Transistores bipolares de juncao (TBJ) INTRODUGAO ‘Neste capitulo, vamos estudar outro dispositive impor- ‘ante de tres terminais: 0 transistor bipolar de jungo (TN), A apresentayio do material deste capitulo assemelhies, imax nin 6 haseade no MOSFET do Capitulo 4: porenio, sc esejado, © TBI pode ser estudalo antes do MOSFET. Qs dispositivos de trés terminais so muito mais usa- de que 0 de dois terminais, como os diodds estudados 10 Capitulo 3. porque eles podem ser utilizados em uma mubtplicidade de aplicagdes, que se estendem desde 4 implificagao de sinais até o projets de circuitos isgicos nee = 8 Sag ainaps poreai ins a saa Un roi Be cone Tape ay am onan Se IS ee TO ‘amen pes antigo sera ven expemencialderescenie Ao Sti hue fn gs nde a decescerlncarmente Alem di, a pelarzago reves a jug coelor-bose obigaa er Zeru acuncexgin de eld do ido do ole dbase.Capitulo 5 _Transistores bipolares de jungao (1B) adiresdo positiva de ic, podemos retirar o sinal negativo rm Equaciio 5.2. Fazendo isso substituinde para (0) ‘ds Exoapdo 5.1, podemos entio expressar a comente-de oletor i¢ como le= trem" 6a ‘em que 8 corrente de saturaglo fs ¢ dada por 1 = Acadia /¥ Substituindo yg = rf/Ny em que my & a concertmicto intrinseea de portadores ¢ Ny € a concentragho de ‘panes na base, podsmies expressar fs como D, = age Ga) Lia ebservago importante a ser feta aga € que o valor Gio indopondeote de ye. so enquanto 9 cletor fr ositivo em relacao & base, os elétrons que atingem o lato Go coletor da rego a babe serio srastdos a0 cletor¢ Srl registrados como sorente do coltr. “Accorrente 6 saturagJo fs inversamente proporcional Allargura da base We é diretamente pmporcional 4 drea da JEB. A faixa tipica de valores de [5 ¢ de 10° a 10-8 A (dependendo das dimensBes do dispostivo). Como Is Epm- friciona 9 ,ch €lortemeate cepencente dt cnperat, ‘dobrando a cada 5 °C de aumento na temperatura. (Para Gals dopendénca de cor a tempera, veriaue 2 Euagio 337) elo fato de Jy ser diretamente proporeional 8 rea dx {jung Go 6, a5 dimersdes do disposi), es abe Jer camade tator de eal cde corrnts, Dos tansces Sicha lenncor, som excerto de eur tem 0 Bobo da ‘Fea de JEB do our, implicardo uma eorete de satiasso ‘mu mesma nizéo (isto & 2). Logo, para o mesmd valor de ‘nag, 0 dispasitivo maior terd o dobro di corrente d= coletor Te Sinton dnpoative menor Esse conceto eit mente empregado no projeto de cirouitas integrados. A corrente da base A corrente da base jp tem dois com: fponenteeO primeira componente gi ¢devidos lcunas fjetadas da regido da base nu regio do emissor. Esse componente da corrente € proporcional a ore Aedes, ee cm que D, &iaconstante de difusdo de Tacunas 19 emissor, 11,0 comprimento de difusio de lacumas no emissor é Np «Ca concentragho de dopantes no emissor. ‘© segundo componente da corrente da base, ipa & devido a lacunas da base que sib fornecidas pelo cicuito fxtemo pant repor as lacuna perdidas na base pelo processo de recombinasdo. Uma expressio pat fo Pode fer obtida considerando que, s€ 0 tempo médio que un tlétron minoritirio leva para se tecambinar na base com ta lacuna majoitiia for chamado 7» (tempo de vida de 55) portadores minoritirios), entao em rp segundos 2 carge ‘de portadores minoritirios na base, Qys se recombine com as lacunas. Naturalmente, em esiado estacionério, Oy < reabsstevido por elétrons injetados partir do emissor, Para repor as Incunas, » corrente ig precisa fornecer & base ume carga positiva igual a Qy t cade 7p sezundo, in =F (56) ‘A carga de poctdores minoritirios, anazenada