Tese Mestrado

Universidade Estadual de Campinas Faculdade de Engenharia Eltrica e de Computao e ca Departamento de Microondas e Optica DMO-FEEC-UNICAMP
PROJETO DE CIRCUITOS CHAVEADORES COM DIODOS PIN PARA ANTENAS QUASI-YAGI ATIVAS ` APLICADO AS COMUNICACOES MOVEIS.
Autor: Orientador:
Alex Sandro Ribeiro Prof. Dr. Luiz Carlos Kretly
Dissertao submetida ` Faculdade de Engenharia Eltrica e de ca a e Computao da Universidade Estadual de Campinas, como um dos ca pr-requisitos exigidos para obteno do t e ca tulo de
Mestre em Engenharia Eltrica. e
Campinas, 23 de agosto de 2004.
FICHA CATALOGRFICA ELABORADA PELA BIBLIOTECA DA REA DE ENGENHARIA - BAE - UNICAMP
R355p
Ribeiro, Alex Sandro Projeto de circuitos chaveadores com diodos PIN para antenas Quasi-Yagi ativas aplicado s comunicaes mveis / Alex Sandro Ribeiro. --Campinas, SP: [s.n.], 2004. Orientador: Luiz Carlos Kretly. Dissertao (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eltrica e de Computao. 1. Circuitos de microondas. 2. Antenas de microondas. 3. Diodos. 4. Amplificadores de radiofreqncia. 5. Amplificadores de potencia. 6. Telefonia celular. 7. Interconexo de redes (Telecomunicaes). I. Kretly, Luiz Carlos. II. Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Eltrica e de Computao. III. Ttulo.
PROJETO DE CIRCUITOS CHAVEADORES COM DIODOS PIN PARA ANTENAS QUASI-YAGI ATIVAS ` APLICADO AS COMUNICACOES MOVEIS.
Autor:
Alex Sandro Ribeiro
Orientador: Prof. Dr. Luiz Carlos Kretly
Dissertao submetida ` Faculdade de Engenharia Eltrica e de Computao da Universidade Estadual de ca a e ca Campinas, para preenchimento dos pr-requisitos parciais para obteno do t e ca tulo de
Mestre em Engenharia Eltrica. e
Banca Examinadora: Prof. Dr. Luiz Carlos Kretly - DMO/FEEC/UNICAMP Prof. Dr. Maur Silveira - DTE/INATEL cio Prof. Dr. S lvio Ernesto Barbin - PTC/EP/USP Prof. Dr. Edson Moschim - DSIF/FEEC/UNICAMP
Campinas, 23 de agosto de 2004.
Quando a mente humana se expande para absorver uma nova idia e ela jamais retorna `s suas dimenses originais a o Oliver Wendell Holmes i
Dedico esta dissertao ca aos meus pais Marinaldo e Adaiza e `s minhas irms Gabriela e Graciela. a a ii
Agradecimentos
Aos meus pais Marinaldo e Adaiza pelo afeto, exemplo de vida e ateno dispensadas, no ca a somente durante a realizao deste trabalho, mas por toda a minha existncia. ca e ` As minhas irms Gabriela e Graciela pelo carinho e ateno. a ca Ao DMO, ` FEEC e ` UNICAMP pela estrutura tcnica proporcionada. a a e ` A CAPES e ao convnio Ericsson EDB( Ericsson Research Center Brazil ), sob contrato e Ericsson/Unicamp UNI.15, pelo apoio nanceiro prestado. Ao Prof. Dr. Luiz Carlos Kretly pela oportunidade. Agradecimento especial aos amigos Carlos Capovilla, pelas valorosas discusses que certamente o ajudaram a enriquecer este trabalho, e a Marcelo Ribeiro, cuja ajuda foi imprescind ` vel a realizao das medidas de campo aberto. ca Aos amigos e companheiros da FEEC: Alexandre Silva, Andr Tvora, Eudemario Santana, e a Irnio Jnior, Hlcio Wagner por compartilhar os bons momentos, mas principalmente pelo e u e apoio e incentivo proporcionado durante os maus momentos, sem os quais seria imposs vel concluir este trabalho. Aos amigos da repblica: Carla, Fabio, Maya, Jaques, Jnior, Rogrio, Vanessa, dentre vrios u u e a outros que por l passaram, pelo incentivo e amizade constru ao longo do tempo, mas a da principalmente por proporcionar-me um lar fora da minha fam lia. Enm, agradeo a todos que direta ou indiretamente contribu c ram para a realizao deste ca trabalho.
iii
Resumo
Este trabalho tem como objetivo estabelecer uma metodologia de projeto para circuitos planares de microondas chaveados utilizando diodos PIN (P-Intrinsic-N ). O propsito central deste o trabalho chavear antenas visando o controle do feixe, sendo a congurao utilizada facilmente e ca adaptvel para o uso em arranjos de antenas. As antenas ativas so baseadas no elemento quasia a Yagi, com amplicao no mesmo substrato utilizado-se um LNA (Low Noise-Amplier ). Estes ca circuitos visam a aplicao nos diversos sistemas de comunicaes mveis 3G e 4G, podendo ca co o ser utilizados tanto na ERB quanto no terminal mvel, e tambm em outros padres, tais como o e o Wi-Fi, Bluetooth, IEEE 802.16, IEEE 802.11 entre outros. So apresentadas todas as simulaa co es, guias de projeto, tecnologias de implementao e as medidas de caracterizao eltrica e de ca ca e campo aberto para os prottipos constru o dos.
Palavras-Chave Circuitos de microondas, Antenas Quasi-Yagi, Diodos PIN, Regras de projeto, Amplicadores de baixo ru (LNA), Telefonia celular, Controle do feixe. do
iv
Abstract
This work aims to establish a design guide methodology for switching microwave planar circuits using PIN (P-Intrinsic-N) diodes. The main purpose of this work is switching antennas to make the beam steering, due to this property to be easily adapted for use in antenna arrays. The active antennas are based on quasi-Yagi element, with amplication on the same substrate using a LNA (Low Noise-Amplier). This circuits can be applied in several 3G and 4G mobile communication systems either in base stations or in mobile terminals, and also with other standards, such as Wi-Fi, Bluetooth, IEEE 802.16, IEEE 802.11, and others. There are presented the simulations, design guidelines, implementation technology, and the measurements of the electrical characterization and open-air radiation pattern to the fabricated prototypes.
Index Terms Microwave circuits, Quasi-Yagi antennas, PIN Diodes, Design guidelines, LNA, Cellular telephony, Beam steering.
Sumrio a
Agradecimentos Resumo Abstract Lista de Figuras Lista de Tabelas Lista de Abreviaturas Cap tulo 1 Introduo ca 1.1 1.2 Motivao e objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ca Estrutura da dissertao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ca
iii iv v ix xii xiii 1 1 2 3 3 5 7
Cap tulo 2 Antenas quasi-Yagi 2.1 2.2 2.3 2.4 Fundamentos de antenas de microta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Histrico das antenas quasi-Yagi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . o Projeto e construo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ca
Caracter sticas da antena . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 2.4.1 2.4.2 2.4.3 Largura de banda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 Diretividade, ganho e ecincia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 e Polarizao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 ca
2.5
Anlise para variaes na inclinao do dipolo . . . . . . . . . . . . . . . . 15 a co ca 2.5.1 2.5.2 Dipolo inclinado para trs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16 a Dipolo inclinado para frente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 vi
SUMARIO 2.6 Dipolos com fraes de comprimento de onda . . . . . . . . . . . . . . . . . 19 co 2.6.1 2.6.2 2.6.3 2.6.4 2.7 Dipolo de /2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 Dipolo de 3/8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22 Dipolo de /4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23 Comparao dos resultados entre as antenas . . . . . . . . . . . . . 25 ca
S ntese do cap tulo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26 27
Cap tulo 3 Circuito chaveador usando diodos PIN 3.1
Fundamentos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27 3.1.1 3.1.2 3.1.3 3.1.4 Modelo para baixas e altas frequncias . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 e Modelo para a velocidade de chaveamento . . . . . . . . . . . . . . . 32 Caracter stica da resistncia de RF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33 e Potncia dissipada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34 e
3.2
Aplicaes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34 co 3.2.1 3.2.2 Chaves SPST e Atenuadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35 Chaves multi-throw e atenuadores com m ltiplos diodos . . . . . . 37 u
3.3
Teste e caracterizao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 ca 3.3.1 3.3.2 3.3.3 Diodo PIN utilizado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 Estrutura de teste . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 Testes com linha de maior impedncia . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 a
3.4 3.5
Construo de uma chave SPDT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46 ca S ntese do cap tulo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 51
Cap tulo 4 Antenas Ativas 4.1 LNA 4.1.1 4.1.2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51 Aplicaes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51 co Como usar os amplicadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52 4.1.2.1 4.1.2.2 4.1.2.3 4.1.2.4 Estrutura de microta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52 Cuidados com aterramento e efeitos parasitas . . . . . . . 52 Tcnicas de polarizao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53 e ca Levantamento do ganho do LNA . . . . . . . . . . . . . . . 54
4.2
Antena ativa com uma porta para testes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55 vii
SUMARIO 4.2.1 4.2.2 4.3 Direcionamento do feixe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56 Medida do ganho relativo da antena ativa . . . . . . . . . . . . . . . 57
Antena ativa em substrato de r elevado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58 4.3.1 4.3.2 Projeto e teste de uma antena simples . . . . . . . . . . . . . . . . . 58 Construo da antena ativa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61 ca
4.4 4.5
Medida da resposta em frequncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63 e S ntese do cap tulo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64 65
Cap tulo 5 Consideraes nais co 5.1 5.2
Concluses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65 o Sugestes para trabalhos futuros . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66 o 67
Apndice A Equipamentos e softwares utilizados neste trabalho e
A.1 Equipamentos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67 A.2 Softwares . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68 Apndice B Estruturas planares de microta e 69
B.1 Tcnicas de excitao via linha de microta . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69 e ca B.2 Clculo das linhas de microta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70 a B.3 Substrato para antenas de microta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72 Apndice C Data sheets e 73
C.1 Data sheet do diodo PIN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73 C.2 Data sheet do LNA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75 Publicaes resultantes deste trabalho co Referncias Bibliogrcas e a 78 79
viii
Lista de Figuras
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9
Estrutura t pica de uma antena de microta. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Esquemtico de uma antena Yagi-Uda. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a Topologia da antena quasi-Yagi. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Dimenses iniciais para projeto de uma antena quasi-Yagi. . . . . . . . . . . . . . o Antena quasi-Yagi constru da. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Perda de Retorno da antena quasi-Yagi.
4 5 6 8 9
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Caracter sticas simuladas da antena quasi-Yagi. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 Padro de radio 2D da antena quasi-Yagi. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 a ca Padro de radio 3D da antena quasi-Yagi. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 a ca
2.10 Antena quasi-Yagi tilted dipole. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16 2.11 Perda de Retorno da antena quasi-Yagi tilted dipole. . . . . . . . . . . . . . . . . . 17 2.12 Caracter sticas simuladas da antena quasi-Yagi tilted dipole. . . . . . . . . . . . . 17 2.13 Padro de radiao da antena quasi-Yagi tilted dipole. . . . . . . . . . . . . . . . . 18 a ca 2.14 Antena quasi-Yagi com dipolo inclinado para frente. . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 2.15 Caracter sticas simuladas da antena com dipolo inclinado para frente. . . . . . . . 19 2.16 Antena quasi-Yagi com dipolo /2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 2.17 Perda de Retorno da antena quasi-Yagi com dipolo /2. . . . . . . . . . . . . . . 21 2.18 Caracter sticas simuladas da antena quasi-Yagi com dipolo /2 . . . . . . . . . . . 21 2.19 Antena quasi-Yagi com dipolo 3/8. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22 2.20 Perda de Retorno da antena quasi-Yagi com dipolo 3/8. . . . . . . . . . . . . . . 22 2.21 Caracter sticas simuladas da antena quasi-Yagi com dipolo 3/8. . . . . . . . . . . 23 2.22 Antena quasi-Yagi com dipolo /4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23 2.23 Perda de Retorno da antena quasi-Yagi com dipolo /4. . . . . . . . . . . . . . . 24 2.24 Caracter sticas simuladas da antena quasi-Yagi com dipolo /4. . . . . . . . . . . 24 ix
LISTA DE FIGURAS 2.25 Padres de radiao medidos: comparao entre as antenas. . . . . . . . . . . . . 26 o ca ca 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 3.8 3.9 Modelamento bsico para o diodo PIN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28 a Resposta em frequncia do diodo PIN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29 e Caracter stica I-V do diodo PIN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 Tempo de transio da polarizao direta para reversa. . . . . . . . . . . . . . . . 32 ca ca Variao da resistncia do diodo PIN em relao ` corrente de polarizao. . . . . 34 ca e ca a ca Chave SPST reetiva srie. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35 e Chave SPST reetiva paralelo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
Conguraes para conexo de diodos PIN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38 co a Chaves multi-throw. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39 . . . . . . . . . . 40
3.10 Diodo PIN no microscpio (maior dimenso igual a 711,2 m). o a
3.11 Esquematico do teste inicial do PIN para simulao no ADS. . . . . . . . . . . . . 41 ca 3.12 Fotos do diodo PIN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42 3.13 Estrutura para caracterizao do diodo PIN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43 ca 3.14 Caracterizao do diodo PIN usando linha de 50 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43 ca 3.15 Esquemtico da estrutura de testes para linha com maior impedncia. . . . . . . . 44 a a 3.17 Densidade de corrente na estrutura de teste do diodo PIN. . . . . . . . . . . . . . 45 3.16 Esquemtico da estrutura de teste do PIN para simulao no ADS. . . . . . . . . 45 a ca 3.18 Placa de teste do diodo PIN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46 3.19 Caracterizao do diodo PIN usando linhas de alta impedncia. . . . . . . . . . . 47 ca a 3.20 Esquemtico simplicado da chave SPDT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48 a 3.21 Esquemtico da chave SPDT para simulao no ADS. . . . . . . . . . . . . . . . . 49 a ca 3.22 Prottipo da chave SPDT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49 o 3.23 Perda por insero e isolao da chave SPDT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 ca ca 4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 Congurao t ca pica da polarizao do LNA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54 ca Estrutura para medida do ganho do LNA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54 Diagrama simplicado da antena ativa. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55 Prottipo da antena ativa com porta para conexo do DUT. . . . . . . . . . . . . 56 o a Padro de radiao mostrando o deslocamento do feixe. O DUT utilizado foi a a ca antena 3/8. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57 x
LISTA DE FIGURAS 4.6 4.7 4.8 4.9 Medidas do ganho para a porta DUT e comparao do padro de radio. . . . . 58 ca a ca Antena quasi-Yagi constru em substrato Arlon1000 da Perda de retorno para antena em substrato Arlon1000 com r = 9, 8. . . . . . . 59 com r = 9, 8. . . . . . . 59
Padro de radiao 3D da antena quasi-Yagi em substrato Arlon1000 com r = a ca 9,8. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
4.10 Prottipo da antena ativa em substrato Arlon1000 o
com r = 9,8. . . . . . . . . . 61
4.11 Padro de radiao da antena quasi-Yagi ativa. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62 a ca 4.12 Medida da resposta em frequncia de algumas das antenas constru e das. . . . . . . 63 B.1 Seo transversal de uma linha de microta e sua impedncia caracter ca a stica. . . . 70
xi
Lista de Tabelas
2.1 3.1
Comparao entre as caracter ca sticas das antenas constr das. . . . . . . . . . . . . . 25 Valores t picos para TRF (tempo de transio reverso/direto) de um diodo PIN. ca . 32
xii
Lista de Abreviaturas
3G Sistemas de Terceira Gerao ca 4G Sistemas de Quarta Gerao ca BW BandWidth DSP Digital Signal Processing DUT Device Under Test ERB Estao Rdio Base ca a FCC Federal Communications Commission FEEC Faculdade de Engenharia Eltrica e de Computao e ca GPIB General Purpose Interface Bus - ANSI/IEEE Standard 488.1-1987 ISM Industrial, Scientic, and Medical LNA Low-Noise Amplier MoM Method of Moments PIFA Planar Inverted F Antenna PIN P-Intrinsic-N RF Radio Frequency SMD Surface Mount Device SPST Single-Pole Single-Throw SPDT Single-Pole Double-Throw UHF Ultra High Frequency VSWR Voltage Standing Wave Ratio WLAN Wireless Local Area Network
Cap tulo 1 Introduo ca
1.1 Motivao e objetivos ca

Fazendo-se uma anlise dos sistemas sem o, v-se que at a segunda gerao dos sistemas a e e ca celulares a ateno dos pesquisadores e engenheiros de telecomunicaes estava voltada para o ca co desenvolvimento da modulao, dos cdigos e protocolos dos sistemas, de modo que a tecnologia ca o relacionada `s antenas no era to explorada. a a a Uma vez instalados os sistemas, viu-se que havia a necessidade de algumas melhorias, de modo que se comeou a focar outros itens que compunham o sistema, e hoje a antena desempenha c papel fundamental na melhoria e surgimento de novos servios. Exemplo disto o crescente c e aumento no uso de sistemas Wi-Fi, Bluetooth e IEEE 802.11, que urgem por antenas cada vez mais sosticadas. O desenvolvimento de novas tecnologias neste campo apresenta carter a multidisciplinar que abrange desde a anlise de novas geometrias para os arranjos at a criao a e ca de algoritmos para otimizao do sinal recebido e rejeio das interferncias, passando pelo ca ca e desenvolvimento de redes de circuitos chaveadores e defasadores mais ecintes e econmicos, e o que possam gerenciar os arranjos de antenas. A demanda por sistemas de comunicaes sem o vem aumentando signicativamente nos co ultimos anos. Com isso, a necessidade de novos servios e a melhora no desempenho dos sistemas c j existentes fazem-se necessrios. Dessa forma, a motivao deste trabalho o projeto de antenas a a ca e planares de banda larga visando aplicaes nos sistemas de comunicaes mveis atuais e nas co co o prximas geraes. Implementaes destas antenas sob a forma de antenas ativas integradas o co co chaveadas atravs de circuitos tambm so desejveis, devido ` necessidade de miniaturizao e e a a a ca dos aparelhos e do direcionamento do feixe.
1. Introduo ca
1.2 Estrutura da dissertao ca
Especicamente, o objetivo deste trabalho estudar as antenas planares quasi-Yagi, constru e las, caracteriz-las e implement-las visando sua utilizao na construo de antenas ativas, que a a ca ca sero chaveadas atravs de circu de microta constru a e tos dos com diodos PIN.
1.2 Estrutura da dissertao ca

Esta dissertao constitu de cinco cap ca e da tulos, sendo este primeiro uma introduo geral. ca Os trs cap e tulos intermedirios abrangem individualmente embasamento terico, metodologia a o de projeto, tcnicas de construo e medida dos prottipos, alm da apresentao dos resultados e ca o e ca obtidos. O ultimo cap tulo reserva-se `s concluses nais e sugestes para trabalhos futuros. a o o O cap tulo dois introduz a antena quasi-Yagi, mostrando as regras de projeto e melhoria da mesma, bem como o mtodo aplicado ` sua construo. Alm disso, realizaram-se dois tipos de e a ca e estudo nestas antenas: variaes na inclinao e variaes no comprimento do dipolo (elemento co ca co ativo da antena). O primeiro caso objetiva melhoria no ganho e na diretividade e o segundo a reduo da rea constru da antena. ca a da O cap tulo trs apresenta o diodo PIN, seus fundamentos e aplicaes. Dentre as aplicaes e co co apresentadas, elegeu-se algumas para construo, sendo escolhidas as chaves com duas entradas ca e uma sa da, de modo que foram feitos projetos, simulaes e medidas para todos os prottipos co o constru dos. O cap tulo quatro faz uma juno do que foi abordado nos cap ca tulos anteriores, objetivando a construo de uma antena quasi-Yagi ativa chaveada com diodos PIN, cujo sinal resultante da ca porta de sa amplicado por um amplicador de baixo ru da e do. Esta congurao tem como ca meta realizar o direcionamento feixe das antenas ativas e prover um ganho em relao `s antenas ca a passivas. O cap tulo cinco traz as consideraes nais, onde so relatadas as concluses acerca dos co a o objetivos e resultados obtidos nesta dissertao, sendo tambm propostas algumas sugestes ca e o para a realizao de trabalhos futuros. ca
Cap tulo 2 Antenas quasi-Yagi
Este cap tulo faz uma breve abordagem das antenas de microta, introduzindo a antena quasi-Yagi, e apresenta as regras de projeto e construo da mesma. Adicionalmente, realizado ca e um estudo de variaes no dipolo, que o elemento radiador da antena quasi-Yagi, objetivando: co e melhoria na diretividade, para alteraes na inclinao do dipolo, e reduo da rea constru co ca ca a da, para variaes no tamanho do dipolo. co
2.1 Fundamentos de antenas de microta

O conceito bsico de antenas de microta foi proposto pela primeira vez por Deschamps a (1953) nos Estados Unidos, sendo que quase na mesma poca uma patente foi emitida na Frana e c em nome de Gutton e Baissinot (1955). Contudo, somente 20 anos depois foram fabricadas as primeiras antenas de utilizao prtica devido ao acelerado desenvolvimento de tcnicas fotogrca a e a cas para impresso de circuitos no cobre, ao surgimento de bons substratos (com alta constante a dieltrica, baixa tangente de perdas e propriedades trmicas e mecnicas mais atrativas) e a utie e a lizao de melhores modelos tericos. As primeiras antenas de microta foram desenvolvidas por ca o Howell (1972) e Munson (1974). Desde ento, inmeras pesquisas voltadas ao desenvolvimento a u de antenas de microta e seus arranjos vm sendo realizadas, a ponto do elevado nmero de e u aplicaes ser hoje um tpico de estudo em separado dentro do vasto campo das antenas para co o microondas. Uma antena de microta consiste basicamente de duas placas condutoras, paralelas, separadas por um substrato dieltrico, sendo uma placa o elemento radiador e a outra o plano de e e terra, conforme a Figura 2.1. O condutor normalmente utilizado ouro ou cobre, e o elemento radiante pode assumir qualquer forma, mas so utilizados, para ns de simplicao da anlise a ca a e construo, formas convencionais, tais como c ca rculos e retngulos. Os substratos normalmente a 3
2. Antenas quasi-Yagi
2.1 Fundamentos de antenas de microta
utilizados so de alumina ou de bras texturizadas com teon, os quais apresentam permissivia dade relativa normalmente variando entre 2 e 10. Mais detalhes sobre a tecnologia de fabricao ca de antenas de microta so mostrados em (Bahl e Bahrtia, 1980), (James et al., 1981) e (Caver a e Mink, 1981).
Figura 2.1: Estrutura t pica de uma antena de microta.
Comparadas `s antenas de microondas tradicionais, as antenas de microta apresentam dia versas vantagens, podendo ser aplicadas numa larga escala de frequncias que varia aproximae damente de 100 MHz a 100 GHz. De acordo com Garg et al. (2001) suas principais vantagens so: a
Pequeno peso e volume; Espessura reduzida podendo ser maleveis e adaptveis ` diversas superf a a a cies; Baixo custo e simplicidade de fabricao; ca Possibilidade de polarizao linear e circular de acordo com a posio da alimentao; ca ca ca Antenas com frequncia e polarizao dual podem ser facilmente constru e ca das; Podem ser facilmente integradas com circuitos de microondas; As linhas de alimentao e casamento de impedncias podem ser fabricadas simultaneaca a
mente ` estrutura da antena. a Apesar das inmeras vantagens, as antenas de microta tambm apresentam algumas limitau e co es quando comparadas `s antenas convencionais para microondas. Dentre elas pode-se citar: a
Largura de banda estreita; Baixo ganho; Baixa capacidade de radiao de potncia; ca e Antenas constru das em substratos com alta constante dieltrica possuem baixa ecincia e e
e largura de banda reduzida. 4
2.2 Histrico das antenas quasi-Yagi o
Embora estas limitaes existam, tcnicas que procuram minimizar seus efeitos continuam em co e estudo, nas quais, por exemplo, a construo de arranjos utilizada para aumento do ganho e da ca e capacidade de radiao. Limitaes associadas `s ondas de superf ca co a cie, tais como baixa ecincia, e aumento do acoplamento mtuo, ganho reduzido e degradao do padro de radiao podem u ca a ca ser melhorados atravs do uso de estruturas PBG (Photonic BandGap) (de Albuquerque Silva, e 2002; de Oliveira, 2001).

