonte de alimentação extra só para polarizar a porta, a técnica mais
utilizada é a mostrada na figura 12, conhecida como auto polarização.

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VDD

RD
C2
vo

C1
vi

RG RS

FIGURA 12: Auto polarização do JFET.

Como não flui corrente CC pelo resistor RG, a tensão na porta é 0 V. A passagem da corrente ID
pelo resistor RS faz com que apareça um potencial positivo no terminal fonte (S) em relação ao referencial
(terra), fazendo com que VGS seja negativo. Assim o circuito da figura 12 desempena o mesmo papel do
circuito da figura 11, utilizando uma única fonte VDD.

O conteúdo apresentado aqui sobre o JFET é um resumo de tópicos mais importantes para compreensão
do funcionamento dele. Recomendamos fortemente, para aprofundar seus conhecimentos sobre o dis-
positivo, o estudo detalhado da primeira parte do capítulo 5 de [3] e do capítulo 11 de [2], lembrando que
o segundo está disponível na Minha Biblioteca, onde os alunos do UNIALFA têm acesso, e ambos na
biblioteca física da instituição.

1.2 – Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor – MOSFETs

Os transistores MOSFET – Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor – são os

transistores mais utilizados em projetos e construções de circuitos integrados para computadores, devido as
suas características. Assim como os JFETs, os MOSFETs possuem os terminais de porta, fonte e de dreno,
porém diferem dos JFETs por possuírem uma isolação entre a Porta e o canal. Devido a esse isolamento, a
corrente de porta é extremamente pequena (desprezível), indiferente da polaridade. Um MOSFET pode ser
do tipo depleção ou do tipo intensificação.
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1.2.1 – MOSFET do tipo depleção

Para analisarmos este tipo de transistor vamos considerar um MOSFET de canal n. Na figura 13
podemos visualizar a sua estrutura.

FIGURA 13: MOSFET do tipo depleção. Fonte: MALVINO e BATES.

Curvas características do MOSFET tipo depleção

A figura 14 apresenta as curvas características de um MOSFET de canal n.

FIGURA 14: Em (a) temos as curvas de dreno e em (b) a curva de transcondutância. Fonte: MALVINO e BATES.

Analisando a figura 14-a, podemos perceber que as curvas superiores possuem VGS positivo e as
curvas inferiores possuem VGS negativo. A curva de Dreno dada por VGS(off) faz com que a corrente de
Dreno (ID) seja aproximadamente igual a zero. Quando a tensão VGS estiver entre VGS(off) e zero, o dis-
positivo estará operando no modo de depleção. Quando VGS for maior do que zero, o dispositivo estará
operando no modo de intensificação.
Na figura 14-b podemos visualizar a curva de transcondutância de um MOSFET do tipo depleção.
Diferentemente do que acontece no JFET, IDSS não é a máxima corrente de Dreno possível, visto que no
MOSFET podemos aplicar valores positivos de tensão VGS.

Simbologia para o MOSFET tipo depleção

Na figura 13 podemos observar quatro terminais (dreno, fonte, porta e substrato). O substrato é ge-
ralmente conectado junto ao terminal da Fonte, pelo fabricante do dispositivo. Assim, comercialmente en-
contramos MOSFETs de três terminais. Porém, em algumas aplicações é possível encontrar um MOSFET
de quatro terminais no qual uma tensão é aplicada ao substrato para ajudar no controle da corrente de dreno.

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Na Figura 15 podemos visualizar o símbolo de um MOSFET do tipo depleção de três terminais em (a) temos
o MOSFET canal n e em (b) temos o símbolo do MOSFET canal P, ambos do tipo depleção.

FIGURA 15: símbolos esquemáticos do MOSFET – D, em (a) temos o de canal n e em (b) temos o de canal p. Fonte: MALVINO
e BATES.

D D

G G

S S

(a) (b)

FIGURA 16: Simbologia alternativa para as MOSFETs canais n e p.

1.2.2 – MOSFET do tipo intensificação

Este tipo de MOSFET é largamente utilizado nos circuitos dos computadores atuais. Diferentemente
do MOSFET tipo depleção, este não possui o canal entre a fonte e o dreno. Na Figura 17 podemos visualizar
a estrutura interna de um MOSFET do tipo intensificação de canal n. Em (a) temos o MOSFET não polari-
zado e em (b) ele aparece polarizado. No modo intensificação ele também recebe a denominação de MOS-
FET-E e EMOS.