na base, Qy. pode ser obtide a partir da Figar 5.4. Fspe- cificamente, Q, ¢ representeda peta drea do triangulo sob ‘a disiribuigto Tinesrmente decrescente da base ¢, portanto, Q, = Ag X4n,01" Substinindo y(0) pela Equagta Sil @ ro por MN. resulia Combinendo as-equagbes 5.5 ¢ 5.8 ¢ uilizande a Equagiio 5.4, obtemos para a corrente total de hase iz a7 (eh WLW) oot = (OME De) Combinando. as equagdes 5.3 € 5.9, observamos que tp pode ser representace come uma perccla de i. tal gue (59) (3.10) cena Dy No Ly, ‘daqual vemos que A é uma constante para dado transistor. Para transistores apn moderns, i fica na faixa de 30 a 200, podendo eventaslinente ser da ordem de 1.000 para Gispositives especials, Por razdes que fiearto claras logo ‘seguir, aconstante && chamada ganho de corrente de ‘emissor eomumt, ‘A Equagio 5.12 indica que o valor de f € influen- ciado significativamente por dois fatores: largura da regido da base, W, ¢ a racio de dopagem das regides de hase emissor (NqiNp). Para obler um B elevado (que €i || microetetronica ‘sltancnte desejével jf que 8 representa um parimetro de sinks) hase deve ser estrvta (W pequeno) e levernente lopata, ao passo que 0 emissor deve se aliamente dopa: 4o Np pequeno). Finalmente, observe que a discuss ‘té agora supe uma situngn idealizads, em que & cons tant para determined trnsister. A corrente do emissor 3é que a corteate que entes no twansistor deve sair dele, pode ser visio na Figura 5.3 que 8 comrente do emissor ig € igual A soma da corrente do coletor ic e da correnté da base fp ou sea, ten ict iy Usardo as equagdes $.10 e 5.13, obtemos. ptt, B Alterrativamente, podemos expressar a Equacao 5.14 na forma te= tig 6.16) em que a constanie a € relacionada a f por ne Bot Portanto, a corrente no emissor dada pela Equagio 5.15 pode ser eseritu como 6.17) ip=Uslaye™™ 6.18) Finalmente, posiemoe usie a Equaco 5.17 para expressar Bem temmos dea; isto é. Flgum 8.5 Modelos decision equvalnes pa grandes spas do TBI apn ep) mm tivo dt, (9) Podemos ver pela. Equagio 5.17 que a € uma consaste (para dado transistor) menor que a usidade, poxém muito proximo dela. Por exemplo, se 8 = 10), cntio = 0.99. A Baquogio $.19 revela win Tato impovaaie: peyuenas var riagdes ema correspondem a grandes variagBes era Essa obvervagio matemitca manifests fscarente, visto que transistors de meso tipo podem ter valores de muito Aiferemes. Porrazdes que se tornado evidentes mais tae, ‘26 chamaco de ganho de corrente ems base comum. Finalmente, devemos notar que, pelo fato de a € 8 caracterizarem a operagio de um TBI no modo ‘ave 4ireto' (em oposigo 20 modo “alivo reverso, que discu- tiremos em breve), eles siofreqientemente denominidos ap.¢ Bp, Usaremos a © a indistintamente e, de forma aniloza, By Recapitulago © modelos de circulto equivalente Acabamos de apresentar um modelo de primeira order para operasio do transistor npn no modo avo (04 avo direto), Basicamente, a tensto de polarizacéo direts faz que uma correate ic com relagio exponensia fua pelo terminal do coletor. A corrente de coletor i 6 indepen- dente do valor da tensio do coletor, enquanto a juncao soletor-hase permanccer polarizada feversamicnc isto &, 1igy 2 0. Portanto, no mado ativo,o terminal do cole s comporta como uma forte de corrente ideal em que 0 valor da corrente € determinado por xp. A corrente da base dg 6 um fator1/Br da corrente de eoletor, ¢ a eomrente do emissor¢ igual soma das corentes do coletore da base, Comio jy € muito menor que ic (i606, By > Nie = 4c, Sendo mais preciso, corrente do