O laboratrio de microondas da UCLA (Universidade da Califrnia em Los Angeles) comeou o o c a trabalhar em 1997 numa maneira de obter uma transio CPS (Coplanar stripline) para guia ca de onda. Estas transies so estruturas importantes na engenharia de microondas, por que co a possibilitam `s ondas eletromagnticas serem guiadas de forma ecaz e suave de um tipo de a e linha de transmisso para outro. Os membros deste grupo de pesquisa criaram um novo tipo a de antena (Qian et al., 1998), a qual denominaram de antena quasi-Yagi, devido a mesma ser baseada nos conceitos da tradicional antena Yagi-Uda, cujos primeiros registros constam de uma revista de 1928 (Yagi, 1928). A antena Yagi-Uda tradicional consiste de um arranjo linear de dipolos paralelos. Um esquemtico da estrutura do arranjo parasita da antena Yagi-Uda mostrado na Figura 2.2. A a e antena alimentada diretamente atravs do driver, casado na frequncia central da antena, e os e e e outros so os reetores e diretores, casados respectivamente em frequncias menores e maiores a e
Direo de propagao
Diretores Driver Refletor

Figura 2.2: Esquemtico de uma antena Yagi-Uda. a
que a nominal. A mesma popularmente usada em sistemas de recepo de rdio e TV devido e ca a a ` sua estrutura simples e ao ganho relativamente alto. Apesar de sua ampla difuso comercial, a pouco sucesso foi obtido durante as tentativas de adapt-la `s frequncias de microondas. a a e E o que a antena quasi-Yagi traz de novidade? Alm de apresentar as vantagens pertinentes e a `s antenas de microta, a antena quasi-Yagi apresenta uma srie de benef e cios sobre as tradicionais antenas tubulares radiando no espao livre, onde pode-se destacar dois casos: primeiro, a c presena de um substrato dieltrico proporciona suporte mecnico para a antena, enquanto que c e a no espao livre, as antenas tubulares apresentam-se extremamente frgeis e dif c a ceis de alimentar, principalmente em altas frequncias. Segundo, fabricando-se a antena quasi-Yagi em um e substrato de mdia ou alta permissividade (r =4,0 ou superior), implicar na reduo de suas e a ca dimenses como um todo, resultando em um modelo compacto, medindo menos de meio como primento de onda em qualquer direo. O pequeno tamanho da antena d grande exibilidade ca a no espaamento entre elementos caso a mesma venha a ser utilizada em um arranjo de antenas. c Alm disso, de modo diferente da Yagi-Uda tradicional, a quasi-Yagi utiliza-se de um plano e de terra de microta truncado, localizado anteriormente ao dipolo, atuando como um elemento reetor, conforme mostra a Figura 2.3.
Diretor
Linha CPS
Balun
Driver Transformador /4 Refletor (Plano de terra)

(a) Viso 2D. a (b) Viso 3D. a
Linha de Alimentao
Figura 2.3: Topologia da antena quasi-Yagi.
O plano de terra truncado atua como um reetor ideal para o modo T E0 (Transversal Eltrica e - modo 0). As ondas de superf T E0 tambm servem para acoplar fortemente os elementos cie e 6
2.3 Projeto e construo ca
do dipolo da antena quasi-Yagi desde que compartilhem o mesmo campo de polarizao (Qian ca et al., July 1999). Devido `s dependncias das ondas de superf a e cie, deve-se considerar como fator extremamente importante a escolha do substrato (Apndice B.3). Isto porque o fenmeno e o das ondas de superf tem extrema subordinao com o tipo de substrato utilizado (Inan e cie ca Inan, 1999; Gupta et al., 1996).

Escolheu-se usar o substrato FR4, que constitu de bra de vidro e resina possuindo e do r =4,8, com espessura h = 1, 6 mm, devido a este possuir alta disponibilidade para aquisio no ca mercado, baixo custo, facilidade de manipulao para implementao dos prottipos e principalca ca o mente pela experincia de trabalho que o nosso grupo possui com este tipo de material, cujos e projetos e implementaes foram reconhecidos internacionalmente (Kretly et al., 2002a; Kretly e co Capovilla, 2003). e Na viso da antena quasi-Yagi mostrada na Figura 2.3, v-se em destaque os elementos a principais, sendo estes: a linha de alimentao, o transformador de /4, o balun, as linhas CPS ca e os elementos reetor (plano de terra), driver (dipolo) e diretor. Inicialmente, objetivou-se a implementao de um prottipo aplicvel ` faixa destinada ` ca o a a a terceira gerao de sistemas celulares (3G), ou seja, 1,85 ` 1,95 GHz. A impedncia caracteca a a r stica de uma linha de microta denida como Z0 , sendo que 50 o valor padronizado para o e e casamento de impedncias em grande parte dos sistemas atuais, de forma que utilizando a Equaa ca o B.4 (Apndice B.2) obtem-se W = 2, 86 mm, sendo esta a espessura da linha de microta. e Outros dois parmetros importantes so o comprimento de onda no espao livre, representado a a c por 0 , que para a frequncia de 1,9 GHz possui o valor de 157,9 mm, e o comprimento de onda e guiado no substrato, representado por g , que fornecido pela Equao 2.1: e ca c 0 g = = f re re
(2.1)
onde: re dado pela Equao B.3 (Apndice B.2) e corresponde ` constante dieltrica efetiva e ca e a e no substrato. Para a frequncia de 1,9 GHz encontra-se g igual a 83,4 mm. e Com a largura da linha de alimentao calculada para casamento em 50 , projetou-se o ca sistema de casamento entre a alimentao e o dipolo usado como driver da antena. O princ ca pio
f sico do driver planar semelhante ao do driver convencional, tendo o mesmo a funo de um e ca transformador de impedncia, casando a impedncia da linha de alimentao com a do espao a a ca c livre (James et al., 1981). Normalmente, o comprimento ressonante do dipolo calculado em e relao ao dipolo convencional, diga-se g /2 ou g . Inicialmente adotou-se o valor de g , conforme ca ser abordado adiante, devido ` necessidade desta dimenso para o casamento com a linha CPS a a a acoplada em modo mpar (Mongia et al., 1999). Voltando ao sistema de acoplamento entre o dipolo e a linha de alimentao, observou-se que a primeira necessidade seria dividir a linha de ca alimentao de microta simples em uma linha de microta coplanar, sendo isto poss atravs ca vel e de um balun conectado a um adaptador /4, cujo valor da impedncia caracter a stica dado pela e Equao 2.2: ca
2 Z0 ZR
ZT =g /4 =
(2.2)
Realizando o casamento entre os 50 da linha de alimentao (Z0 ) com os 25 resultantes das ca duas linhas posteriores em paralelo (ZR ) e que formam o balun, tem-se uma impedncia caractea r stica para a linha do transformador de 35,35 . Utilizando novamente a Equao B.4 (Apndice ca e B.2) obtem-se um valor igual a 4,92 mm para a largura da linha do transformador, enquanto seu comprimento, para a frequncia de 1,9 GHz, igual a 20,35 mm. Feito isso, existe a necese e sidade de se defasar uma das linhas em 180, ou seja, uma das linhas deve ter um comprimento
ZR=25 ZT=35,3 Z0=50

rans. /4
Figura 2.4: Dimenses iniciais para projeto de uma antena quasi-Yagi. o
g /2 maior que a outra, para se conseguir um acoplamento de modo mpar na linha de microta acoplada, sendo essa estrutura similar a um balun uniplanar. Esse acoplamento de modo mpar pode ser transmitido facilmente ao driver atravs de uma linha CPS, localizada aps o plano de e o terra truncado usado como reetor, conforme mostra a Figura 2.4. O valor da largura do driver e do diretor 2,86 mm, mantendo assim o mesmo valor da linha e de alimentao. O comprimento inicial do driver deve ser igual a g , enquanto o do diretor ser ca a g /2. As distncias entre o driver e o plano de terra truncado e entre o driver e o diretor foram a inicialmente de g /2 e de g /8, respectivamente. O diretor e o reetor possuem tanto a funo ca de direcionar o padro de radiao, quando de renar o casamento de impedncias da antena. a ca a A distncia do diretor ` borda superior do substrato e entre o maior brao do balun e a borda a a c lateral da ordem de g /4. e Aps as simulaes computacionais dessas geometrias, por meio do software IE3D da Zeland o co (Apndice A.2), que utiliza o MoM (Mtodo dos Momentos), iniciou-se um processo iterativo, e e atravs de tentativas e erros para a melhoria do prottipo. Devido ` banda larga da antena quasie o a Yagi, durante o processo de melhora da mesma, notou-se a possibilidade de aplicao tambm ` ca e a faixa ISM (Industrial, Scientic, and Medical ) que opera em 2,45 GHz. Dessa forma colocou-se mais uma meta no projeto, ou seja, objetivou-se uma antena com boas caracter sticas de radiao que operasse ao mesmo tempo na faixas da terceira gerao e ca ca
(a) Dimenses(em mm). o
(b) Prottipo. o
Figura 2.5: Antena quasi-Yagi constru da.
2.4 Caracter sticas da antena
ISM. A faixa ISM foi liberada em 1985 pelo FCC, sendo utilizada atualmente na implantao dos ca sistemas WLAN, tais como IEEE 802.11 e 802.16. Assim, ao nal de muitas iteraes chegou-se a co um resultado bastante satisfatrio, sendo nalmente obtidas as dimenses nais para construo o o ca do prottipo, que so dadas em mm e apresentadas na Figura 2.5(a). o a O prottipo foi constru atravs da tecnologia laser impresso, no qual o layout otimizado, o do e usando as dimenses apresentadas na Figura 2.5(a), foi impresso na escala 1:1 em um papel o especial do tipo SO41117 da Epson, utilizando-se uma impressora HP LaserJet 1200 series. O layout foi ento prensado sobre uma placa limpa do substrato, a uma temperatura aproximada a de 250C, por cerca de 2 minutos. Aps o resfriamento, o papel foi retirado, cando o layout o impresso na placa. Em seguida, a placa de cobre foi imersa numa soluo com percloreto frrico, ca e que aps a corroso das reas indesejveis, resultou na antena propriamente dita. Por ultimo, o a a a a placa foi limpa novamente para remoo do toner e um conector SMA de 50 com dimetro ca a do condutor central de 1,25 mm foi soldado ` linha de alimentao da antena para que a mesma a ca pudesse ser conectada aos equipamentos de medio. A Figura 2.5(b) mostra o prottipo da ca o antena quasi-Yagi confeccionada para operar em 1,9 GHz e tambm em 2,45 GHz. e

Talvez a maior vantagem que a antena quasi-Yagi tenha a oferecer, a priori, seja a grande melhoria que ela proporciona em termos de largura de banda, uma vez que as antenas de microta possuem a caracter stica de terem uma largura de banda estreita.
2.4.1 Largura de banda

Um procedimento simples de aferio da faixa de operao, ou simplesmente largura de banda ca ca de uma antena, denir um intervalo de frequncias no qual o VSWR (Voltage Standing Wave e e Ratio) ou coeciente de onda estacionria, seja menor que um determinado valor especicado, a podendo ser da ordem de 2:1, 2,5:1 e 3:1. Quando se utiliza um critrio de radiao, costuma-se e ca denir a largura da faixa de operao de um elemento radiador como sendo a faixa localizada ca entre os pontos de frequncia nos quais as potncias radiadas so metade da mxima potncia e e a a e radiada. Neste trabalho as duas denies acima sero consideradas como equivalentes. co a Para garantir a operabilidade dos projetos apresentados nesta dissertao, o critrio para anca e a lise da largura de banda adotado foi o do melhor caso, ou seja, VSWR 2:1 ou VSWR 2, pois
10
nesse intervalo est garantido que pelo menos 90% da potncia de entrada da antena ser radia e a ada (Salonen et al., 1999). Essa considerao equivalente ao critrio da perda de retorno, onde ca e e o parmetro de espalhamento S11 menor ou igual a -10 dB. Por conveno, nesta dissertao a e ca ca sempre se utilizar como parmetro na anlise de largura de banda a perda de retorno. a a a Dessa forma, deniu-se a largura de banda de um circuito, sendo normalmente expressa em porcentagem, como: f2 f1 100 f0
BW (%) = onde: BW = Bandwidth ou Largura de banda;
(2.3)
f2 = Mxima frequncia de operao na qual S11 -10 dB ; a e ca f1 = M nima frequncia de operao na qual S11 -10 dB ; e ca f0 = Frequncia central de operao, dada por (f1 + f2 )/2. e ca Na Figura 2.6 so mostrados os valores para perda de retorno obtidos via simulao realizada a ca atravs do software IE3D. O resultado medido foi obtido atrves do analizador de rede vetorial e a ZVRE da Rohde & Schwarz (Apndice A.1). A antena apresentou uma BW de 40% para a e simulao e 41% para a medida. ca
0
-5
Perda de Retorno [dB]
-10
Largura de Banda
-15
-20
-25
Medida Simulada
1,6 1,7 1,8 1,9 2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5 2,6 2,7 2,8
Frequncia [GHz]
Figura 2.6: Perda de Retorno da antena quasi-Yagi.
2.4.2 Diretividade, ganho e ecincia e

Alm da perda de retorno, existem algumas outras caracter e sticas muito uteis para anlise do a desempenho das antenas. Estas caracter sticas so: diretividade, ganho e ecincia. a e 11
A diretividade denida como sendo a razo entre a intensidade mxima de radiao (Umax ) e a a ca em uma dada direo da antena e a intensidade mdia de radiao em todas as direes (U0 ). ca e ca co A intensidade mdia de radiao igual ` potncia total radiada pela antena dividido por 4. e ca e a e Se a direo no for especicada, ca subentendido o uso da direo de mxima intensidade de ca a ca a radiao (Balanis, 1997). Escrevendo matematicamente, tem-se que: ca Umax 4Umax = U0 Prad
D (, ) =
(2.4)
O ganho de uma antena est intimamente relacionado a sua diretividade, sendo uma medida a que leva em conta a ecincia da antena bem como sua caracter e stica direcional. O ganho absoluto de uma antena em uma dada direo denido como a razo entre a intensidade de radiao, ca e a ca em uma dada direo do espao, e a potncia total na entrada da antena (Pent ) dividido por 4. ca c e O ganho dado pela Equao 2.5, e no caso de uma antena sem perdas, o ganho seria igual a e ca diretividade. 4Umax Pent
G (, ) =
(2.5)
A ecincia de radiao denida pela razo da potncia total radiada dividida pela potncia e ca e a e e total de entrada da antena. Outra denio dada como sendo a razo do ganho pela diretividade ca e a da antena, tendo-se ento: a Prad G (, ) = Pent D (, )
Erad =
(2.6)
A ecincia da antena denida pela razo da potncia total radiada dividida pela potncia e e a e e total da fonte do sinal, sendo: Prad Pf onte
Eant =
(2.7)
Uma vez denidas diretividade, ganho e ecincia, so apresentados os valores dos mesmos, e a obtidos via simulao no IE3D, na Figura 2.7, onde a diretividade e o ganho, para a frequncia ca e de 1,9 GHz, vistos na Figura 2.7(a) cam em torno de 5,6 dBi e 4,6 dBi, respectivamente. J a a ecincia de radiao e da antena, para a mesma frequncia, vistas na Figura 2.7(b) cam e ca e em torno de 70%. As ecincias de radiao e da antena so aproximadamente iguais devido ao e ca a
12
6,0

75
5,5
70
5,0
Eficincia [%]
65
dBi
4,5
60
4,0
3,5
Diretividade Ganho
55
Antena Radiao
3,0 1,7 1,8 1,9 2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5 2,6
50 1,7 1,8 1,9 2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5 2,6
Frequncia [GHz]
Frequncia [GHz]
(a) Diretividade e Ganho.
(b) Ecincias de radiao e da ane ca tena.
Figura 2.7: Caracter sticas simuladas da antena quasi-Yagi. bom casamento de impedncias da antena com a linha de alimentao, de forma que as reexes a ca o na entrada so m a nimas para esta faixa de frequncias. E importante destacar que estes valores e variam de acordo com o valor da tan (tangente de perdas) do substrato, e neste trabalho, aps o algumas aproximaes, foi utilizado o valor de 0,025 (Morgan, 2000). Caso tivesse sido mantido co o valor padro do IE3D, que 0,001, e portanto 25 vezes menor que o utilizado, seriam obtidas a e ecincias superiores a 95% para a mesma antena. e
2.4.3 Polarizao ca
A onda eletromagntica radiada por uma antena se propaga no espao livre e consiste dos e c componentes de campo eltrico e magntico, sendo estes ortogonais entre si. Dessa forma, a e e polarizao de uma antena denida pela posio da antena em relao ` terra, ou melhor, pela ca e ca ca a posio do vetor campo eltrico (Rios e Perri, 2002). Ento, se o vetor campo eltrico estiver ca e a e na horizontal, dir-se- que a antena polarizada horizontalmente. A convenincia do uso de a e e um ou outro tipo de polarizao pode ser importante para o funcionamento das antenas, como ca ocorre nas instalaes domsticas de televiso, que no Brasil utilizam polarizao horizontal e co e a ca que no geram problemas srios de instalao, diferentemente de alguns pa que fazem uso da a e ca ses polarizao vertical, o que aumenta as exigncias de instalao. ca e ca Os sistemas de comunicaes mveis operando na banda de UHF (Ultra High Frequency) (300 co o MHz a 3 GHz ) transmitem ondas polarizadas verticalmente de suas antenas nas estaes rdio` co a base. Os muitos obstculos no caminho da propagao reetem e difratam as ondas transmitidas a ca gerando uma proporo de componentes polarizados horizontalmente. A este fenmeno da-se o ca o 13
nome de polarizao cruzada (Arai, 2001). Dentre as medidas de propagao que caracterizam ca ca um sistema mvel numa dada rea, uma das mais importantes a da razo de polarizao o a e a ca cruzada, que dada pela razo das medidas de faixa estreita para as componentes polarizadas e a verticalmente e horizontalmente. Sabendo-se que as antenas podero operar em ambientes externos sujeitos a mltiplas reea u xes devido ` prdios, rvores ou quaisquer outros obstculos xos ou mveis, foram realizadas o a e a a o medidas quantitativas a m de caracterizar as antenas em campo aberto. Desta forma, utilizandose a estrutura existente no laboratrio LE-15 da FEEC, montou-se um setup de medidas que o consiste em uma antena corneta transmissora modelo 615 da Narda Microline (Apndice A.1), e a qual possui faixa de operao de 1,7 GHz a 2,6 GHz, sendo a mesma ligada a um gerador ca de sinais HP83630B no LE-15 via cabos de baixa atenuao. Assim, a antena em teste ser a ca a antena receptora, estando esta num suporte ligado a um motor de passo, que encontra-se no alto de uma torre com visada direta para a antena transmissora. A antena receptora ligada via cabos a um analizador de espectro HP 8593E (Apndice e e A.1), que controlado pelo software Labview por meio de uma conexo GPIB, atravs da qual e a e feita a aquisio das medidas. Este setup j foi utilizado por nosso grupo em outros projetos, e ca a proporcionando resultados satisfatrios na medida do padro de radiao (Capovilla, 2004) e na o a ca anlise da degradao de uma portadora CDMA em campo aberto (Jnior, 2002). a ca u
90 0 dB -10 dB -20 dB -30 dB -40 dB -30 dB -20 dB -10 dB 0 dB 240 270 300 180 0 150 30 120 60
Campo Simulado Cmara X Pol. Cmara
Campo Simulado Cmara X Pol. Cmara
210
330
210
330
(a) Plano E.
(b) Plano H.
Figura 2.8: Padro de radio 2D da antena quasi-Yagi. a ca
14
2.5 Anlise para variaes na inclinao do dipolo a co ca
(a) Antena em p (plano XY ). e
(b) Antena semi-deitada (plano XY ).
Figura 2.9: Padro de radio 3D da antena quasi-Yagi. a ca Tambm se realizou algumas medidas na cmara anecica do IFI (Instituto de Fomento e e a o coordenao Industrial ), localizado no CTA (Centro Tecnolgico da Aeronutica) em So Jos dos ca o a a e Campos - SP. A Figura 2.8 mostra o diagrama de radiao 2D da antena, incluindo a polarizao ca ca cruzada (X Pol - medida somente na cmara anecoica), sendo que esta apresenta niveis 20 dB a abaixo da polarizao direta. A Figura 2.9 mostra o diagrama numa viso tridimensional, estando ca a a antena posicionada no plano XY.