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FIGURA 17: MOSFET do tipo intensificação (enhancement). Fonte: MALVINO e BATES.

Funcionamento do MOSFET tipo intensificação

Com base na polarização normal, mostrada na Figura 17-b, podemos analisar o funcionamento do
MOSFET do tipo intensificação.

• Quando a tensão na porta do MOSFET é igual a zero, a fonte 𝑉𝐷𝐷 tenta forçar a passagem de elétrons
livres da fonte para o dreno, porém o substrato possui apenas alguns elétrons livres, assim, a cor-
rente de dreno será igual a zero.
• Isso explica o fato de que o MOSFET do tipo intensificação está normalmente no estado desligado
(off).
• Quando aplicamos uma tensão suficientemente positiva na porta, as lacunas próximas ao dióxido de
silício serão preenchidas, e então elétrons livres começarão a fluir da fonte para o dreno.
• Este efeito é idêntico à criação de uma fina camada de material do tipo n próxima ao dióxido de
silício. Esta camada condutora é chamada de camada de inversão tipo n.

Curvas características do MOSFET tipo intensificação

Com o auxílio da Figura 18-a, podemos analisar as curvas características de Dreno de um MOSFET
do tipo intensificação. Podemos perceber que o dispositivo estará ligado se 𝑉𝐺𝑆>𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ). A parte vertical das
curvas corresponde à região ôhmica, e a parte horizontal à região de fonte de corrente.

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FIGURA 18: Curvas do MOSFET – E. Fonte: MALVINO e BATES.

Vamos analisar agora a curva de transcondutância do MOSFET do tipo intensificação, que é apre-
sentada na Figura 18-b. Diferentemente da curva de transcondutância de um MOSFET do tipo depleção,
esta possui vértice em 𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ), por esse motivo a expressão para esta curva é dada por:

𝐼𝐷=𝑘(𝑉𝐺𝑆−𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ))2.

Onde k é um parâmetro que varia conforme o modelo do MOSFET.

Simbologia
A figura 19-a mostra o MOSFET-E de canal n, enquanto a figura 19-b mostra o de canal p.

FIGURA 19: Simbologia do MOSFET-E. Fonte: MALVINO e BATES.

Na figura 20 temos o MOSFET-E mostrando a presença de um diodo zener interno para proteção do
dispositivo. Em (a) temos o de canal n, enquanto em (b) temos o de canal p.

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(a) (b)
FIGURA 20: MOSFET-E com proteção interna.

Para uma melhor compreensão do funcionamento do MOSFET sugerimos que o aluno assista ao
vídeo que pode ser acessado no link abaixo:
https://www.youtube.com/watch?v=9JKj-wlEPMY

Para aprofundar o conhecimento teórico sobre o MOSFET, tanto no modo depleção quanto no modo
intensificação estude o capítulo 14 de [2] ou a segunda parte do capítulo 5 de [3]. [3] está disponível na
Minha Biblioteca, onde os alunos do UNIALFA têm acesso, e ambos estão disponíveis na biblioteca
física da instituição.

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REFERÊNCIAS:

[1] NOGUEIRA, Eduardo J. – ELETRÔNICA ANALÓGICA, Faculdade Domínio, 2021.

[2] MALVINO, Albert P. & BATES, David J. – ELETRÔNICA, volume 1, 8ª edição, Mc. Graw Hill, 2016.
Disponível em Minha Biblioteca.
[3] BOYLESTAD, Robert & NASHELSKY, Louis – DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS E TEORIA DE CIRCUI-
TOS, 6ª edição, LTC, 1998.
[4] ALMEIDA, Nival Nunes, DUARTE, Marcelo de Almeida - ELETRÔNICA ANALÓGICA BÁSICA, Editora
LTC, Edição 1, 2017.
[5] CRUZ, Eduardo Cesar Alves, ELETRÔNICA ANALÓGICA BÁSICA, Editora Érica, Edição 1, 2014. Dis-
ponível em Minha Biblioteca.
[6] PUSTILNICK, Salmo, ELETRÔNICA ANALÓGICA, apostila Escola Politécnica – UNINTER – PR.

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