coletor € uma fas ‘4p 0A corrente do emissor, Com ap menor que. mas pré- imo, a unidade. ‘ © modelo de primeira ordem da operacdo do ranis- tor no modo ativo direo pode ser represenuado pelo circuito ‘equivalents, mostra. na Figura 5.5(a). Nessa figura, 0 dodo De em far de escala decorate fy igual slp) fsCapitulo 5_Transistores bipolarss de jungéo en] bal ‘portant, proporeiona uma corrente ip relacionsda yp Ge avordo com a Eiquagio 5.18. A corrente da fonts conto. ‘ada, que € igual &cortente do coletor, € contolada por ye 4 acordo com a relagto exponencial indicada, uma reas rngio da Equagio $3, Esse modelo em esséncia, uma {onte de corsente controluda por tenstono-liner. Ele pode ser somertido em um modelo empregendo uma fone de maior: 001, 5.1.4 O modelo de Ebers-Moll (EM) © modelo di Figura 5.5(a) pode ser combinado com da Figum 5.7 para cbicr © modelo do clrcvito mosirado na Figura 5:8. Note que temas remarcaclas as correntes por meie de Dg-e Dee as eorrespendentes comentes de Cone troledks fortes controladas, coma jpg € nc Ebers ¢ Mol, doy antigos trabalbadores ina rsa, mostraram que se modelo compasto pode ser usndo para prover & operigia do TBF em todos os seus possiveis mades, Para Ver como isto pode ser feito, dedurimos expressdicr das soeremtes terminals ip, fc € i em termos das tens0es de juncdo pe © vc: Para tanto, escrevemos mia expressio para a cor feate em cats tm dos irés 1s do modelo da Figura 5:8 como segee: 4g = tne aioe f= "Ine + aripe Wp= (1 ~ ap) ine + (1+ a9) ine 21) 6.22) 623) Figura 6.8.0 move de Eton Moll EM) do taste np ——— Ente ustmas a equacio do diodo para expressir ing © fine Hove = Tyee = 1) (528) (929) Substituindo fog € jpg nas equagdes 521, 5.22 © 5.23 ¢ usando a relagio mostrada na Equiclo 5.20, temos as expresses procunidas em (een =D -her=1) 626) fe= ser 1)= (gehen —) (627) B= (529) ion T=ay ‘Como uma primeira epicagdo do modo EM, vas tide Jo para prever as coremtes nog terminais de um transistor ‘operando no modo aivo diets. Aqui, €positivo eesti na fea de 0.6 V 208 Vie vg énegatv, Pode-se faite ‘Yer que os fermos contendo e*’*" seria desprevivelmente ‘Pequenos ¢ podem scr desprecads para obser (520) 31) (522) FeV nies pido Ab Ga aa) 8) Em cada uma dessas ts equagies, pode-se normalmente cesprera 0 segundo terme do ado dro Iss resulta nas relies coctnts-tent fnillras deduidaa antes tb ¢, equagoes 3.18, 5.3 ¢ 5.11, respectivamente. ‘Ai gu, detersinaros acon pata a operado to modo ative dieio wm sca = 0 por garam que 1CB sntea detente polerizade. En un cao rea eaten, uma junga0 par 66 estan efetivamente polarizada dirta. nen quan a tnsio die por el anus ere de {15 V. iss, segue que pose master a operago de um transis mpm no miedo atvo para nesiiVO indo pars aproximaclimente ~0.4 V. Iso estélustrada na Figura 59, ue mostra um esboeo df versus ve param transistor ‘gm opens com una sortie fp constant, Ove Ge fc permunece consante em ale pa en Head negaive i aproximadamente ~0 V. Abaixo Jesse valor dp, UBC comega a conduit obaxane par que o tansy Gcixe © modo tivo ¢ entre no modo de: saturagado de ope- tagio, em que ic decresce, Estudaremos a. saturasgo do TB) a seguir, No momento, entretanto, note que poderemos usar as equugdes de EM para verificar que os termos con- tenuio ¢*"** permanecern despreciveiments poguetcs para fg to gre quan OA VCapitulo 9 Transistors bipelaras de juneao (Tea) |) 2 ayo sects expe Pouce 8.9 A crac -~i9 eum vasior mpm alimente ‘i ua cont he emiae constants mde ‘erage de seuagie pars oy < Oe V. En concn de clone -itaragin