Nesta seo e na prxima ser analisado o comportameto da antena quasi-Yagi quando o ca o a dipolo sofre variaes, sejam elas de inclinao ou de tamanho do mesmo, objetivando melhora co ca na diretividade e reduo nas dimenses da antena, respectivamente. Um estudo similar, mas sem ca o o intuito de reduzir o tamanho da antena, foi realizado e apresentado recentemente por Capovilla (2004). Em seu trabalho, objetivou-se substituir o dipolo por outros elementos radiadores, que possu ssem diferentes formas geomtricas, tais como patches ou meanders. Outra anlise por e a ele realizada, teve como objetivo adicionar novos diretores ` antena quasi-Yagi apresentada nas a sees anteriores, com o objetivo maior de prover um aumento na diretividade. co
15
2.5.1 Dipolo inclinado para trs a

Com o intuito de melhorar a diretividade da antena quasi-Yagi, foi proposto a realizao ca de variaes na inclinao do dipolo, que formado por dois monopolos com uma abertura de co ca e 180, sendo este considerado um caso particular das antenas em V. Assim, com base na teoria das antenas em V (Thiele e Junior, 1980), onde o ngulo entre os monopolos varia de acordo o a comprimento de onda dos mesmos, realizou-se o primeiro teste, inclinando cada monopolo para trs de um ngulo de 30, ou seja, o ngulo inicial que era de 180 passou a ser de 240 no sentido a a a da propagao das ondas, conforme mostra a Figura 2.10(a). O projeto foi elaborado levando-se ca em conta as mesmas caracter sticas bsicas da antena quasi-Yagi descritas anteriormente e aps a a o realizao das simulaes no IE3D e suas devidas correes para ajuste `s frequncias de 1,9 GHz ca co co a e e 2,45 GHz, obteve-se as dimenses nais mostradas na Figura 2.10(a). Dado que a antena possui o o dipolo inclinado, ento a mesma foi denominada de tilted dipole ou simplesmente TD, a qual a teve seus resultados publicados e apresentados no IMOC 03 (Kretly e Ribeiro, 2003).
(a) Dimenses (em mm). o
(b) Prottipo. o
Figura 2.10: Antena quasi-Yagi tilted dipole.
Utilizando-se a mesma tcnica para fabricao do prottipo descrita na seo 2.3, contruiu-se e ca o ca a antena TD, sendo a mesma mostrada na Figura 2.10(b). Os resultados simulados e medidos para a perda de retorno so apresentados na Figura 2.11, onde se observa que a antena apresenta a uma BW de 37,2% e 33,8% para a simulao e medidas, respectivamente. ca
16
0
-5
Pedra de Retrno [dB]
simulado Medido
-10
-15
-20
-25 1,6 1,7 1,8 1,9 2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5 2,6 2,7
Frequncia [GHz]
Figura 2.11: Perda de Retorno da antena quasi-Yagi tilted dipole.
A diretividade e o ganho, que foram os motivadores da construo deste novo prottipo, ca o apresentaram uma pequena alterao, como pode ser visto na Figura 2.12(a). A diretividade ca manteve-se estvel para a faixa de 1,9 GHz, mas apresentou uma pequena alterao para as a ca frequncias mais altas. J o ganho, que se mostrou praticamente estvel para a antena quasie a a Yagi, teve um comportamento descendente ` medida que a frequncia aumentava, apresentando a e valor igual ao da antena quasi-Yagi para a frequncia de 1,9 GHz, mas com uma considervel e a reduo para as frequncias seguintes, especialmente para 2,45 GHz. O mesmo fato ocorreu com ca e a ecincia, que apresentou um decrscimo de 4% para 1,9 GHz e 10% para 2,45 GHz em relao e e ca aos valores obtidos para a antena quasi-Yagi, como mostrado na Figura 2.12(b). e O padro de radiao da antena TD nos planos E e H, medidos para a frequncia de 1,9 GHz, a ca e so apresentados na Figura 2.13. Eles apresentam boa concordncia com os resultados simulados, a a
7 6 5
70
65
60
Eficincia [%]
[dBi]
55
3 2 1 0 1,7 1,8 1,9 2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5
50
Antena Radiao
Diretividade Ganho
45
40 1,7 1,8 1,9 2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5
Frequncia [GHz]
Frequncia [GHz]
Figura 2.12: Caracter sticas simuladas da antena quasi-Yagi tilted dipole.
17

90
90 0 dB 120 60
Medido simulado
0 dB
120
60
Simulado Medido
-10 dB 150 -20 dB 30
-10 dB 150 -20 dB 30
-30 dB
180
-30 dB
180
-20 dB 210 -10 dB 330
-20 dB 210 -10 dB 330
0 dB
240 270
300
0 dB
240 270
300
(a) Plano E.
(b) Plano H.
Figura 2.13: Padro de radiao da antena quasi-Yagi tilted dipole. a ca embora os medidos apresentem algumas discrepncias devido `s reexes no prdio da FEEC ou a a o e nos automveis que circulam pela rua ao lado da torre de recepo. o ca
2.5.2 Dipolo inclinado para frente

Utilizando-se dos mesmos princ pios apresentados na seo anterior, realizou-se uma reduo ca ca no ngulo entre os monopolos. Assim, os monopolos foram inclinados para cima de um ngulo a a de 30, ou seja, a abertura inicial que era de 180 foi reduzida em 60, passando a ser de 120 no sentido da propagao, conforme mostra a Figura 2.14(a). Deve-se destacar que o ngulo de ca a
-5
-10
-15
-20
Simulado
-25
-30 1,6 1,7 1,8 1,9 2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5 2,6 2,7 2,8
Frequncia [GHz]
(a) Layout.
(b) Perda de retorno.
Figura 2.14: Antena quasi-Yagi com dipolo inclinado para frente.
18
2.6 Dipolos com fraes de comprimento de onda co
inclinao utilizado poderia ter outro valor, mas escolheu-se 30 por este valor no ser muito ca a grande e a componente na direo paralela ao plano de terra (L. cos , onde L o comprimento ca e do monopolo) representar 86% do valor total do dipolo padro. a O layout e a perda de retorno simulada para esta antena so mostrados na Figura 2.14, sendo a encontrado uma BW de 38% para a perda de retorno simulada. A diretividade e o ganho simulados so apresentados na Figura 2.15(a), e seus valores so a a ligeiramente inferiores aos da antena TD. A ecincia de radiao e da antena mostrada na e ca Figura 2.15(b) tambm apresentou valores menores que os da antena TD, e devido a este fato e no se construiu o prottipo para esta antena. a o
7 6 5 4
70 65 60
Eficincia [%]
55 50 45 40 35 30
[dBi]
3 2 1 0 1,7 1,8 1,9 2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5
Diretividade Ganho
Antena Radiao
1,7
1,8
1,9
2,0
2,1
2,2
2,3
2,4
2,5
Frequncia [GHz]
Frequncia [GHz]
Figura 2.15: Caracter sticas simuladas da antena com dipolo inclinado para frente.

Na seo anterior realizaram-se alteraes na inclinao do dipolo objetivando uma poss ca co ca vel melhora na diretividade e no ganho. Nesta seo ir-se- alterar os tamanhos f ca a sicos do dipolo, utilizando-os com fraes de comprimento de onda, e para tal, foi tomado como referncia os co e valores comumente utilizados nos sistemas de comunicao, ou seja, /2, 3/8 e /4. O objetivo ca destas alteraes conseguir uma considervel reduo nas dimenses da antena, visando a co e a ca o utilizao das mesmas nos aparelhos mveis atuais e nos futuros terminais que utilizaro os ca o a sistemas 3G e 4G. A seguir sero apresentadas as antenas, sendo que os dipolos tm comprimentos a e relativos ` primeira antena apresentada nesta dissertao, ou seja, a antena quasi-Yagi com dipolo a ca de comprimento . E importante frisar que o comprimento referido o comprimento de onda e 19
guiado no substrato, g , explicado anteriormente, e que daqui em diante ser tratado somente a por .
2.6.1 Dipolo de /2
O projeto de uma antena quasi-Yagi com dipolo /2 completamente baseado nas regras e de projeto apresentadas na seo 2.3, mas com uma reduo no comprimento do dipolo de ca ca para /2. Este fato implica na reduo das dimenses da maioria dos componentes da antena, ca o sendo somente mantidas as dimenses da linha de alimentao e do transformador de /4, o que o ca impede consideravelmente a reduo total das dimenses da antena. Dessa forma a rea destinada ca o a a alocar o balun, o transformador de /4 e a linha de alimentao ter sua altura (direo y) ca a ca mantida, mas a espessura (direo x ) ir diminuir devido a uma reduo no tamanho do balun, ca a ca que antes introduzia uma defasagem de /2 no sinal, e que agora deve ser somente de /4, de modo que se continue obtendo, na juno com o transformador de /4, um acoplamento de ca modo mpar. De uma maneira geral, as maiores redues so no dipolo, no diretor (que tambm co a e reduzido pela metade), nas distncias do dipolo para o plano de terra (reetor) e na largura e a do plano de terra, que deve manter uma distncia de /4 do balun. Sendo assim, realizaram-se a as primeiras simulaes e aps os devidos ajustes para a frequncia de 1,9 GHz, obtiveram-se as co o e
(b) Prottipo o
Figura 2.16: Antena quasi-Yagi com dipolo /2.
20
dimenses nais apresentadas na Figura 2.16(a), as quais foram utilizadas para a construo do o ca prottipo seguindo as tcnicas descritas anteriormente, sendo este mostrado na Figura 2.16(b). o e Durante as simulaes notou-se que houve uma reduo na largura de banda da antena, co ca conrmada atravs da medida da perda de retorno, cujos resultados so mostrados na Figura 2.17. e a Dessa forma uma BW de 33% foi obtida na simulao, enquanto a medida forneceu uma BW de ca 30%.
0
-5
Simulado Medido
-10
-15
-20
-25 1,6 1,7 1,8 1,9 2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5 2,6
Frequncia [GHz]
Figura 2.17: Perda de Retorno da antena quasi-Yagi com dipolo /2.
A Figura 2.18(a) mostra os valores da diretividade e do ganho em funo da frequncia, onde ca e se observa uma diretividade de 3,3 dBi e um ganho de 2,6 dBi para a frequncia de 1,9 GHz. A e ecincia da antena e de radiao mostrada na Figura 2.18(b) e para a mesma frequncia se e ca e e tem uma ecincia em torno de 83%. e
5,0 4,5 4,0
90
Diretividade Ganho
85
Eficincia [%]
3,5
80
[dBi]
3,0 2,5 2,0
75
Antena Radiao
70
1,5 1,0 1,7 1,8 1,9 2,0 2,1 2,2 2,3 2,4
65 1,7 1,8 1,9 2,0 2,1 2,2 2,3 2,4
Frequncia [GHz]
Frequncia [GHz]
(a) Diretividade e ganho.
(b) Ecincia de radiao e da antena. e ca
Figura 2.18: Caracter sticas simuladas da antena quasi-Yagi com dipolo /2
21
2.6.2 Dipolo de 3/8

De maneira similar a da seo anterior, calculou-se o tamanho de um dipolo 3/8 e projetaramca se as dimenses iniciais da antena. Aps os devidos ajustes para obteno da frequncia desejada, o o ca e que funo da distncia do dipolo ao plano de terra e tambm do comprimento do balun, obtevee ca a e se as dimenses otimizadas e construiu-se o prottipo da antena, sendo ambos apresentados na o o Figura 2.19.
3/8
(b) Prottipo. o
Figura 2.19: Antena quasi-Yagi com dipolo 3/8.
A perda de retorno simulada e medida mostram uma reduo na largura de banda ainda ca maior que a obtida para o dipolo /2. A Figura 2.20 mostra os resultados simulados e medidos, onde observa-se uma BW de 24,6% e 21,5% para a simulao e medida, respectivamente. ca
0
-5
-10
-15
-20
-25
Simulado Medido
1,6 1,7 1,8 1,9 2,0 2,1 2,2 2,3
-30
Frequncia [GHz]
Figura 2.20: Perda de Retorno da antena quasi-Yagi com dipolo 3/8.
A diretividade e o ganho tambm apresentaram valores inferiores aos do dipolo /2, e consee quentemente piores que os da antena quasi-Yagi. Na Figura 2.21(a) observa-se uma diretividade 22
de 3,4 dBi e um ganho de 2,7 dBi para a frequncia de 1,9 GHz. A ecincia de radiao e da e e ca antena caram em 90% e 86%, respectivamente, sendo os grcos das mesmas apresentado na a Figura 2.21(b).
4,0
95
3,5
90
3,0
Eficincia [%]
85
[dBi]
2,5
80
2,0
1,5
Diretividade Ganho
1,7 1,8 1,9 2,0 2,1
75
Antena Radiao
1,0
70 1,7 1,8 1,9 2,0 2,1
Frequncia [GHz]
Frequncia [GHz]
(b) Ecincia de radiao e da antena. e ca
Figura 2.21: Caracter sticas simuladas da antena quasi-Yagi com dipolo 3/8.
2.6.3 Dipolo de /4
De modo semelhante aos dois casos apresentados anteriormente, a antena mostrada nesta seo foi projetada para ter um dipolo com 1/4 do comprimento do dipolo da antena quasi-Yagi. ca Este fato possibilitou uma considervel reduo no tamanho da antena, de modo que aps os a ca o devidos ajustes conseguiu-se uma rea total correspondente a 42% da antena quasi-Yagi. A a
/4
(a) Dimenses o mm).
(em
(b) Prottipo. o
Figura 2.22: Antena quasi-Yagi com dipolo /4. 23
Figura 2.22 mostra as dimenses nais e o prottipo constru da antena com dipolo /4 o o do e apresentado na Figura 2.22(b) Como j era esperado, devido ao fato ocorrido com as antenas de /2 e 3/8, tambm a e houve uma reduo na BW, sendo que esta antena apresentou a menor BW de todas, conforme ca ca apresentado na Figura 2.23. Foi obtida uma BW de 9,4% e 8,6% para a simulao e medidas, respectivamente. Embora tenha ocorrido esta reduo na BW, estes valores ainda so superiores ca a aos apresentados por outras antenas amplamente estudadas, tais como a PIFA (Planar Inverted F Antenna), que apresenta valores de BW em torno de 8% (Kretly et al., 2002b) e a antena patch, que possui meros 2% de largura de banda (Kretly e Jr., 2001).
0 -5 -10 -15 -20 -25 -30 -35 -40 1,7 1,8 1,9 2,0 2,1 2,2
Simulado Medido
Frequncia [GHz]
Figura 2.23: Perda de Retorno da antena quasi-Yagi com dipolo /4.
De maneira semelhante, a diretividade e o ganho tambm apresentaram resultados inferiores e ao da antena quasi-Yagi, sendo este caso os com menores valores, conforme observado na e Figura 2.24(a), onde a diretividade de 3 dBi e o ganho de 2,6 dBi para a frequncia de e e
95 90
3
85
Eficincia [%]
80 75 70 65
[dBi]
Diretividade Ganho
1
Antena Radiao
0 1,80
1,85
1,90
1,95
2,00
2,05
2,10
60 1,80
1,85
1,90
1,95
2,00
2,05
2,10
Frequncia [GHz]
Frequncia [GHz]
(b) Ecincia de radio e da antena. e ca
Figura 2.24: Caracter sticas simuladas da antena quasi-Yagi com dipolo /4. 24
1,9 GHz. Apesar desta antena ter apresentado a maior reduo na BW, ela mostrou-se com uma ca boa ecincia, conforme Figura 2.24(b), onde 90% da potncia do sinal radiada, considerando-se e e e a frequncia de projeto. e
2.6.4 Comparao dos resultados entre as antenas ca

ca sticas apresentadas anteriormente A tabela 2.1 mostra uma comparao de todas as caracter para as antenas constru das. A partir de sua anlise conclui-se que a antena 3/8 foi a que aprea sentou o melhor resultado, pois manteve uma excelente largura de banda, quando comparada a ` antena /4, ganho e diretividade semelhantes ao da antena /2, sendo que sua rea consa tru est quase no limite f da a sico imposto pelo menor prottipo, e esta ainda apresenta uma boa o ecincia. e
Tabela 2.1: Comparao entre as caracter ca sticas das antenas constr das. Antena Quasi-Yagi Dipolo p/ trs a Dipolo p/ frente Dipolo /2 Dipolo 3/8 Dipolo /4 BW (sim.) 40% 37,2% 39% 33% 24,6% 9,4% BW (med.) 41% 33,8% 30% 21,5% 8,6% Ganho 4,6 dBi 3,8 dBi 3,3 dBi 2,6 dBi 2,7 dBi 2,6 dBi Diretividade 5,6 dBi 5,7 dBi 5,4 dBi 3,3 dBi 3,4 dBi 3 dBi Ecincia e 70% 64% 62% 83% 86% 90% Area 100% 100% 47% 42% 41%
Para concluir a anlise feita sobre a variao no tamanho dos dipolos, apresentado na a ca e Figura 2.25 uma comparao dos padres de radiao medidos das antenas quasi-Yagi padro, ca o ca a comprimento do dipolo igual a , e das antenas com dipolo /2 e 3/8. Percebe-se que os padres de radiao para campo distante apresentam comportamento semelhante aos padres de o ca o radiao das antenas dipolos com as suas variantes, ou seja, antenas dipolo com comprimento , ca /2 e 3/8, as quais so amplamente abordadas na literatura clssica de antenas (Balanis, 1997; a a Kraus, 1988; Milligan, 1985).
25
2.7 S ntese do cap tulo
90 0 dB -10 dB -20 dB -30 dB -40 dB -30 dB -20 dB -10 dB 0 dB 240 270 300 180 150 30 120 60
/2 3/8
90 0 dB -10 dB -20 dB -30 dB 150 30 120 60
/2 3/8
-40 dB -30 dB -20 dB -10 dB 0 dB
180
210
330
210
330
240 270
300
(a) Plano E.
(b) Plano H.
Figura 2.25: Padres de radiao medidos: comparao entre as antenas. o ca ca

Este cap tulo introduziu a antena quasi-Yagi, apresentando as regras de projeto e construca o da mesma, sendo discutidos os resultados simulados e medidos da perda de retorno e do padro de radiao. Adicionalmente foram mostradas as simulaes para ganho, diretividade e a ca co ecincia. Como contribuio, realizaram-se estudos de variaes na inclinao e no tamanho e ca co ca do dipolo da antena quasi-Yagi, visando melhoria na diretividade e diminuio da rea consca a tru da, respectivamente. A variao na inclinao no apresentou resultados signicativos, de ca ca a forma que os valores de ganho e diretividade foram inferiores aos t picos da antena quasi-Yagi. Entretanto, as variaes no tamanho do dipolo usado-se valores menores que um comprimento co de onda guiado no substrato, produziram bons resultados quanto ` reduo da rea constru a ca a da, embora tenham ocorrido redues na largura de banda das antenas e diminuio do ganho e da co ca diretividade das mesmas. Contudo, estes fatores esto de acordo com a teria clssica de antenas a o a (Balanis, 1997; Milligan, 1985) que trata dos dipolos e suas variaes em funo do comprimento co ca de onda.
26
Cap tulo 3 Circuito chaveador usando diodos PIN
O diodo PIN encontra vasta aplicao em sistemas de RF (Radio-Frequency), UHF e em ca circuitos de microondas. Ele fundamentalmente um dispositivo cuja impedncia, na faixa e a de frequncias onde aplicado, controlada pela variao de uma tenso DC aplicada a seus e e e ca a terminais. A caracter stica mpar do diodo PIN sua capacidade de controlar altos valores de e potncia de RF com n e veis muito baixos de tenso DC. Assim, neste cap a tulo apresentar-sea os fundamentos e algumas das aplicaes dos diodos PIN objetivando a construo de um co ca circuito chaveador com boas caracter sticas de isolao para posterior aplicao no chaveamento ca ca das antenas ativas.
3.1 Fundamentos
O diodo PIN um resistor controlado por corrente nas frequncias de rdio e microondas, e e a sendo o mesmo um semicondutor de sil constitu de uma camada de material intr cio do nseco de alta resistividade, de rea e espessura nitas, contida entre camadas altamente dopadas de matea riais tipo P e N, como pode ser observado na Figura 3.1(a). Tipicamente, a camada intr nseca I tem uma resistividade de 1.000 /cm, com espessura podendo chegar a 200 m (Watson, 1969), sendo constitu de material tipo P ou N. da Quando o diodo PIN polarizado diretamente, lacunas e eltrons so injetados na regio I. e e a a Estas cargas no tm capacidade imediata de se recombinar, permanecendo ativas por um certo a e per odo de tempo , chamado tempo de vida dos portadores. Isto resulta em uma quantidade de carga armazenada Q que reduz a resistncia da regio I para um valor RS , conforme modelo e a simplicado apresentado na Figura 3.1(b). Contudo, quando o diodo PIN encontra-se num potencial zero ou polarizado reversamente, no existem cargas armazenadas na regio I e o a a diodo apresenta-se como um capacitor CT colocado em paralelo com uma resistncia RP conforme e 27
PIN Diodes
determines the DC voltage at the forward bias current level. PIN diodes are often rated for the forward voltage, APN1002 3. VF, at a chaveador usando diodos PIN Circuito fixed DC bias. 3.1 Fundamentos
- Tempo de vida the down voltage, VB, which is determined by dos portadores. h (approximately 10 V/m). PIN diodes of the V 10 A eakdown voltage may have different voltage e c a a e vel erally, the lower the Atravs rating theo da largura da regio I e da rea A do diodo poss se construir diodos voltage da variaaless e PIN diode.
Large Signal Model
PIN de diferentes geometrias,is forward biased the stored charge, When the PIN diode mas que tenham como resultado os mesmos valores de RS e CT .
nal Model
Q, must be much greater sticas the incremental stored Estes dispositivos podem ter caracterthan similares para pequenos sinais, contudo os diodos charge added or removed by the RF current, IRF. To insure
com regio mais charge, a a V N diode is forward biased theIstored espessa teriam maior valor para a tenso de ruptura VB (Breakdown Voltage) e this incremental storedinequality must hold: the following much greater than the propriedades de distoro, enquanto os dispositivos mais nos teriam maior velocidade melhores ca d or removed by the RF current, IRF. To insure de hold: ca o e I wing inequality must chaveamento. Existe uma concepo errnea de que o tempo de vida dos portadores Figure 2 Application Note Q >> RF o unico parmetro que determina a menor frequncia de operao e o efeito de distoro. Ele a 2 e ca ca certamente um fator marcante, mas a espessura W da regio I tambm tem sua parcela de e a e
Zero or Reverse Bias Model Forward Bias Model CT = A W2 RS = W () L (n Area p) Q Where: +A
Model W2 RF, UHF () and p) Q + device whose
des contribuia ca e RF Electrical com o tempo de of PIN Diode cal Modeling of PINco, e se relacionaModeling transio de frequncia do diodo PIN (Alpha, 1999a). Diode APN1002
L
100 mA
The reverse voltage ratings PIN diode, a uency Model Figura 3.1(c). Vale ressaltar que o diodo on a uma indutncia VR, are stica, que independe possui a L caracter guarantee from the manufacturer thatB no more than a V ncies (below the transit time frequency of the do tipo de like a silicon PN est sendo aplicada. polarizao que ca a DC the PIN diode behaves specified amount, generally 10 A, of reverse current will miconductor diode. Os principais parmetros que denem um diodo PIN Vso: Its I-V characteristic a Ra flow when V current he DC voltage at the forward biasR is applied. It is not necessarily the avalanche e e or bulk breakdown voltage, VB, which is determined by the odes are often rated RS the forward voltage, rie quando polarizado diretamente; for - Resistncia em s VO DC bias. I CT - Capacitncia total a 0 V ou polarizado reversamente; region width (approximately 10 V/m). PIN diodes of the a voltage ratings on samediode, VR, are a a PIN bulk breakdown voltage may have different voltage R - Resistncia em paralelo quando em 0 V ou polarizado reversamente; e VF om the manufacturer P that no more than a ratings. Generally, permiss the voltage reversa; ount, generally 10 A,R -reverse current o DC the lower para polarizao rating the less V of Mxime tens will a a vel ca expensive the PIN is applied. It is not necessarily the avalanche diode.
Zero or Revers CT = A W
Where: Where: P+ RS egion width RP CT = dielec Q = IFx (coulombs) ward bias current I rrier lifetime A = area o RS W = I region width tor at radio and ctron mobility N+ onductor diode IF = forward bias current e mobility is sandwiched Notes: = carrier lifetime Figure 1 n the PIN diode (a) (c) Polarizao reversa. ca njected into the 1. equation ca direta. is electron mobility n =Estrutura do diodo PIN.The above(b) Polarizaovalid at frequencies above the ately annihilate l diode the parasitic resistance region width and diode areadielectric relaxation frequency of the I region, i.e. By varying the I of the diode it is possible n average time, nd an average the lowest p =diodesvalue. contact limit to construct PIN hole mobility Modelamento bsico para o diodo PIN. resistance of different geometrics to result Figura 3.1: a in in the same RS and CT characteristic. These devices may 1 Notes: ve resistance of will be affected by the parasitic > t impedance have similar small signal characteristics. However, the Notes: 2 (where is the resistivity of the I region). thicker I region diode cargas na a higher bulk, e, L, which is generally densidade 1 nHy. have regio intr or RF e a geometria do diodo determinam a condutncia A less than de would a nseca a 1. The above bias there is no breakdown voltage and better distortion properties. On the on is valid at do1. In higher than the determina aproximadamente oPIN diode acts likefrequncias, dielectric r e appears as a frequencies practical diode the parasitic resistance of the diode varactor. a partir other hand, theenquanto I At have frequencies the limite inferior de a e dispositivo, thinner device would lower faster tance time switching nsmit RP. frequency, i.e., speed. and contact limit the lowest resistance value. package 2. The value R is proportional to voltage and inversely parameters: There is a common misconception that carrier lifetime, , P 1 where frequency is in MHz and W in m). determinesproportional to frequency. In most RF applications its is the only parameter that the bias 2. The lowestand the distortion produced. Thisaffected by the parasitic impedancevaluelowest 28 than the reactance of the capacitance, > will is higher be frequency of operation 2 erse bias C generally less than ion assumes that is indeed asignal but equally important is the , and is less significant. 1 nHy. the inductance, L, which is T thickness RF factor, does not
= dielectric constant of silicon A =W area of diode junction
rolled by its DC ode is its ability ith(coulombs) much lower
3. Circuito chaveador usando diodos PIN
3.1 Fundamentos
das quais o diodo pode ser aplicado. A condutncia do diodo proporcional a carga armazenada, a e sendo que a carga por sua vez est relacionada com a corrente do diodo atravs de (Alpha, 1999a) a e dQ Q + dt
Id =
(3.1)
onde: Id a corrente no diodo e Q a carga armazenada no diodo. e e Se o diodo for polarizado somente com uma corrente constante, ento a carga armazenada a e constante e igual a:
Q = Id .
(3.2)
Caso a polarizao consista de uma corrente constante e um sinal de RF de baixa frequncia ca e ou um sinal variante no tempo, ento a componente DC da carga armazenada ser modulada pela a a componente AC presente. O grau de modulao depende do n relativo das duas componentes ca vel de carga e da frequncia do sinal de RF. Esta dependncia em frequncia pode ser facilmente e e e vista atravs da resoluo da transformada de Laplace da Equao 3.1, o que resulta em: e ca ca Id . (j) 1 + j
Q() = onde: = 2fc
(3.3)
A Figura 3.2 mostra o grco da Equao 3.3, na qual percebe-se que para sinais abaixo de a ca fc = 1/2. , o sinal de RF ca sob o mesmo efeito de uma tenso DC. Contudo, para sinais a acima de fc , o efeito da modulao decai aproximadamente 6 dB/Oitava. ca
20 LOG
Q(w)
id t
6 dB/Oitava
wC =1/t
LOG (w)
Figura 3.2: Resposta em frequncia do diodo PIN. e
29
3.1 Fundamentos
O tempo de vida dos diodos PIN determinado no projeto, sendo usualmente baseado na e velocidade de chaveamento desejada. Tipicamente tem valores entre 5 ns e 7 s. Para um valor de 100 ns, fc aproximadamente 1,6 MHz. Dessa maneira o diodo pode ser visualizado e como se segue. Para frequncias abaixo de fc e tenses DC, o diodo PIN comporta-se como um e o diodo semicondutor com juno PN tradicional, ou seja, o sinal de RF incidente no diodo ser ca a reticado, e nele ocorrer uma considervel distoro. Na vizinhana de fc , o diodo comportaa a ca c se como um resistor linear com uma pequena componente de no linearidade, o que ir, por a a consequncia, fazer com que o sinal sofra algum grau de distoro. Para frequncias bem acima e ca e de fc (f > 10fc ) o diodo aparece essencialmente como uma resistncia linear pura, cujo valor e pode ser controlado por uma tenso DC ou um sinal de baixa frequncia. a e
3.1.1 Modelo para baixas e altas frequncias e

Devido ao comportamento anteriormente descrito, o circuito equivalente para o diodo PIN tambm dependente da frequncia. Para frequncias muito menores que fc , o circuito comportae e e e se como um diodo PN normal. Para frequncias prximas de fc , o circuito equivalente do e o diodo PIN depende essencialmente de como o dispositivo foi projetado. Ele pode apresentar um comportamento fortemente indutivo ou fortemente capacitivo. Alm disso, a operao nesta e ca
I
VB
VR
VO
VF 100 mA
10 A
Figura 3.3: Caracter stica I-V do diodo PIN.
30
3.1 Fundamentos
faixa de frequncias, com n e veis moderados de polarizao, resultar na gerao de altas taxas ca a ca de distoro do sinal. ca A caracter stica I-V (corrente-tenso) determina a tenso DC para um dado n de corrente, a a vel sendo mostrada na Figura 3.3. Os diodos PIN so frequentemente calculados para uma tenso a a direta VF (Forward Voltage) para valores xos de polarizao DC. ca O valor nominal da tenso reversa, VR (Reverse Voltage) em um diodo PIN, normalmente a medida ` temperatura ambiente (25C) e podendo variar com o fabricante, a garantia de que a e no mais que um valor espec a co da corrente reversa, geralmente 10 A, ir uir quando VR for a aplicada. Essa corrente principalmente devida `s condies da superf do semicondutor e e a co cie frequentemente referida como uma corrente de fuga de superf e cie. A tenso VR no necessaa a e riamente a tenso de ruptura, denominada anteriormente de VB (que por sua vez proporcional a e a espessura W da regio I, e tem valor aproximado de 10 V /m). Para o diodo PIN utilizado, a o valor da tenso VB m a nimo de 70 V. Diodos PIN com a mesma tenso de ruptura podem e a ter valores de tenso reversa diferentes. Geralmente, quanto menor a tenso reversa menor o a e a e custo do diodo PIN. Quando o diodo PIN polarizado diretamente, a carga armazenada Q deve ser muito maior e que a carga incremental adicionada ou removida pela corrente IRF do sinal de RF. Para que isto seja garantido, a desigualdade da Equao 3.4 precisa ser atendida. ca IRF 2f
(3.4)
Quando em polarizao reversa, o diodo no dever ser polarizado com valor DC acima do ca a valor nominal de VR . A tenso de ruptura VB de um diodo PIN proporcional a espessura W da a e regio I e sempre maior que VR . Numa aplicao t a e ca pica a oscilao mxima da tenso negativa ca a a no deve exceder VB . Uma excurso instantnea do sinal de RF em direo a polarizao positiva a a a ca ca no causa conduo no diodo por causa da baixa velocidade de chaveamento na condio de a ca ca reverso para direto. A tenso DC de polarizao reversa necessria para manter baixa conduo a ca a ca no diodo foi analisada por Hiller e Caverly (1990) e est associada ` magnitude do sinal de RF a a e a espessura da regio I. a
31
3.1 Fundamentos
3.1.2 Modelo para a velocidade de chaveamento

A velocidade de chaveamento em qualquer aplicao depende do circuito controlador, bem ca como do diodo PIN, que por sua vez possui duas velocidades de chaveamento, sendo uma da polarizao direta para reversa, denominada de TF R , e outra da polarizao reversa para direta, ca ca denominada de TRF . O valor de TF R pode ser calculado a partir da corrente direta IF e do valor inicial da corrente reversa IR como se segue:
IF ) IR
TF R = ln(1 +
(3.5)
Assim, com base na Equao 3.5 pode-se traar o grco da corrente no diodo versus o tempo ca c a (Alpha, 1999a), o qual mostrado na Figura 3.4. Observa-se que quanto maior a razo IR /IF , e e a menor ser razo TF R / , ou seja, a caracter a a stica do diodo que afeta a velocidade de chaveamento o tempo de vida dos portadores . e
IR IF 20 10 5 2 1 TFR 0.049 0.095 0.182 0.405 0.693
TFR IF Diode Current Corrente 0
Tempo Time
IR
Figura 3.4: Tempo de transio da polarizao direta para reversa. ca ca
Tabela 3.1: Valores t picos para TRF (tempo de transio reverso/direto) de um diodo PIN. ca Espessura da regio I Para 10 mA a (m) 10 V 100 V 175 7,0 s 5,0 s 100 2,5 s 2,0 s 50 0,5 s 0,4 s Para 50 mA 10 V 100 V 3,0 s 2,5 s 1,0 s 0,8 s 0,3 s 0,2 s Para 100 mA 10 V 100 V 2,0 s 1,5 s 0,6 s 0,6 s 0,2 s 0,1 s
32
3.1 Fundamentos
A velocidade de polarizao reversa para direta TRF depende primariamente da espessura W ca da regio I como mostra a tabela 3.1 (Alpha, 1999a), na qual alguns valores t a picos so mostrados a podendo-se observar que eles tambm variam com a corrente de polarizao aplicada no diodo. e ca
3.1.3 Caracter stica da resistncia de RF e

Apesar do diodo PIN ser um dispositivo de dois terminais, ele comporta-se essencialmente como um dispositivo de duas portas. A caracter stica de transferncia destes dispositivos noe a convencionais de duas portas governada pela resistncia efetiva de alta frequncia RI , que pode e e e ser escrita como: K IDC
X
RI =
(3.6)
onde: IDC a corrente DC de polarizao dada em mA, sendo K e X constantes. e ca Devido ` variedade de mecanismos que existem em um diodo nas frequncias de RF, a consa e tante K e o expoente X devem ser determinados empiricamente. Para um projeto espec co de diodo, o expoente X geralmente considerado constante. A constante K, e por consequncia RI , e e so altamente dependentes da fabricao e do processo de controle e seu valor pode variar de at a ca e 3:1 de um diodo para outro. Para aplicaes de modulao de pulso ou chaveamento, a variao co ca ca de RI entre dois diodos numa certa polarizao no signicante, desde que os diodos sejam ca a e chaveados entre valores de resistncia muito alta e muito baixa pelo controle de corrente. Para e aplicaes analgicas, tais como modulao e atenuao, e particularmente onde a repetibilidade co o ca ca e o amarramento da atenuao com a corrente de polarizao desejado, esta variao unitria ca ca e ca a de RI pode impor uma limitao no projeto e no desempenho. ca Os experimentos realizados utilizaram o diodo somente com polarizao constante, obedeca cendo assim a relao 3.2, o que indica que a resistncia RS da regio I, quando utilizando polaca e a rizao direta, inversamente proporcional ` carga Q, e dessa forma a relao t ca e a ca pica da corrente de polarizao direta IF versus a resistncia srie RS do diodo pode ser traada (Pulse, 2003), ca e e c sendo mostrada na Figura 3.5, na qual tem-se representados vrios modelos com diferentes capaa citncias de juno. Essas capacitncias so resultantes de efeitos parasitas no encapsulamento a ca a a dos mesmos, sendo que o modelo utilizado possui uma capacitncia de 0,05 pF resultante do seu a processo de fabricao. ca
33

Resistncia do Diodo (Ohms)
1000
3.2 Aplicaes co
100
Capacitncia Capacitance do diodo (pF) (pF)
Diode
10
0.020 0.035 0.050 0.100
0.01
0.1
1.0
10
100
IF-Forward Current (mA)
Figura 3.5: Variao da resistncia do diodo PIN em relao ` corrente de polarizao. ca e ca a ca
3.1.4 Potncia dissipada e

O maior sinal de RF que um diodo PIN pode transportar limitado pela sua tenso de e a ruptura ou sua capacidade de dissipao de potncia (Razavi, 1998). Assim, a quantidade de ca e potncia de um sinal, que pode ser transportado atravs de um diodo PIN, em um circuito e e geralmente muito maior que a potncia real dissipada nele, pois este tipo de diodo opera e e normalmente no modo reexivo. Por exemplo, um diodo colocado em srie em um circuito e absorver em torno de 2% da potncia incidente. Assim, se tal diodo dissipar 3 mW, poder a e a transmitir 150 mW de potncia de sinal. e
3.2 Aplicaes co
A propriedade mais importante do diodo PIN o fato de que ele pode, sob certas circunse tncias, comportar-se como uma resistncia quase pura nas frequncias de RF, com um valor de a e e resistncia podendo variar de 1 a 10.000 , por meio de um controle de corrente DC ou de baixa e frequncia. Quando o controle de corrente for variado continuamente (Hunton e Ryals, 1962), o e diodo PIN utilizado para : e
Atenuao; ca Nivelamento e modulao em amplitude de um sinal de RF. ca
Quando o controle de corrente for chaveado em ON e OFF ou em passos discretos, o dispositivo utilizado como: e 34

Chaveador; Atenuador; Modulador de pulsos; Defasador.
3.2 Aplicaes co
Assim, nota-se que existe uma vasta quantidade de aplicaes para o diodo PIN. Contudo, co nesta dissertao sero mostradas mais detalhadamente somente as aplicaes que se referem `s ca a co a chaves e atenuadores, por serem estas as aplicaes que se utilizaro no desenvolvimento dos co a experimentos.
3.2.1 Chaves SPST e Atenuadores

O uso mais comum do diodo PIN, devido ao seu pequeno tamanho e sua alta velocidade de chaveamento, como elemento controlador de componentes de sinais de RF de banda larga. Nesta e aplicao, o diodo considerado como um dispositivo de alta ou baixa impedncia, dependendo ca e a da polarizao aplicada a seus terminais (em um instante determinado). ca As Figuras 3.6 e 3.7 mostram dois dos mais simples circuitos que utilizam o diodo PIN como chave SPST (Single Pole Single Through) ou atenuador. Na Figura 3.6(a), a atenuao decresce ca quando a resistncia de RF do diodo reduzida pelo aumento da corrente direta (Chaveamento de e e OFF para ON), melhor observado atravs do circuito equivalente mostrado na Figura 3.6(b), e onde RI diminui ` medida que uma corrente de polarizao direta aplicada nos terminais do a ca e diodo. Esta congurao conhecida como circuito srie, onde: ca e e Vg - Tenso de sa do gerador; a da Rg - Resistncia interna do gerador; e
(b) Circuito equivalente para RF.
(a) Circuito srie. e
Figura 3.6: Chave SPST reetiva srie. e 35
3. Circuito chaveador usando diodos PIN RI - Resistncia intrinseca do diodo PIN ; e Z0 - Impedncia caracter a stica do diodo PIN ; RL - Resistncia da carga ou receptor. e
3.2 Aplicaes co
Na Figura 3.7(a) quando o controle chaveado de ON para OFF, o circuito atua como e uma chave, impedindo o sinal de uir para o terra, forando-o a uir para a carga. Isto pode c ser melhor visualizado na Figura 3.7(b), onde RI aumenta com a diminuio da corrente de ca polarizao direta que aplicada aos terminais do diodo. Esta a chamada congurao paralela. ca e e ca
(b) Circuito equivalente para RF. (a) Circuito paralelo.
Figura 3.7: Chave SPST reetiva paralelo.
No entanto, existe uma atenuao residual quando a chave est em ON (entrada forada a ca a c uir para a sa da) que chamada de perda de insero. J a atenuao proporcionada quando e ca a ca a chave est em OFF chamada de isolao. A mxima isolao depende, principalmente, da a e ca a ca capacitncia do diodo, enquanto que a perda por insero e a dissipao de potncia so funes a ca ca e a co da resistncia do diodo. e Se o diodo assumido como sendo uma resistncia pura em RF, ento a atenuao para os e e a ca circuitos das Figuras 3.6 e 3.7 dada pelas equaes abaixo: e co RI 2Z0 Z0 2RI
(Serie) = 20 log 1 +
(3.7)
(P aralelo) = 20 log 1 + onde:
(3.8)
Z0 , RG e RL so respectivamente a resistncia do circuito, a resistncia do gerador e a a e e resistncia da carga. e 36
3.2 Aplicaes co
RI a resistncia efetiva de alta frequncia ou simplesmente resistncia de RF do diodo PIN e e e e para uma corrente especica de polarizao. ca Como pode ser visto, a atenuao no depende da frequncia, sendo uma funo da razo da ca a e ca a resistncia do circuito e da resistncia do diodo. Conforme a polarizao no diodo variada, a e e ca e resistncia de carga vista pela fonte tambm varia, consequentemente a atenuao obtida prie e ca e mariamente por reexo e parcialmente pela dissipao no diodo PIN (Caverly e Hiller, 1987). a ca Estes tipos de chaves (ou atenuadores) so conhecidos como reetivos. Entretanto, devido aos a efeitos parasitas do encapsulamento e a uma srie de distores relacionadas aos mtodos de e co e fabricao (HP, 1999a), os quais fogem ao escopo desta dissertao, conclui-se que um diodo real ca ca contm vrios elementos que funcionam como reatncia. Consequentemente, a atenuao carace a a ca ter stica torna-se dependente da frequncia. Assim, as Equaes 3.7 e 3.8 podem ser reescritas e co da seguinte forma: (Serie) = 10 log
RS Z0 2 XS Z0 2
+2 4
(3.9)
(P aralelo) = 10 log
RS .Z0 RS 2 +XS 2
+2 4
XS .Z0 RS 2 +XS 2
(3.10)
onde: RS e XS so a resistncia de srie equivalente e a reatncia da impedncia Zd do diodo, a e e a a respectivamente, sendo Zd = RS + jXS . Quando os parmetros t a picos do encapsulamento do diodo so disponibilizados pelo fabria cante, as funes podem ser esboadas em funo da frequncia, mostrando assim quais so co c ca e a os valores esperados para isolao e perda por insero por diodo, seja na congurao srie ou ca ca ca e paralelo. Nesta dissertao no so apresentadas as curvas para o tipo de diodo PIN utilizado ca a a devido ao fabricante no disponibilizar os dados necessrios. a a
3.2.2 Chaves multi-throw e atenuadores com m ltiplos diodos u

Quando os requisitos de mxima atenuao ou isolao so maiores do que os que podem ser a ca ca a obtidos com um unico diodo, a utilizao de arranjos com mltiplos diodos em srie, paralelo ou ca u e srie-paralelo, a melhor alternativa. Exemplos de tais arranjos so mostrados na Figura 3.8. e e a
37
connection, isolations greater than than connection, isolations greater op connection, isolations greater than ope the sum of of that obtained with a a capa that obtained with a ca thethe sum of that obtained with sum single series and aand a single parallelgrou single series a single parallel gr single series and single parallel es 3. Circuito chaveador usando diodos PIN 3.2 Aplica co circ diodediode bebe obtained. may may be obtained. obtained. cir WhenWhen the maximum attenuation ordiode may the maximum attenuation When the maximumqual feita aor or ao de dois diodos em paralelo, obter attenuation Para o circuito 3.8(a), no conex a-se um incr in isolation requirements are egreater isolation requirements are greater discussion so far has been been diod isolation requirements are greater The The discussion far far has di The discussion aumento na been aumento no mximo deobtained by aco, mas tambm ter a 6 dB na atenua e a-se um so so than what can be be be obtainedaby a concerned with circuits hasperda por spac than what can obtained by a than what can that are are sp concerned with circuits that concerned with circuits that are insero. diode, multiple diodediode intervalos de comprimentos de onda de /4 forem ca Contudo, se n multiple c singlesingle diode, diodos espaados de single diode, multiple diode essentially single-pole single-throw essentially single-pole single-throw essentially single-pole single-throw circuits using using na Figura 3.8(b), or switches or two-port attenuators. circuits series, parallel or utilizados, como mostradoseries, parallel a atenuao total pode ser aumentada por de um Whe ca circuits using series, parallel or switches switches or or two-port attenuators. W series-parallel arrangements can beSe abe por insertwo-port attenuators. its b series-parallel de um unico diodo.can variety of multiple throw elementos arrangements series-parallelcarrangements can beAperdaA variety multiple throw ar- arfator n vezes a atenuao a c of multiple throw its A variety ofao for devida aos arused. used. Examples such circuits Examples of such such circuits rangements are also used. Examples of of circuits camento derangements are possible asas as able parasitas, ela poder decrescer devido ao espa a /4 produzir um cancelamento destas also possible ab rangements are also possible areareare shown Figure 14.14.simple shown in Figure 15. The design shown in Figure 14. A simple shown in in Figure A A simple shown in Figure 15. 15. The design show shown in Figure The design sh reatncias. or series connection of a parallel or series connection of of considerations for these circuits parallel or series connection parallel considerations these circuits considerations for for these circuits Onde o uso will only increase no for prtico, a e two diodes do espaamento increase thethe pode-se utilizar o esquema srie-paralelo, In th two diodes c will only increase a are similar to thosethose outlined above two diodes will only de /4 the areare similar those outlined above In similar to to outlined above attenuation by bymaximum obter 6 dB except that interaction between mostrado na Figuraa3.8(c),apara seof ofdB 6 dB co. Nesta congurao obtm-se uma ca e attenuation by maximum of isolaaexcept that interaction between can attenuation a maximum 6 maior except that interaction between ca andwill also increase the insertion diodos em srie oube considered in the and will also increase insertion diodes must must bediodos em paralelo. diod and will alsoaincrease thethe insertiondiodes must be considered in thethe di isolaao melhor que soma obtida por somente c e diodes somente considered in loss. loss.que para estes circuitos deve ser considerada a interao entre os diodos. Valeloss. lembrar ca atat th diod di 1 1 1 1 1 1 part pa 4 4 4 4 4 4 mul m For Fo Dn Dn Dn D2 D2 D2 D3 D3 D3 D1 D1 D1 add ad sect se fe feed (c) (c) (c) (b) (b) (b) (a) (a) (a)
Figure 14. Reflective Mode Attenuators. FigureFigure 14. Reflective Attenuators. 14. Reflective Mode Mode Attenuators.
Figura 3.8: Conguraes para conexo de diodos PIN. co a
(a) (b) (c)
c) Design of Multiple Diode and Multi-throw Switches and and Multi-throw Switches Multi-throw Switches and Attenuators Attenuators Attenuators
2-18 Como exemplos prticos das conguraes propostas acima, tem-se2-18 2-18 um paralelo a co dois circuitos,
e outro srie, os quais so mostrados na Figura 3.9. Para o circuito SPDT (Single Pole Double e a Through) mostrado na Figura 3.9(a), quando o diodo D1 est polarizado diretamente e D2 a reversamente, a potncia do sinal de RF ui da porta trs para a porta dois, cando a porta e e um isolada. Quando as duas condies de polarizao so invertidas, a potncia de RF ui co ca a e da porta trs para a porta um, estando agora a porta dois isolada. A m de minimizar o e carregamento reativo na porta aberta imposto pela porta fechada, os diodos so espaados do a c ponto de alimentao de uma distncia de /4. O choque de RF proporciona um retorno DC para ca a a polarizao e um circuito aberto para o sinal de RF. Os capacitores C1 e C2 proporcionam um ca terra de RF para os diodos e um circuito aberto para a corrente de polarizao. Para aumentar a ca isolao desta congurao, pares adicionais de diodos podem ser inseridos no circuito, devendo ca ca
38
3.2 Aplicaes co
estes estar a uma distncia de /4 do primeiro conjunto (esta condio esta representada no a ca circuito em linhas pontilhadas).
4 D2 RF PORT 2 RFC 4 4 D1 RF PORT 1 4
C2
RF PORT 3
C1
BIAS 2
BIAS 1
(a) Congurao paralelo ca
BIAS 2
BIAS 1
RFC
RFC D2 D1
C2
RF PORT 2
C1
RF PORT 1
RF PORT 3
(b) Congurao srie ca e
Figura 3.9: Chaves multi-throw.
Quando o espaamento de /4 impraticvel ou sua restrio de largura de banda indesejc e a ca e a vel, pode ser usada uma congurao srie, como mostra a Figura 3.9(b). Neste circuito quando ca e o diodo D1 est polarizado diretamente e D2 reversamente, a potncia de RF seguir da porta a e a trs para a porta um, cando a porta dois isolada. Invertendo-se as condies de polarizao, e co ca obtem-se a uncia do sinal da porta trs para a porta dois, e a porta um ca isolada. Nesta e e congurao os capacitores C1 e C2 tem a funo de isolar a tenso DC das portas de RF. Um ca ca a aumento de isolao pode ser conseguido colocando-se nas portas de sa diodos em paralelo ca da (com representao pontilhada na gura) ou em srie, devendo neste caso, os mesmos estarem ca e
39
3.3 Teste e caracterizao ca
separados entre si de /4. Esta congurao particularmente util para projeto de chaves multica e throw de faixa larga. Para conguraes multi-throw, sees adicionais de diodos em srie ou co co e srie-paraleo so colocadas no ponto em comum da alimentao. e a ca

3.3.1 Diodo PIN utilizado
Os diodos PIN usados neste trabalho so de fabricao da empresa Pulse Microwave, sendo a ca que foi usado especicamente o modelo MP5232. As dimenses t o picas destes diodos PIN, dadas em polegadas (inches), sua estrutura t pica e outras informaes a seu respeito encontram-se no co Apndice C.1 (Pulse, 2003). e Para uma melhor visualizao do diodo PIN foram obtidas fotos no microscpio Carl Zeiss ca o (Apndice A.1) em trs vistas diferentes, sendo as mesmas mostradas na Figura 3.10. e e
(a) Vista superior
(b) Vista lateral
(c) Vista inferior
Figura 3.10: Diodo PIN no microscpio (maior dimenso igual a 711,2 m). o a
3.3.2 Estrutura de teste

O objetivo deste cap tulo a construo de uma chave SPDT com boa isolao e banda e ca ca larga, cujos detalhes sero fornecidos adiante. Para isto, necessita-se primeiramente da curva a caracter stica de isolao do diodo PIN em funo da frequncia, devendo esta ser obtida atravs ca ca e e de um sistema com as mesmas caracter sticas f sicas que sero empregadas na construo da a ca chave. Dessa forma, considerando a construo de uma chave para a faixa de frequncias de ca e 900 MHz, realizou-se a simulao de uma estrutura de testes, onde o substrato utilizado foi o ca mesmo empregado anteriormente na fabricao das antenas, ou seja, o FR4 (r = 4, 8), cujas ca
40
linhas de transmisso, para uma impedncia de 50 , possuem a espessura de 2,86 mm. Para tal a a simulao foi utilizado o software ADS (Apndice A.2), cujo esquemtico da simulao realizada ca e a ca mostrado na Figura 3.11. Nesta simulao foram levados em conta as linhas de microta e ca (MLIN ), os choques de RF (L), alm dos capacitores de desacoplamento da tenso DC (C3 e e a C4 ) e os de ltragem das altas frequncias da fonte de alimentao (C1 e C2 ). Infelizmente e ca o ADS no possu a biblioteca de arquivos do diodo PIN dispon a a vel, e a soluo para tal ca problema foi utilizar um diodo ideal, alterando alguns parmetros que foram fornecidos pelo a fabricante (Pulse, 2003). Dentre as vrias opes de simulaes que o ADS dispe, utilizou-se a dos parmetros-S, que a co co o a fornecem a resposta em frequncia do circuito, sendo o S21 a isolao ou a perda por insero, e ca ca dependendo da congurao do circuito e se o diodo PIN est ou no polarizado diretamente. A ca a a Figura 3.14 mostra, juntamente com os resultados medidos, os resultados obtidos para perda de retorno, isolao e perda por insero. ca ca
MLIN TL12 Subst="MSub1" W=2.86001 mm L=20 mm
MTEE Tee2 Subst="MSub1" W1=2.86 mm W2=2.86 mm W3=.63 mm MLIN TL7 Subst="MSub1" W=0.627206 mm L=46 mm
PinDiode NLPIN1 Model=NLPINM1 Area=.25
C C4 C=680 pF
MGAP Gap1 Subst="MSub1" W=2.86 mm S=.25 mm
MTEE Tee3 Subst="MSub1" W1=2.86 mm W2=2.86 mm W3=.63 mm
MLIN TL6 W=0.627206 mm L=46 mm Mod=Kirschning
C C3 C=680 pF
L L1 L=150 nH R=
C C1 C=27 pF
L L2 L=150 nH R=1 Ohm PinDiodeModel NLPINM1 Is= Vi= Un= Wi= Rr= Cmin=0.05 pF Tau=60 nsec Rs=4 Ohm Cjo= Vj= M= Fc= Imax= Kf= Af=
C C2 C=27 pF
R R1 R=1 kOhm
V_DC SRC1 Vdc=10 V
MSub
MSUB MSub1 H=1.6 mm Er=4.8 Mur=1 Cond=1.0E+6 Hu=3.9e+034 mil T=0.12 mm TanD=0.025 Rough=0 mil
Ffe= AllParams= Term Term2 Num=2 Z=50 Ohm
S-PARAMETERS
Term Term1 Num=1 Z=50 Ohm S_Param SP1 Start=700 MHz Stop=1.1 GHz Step=1 MHz CalcS=yes CalcNoise= Freq= NoiseInputPort= NoiseOutputPort=
Figura 3.11: Esquematico do teste inicial do PIN para simulao no ADS. ca
41
(a) Viso dos PINs a
(b) PIN soldado
Figura 3.12: Fotos do diodo PIN. Como os resultados da simulao mostram-se bastante coerentes, partiu-se para a fabricao ca ca da estrutura de testes do diodo, utilizando para tal o substrato de FR4, conforme a simulao. ca Deve-se observar o sentido da conexo do diodo PIN, conforme mostrado na Figura 3.12(a), a onde se v que na parte superior dos PINs existe um ponto, o qual indica o sentido correto da e polarizao. Para xao do PIN no cobre foi utilizado uma pasta de prata com epxi, espec ca ca o ca para a xao de dispositivos SMD 1 (Surface Mount Device) em placas. A Figura 3.12(b) mostra ca o PIN depois de soldado ` placa. a Utilizando a mesma tcnica de fabricao das antenas descrita no cap e ca tulo anterior, constru use a placa da estrutura de testes, cujos valores de impedncia das linhas e dos componentes a o so mostrados no esquemtico da Figura 3.13(a), e que gerou o prottipo apresentado na Fia a gura 3.13(b). Uma vez constru o prottipo, realizaram-se as medidas de caracterizao do circuito do o ca utilizando-se o analisador de rede - HP 8714ET (Apndice A.1), sendo os resultados apresene tados na Figura 3.14. O grco da perda de retorno para o diodo PIN no estado OFF (no conduzindo) e ON a a (conduzindo) mostrado na Figura 3.14(a). Assim, pode-se observar o quanto do sinal enviado e por uma determinada porta do analisador de rede retorna para a mesma, de modo a esperarmos obter um valor prximo a 0 dB quando ocorre reexo do sinal, estado OFF, e um n baixo o a vel de sinal (< -10 dB ) quando ocorre a transmisso do mesmo, estado ON. a
SMD so dispositivos que no possuem pinos de conexo, sendo soldados diretamente nas trilhas dos circuitos. a a a So vastamente utilizados em circuitos de RF, pois produzem menos reatncias que as verses tradicionais com a a o pinos ou os para conexo. a
1
42
(b) Placa de teste.
(a) Esquemtico da placa. a
Figura 3.13: Estrutura para caracterizao do diodo PIN. ca
0 -5
-5
Perda por insero

Atenuao [dB] Simulado ADS Medido Simulado ADS Medido
No conduzindo - OFF
-10 -15 -20
-10
Conduzindo - ON
Simulado ADS Medido Simulado ADS Medido
-15
Isolao
-25 -30 -35 0,70
-20
-25 0,70
0,75
0,80
0,85
0,90
0,95
1,00
1,05
1,10
0,75
0,80
0,85
0,90
0,95
1,00
1,05
1,10
Frequncia [GHz]
Frequncia [GHz]
(a) Perda de retorno.
(b) Perda por insero e isolao. ca ca
Figura 3.14: Caracterizao do diodo PIN usando linha de 50 . ca
O grco da perda por insero, ou seja, o quanto do sinal perdido ao atravessar o circuito a ca e quando o diodo est em ON, mostrado na Figura 3.14(b). Nele se observa que a perda est a e a aumentando ` medida que a frequncia aumenta. A isolao do sistema, ou seja, o quanto o sinal a e ca e atenuado quando o diodo esta em OFF, tambm mostrada na Figura 3.14(b). Diferentemente e e da perda por insero que est aumentando com a frequncia, a isolao est diminuindo, e com ca a e ca a um n de queda muito acentuado. A estes acontecimentos atribui-se o fato do sistema estar vel ligado ao choque de RF, atravs de uma linha /4 de alta impedncia, calculada para a frequncia e a e de 900 MHz, e que limita a resposta em frequncia do dispositivo. Alm disso, entre os fatores e e que contribuem para a degradao do sinal e a diminuio da isolao, respectivamente, pode-se ca ca ca 43
ressaltar a mudana abrupta na impedncia da linha no local onde o diodo PIN inserido no c a e sistema (Figura 3.12(b)), e o acoplamento mutuo do sinal devido ` capacitncia do gap, que a a aumenta com a frequncia (Gupta et al., 1996). e
3.3.3 Testes com linha de maior impedncia a

Devido aos fatos citados acima, onde ocorre uma diminuio brusca da isolao ` medida que ca ca a a frequncia aumenta, e pela necessidade de uma chave que possa funcionar tanto em 1,9 GHz e quanto em 2,45 GHz, projetou-se uma nova estrutura de testes para caracterizao do diodo PIN. ca No novo projeto, a linha de /4 foi retirada, de modo que o choque de RF foi ligado diretamente a ` linha de transmisso. Isto foi feito na tentativa de se aumentar a largura de banda do sistema. a Outra mudana efetuda foi a anao da linha onde o diodo PIN conectado, a m de diminuir c ca e as perdas causadas pela mudana repentina na impedncia da linha. Com isso, se fez necessrio c a a a introduo de dois transformadores /4 para casar as impedncias da linha na com as linhas ca a a e de 50 . A Figura 3.15 mostra um esquemtico simplicado de como o funcionamento da nova estrutura de testes.
l/4 50 W 67 W 90 W PIN 90 W l/4 67 W 50 W
Figura 3.15: Esquemtico da estrutura de testes para linha com maior impedncia. a a
Um novo esquemtico para simulao no ADS foi elaborado, conforme mostrado na Fia ca gura 3.16. Ele composto por linhas de microta de 50 , ligadas a linhas de 67 e comprimento e /4, que por sua vez esto conectados ` linha de 90 , que tem uma espessura de 0,82 mm, e a a nela que o diodo PIN conectado. O gap no circuito representado pelo bloco MGAP no e e e esquemtico. O resistor limita a corrente para que o diodo PIN seja polarizado com 10 mA. Os a indutores foram ligados diretamente `s linhas de microta, sendo que foram usados indutores a comercias de 180 m, dado a disponibilidade dos mesmos. Alm da simulao no ADS, foi realizada outra no IE3D, a m de vericar o comportamento e ca eletromagntico e a densidade de corrente na estrutura. Os resultados de isolao e perda de e ca retorno sero mostrados adiante, juntamente com os da simulao do ADS e os medidos. A a ca 44
densidade de corrente na linha mostrada na Figura 3.17, onde so vistos os n e a veis de intensidade, tanto para o momento em que diodo PIN no est conduzindo quanto para quando est a a a conduzindo.
(a) PIN no conduzindo. a
(b) PIN conduzindo.
Figura 3.17: Densidade de corrente na estrutura de teste do diodo PIN.
Partiu-se ento para a construo da placa utilizando a tcnica de fabricao descrita anteria ca e ca ormente, e utilizando componentes conforme o esquemtico da Figura 3.16 montou-se a estrutura a de testes, cujo prottipo mostrado na Figura 3.18. o e
MLIN TL14 Subst="MSub1" W=1.62 mm L=21.34 mm
C C4 C=620 pF
L L1 L=180 uH R=3 Ohm
MGAP Gap1 Subst="MSub1" W=0.82 mm S=0.25 mm R R1 R=820 Ohm V_DC SRC1 Vdc=9 V
C C3 C=620 pF
MLIN TL11 Subst="MSub1" W=2.86001 mm in L=15 mm
C C1 C=27 pF
Term Term1 Num=1 Z=50 Ohm
PinDiodeModel NLPINM1 Ffe= Is= AllParams= Vi= Un= Wi= Rr= Cmin=0.05 pF Tau=60 nsec Rs=6 Ohm Cjo= Vj= M= Fc= Imax= Kf= Af=
MSub
MSUB MSub1 H=1.6 mm Er=4.5 Mur=1 Cond=1.0E+7 Hu=3.9e+034 mil T=0.12 mm TanD=0.025 Rough=0.004 mm
S-PARAMETERS
S_Param SP1 Start=.5 GHz Stop=4 GHz Step= CalcS=yes CalcNoise= Freq= NoiseInputPort= NoiseOutputPort=
Figura 3.16: Esquemtico da estrutura de teste do PIN para simulao no ADS. a ca 45
3.4 Construo de uma chave SPDT ca
Figura 3.18: Placa de teste do diodo PIN.
Uma vez constru o prottipo, realizaram-se no analisador de redes as medidas de isolao, do o ca perda por insero e perda de retorno. A Figura 3.19 mostra os resultados medidos, juntamente ca com os obtidos atravs das simulaes no ADS e no IE3D. e co A perda de retorno, mostrada nas Figuras 3.19(a) e 3.19(c), indica que no somente para a a frequncia de 1,9 GHz, mas tambm para outras frequncias, existe um bom acoplamento, devido e e e ao fato de quando o diodo PIN est conduzindo, se obter uma perda de retorno menor que -10 dB a para uma grande faixa de frequncias. e ca A Figura 3.19(d) mostra a perda por insero, onde observou-se um valor de perda < 3 dB para a faixa de frequncias de 1,4 GHz at 2,5 GHz. A Figura 3.19(b) indica que tem-se uma e e isolao > 18 dB para a faixa de frequncias entre 1,8 GHz e 2,45 GHz. Isto se deve ao fato da ca e linha de alta impedncia estar casada com a de 50 atravs de um transformador /4 calculado a e para a freqncia de 1,9 GHz. Acredita-se que a xao do diodo PIN numa linha mais na ue ca tambm contribuiu com a maior isolao e boa resposta em frequncia da estrutura de testes. e ca e

Nesta seo ir-se- abordar a construo de uma chave SPDT, baseando-se no modelo apresenca a ca a e ca tado na Figura 3.9(b), e para tal m aplicar-se- as tcnicas de projeto, construo e montagem usadas na fabricao da estrutura de testes. ca O objetivo principal da chave a aplicao no chaveamento de antenas, de modo a se conseguir e ca o direcionamento do feixe. Para tal m, a isolao entre as portas deve apresentar valores ca prximos, e que sejam independentes de qual porta est ativa. Desta forma, ca claro que o a esta chave difere das tradicionais chaves T/R (transmite/recebe), onde a isolao requerida ca na recepo maior do que a da transmisso (HP, 1999b; Alpha, 1999b). E apresentado na ca e a
46

0

-14 -16
-1
-18
-2
-20
Isolao [dB]
Simulado IE3D Simulado ADS Medido
1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 2,8 3,0
-22 -24 -26 -28 -30 -32 1,0
-3
-4
-5

1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 2,8 3,0
-6
Frequncia [GHz]
Frequncia [GHz]
(a) Perda de retorno - PIN no conduzindo a

0
(b) Isolao - PIN no conduzindo ca a

0
-5
Perda por Insero [dB]
-1
-10
-2
-15
-3
-20
-4
-25
-5

1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 2,8 3,0
-30 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 2,8 3,0
-6
Frequncia [GHz]
Frequncia [GHz]
(c) Perda de retorno - PIN conduzindo
(d) Perda por insero - PIN conduzindo ca
Figura 3.19: Caracterizao do diodo PIN usando linhas de alta impedncia. ca a Figura 3.20 um modelo simplicado da chave, onde o sinal proveniente da porta dois ou trs e e encaminhado para a porta um, dependendo da polarizao dos diodos PIN (ver Figura 3.9(b)). ca Neste modelo so inseridas as tcnicas usadas na elaborao da estrutura de testes, onde uma a e ca linha de alta impedncia casada com a de 50 atravs de um transformador de /4. Nesta a e e chave a espessura da linha foi reduzida ainda mais, aumentando assim a sua impedncia, na a expectativa de se obter uma isolao melhor que a da estrutura de testes anterior. ca
47

/4

/4
104 73 50
PIN 104 104
PIN
Port 2
50
73
Port 3
73
/4
50
Port 1
Figura 3.20: Esquemtico simplicado da chave SPDT. a
Uma vez calculados os novos valores das linhas e dos demais componentes, preparou-se o esquemtico da chave para simulao no ADS, conforme Figura 3.21. No esquemtico foram a ca a considerados todos os itens da chave a ser constru da, levando-se em conta inclusive as curvas e os comprimentos eltricos das linhas. No projeto foi calculado o comprimento de /2 para cada e um dos trs trechos da linha de alta impedncia, de modo que o sinal proveniente de um trecho e a em aberto enxergue aquele trecho de linha como uma impedncia innita (Pozar, 1998). a Como no caso da estrutura de testes mostrada anteriormente, tambm realizaram-se simulae co es no IE3D para a chave SPDT, a m de se determinar a isolao e a perda de retorno. Nestas ca simulaes no foram considerados os elementos passivos, tais como resistores, indutores, ou at co a e mesmo o prprio diodo PIN, que foi representado por uma fenda quando este se encontra no o estado OFF e por uma linha continua quando est no estado ON. Dessa forma, esperado a e que o valor da perda por insero seja menor que o valor da simulao feita no ADS e de que ca ca o valor medido. Assim, tambm esperado que a isolao dada pela simulao no IE3D seja e e ca ca maior que a obtida via simulao no ADS ou atravs das medidas. E importante frisar que estas ca e simulaes foram realizadas somente para se vericar o n de acoplamento existente entre os co vel ramos da chave, de modo que se evitasse construir um prottipo em que uma das portas tivesse o comportamento diferente das outras. Aps a realizao das simulaes e seus devidos ajustes, construiu-se o prottipo da chave o ca co o SPDT, conforme mostrado na Figura 3.22(a), onde as portas esto enumeradas para que o leitor a possa se referenciar.
48

MBEND Bend3 Subst="MSub1" W=.64 mm Angle=90 M=.4
MBEND Bend4 Subst="MSub1" W=.64 mm Angle=90 M=.4
MTEE Tee1 Subst="MSub1" W1=.64 mm W2=.64 mm W3=.64 mm
MGAP Gap1 Subst="MSub1" W=0.82 mm S=0.25 mm
MGAP Gap2 Subst="MSub1" W=0.82 mm S=0.25 mm L L2 L=180 uH R=3 Ohm
MSub
MLIN TL13 Subst="MSub1" W=1.46 mm L=22 mm L L1 L=180 uH R=3 Ohm R R1 R=820 Ohm V_DC SRC1 Vdc=9 V MLIN TL250 Subst="MSub1" W=0.64 mm L=7 mm MBEND Bend2 Subst="MSub1" W=.64 mm Angle=135 M=.4 MSUB MSub1 H=1.6 mm Er=4.5 Mur=1 Cond=1.0E+7 Hu=3.9e+034 mil T=0.12 mm TanD=0.025 Rough=0.004 mm
C C3 C=620 pF
C C4 C=620 pF
S-PARAMETERS
S_Param SP1 Start=.5 GHz Stop=4 GHz Step= CalcS=yes CalcNoise= Freq= NoiseInputPort= NoiseOutputPort=
C C5 C=620 pF
MBEND Bend1 Subst="MSub1" W=1.46 mm Angle=90 M=0.4
PinDiodeModel NLPINM1 Ffe= Is= AllParams= Vi= Un= Wi= Rr= Cmin=0.05 pF Tau=60 nsec Rs=6 Ohm Cjo= Vj= M= Fc= Imax= Kf= Af=
Figura 3.21: Esquemtico da chave SPDT para simulao no ADS. a ca
2 3
Figura 3.22: Prottipo da chave SPDT. o
49
0 -4 -8
0 -4
Perda por Insero

-12 -16
Simulado (IE3D) Simulado (ADS) Medido [dB]
-8
Perda por Insero

-12 -16
Simulado (IE3D) Simulado (ADS) Medido
[dB]
Isolao
-20 -24 -28 -32 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 2,8 3,0
Isolao
-20 -24 -28 -32 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 2,8 3,0
Frequncia [GHz]
Frequncia [GHz]
(a) Porta 1 chaveada para porta 2
(b) Porta 1 chaveada para porta 3
Figura 3.23: Perda por insero e isolao da chave SPDT. ca ca
Para concluir, efetuou-se as medidas no circuito para validao do projeto, cujos resultados ca so comparados com os simulados na Figura 3.23. A perda por insero foi menor que 4 dB a ca para ambas as portas, e teve um pequeno aumento em relao ao valor obtido na estrutura de ca teste devido ao aumento do nmero de elementos parasitas no sistema. No caso anterior, tinhau se apenas duas portas, o que representava dois capacitores de desacoplamento, dois choques de RF e um diodo PIN no caminho do sinal de RF. Agora tem-se trs portas, trs capacitores de e e desacoplamento, trs choques de RF e dois diodos PIN, de modo que quando somadas, suas e interferncias acabaram por degradar ainda mais o n do sinal. Em compensao, houve uma e vel ca melhora na isolao, que agora maior que 21 dB para a frequncia de 1,9 GHz, e que est ca e e a coerente quando comparada a dispositivos comerciais dispon veis no mercado e que so baseados a na mesma tecnologia (Philips, 2000), ou seja, chaves constru das com linhas de microta usando diodos PIN.

Neste cap tulo foi apresentado o diodo PIN, seus fundamentos e aplicaes, das quais elegeuco se a chave SPDT para construo, cujo objetivo foi obter uma boa isolao e banda larga. O ca ca objetivo foi alcanado, dado as limitaes de projeto que so impostas por um circuito composto c co a de linhas de microta. Deve-se destacar a forte presena de elementos parasitas no circuito, sendo c introduzidos principalmente pela solda e pelos contatos dos capacitores, indutores e conectores.
50
Cap tulo 4 Antenas Ativas
Este cap tulo tratar das antenas ativas, fazendo uma rpida introduo dos amplicadores a a ca de baixo ru (LNA - Low-Noise Amplier), os quais sero usados, juntamente com as chaves do a abordadas no cap tulo anterior, na construo das antenas ativas. ca
4.1 LNA
Os amplicadores utilizados neste trabalho so fabricados pela Mini-Circuits, sendo especia camente os da fam ERA, uma srie de amplicadores de microondas miniaturizados, que lia e cobrem uma faixa de frequncia desde DC at 8 GHz com at 18,5 dBm de potncia t e e e e pica de a sa da. Estes amplicadores monol ticos esto dispon a veis nas verses drop-in 1 e SMD e esto o dispon veis com diferentes faixas de valores de ganho para satisfazer cada necessidade espec ca. Utilizou-se o amplicador ERA-3SM na verso drop-in, que possui faixa de operao desde DC a ca at 3 GHz, e com um ganho t e pico variando, segundo o fabricante, de 22,8 dB a 18,4 dB para 100 MHz e 3 GHz, respectivamente.
4.1.1 Aplicaes co
O alto IP3 (3rd Order Compression Point) torna os amplicadores da srie ERA apropriados e para o uso em situaes nas quais baixa intermodulao um fator cr co ca e tico, tal como as aplicaes co de mltiplas portadoras. Sua alt u ssima banda larga tambm faz deles dispositivos apropriados e para sistemas de transmisso de v a deo, TV a cabo e sistemas de bra tica. Adicionalmente, uma o satisfatria baixa gura de ru permite aos ERA serem usados numa cadeia de amplicadores de o do recepo, incluindo receptores de microondas. Ao contrrio de muitos amplicadores monol ca a ticos pequenos, a fam ERA possui uma boa igualdade de ganho ao longo de uma larga faixa de lia
1
Verso com pernas ou pinos, os quais so soldados ` placa. a a a
51
4. Antenas Ativas
4.1 LNA
frequncias. As aplicaes nas quais os amplicadores da srie ERA esto sendo atualmente e co e a utilizados incluem:
Estgio pr-amplicador para receptores de bra tica de TV a cabo; a e o Estgio amplicador para um transmissor de bra tica; a o Amplicador de RF para um conversor de freqncia de banda larga; ue Estgio amplicador para uma fonte geradora de microondas. a
4.1.2 Como usar os amplicadores 4.1.2.1 Estrutura de microta

Como visto anteriormente, numa estrutura t pica de microta, a impedncia da linha dea e terminada pela largura W da linha, pela constante dieltrica r do substrato e tambm pela e e espessura h do mesmo. Sendo as impedncias dos amplicadores ERA pr-casadas para operar a e em sistemas de 50 , as linhas de microta deveriam estar o mais prximo poss de 50 para o vel resultar em um bom desempenho. As operaes em sistemas com impedncias caracter co a sticas diferentes de 50 so poss a veis, mas esperada uma relativa reduo na performance. Em um e ca sistema de 50 os amplicadores ERA oferecem uma perda de retorno muito boa. O material utilizado como substrato foi o FR4, uma vez que este apresenta bons resultados at a faixa dos e 2,5 GHz, conforme foi mostrado nos cap tulos anteriores.
4.1.2.2 Cuidados com aterramento e efeitos parasitas

Durante a elaborao do layout da placa, cuidados especiais devem ser tomados para minimica zao dos efeitos parasitas. Deve-se lembrar que um comprimento extra de cobre ou uma poro ca ca de estanho resultante de uma solda so impedncias adicionais ao projeto. Para o nosso projeto a a isto de fundamental importncia, por que o circuito ir operar em frequncias acima de 1 GHz. e a a e As linhas de transmisso deveriam, sempre que poss a vel, alimentar o amplicador. Isto requer que um furo seja feito na placa, para que os terminais do amplicador estejam no mesmo plano das linhas de transmisso. Os amplicadores ERA devem ser instalados no lado corro da a do placa para minimizar as indutncias provenientes da conexo de dois circuitos em lados opostos a a da placa. Mudanas abruptas na espessura da linha de transmisso tambm criam efeitos parac a e sitas chamados descontinuidades de passo. Um afunilamento na linha de transmisso, de 50 a at a espessura dos terminais do amplicador ajuda a minimizar este efeito. Curvas na linha de e
52
4. Antenas Ativas
4.1 LNA
transmisso podem criar efeitos parasitas e deveriam, quando poss a vel, ser evitadas. Contudo, quando estas precisarem ser usadas, os cantos devem ser chanfrados para prevenir que as curvas atuem como uma capacitncia extra em paralelo. Planos de terra deveriam ser deixados o mais a largo e slido poss o veis. Caminhos de retorno para correntes circulantes de alta frequncia devem e ser os mais estreitos poss veis, especialmente nos terminais de conexo com o terra do amplicaa dor. Comprimentos adicionais no caminho de retorno (conexo com o terra) atuam como uma a indutncia em srie, o que se traduz em uma indesejvel resistncia de emissor na frequncia de a e a e e operao. Ganho, potncia de sa e ecincia em altas frequncias sero todos degradados se ca e da e e a as tcnicas adequadas de aterramento no forem usadas. Uma reduo maior que 1 dB pode ser e a ca esperada em 1 GHz para aproximadamente 2 nH de indutncia nos terminais de conexo. a a
4.1.2.3 Tcnicas de polarizao e ca

O esquema de polarizao para os amplicadores da fam ERA relativamente simples. ca lia e Requer somente capacitores de bloqueio DC nas portas de entrada e sa da, sendo a porta de sa comum com o terminal de polarizao DC. Consequentemente, um choque de RF em srie da ca e com um resistor limitador de corrente necessrio na porta de sa e a da. O valor do resistor de polarizao pode ser calculado por: ca 1000(Vcc Vd ) Ibias
Rbias = onde: Vcc - Tenso de alimentao (V ); a ca Vd - Tenso no dispositivo (V ); a Ibias - Corrente de polarizao (mA). ca
(4.1)
Para um sistema de 50 , o resistor de polarizao aparece em paralelo com a impedncia da ca a carga na sa da. No nosso caso, por exemplo, para um amplicador ERA-3SM com uma tenso a de alimentao de 9 V DC, o resistor de polarizao de 150 e aparece em paralelo com a ca ca e carga de 50 na sa da, resultando em uma perda de potncia de 1,25 dB atravs da carga na e e sa com uma alterao no VSWR da sa da ca da. Para evitar este efeito de divisor de potncia, um e choque de RF deve ser adicionado em srie com o resistor de polarizao. O choque de RF deve e ca oferecer uma impedncia no m a nimo 10 vezes maior que o valor da impedncia da carga para a a 53
Use of a bypass capacitor at the connection to the DC supply is advised to prevent stray coupling to other signal processing components.
4. Antenas Ativas Figure 2 Typical biasing Configuration for Improved ERA Amplifiers 4.1 LNA
In this circuit, DC blocking capacitors are added frequncia de operao mais the input port (pin number 1 ressonpackaged e ca e ca at baixa, devendo ser livre de on theancia na frequncia de operao amplifier) and at the output port (pino3). LNA. mais alta. A Figura 4.1 mostra o esquema t pico de polariza do ca
Figura 4.1: Congurao t ca pica da polarizao do LNA. ca
Caso haja a necessidade de uma isolao total do sinal de RF para uma determinada frequnca e
AN-60-010 Rev.: E uma M77554 File: 1/4 de Page OF deseja cia, pode-se inserir (07/12/01)linha com AN60010.DOCcomprimento de onda da frequncia que 2se 23 e This document and its contents are the property of Mini-Circuits.
eliminar, ligando-a ao plano de terra atravs de um capacitor, o que ser visto como uma impee a dncia innita pelo sinal de RF, garantido assim que todo o sinal permanea na linha de 50 . a c Entretanto, deve-se considerar que haver degradao do sinal, tanto para frequncias superiores a ca e quanto para inferiores, fazendo com que esta conexo se comporte como um ltro rejeita faixa, a sendo que a frequncia de clculo do comprimento da linha a frequncia central da banda de e a e e rejeio. ca
4.1.2.4 Levantamento do ganho do LNA

Antes da realizao de qualquer projeto de antena ativa, construiu-se um circuito para avalica ao do ganho do LNA. Utilizando o substrato FR4 e o layout de circuito de teste fornecido pelo ca
19 18 17
Ganho [dB]
16 15 14
Medida de transmisso
13 12 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 2,8 3,0
Frequncia [GHz]
(a) Circuito de teste.
(b) Ganho do LNA.
Figura 4.2: Estrutura para medida do ganho do LNA. 54
4. Antenas Ativas
4.2 Antena ativa com uma porta para testes
fabricante (Apndice C.2), construiu-se a placa de teste mostrada na Figura 4.2(a), a partir da e qual mediu-se a transmisso antes e depois da insero do LNA, sendo o ganho real do mesmo a ca mostrado na Figura 4.2(b). Estes valores serviro de referncia para posterior comparao com a e ca os resultados obtidos nas medidas das antenas ativas.

Nesta seo sero utilizados os dispositivos estudados nos cap ca a tulos anteriores, de modo que ser constru num unico substrato um sistema composto por uma chave, um LNA, uma porta a do para DUT (Device Under Test) e uma antena quasi-Yagi. O projeto da chave ser conforme foi a apresentado na seo 3.4, sendo que a mesma ter o objetivo de chavear os sinais provenientes da ca a antena ou da porta DUT. Como DUT foi usado uma das antenas estudadas na seo 2.6, visando ca a caracterizao da mesma baseando-se nas caracter ca sticas intr nsecas da antena quasi-Yagi do sistema constru do.
/4
PIN 104 PIN 104
/4
73 50
DUT
50
73
104
Ant.
73
/4
50
LNA
Rx Port
Figura 4.3: Diagrama simplicado da antena ativa.
As tcnicas de projeto e construo da antena ativa chaveada tambm sero as mesmas e ca e a apresentadas anteriormente, ou seja, haver o casamento de linhas de alta impedncia com linhas a a de 50 atravs de adaptadores /4, sendo que a antena quasi-Yagi projetada na seo 2.3, que e ca tem uma conexo de 50 , ser usada sem nenhuma alterao. A Figura 4.3 mostra um diagrama a a ca simplicado das conexes da antena ativa projetada. o Como os projetos da chave e da antena foram os mesmos usados nos cap tulos anteriores, no foram realizadas novas simulaes para o prottipo, passando-se diretamente ` montagem do a co o a
55
4. Antenas Ativas
Antena
DUT
JUMPER
C
PIN Diodes
RFC
LNA
Rx
DC cm
Figura 4.4: Prottipo da antena ativa com porta para conexo do DUT. o a layout e construo do prottipo. Dessa forma, aps a corroso da placa, xou-se os componentes, ca o o a usando solda de estanho para os resistores e indutores. Os diodos PIN, os capacitores SMD e o LNA foram xados usando uma pasta de prata misturada com epxi espec o ca para este tipo de conexo. Um jumper, dispositivo comum em perifricos de computador, foi utilizado a e como sistema chaveador da tenso DC que alimenta os diodos PIN, que por sua vez realizam o a chaveamento do sinal de RF. A Figura 4.4 mostra o prottipo constru o do.
4.2.1 Direcionamento do feixe

Um modo de utilizar o prottipo constru empreg-lo no chaveamento de duas antenas o do e a defasadas de 90, de modo a obtermos uma variao esttica do feixe, ou seja, o sinal medido ca a e pela antena padro para um determinado ngulo de incidncia e depois feito o chaveamento a a e e para a porta DUT, onde outra antena medir o sinal com um defasamento de 90. Utilizando a novamente o setup para medidas do padro de radiao, realizaram-se duas medidas, uma do a ca plano E e outra do plano H, utilizando como DUT a antena quasi-Yagi com dipolo 3/8, sendo os resultados obtidos mostrados na Figura 4.5. Em ambos os grcos, observa-se que houve um a deslocamento do feixe, estando o ponto de mximo do DUT defasado do ponto de mximo da a a antena. Eles no coincidem exatamente em 0 e 270 devido ao fato do direcionamento das antenas a 56
4. Antenas Ativas

0
Antena DUT
0 dB -10 dB -20 dB -30 dB -40 dB -30 dB 270 300
330
30
Antena DUT
60
90
240
120
-20 dB -10 dB 0 dB
240
120
210 180
150
(a) Plano E.
(b) Plano H.
Figura 4.5: Padro de radiao mostrando o deslocamento do feixe. O DUT utilizado foi a a ca antena 3/8. medidas para a antena transmissora ser visual. Nota-se tambm que o padro de radiao de e a ca ambas as antenas difere ligeiramente dos apresentados no cap tulo 2, devido `s soldas, capacitores a e diodos, presentes no caminho do sinal, produzirem uma alterao na resposta em frequncia ca e da sa das antenas. da
4.2.2 Medida do ganho relativo da antena ativa

Durante a construo da antena ativa mediu-se a isolao e a perda por insero da porta ca ca ca DUT em dois momentos: antes e depois da introduo do LNA no circuito, sendo as curvas de ca perda por insero (ON) e isolao (OFF) apresentadas na Figura 4.6(a), as quais apresentam ca ca ganho mdio de 16 dB aps a introduo do LNA, o que est compat com o ganho do mesmo e o ca a vel mostrado na Figura 4.2(b). Outra comparao realizada foi a do padro de radiao da antena quasi-Yagi com o da antena ca a ca ativa, sendo usado o mesmo setup de medidas, normalizou-se os valores obtidos para zero, sendo o ganho relativo medido para o plano E apresentado na Figura 4.6(b), onde observa-se um ganho do sinal recebido maior que 10 dB entre a antena ativa e a passiva.
57
4. Antenas Ativas
4.3 Antena ativa em substrato de r elevado
90
0 dB
20 16 12 8 4
120
60
Antena ativa Antena quasi-Yagi
-10 dB -20 dB -30 dB -40 dB

180 0 150 30
S21 [dB]
0 -4 -8 -12 -16 -20 -24 -28 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 2,8
ON + LNA OFF + LNA ON OFF
-30 dB -20 dB -10 dB
210
330
Frequncia [GHz]
0 dB
240 270
300
(a) Ganho relativo da porta para DUT.
(b) Plano E.
Figura 4.6: Medidas do ganho para a porta DUT e comparao do padro de radio. ca a ca

Para dar maior credibilidade `s tcnicas de projeto, construo e medidas usadas neste traa e ca balho, foi constru e avaliado experimentalmente outra antena ativa, contendo duas antenas do quasi-Yagi defasadas de 180 e que so chaveadas atravs de um circuito com diodos PIN, cona e forme apresentado no cap tulo anterior. O sinal proveniente das antenas, depois de passar pela chave, amplicado pelo LNA dando a caracter e stica de circuito ativo ao sistema.
4.3.1 Projeto e teste de uma antena simples

Antes da construo da antena ativa propriamente dita, foi projetado, simulado e constru ca do para o substrato Arlon1000 , que possui r = 9, 8, espessura h = 1,58 mm e tan = 0, 003, uma outra antena quasi-Yagi. A construo desta antena objetiva a caracterizao do substrato, ca ca dando conhecimento e segurana para a construo de uma antena ativa funcional. Alm disso, c ca e servir de sistema referncia, onde medidas do padro de radiao (An et al., 1994) e da resposta a e a ca em frequncia (Brauner et al., 2003) desta antena de referncia e da antena ativa iro possibilitar e e a o clculo do ganho real da antena ativa. a Sendo assim, seguiu-se as regras de projeto apresentadas na seo 2.3 desta dissertao, ca ca estabelecendo-se as dimenses inicias da antena. Em seguida foram realizadas vrias simulaes o a co no IE3D a m de se obter uma boa resposta de perda de retorno para a frequncia de 1,9 GHz. e E importante ressaltar que se poder obter uma perda de retorno bem parecida com a da antena a
58
4. Antenas Ativas
Arlon =9.8
(a) Dimenses o mm).
(em
(b) Comparao de tamanho. ca
Figura 4.7: Antena quasi-Yagi constru em substrato Arlon1000 da
com r = 9, 8.
quasi-Yagi fabricada em bra de vidro e apresentada anteriormente, mas como o processo de otimizao demorado e o ponto de interesse maior a frequncia de 1,9 GHz, ento o processo ca e e e a foi interrompido quando a resposta para esta frequncia estava satisfatria. Desta forma, como e o dimenses nais foram obtidos os valores apresentados na Figura 4.7(a), cujo prottipo constru o o do comparado na Figura 4.7(b) a uma antena fabricada no substrato FR4, sendo que ambas as e antenas foram projetadas para a mesma faixa de frequncias. e Tendo-se constru o prottipo, procedeu-se ento a realizao das medidas, sendo o redo o a ca sultado simulado e medido da perda de retorno mostrado na Figura 4.8. Devido ao fato deste substrato ser de maior qualidade e dado que o fabricante fornece informaes pertinentes a este, co
0
-5
-10
-15
-20
Simulado Medido
-25
-30 1,6 1,7 1,8 1,9 2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5 2,6
Frequncia [GHz]
Figura 4.8: Perda de retorno para antena em substrato Arlon1000
com r = 9, 8.
59
4. Antenas Ativas
tais como a espessura do mesmo e da camada de metal, a permissividade relativa e a tangente de perdas, pode-se observar que a medida e a simulao tm uma concordncia melhor para este ca e a substrato do que para o de bra de vidro.
Medido simulado
Medido simulado
210
330
210
330
(a) Plano E
(b) Plano H.
(c) Diagrama 3D.
Figura 4.9: Padro de radiao 3D da antena quasi-Yagi em substrato Arlon1000 a ca
com r = 9,8.
Para este prottipo tambm foram realizadas medidas do padro de radiao em campo o e a ca aberto, tendo como objetivos nais a caracterizao da nova antena e a obteno de valores para ca ca comparao com a antena ativa a ser constru ca da. A Figura 4.9 mostra os padres de radiao, o ca sendo que a Figura 4.9(a) apresenta a medida do plano E, a Figura 4.9(b) a medida do plano H,
60
4. Antenas Ativas
onde se pode observar a proximidade entre as simulaes e as medidas, estando a relao frenteco ca costas superior a 10 dB em ambos os casos. A Figura 4.9(c) mostra o padro de radiao 3D a ca simulado via IE3D, sendo que a medida do plano E feita no plano XY e a do plano H no plano e YZ visto que a antena est posicionada no plano XY. a
4.3.2 Construo da antena ativa ca

Estando o substrato caracterizado atravs de uma antena, com seus respectivos parmetros e a medidos, construiu-se a antena ativa, que composta de duas antenas quasi-Yagi iguais `s da e a seo anterior, um circuito chaveador com diodos PIN e um amplicador ERA-3SM. A topologia ca c e do circuito a mesma apresentada na Figura 4.3, sendo que a diferena neste projeto que a e porta DUT foi substitu por outra antena quasi-Yagi com defasamento de 180em relao ` da ca a primeira. Dessa maneira, utilizando-se as tcnicas de projeto e construo j abordadas, foi montado um e ca a novo prottipo, sendo o mesmo mostrado na Figura 4.10. Observa-se que embora existam duas o antenas, houve uma reduo no comprimento total deste prottipo em relao a outra antena ca o ca ativa. Este fato devido ` reduo do comprimento de onda guiado no substrato, que por sua vez e a ca funo da constante dieltrica. Assim, quanto maior for a constante dieltrica, menores sero as e ca e e a dimenses da antena. Todavia o ganho e a ecincia so afetados negativamente (Apndice B.3). o e a e
cm
PINs
C LNA C DC
Figura 4.10: Prottipo da antena ativa em substrato Arlon1000 o
com r = 9,8.
61
4. Antenas Ativas
Utilizando-se novamente o setup de medidas do padro de radiao de campo distante, a ca posicionou-se o prottipo de modo que a antena nmero um cou rotacionada 90 em relao u ca a o ` antena transmissora. Consequentemente, a antena nmero dois cou rotacionada 270. u Realizou-se ento as medidas, estando os resultados apresentados na Figura 4.11. Pode-se notar a que houve um deslocamento do feixe no plano E (Figura 4.11(a)). Isto possibilita o emprego deste tipo de antena em sistemas wireless 3G, bluetooth ou WLAN, onde duas ou mais antenas podem ser chaveadas alternadamente em busca da melhor relao sinal ru ca do. No plano H (Figura 4.11(b)) praticamente no ocorreu deslocamento do feixe, devido ` antena possuir neste a a plano uma rea de cobertura de aproximadamente 150, o que diculta o direcionamento do feixe a para um determinado local. Em compensao, est polarizao da antena pode ser empregada ca a ca em ERBs (Estao Rdio-Base) na cobertura de reas com pouco trfego e que no exijam seca a a a a torizao, como por exemplo, `s margens de uma rodovia. Outra poss ca a vel aplicao seria em ca terminais mveis, que durante o uso normalmente esto na vertical, posio em que a antena o a ca captaria tanto componente do plano E quanto do plano H.
0 0 dB -10 dB -20 dB -30 dB -40 dB -30 dB -20 dB -10 dB 270 300 60 330 30
QY ATIVA 1 QY ATIVA 2 QY PASSIVA
0 0 -10 -20 -30 300 60 330 30
QY ATIVA 1 QY ATIVA 2 QY PASSIVA
90
-40 -30
270
90
240
120
-20 -10
240
120
0 dB
210 180
150
210 180
150
(a) Plano E
(b) Plano H
Figura 4.11: Padro de radiao da antena quasi-Yagi ativa. a ca
Pode-se tambm fazer uso de uma placa DSP (Digital Signal Processing) conectada ao circuito e chaveador e ` saida do circuito, com o objetivo de se realizar uma anlise continua da qualidade a a do sinal, para que quando ocorra uma degradao do mesmo, automaticamente se execute o ca
62
4. Antenas Ativas
4.4 Medida da resposta em frequncia e
chaveamento em busca de um sinal melhor. Assim, extenses deste projeto, utilizando trs ou o e mais portas podem ser implementadas, produzindo um feixe diretivo atualizado em tempo real. ` A Figura 4.11 foram adicionados os resultados da antena quasi-Yagi constru para caracda terizao do substrato, de modo a informar o ganho relativo da antena ativa em detrimento da ca passiva. O ganho relativo nos pontos de mximo superior a 14 dB, mostrando assim o quo a e a util o uso de antenas ativas em sistemas sem o. e
4.4 Medida da resposta em frequncia e

Com o objetivo de vericar na prtica a real resposta em frequncia das antenas constru a e das (Clark et al., 2003), elaborou-se um cdigo para uso no software Labview, cuja funo o ca e captar os n veis de sinal para cada uma das frequncias do intervalo de varredura ajustado no e analisador de espectro HP 8593E. Desta forma, usando-se o prprio analisador para gerar o sinal, o cuja frequncia de varredura foi ajustada para 1,7 GHz at 2,5 GHz, amostrou-se os valores do e e sinal recebido pela antena para aquela faixa de frequncias. e
3/8
-25 -30 -35
/2
arlon
Ativa arlon
+DUT
Nvel de Sinal [dBm]
-40 -45 -50 -55 -60 -65 -70 1,7 1,8 1,9 2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5
Frequncia [GHz]
Figura 4.12: Medida da resposta em frequncia de algumas das antenas constru e das.
A Figura 4.12 mostra os resultados obtidos para algumas das antenas constru das. Estes resultados so uma resposta da perda de retorno rebatida, de modo que o(s) dip(s) torna(m)-se a pico(s), devido ao fato deste(s) ser(em) o(s) ponto(s) de mxima sintonia da antena. a 63
4. Antenas Ativas
As antenas medidas foram as quasi-Yagi com dipolo 3/8 e /2, a ativa com porta DUT ( + DU T ) e as antenas constru das em substrato Arlon1000 , ou seja, a antena quasi-Yagi ( Arlon) e a antena ativa (ativa Arlon). Nota-se que estes resultados conrmam os apresentados anteriormente, raticando o melhor desempenho das antenas ativas, seguido pela antena quasiYagi ( Arlon). As antenas com dipolo de comprimento /2 e 3/8 tiveram desempenho inferior ao das outras, conrmando os ganhos simulados apresentados no Cap tulo 2.

Este cap tulo fez uma rpida introduo aos amplicadores de baixo ruido (LNA) mostrando a ca tambm a construo e anlise de duas antenas ativas, que apresentaram a capacidade de diree ca a cionar o feixe de radiao, bem como um ganho caracter ca stico superior ao das antenas passivas.
64
Cap tulo 5 Consideraes nais co
5.1 Concluses o
Esta dissertao objetivou realizar um estudo das antenas planares quasi-Yagi utilizando-o ca na construo de antenas quasi-Yagi ativas chaveadas atravs de circuitos que utilizam diodos ca e PIN, que se procedeu da seguinte forma: Apresentao da antena quasi-Yagi, suas regras de projeto e tcnicas de construo. Realica e ca zao de um estudo para variaes no dipolo da mesma, sendo que para variaes na inclinao, ca co co ca objetivando melhorias no ganho e diretividade, no houveram contribuies signicativas, mas a co para as variaes no comprimento do dipolo, objetivando reduo da rea constru da antena, co ca a da alcanou-se at 58% de reduo na rea do substrato constru embora tenha ocorrido considec e ca a do, rvel reduo na largura de banda, ganho e diretividade das novas antenas. Contudo, estas novas a ca antenas ainda apresentam largura de banda superior a outras antenas de microta amplamente estudadas, tais como o patch e a PIFA. Projeto de circuitos chaveadores usando diodos PIN constru dos com linhas de microta, sendo inicialmente apresentado o diodo PIN, seus fundamentos e principais aplicaes. Os circo cuitos chaveadores foram chaves SPDT, projetados para que a isolao e a perda por insero ca ca fossem simtricas em relao ` sa dado que o mesmo seria usado para chavear antenas iguais e ca a da, ou para que uma outra antena fosse caracterizada com base numa antena padro. Construiu-se a uma chave com boa isolao, possuindo uma grande largura de banda e que foi utilizada na ca construo das antenas ativas. ca Reuniu-se os tpicos abordados acima para construo das antenas ativas, sendo que a prio ca meira contm uma antena e uma porta DUT para caracterizao de outras antenas. A segunda e ca antena ativa foi constru num substrato com constante dieltrica elevada, e possui duas antenas da e 65
Consideraes nais co defasadas de 180, que so chaveadas por um circuito SPDT conforme descrito acima. Estas ana tenas apresentaram um ganho superior a 12 dB em relao `s antenas passivas, o qual foi obtido ca a atravs de medidas do padro de radiao e da resposta em freqncia. Atravs do chaveamento e a ca ue e tambm se demonstrou o deslocamento do feixe de radiao das atenas ativas. e ca
5.2 Sugestes para trabalhos futuros o

Poder-se- realizar novos estudos para maximizao das caracter a ca sticas da antena quasi-Yagi, buscando principalmente a reduo da rea constru com manuteno ou aumento do ganho e ca a da ca diretividade. Projeto e construo de chaves multi-throw para aplicao no chaveamento de arranjos de ca ca antenas. Estas chaves podem ser ligadas a uma DSP, que atravs de um controle lgico, possie o bilitar o controle do feixe de forma rpida e ecaz. a a Estudar o chaveamento de antenas ativas atravs de um sistema monolitico de RF, o qual e deve englobar tanto a chaves quanto os amplicadores do sistema. Estudar o chaveamento de arranjos de antenas, no qual os diodos PIN so substituidos por a chaves MEMS, de modo a se construir uma sistema de chaveamento eletro-mecnico. a
66
Apendice A Equipamentos e softwares utilizados neste trabalho
A.1 Equipamentos
Agilent 34401A - Digital Multimeter ; Carl Zeiss - Optical Microscope; HP 8347A - 100 KHz - 3 GHz - RF Amplier ; HP 83630B - 10 MHz - 26,5 GHz - Signal Generator ; HP 8593E - 9 KHz - 22 GHz - Spectrum Analyzer ; HP 8714ET - Network Analyzer ; HP LaserJet 1200 series - Impressora Laser ; Narda Microline Model 615 - 1,7 - 2,6 GHz - Standard Horn Antenna; National Instruments GPIB-232CT-A Converter ; NITEC EPS-103 - Robot Positioner Servomechanism; Olympus Camedia D-390 - Digital Camera; Pentium IV 2.4 GHz com 1 Gb RAM ; Rohde & Schwarz ZVRE - 9 KHz - 4 GHz - Vector Network Analyzer ; Scientic Atlanta 12-1.7 - 1,7-2,6 GHz - Standard Horn Antenna; Scientic Atlanta Series 4100 - Positioner Control Unit.
67
Equipamentos e softwares utilizados neste trabalho
A.2 Softwares
Acrobat Distiller 5.0 ; Adobe Acrobat 5.0 ; Agilent ADS 2003 - Advanced Design System; AutoCad 2000 ; Labview 5.0 ; Microsoft - Windows 2000 ; MiKTeX 2.1 ; Origin 5.0 ;
A TEXaide 4.0 - LTEX 2 Equation Editor ; A WinEdt 5.3 - LTEX 2 Editor ;
Zeland IE3D 10.1.
68
Apendice B Estruturas planares de microta
B.1 Tcnicas de excitao via linha de microta e ca

Embora existam vrias tcnicas de alimentao aplicveis `s antenas de microta como, por a e ca a a exemplo, acoplamento magntico e via cabo coaxial, cada uma com suas vantagens e desvantae gens, aqui apresentar-se- apenas a tcnica via linha de transmisso, que foi o mtodo adotado a e a e nos projetos para alimentao das antenas quasi-Yagi. ca Uma linha de transmisso constru em um substrato com metalizao em ambos os lados a da ca consiste de uma ta condutora em um dos lados e um plano de terra do outro, havendo no meio o substrato (camada dieltrica) de sustentao, como mostra a Figura B.1. Nesta mesma gura e ca tambm apresentado a impedncia caracter e e a stica Z0 , como uma funo da razo da largura da ca a linha W pela altura do substrato h, para substratos de diferentes tipos de materiais. O substrato constitu de um material dieltrico de baixa perda tal como teon (politetrauoretileno), e do e alumina (xido de aluminio) ou FR4 (bra de vidro). o Uma linha de transmisso constru com dieltrico uniforme, como o caso das linhas a da e e coaxiais, pode suportar um unico modo de propagao, pelo menos em uma faixa espec ca ca de frequncia, que chamado TEM (Transversal Eletro-Magntico). Nesse caso, os campos eltrico e e e e e magntico so ortogonais entre si e tambm com a direo de propagao. e a e ca ca Um modo de onda TEM pura pode propagar em uma linha de microta somente se todos os campos estiverem no mesmo meio. No caso de campos no-estticos estiverem em dois meios a a diferentes, o campo possuir tambm componentes longitudinais. Para baixas frequncias, ou a e e mais precisamente quando h, os campos so aproximadamente os mesmos do caso esttico, a a
assim o modo de propagao dito quasi-TEM (Edwards, 1981). Contudo, a soluo anal ca e ca tica
69
on the other side of a substrate, as shown in Figure 3.13. The substrate is made of a low-loss dielectric material such as polytetrafluoroethylene (Teflon), aluminum oxide (alumina), or quartz. A pure TEM wave mode can propagate in aEstruturas planares de microta microstrip line only if all fields are in the same medium. Then the solution for the field can be derived para o modofromonda quasi-TEM In a case where the nonstatictico das linhas de microta de Laplaces equation. complicado e o projeto pr fields are in two e a e different media, the field has also longitudinal components. At low frequenbaseado em grcos more preciselyaproximadas. the fields are nearly the same as those a co cies, or ou equaes when >> h, in a static case, and we call them quasi-TEM. However, the analytical solution
Figura Figure Seo transversal de of a microstrip line and the echaracteristicaimpedance Z 0 stica. B.1: 3.13a The cross section uma linha de microta sua impedncia caracter c
as a function of the ratio of strip width to substrate height w /h for different substrate materials.
Uma tcnica comum para a obteno das expresses de projetos de microtas consider-las e ca o e a como um capacitor carregado estaticamente, cujos campos eltrico e magntico esto unicamente e e a no plano transversal. Essa tcnica conhecida como mtodo TEM -Esttico. Os parmetros e e e a a obtidos atravs dessa tcnica so precisos e satisfazem a maioria dos problemas at alguns GHz, e e a e suprindo com folgas os requisitos dos projetos aqui realizados.
B.2 Clculo das linhas de microta a

As dimenses das linhas de microta podem ser determinadas por meio de uma abordagem o baseada em modelos clssicos (Gupta et al., 1981), mas que ainda so tratados nas publicaes a a co mais recentes (Risnen e Lehto, 2003). Existem dois modelos usuais: um que no leva em a a a conta a espessura t da camada metlica e um outro que considera este valor, sendo que o erro a entre eles de 2 a 3% para os casos em que a camada de metal tem uma espessura considervel. e a O modelo aqui utilizado no leva em conta a espessura da linha metlica t. As expresses em a a o
70
Estruturas planares de microta forma fechada, utilizadas no projeto das linhas, so apresentadas a seguir, sendo vlidas quando a a 0, 05 W/h 20 e r 16. A constante dieltrica efetiva e a impedncia caracter e a sitca, quando W/h 1, so: a r + 1 r 1 re + = 2 2 W + 0, 04 1 h 1 + 12h/W 8h W + W 4h 1
2
(B.1)
60 Z0 ln = re e, quando W/h 1:
()
(B.2)
r + 1 r 1 re + = 2 2
1 1 + 12h/W
(B.3)
Z0 =
120 () re [W/h + 1, 393 + 0, 667 ln (W/h + 1, 444)]
(B.4)
A espessura W da linha de microta corresponde a uma impedncia Z0 desejada, sendo a obtida, quando W/h 2, de: W 8eA 2A h e 2 onde: A= e, quando W/h 2, de: W 2 h onde: B= 377 2Z0 r (B.8) r 1 0, 61 ln (B 1) + 0, 39 2r r Z0 60 r + 1 r 1 + 2 r + 1 0, 23 + 0, 11 r (B.6) (B.5)
B 1 ln (2B 1) +
(B.7)
Caso haja a necessidade de correo da espessura da linha, devido ` capacitncia da linha ca a a por unidade de comprimento, a seguinte relao pode ser utilizada: ca 71
Estruturas planares de microta
We =
t (1 + ln D)
(B.9)
onde D = 2h/t, quando W/h 1/(2), e D = 4W/t, quando W/h 1/(2). A Equao B.9 vlida para t < h e t < W/2. Assim as Equaes B.2, B.4, B.5 e B.7 podem ca e a co ser usadas para uma linha com espessura diferente de zero bastando para tal substituir W por We = W + We .
B.3 Substrato para antenas de microta

Certamente, a permissividade eltrica do material a ser utilizado como substrato de uma e antena de microta o parmetro f e a sico de maior inuncia nas suas frequncias de ressonne e a cias (James et al., 1981). Atualmente, uma variedade muito grande de laminados para microondas, com baixas perdas e elevadas taxas de homogeneidade e isotropia, encontram-se dispon veis no mercado. Os mais comuns possuem permissividades relativas que variam de 2 a 10, com tolerncia fornecida pelos fabricantes que tendem a valores mais elevados, em termos percentua ais, quanto maior for a permissividade. Em geral, o valor nominal da permissividade fornecida pelo fabricante no exato o suciente para o projeto de antenas com espessuras muito nas, a e necessitando quase sempre um segundo prottipo para ajustar o(s) dip(s) da antena ` frequncia o a e desejada. Alm da frequncia de ressonncia, a faixa de passagem e as dimenses f e e a o sicas da antena tambm so fortemente afetadas pela escolha da permissividade do substrato. Se a aplicao e a ca necessita de antenas de dimenses reduzidas, uma poss soluo o emprego de substratos o vel ca e com permissividade elevada, porm o ganho e a ecincia do dispositivo sero afetados de maneira e e a negativa, pois haver uma maior concentrao de linhas de campo no substrato que no ar. Por a ca outro lado, diminuindo-se o valor da permissividade relativa, aumentam-se as dimenses da o antena. O problema das ondas superciais na estrutura tambm deve ser levado em conta, o e que implica cuidado extra na escolha do substrato, devido ao fato de os fenmenos de ondas o superciais dependerem claramente da escolha do mesmo. Dessa maneira, ca evidente o compromisso entre escolha do substrato com as dimenses e o caracter sticas de funcionamento dos prottipos. o
72
Apendice C Data sheets
C.1 Data sheet do diodo PIN

Series PIN Switching Elements
ENVIRONMENTAL RATINGS
Operating Temperature.............-65 to +200 C C Storage Temperature................-65 to +200 C C Soldering Temperature........230 for 5 seconds C
(Maximum)
HIGH ISOLATION Electrical Specifications @ 25 C

PART NUMBER MP5220 MP5221 MP5222 MP5230 MP5232 Test Condition CASE STYLE B1 B1 B1 M2 M2 VBR (Min) Volts 70 70 70 70 70 IR = 10 A CtD (Max) pF 0.020 0.025 0.035 0.045 0.055 VR = 50 V RS (Max) 6 5 4 6 4 IF = 10 mA
(Typ)
nSec 30 50 60 30 60 IF = 10 mA IR = 6 mA
1000
73
Data sheets
Series PIN Switching Elements
1000
1.0 0.9 0.8
300 200 100
0.7 0.6 0.5 0.4 0.3
30 20
10
0.2 0.1 0
10 20 30
100
10
Frequency - GHz
Single Series Element Isolation (50 Ohm System)
RS
- Ohms
M2
Assembly Notes: Normally installed by die attach with either epoxy or solder. Please specify method.
0.012
B1
Assembly Notes: Normally installed by T.C. bonding leads to circuit.

0.030 0.026
0.028
M2
0.010 0.012
0.0055 0.0045
0.003 0.003 0.002 0.007
0.004 0.0025
0.0005 .0003
Notes : 1. Dimensions are in inches. 2. Unless otherwise specified dimensions are nominal.
74
Data sheets
C.2 Data sheet do LNA
MONOLITHIC AMPLIFIERS
BROADBAND
DC to 8 GHz
ERA ERA-SM
50
low power, up to +13.5 dBm output

J
FREQ. GHz MODELu NO.
ERA-1 ERA-2 ERA-3 ERA-1SM NEW ERA-21SM ERA-2SM NEW ERA-33SM ERA-3SM fL - fU DC-8 DC-6 DC-3 DC-8 DC-8 DC-6 DC-3 DC-3 0.1 1 over frequency, GHz 2 3 4 11.8 15.2 18.7 10.9 14.4 16.8 9.7 13.1 9.7 10.8 13.1 6 7.9 11.2 7.9 8.7 11.2 8 8.2 8.2 8.9
all specifications at 25C

MAXIMUM DYNAMIC POWER (dBm) RANGE at 2 GHz* at 2 GHz*
Output Flatness Input (1 dB Min.@ DC(no Comp.) 2 GHz 2 GHz Typ. Min. dmg) 9 13 16 0.3 0.5 1.7 12.0 10.0 13.0 11.0 12.5 9 12.0 10.0 12.6 10.6 13.0 11.0 13.5 11.5 12.5 9 15 15 13 15 15 15 13 13
GAIN , dB Typical
VSWR (:1) Typ.
In Out NF IP3 Volt. (dB) (dBm) DC-3 3-fU** DC-3 3-fU** I P Current Typ. Typ. GHz GHz GHz GHz (mA) (mW) (mA) Typ Min Max 4.3 26 4.0 26 3.5 25 4.3 26 4.7 26 4.0 26 1.5 1.3 1.5 1.5 1.1 1.3 1.8 1.4 1.8 1.4 1.4 1.5 1.9 1.2 1.6 1.4 1.5 1.9 1.3 1.9 1.2 1.6 1.25 1.4 75 330 75 330 75 330 75 330 75 330 75 330 75 330 75 330 40 40 35 40 40 40 40 35 3.4 3.0 4.1 3.4 3.0 4.1 3.2 3.0 4.1 3.4 3.0 4.1 3.5 3.0 4.1 3.4 3.0 4.1 4.3 3.8 4.8 3.2 3.0 4.1
ABSOLUTE MAX. RATING3
DC OPERATING POWER4 at Pin 3
THERMAL CASE RESIS- STYLE TANCE

jc Typ. C/W 178 155 154 183 194 160 140 159 Note B
C O N N E C T I O N
PRICE $
Qty. (30) 1.37 1.52 1.67 1.42 1.57 1.57 1.72 1.72
12.3 12.1 16.2 15.8 22.1 21.0 12.3 12.1 14.2 13.9 16.2 15.8 19.3 18.7 22.1 21.0
VV105 cb VV105 cb VV105 cb WW107 cb WW107 cb WW107 cb WW107 cb WW107 cb
11.8 10.9 13.2 12.2 15.2 14.4 17.4 18.7 15.9 16.8
9 0.3 11.2 0.5 13 0.5 15 16 0.9 1.7
3.9 28.5 1.6 3.5 25 1.5
features
l l l l l
low thermal resistance miniature microwave amplifier available in drop-in & surface mount (sm) versions frequency range, DC to 8 GHz, usable to 10 GHz up to 18.5 dBm typ. (16.5 dBm min) output power
model identification
Model
ERA-1, ERA-1SM ERA-2, ERA-2SM ERA-21SM ERA-3, ERA-3SM ERA-33SM ERA-4, ERA-4SM ERA-5, ERA-5SM ERA-50SM ERA-51SM ERA-6, ERA-6SM
marking
1 2 21 3 33 4 5 50 51 6
(see note below)
absolute maximum ratings

operating temperature: -45C to 85C storage temperature: -65 to 150C
Note: Prefix letter (optional) designates assembly location. Suffix letters (optional) are for wafer identification.
prefix letter number suffix letter
NOTES:
u * ** *** J A. B. C. D. 1. 2. 3. 4. Aqueous washable at 1 GHz for ERA-4,5,6, 4SM, 5SM, 50SM, 51SM, 6SM fu is the upper frequency limit for each model as shown in the table. Gain, gain flatness, and VSWR are specified at 1.5 GHz. Low frequency cutoff determined by external coupling capacitors. Environmental specifications and re-flow soldering information available in General Information Section. Units are non-hermetic unless otherwise noted. For details on case dimensions & finishes see Case Styles & Outline Drawings. Prices and Specifications subject to change without notice. For Quality Control Procedures see Table of Contents, Section 0, "Mini-Circuits Guarantees Quality" article. For Environmental Specifications see Amplifier Selection Guide. Model number designated by alphanumeric code marking. ERA-SM models available on tape and reel. Permanent damage may occur if any of these limits are exceeded. These ratings are not intended for continuous normal operation. Supply voltage must be connected to pin 3 through a bias resistor in order to prevent damage. See "Biasing MMIC Amplifiers" in minicircuits.com/ application.html. Reliability predictions are applicable at specified current & normal operating conditions.
MTTF vs. Junction Temp. (For all ERA Models except ERA-5, ERA-5SM)
1,000,000 100,000
MTTF (years)
10,000 1,000 100 10 1 80 100 120 140 160 180 200
Junction Temp. (C)
Mini-Circuits
168
INTERNET http://www.minicircuits.com P.O. Box 350166, Brooklyn, New York 11235-0003 (718) 934-4500 Fax (718) 332-4661
Distribution Centers NORTH AMERICA 800-654-7949 417-335-5935 Fax 417-335-5945 EUROPE 44-1252-832600 Fax 44-1252-837010
ISO 9001 CERTIFIED
75
020807
Data sheets
Mini-Circuits
Drop-In & Surface Mount
ERA ERA-SM
medium power, up to +18.4 dBm output

J
FREQ. GHz MODELu NO.
ERA-6 ERA-4 ERA-5 ERA-6SM ERA-4SM NEW ERA-51SM fL - fU DC-4 DC-4 DC-4 DC-4 DC-4 DC-4 0.1 1 over frequency, GHz 2 3 4 6 8
all specifications at 25C

MAXIMUM DYNAMIC POWER (dBm) RANGE at 2 GHz* at 2 GHz*
Output Flatness Input (1 dB Min.@ DC(no Comp.) 2 GHz 2 GHz Typ. Min. dmg) 10.5 0.2 11 0.4 16 1.0 10.5 0.2 11 0.4 14 1.0 16 16 1.0 1.2 17.9 16 17.3 15 18.4 16.5 17.9 16 17.3 15 18.1 16.5 18.4 16.5 17.2 16.0 20 20 13 20 20 13 13 13
GAIN , dB Typical
VSWR (:1) Typ.
In Out NF IP3 Volt. (dB) (dBm) DC-3 3-fU** DC-3 3-fU** I P Current Typ. Typ. GHz GHz GHz GHz (mA) (mW) (mA) Typ Min Max 4.5 36 1.3 1.2 4.2 34 1.2 1.2 4.3 32.5 1.3 1.3 4.5 36 4.2 34 4.1 33 1.3 1.2 1.2 1.2 1.1 1.2 1.6 1.8 1.3 1.8 1.2 1.3 1.6 1.8 1.3 1.8 1.2 1.9 1.2 1.3 1.2 120 650 120 650 120 650 120 650 120 650 120 650 120 650 120 650 70 65 65 70 65 65 65 60 5.0 4.6 5.6 4.5 4.2 5.5 4.9 4.2 5.5 5.0 4.6 5.6 4.5 4.2 5.5 4.5 4.2 5.5 4.9 4.2 5.5 4.4 4.0 4.9
ABSOLUTE MAX. RATING3
DC OPERATING POWER4 at Pin 3
THERMAL CASE RESIS- STYLE TANCE

jc Typ. C/W 170 163 278 175 168 154 283 177
Note B
C O N N E C T I O N
PRICE $
Qty. (30)
12.6 12.5 12.2 11.7 11.3 14.3 14.0 13.4 12.7 11.8 20.2 19.5 18.5 17.3 16.2 12.6 12.5 12.2 11.7 11.3 14.3 14.0 13.4 12.7 11.8 18.0 17.4 16.1 14.8 12.5
VV105 cb 3.85 VV105 cb 3.85 VV105 cb 3.85 WW107 cb 3.90 WW107 cb 3.90 WW107 cb 3.90 WW107 cb 3.90 WW107 cb 2.95
ERA-5SM DC-4 20.2 19.5 18.5 17.3 16.2 NEW ERA-50SM*** DC-1.5 20.7 19.4 18.3
4.3 32.5 1.3 1.3 3.5 32.5 1.3
see suggested PCB layout PL-075 for ERA models
typical biasing configuration

R BIAS 1% Resistor Values (ohms) for Optimum Biasing of ERA Models Vcc 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 ERA-1, ERA-2, 1SM 2SM 90.9 113 137 162 187 215 237 261 287 309 332 357 383 412 88.7 113 137 162 187 215 237 261 287 316 340 365 392 412 ERA21SM 88.7 113 137 162 187 210 237 261 287 316 340 365 392 412 ERA-3, 3SM 107 133 162 191 221 249 280 309 340 365 392 422 453 475 ERA33SM 69.8 93.1 115 140 165 191 215 243 267 287 316 340 365 392 ERA-4, ERA-5, ERA-50SM, ERA-6, 4SM 5SM 51SM 6SM 38.3 52.3 66.5 80.6 95.3 110 127 143 158 174 187 205 221 237 40.2 53.6 68.1 82.5 97.6 113 127 143 158 174 191 205 221 237 40.2 53.6 68.1 82.5 97.6 113 127 143 158 174 191 205 221 237 30.1 43.2 56.2 69.8 84.5 97.6 113 127 140 154 169 182 196 210
MTTF vs. Junction Temp. (ERA-5, ERA-5SM)

1,000
MTTF (Years)
KIT NO. Model Type
designers kits available

No. of Units in Kit Description Price $ per kit
100
10
K1-ERA K2-ERA K1-ERASM K2-ERASM K3-ERASM

160 180 Junction Temp. ( C) (C) 200 220
ERA ERA ERA-SM ERA-SM ERA-SM
30 20 30 20 30
10 of each 1,2,3 10 of each 4,5 10 of each 1SM, 2SM,3SM 10 of each 4SM, 5SM 10 of each 4SM, 5SM, 6SM NSN GUIDE
MCL NO.
ERA-1SM ERA-2SM ERA-5SM
49.95 69.95 49.95 69.95 99.95
1 140
pin connections
PORT RF IN RF OUT DC CASE GND NOT USED cb 1 3 3 2,4
NSN
5962-01-459-9075 5962-01-459-7410 5962-01-459-9314
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76
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169
030714
Data sheets
ERA Test Fixture Instructions

(AN-60-019)
Procedure Introduction
ERA Models are series of wide band amplifiers. They have different device voltages and currents (refer to catalog spec). The test board has been constructed in such a way as to make it useful for evaluating all the devices by suitable selection of bias resistors. This is done by soldering jumper wires across the dashed-line positions 1 to 5 shown in Fig.1. The positions are defined in the Table. Follow these steps to use the Test Board. Figure 2 shows the layout. 1. Solder selected ERA unit onto Test Board. 2. Make DC connection by soldering jumper wires in accordance with the table, depending on the selected ERA model. All other positions should be open. 3. Calibrate test setup. 4. First, connect the RF output port of the test board to Network/Spectrum analyzer. Then, apply +10 V DC. Finally, apply RF input to the test board from Network Analyzer. 5. Test Board has Insertion Loss due to the length of its lines, DC blocking capacitors and RF choke as shown below. Add this loss to the measured gain to get actual gain.
Frequency (GHz) 1 Insertion Loss (dB) 0.64
The Test Board has the following components:

Component
C1,C2 L1 R1 R2 R3 R4 R5 R6 D1 C3
Value
39000 pF MCL Model # ADCH-80A 189 163 142 59 70 4.75 Zener, 10V 0.1F DC blocking RF choke
Function
Model No.
ERA-1SM ERA-2SM ERA-21SM ERA-3SM ERA-33SM ERA-4SM ERA-5SM ERA-50SM ERA-51SM ERA-6SM ERA-19SM ERA-29SM ERA-39SM ERA-49SM ERA-59SM
Short at Position
2 2 2 1 3 1,3 1,3 1,3 1,3 5 2 2 1 4 4
Sets bias current Sets bias current Sets bias current Sets bias current Sets bias current Protects Zener Protects against excessive supply voltage Bypass capacitor; Bypass noise of supply voltage
Fig 1. Schematic of the Test Board ERA/RAM - TB
2 3 4 5 6 8
1.03 1.63 1.32 1.46 1.90 3.21
Fig 2. Layout of the Test Board
AN-60-019 Rev.: OR M82660 (11/25/02) File: An60019.doc This document and its contents are the properties of Mini-Circuits.
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Publicaes resultantes deste trabalho co
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Kretly, L. C. e Ribeiro, A. S. (2004). A New Design of a Quasi-Yagi Antenna With /2 Dipole For Wireless Applications, 2004 International Workshop on Ultra Wideband Systems Joint with Conference on Ultra Wideband Systems and Technologies - Japan - Aceito para publicao. ca
Ribeiro, A. S. e Kretly, L. C. (2004). Design of Active Quasi-Yagi Antenna Switching Circuit Using PIN Diodes, 3rd International Conference on Computational Electromagnetics and Its Applications - ICCEA, 01-04/Nov/2004 - China - Aceito para publicao. ca
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Universidade Estadual de Campinas Faculdade de Engenharia Eltrica e de Computao e ca Departamento de Microondas e Optica DMO-FEEC-UNICAMP

Alex Sandro Ribeiro Prof. Dr. Luiz Carlos Kretly

Mestre em Engenharia Eltrica. e

Campinas, 23 de agosto de 2004.

FICHA CATALOGRFICA ELABORADA PELA BIBLIOTECA DA REA DE ENGENHARIA - BAE - UNICAMP

Alex Sandro Ribeiro

Orientador: Prof. Dr. Luiz Carlos Kretly

Mestre em Engenharia Eltrica. e

Campinas, 23 de agosto de 2004.

iii iv v ix xii xiii 1 1 2 3 3 5 7

S ntese do cap tulo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26 27

Cap tulo 3 Circuito chaveador usando diodos PIN 3.1

Construo de uma chave SPDT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46 ca S ntese do cap tulo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 51

Cap tulo 4 Antenas Ativas 4.1 LNA 4.1.1 4.1.2

Antena ativa com uma porta para testes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55 vii

Medida da resposta em frequncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63 e S ntese do cap tulo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64 65

Cap tulo 5 Consideraes nais co 5.1 5.2

Concluses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65 o Sugestes para trabalhos futuros . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66 o 67

Apndice A Equipamentos e softwares utilizados neste trabalho e

A.1 Equipamentos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67 A.2 Softwares . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68 Apndice B Estruturas planares de microta e 69

2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9

Conguraes para conexo de diodos PIN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38 co a Chaves multi-throw. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39 . . . . . . . . . . 40

3.10 Diodo PIN no microscpio (maior dimenso igual a 711,2 m). o a

Padro de radiao 3D da antena quasi-Yagi em substrato Arlon1000 com r = a ca 9,8. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60

4.10 Prottipo da antena ativa em substrato Arlon1000 o

Cap tulo 1 Introduo ca

1.1 Motivao e objetivos ca

1.2 Estrutura da dissertao ca

1.2 Estrutura da dissertao ca

Cap tulo 2 Antenas quasi-Yagi

2.1 Fundamentos de antenas de microta

2.1 Fundamentos de antenas de microta

Figura 2.1: Estrutura t pica de uma antena de microta.

e largura de banda reduzida. 4

2.2 Histrico das antenas quasi-Yagi o

2.2 Histrico das antenas quasi-Yagi o

Diretores Driver Refletor

2.2 Histrico das antenas quasi-Yagi o

Driver Transformador /4 Refletor (Plano de terra)

Figura 2.3: Topologia da antena quasi-Yagi.

2.3 Projeto e construo ca

2.3 Projeto e construo ca

2.3 Projeto e construo ca

ZR=25 ZT=35,3 Z0=50

Figura 2.4: Dimenses iniciais para projeto de uma antena quasi-Yagi. o

2.3 Projeto e construo ca

(a) Dimenses(em mm). o

Figura 2.5: Antena quasi-Yagi constru da.

2.4 Caracter sticas da antena

2.4 Caracter sticas da antena

2.4.1 Largura de banda

2.4 Caracter sticas da antena

BW (%) = onde: BW = Bandwidth ou Largura de banda;

Perda de Retorno [dB]

Figura 2.6: Perda de Retorno da antena quasi-Yagi.

2.4.2 Diretividade, ganho e ecincia e

2.4 Caracter sticas da antena

2.4 Caracter sticas da antena

(a) Diretividade e Ganho.

(b) Ecincias de radiao e da ane ca tena.

2.4 Caracter sticas da antena

Campo Simulado Cmara X Pol. Cmara

Campo Simulado Cmara X Pol. Cmara