GoTRTS wallga Ropergio ne “ep e tds do MOSFET. Por ito ado, opera ni regi de satragbo do» MOSFET correspond § pei do TB! ix anal aver44 || microeietronica z Dirssmenie ~ ITT Elton ijtadn 811 Fs Fou arizade pas oper 5.1.6 O transistor pnp O transistor pup opera de mart’ similar a0 disposit Vo apn descrito anteriormente. A Figura 5.11 mostra um transistor pnp p esse caso, 4 lenso Vp faz que 0 emissor tipo p esteja mum potencial mais alto que a base tipo n, polarizando, Pottanto, ditetamente a juncio emissor-hise. A junc coletor-hase esté reversamenie polarizada por Vgc, que mantém 0 coletor tipo p em um potencial menor que asizudo para operar no medo ativo, A t0€ mpm. a correats no disp sitivo pnp € constituida principalmente por lacan tadas na base pelo emisser como sullado da tensio de Polarizacio diteta Vsg. Visto que 6 componente di cor- rente de eimissor constitufda por elétwons injetados da base para 0 emissor & mantido pequeno pelo fato de 3 base ser levemente dopada, midior parte da corrente do dovida 2¢ lncu: is. Os elétrons injetados da ‘bats para o emissor dio origem an primeira componente dia corrente da hase, inj. Anda, uina quantidade de laca nas injetadas na base se recombinara com os portadores mappritirios na base (elétrons) ¢ ser, portanto, perdid cons da base que dessparecerem dev n Ser repos. «pelo circuito externo, dando origem ao segind6 com: ovente da hase, ina. AS lacunas que obiive Timites dit regitio de deplegiio da jungic coletor-base serio airafdas pela tensiis negativa do cole tor, Portanto, lacunas se1do arremessadas pela fio de deplegiio dent corente do coleior Pode ser facilmente observado, da daserigho dade anteriormente, que as relagOes com tor pnp seri dations sso do transis dos trent npmenteto que or € substitufda por up, Ainda, » operacdo do transistor ap para grandss sinais no modo ativo pode ser modelada ado na Figura 5.12. Como no caso ‘utra versio desie cirouito cquivalente € nia qual a fonte de corrente & substtufda por uma fonte de ccorrente controlada por corremte aig. Finalmente, nots ‘mas que o transistor pnp pods operas no modo saturado de pelo circuilo pre ‘muaneira andloga desctita para o disposttivo npn, Figura 6.12 5.8 Considere 0 modelo na Figura 5.12 wpiesdo no caxo de wn transistor pnp cw base est stead é alimen: por uma fonte de coments eonseante que fornece uma ccoremte de? mA para 0 terminal de emissor esté Uigedo a mf Me de aliventaae cr de —10 V Calcuiea testo noemissor, acormente'na hase» scorn A, no coletor, se; para esse tatsstor, f= 50, Repost 0,659 Vs 30.2 was 1.9Capitulo 5 _Transisiores bipolares de juncdo (TBI) 5.9 Para um wasistor pnp tendo Is — ule urn panic = 1.5 A. Fiespeala 0643 V, 10 AeA = 100, ak 5.2 CARACTERISTICAS CORRENTE-TENSAO 5.2.1 Simbolos e convencées para circuitos A estrutiea fiscn sada até agora para explicar a «peragdo do transistor € muito incémoda para ser eimpre- -gada nos diagrammas esquemsticos de um circuito om ‘avis transistors. Felzmiente 8 uni simboto de circuit snuito conveniente para 0 TBI. A Figura 5.138) nostra 0 sYmbolo de um transistor npn; 0 simbolo do pnp € most ‘on Figura 5.13(h) Em ambos os simbolos, © emisser & enifado por uma seta. Essa distingdo & importante Porque, conto visto wu dtima sogéo, os TBs priticos nto Slo dispositivos simetricon. A polaidade do dispositive — hpn ou pap — ead indicat peto sentido da poma da set no emissor. Essa ‘sta aponta para o sentido normal em que a corrente fui ‘meminsor, que é o catido dircto da juno emlssoe- bas. Como adotamos uma convengio esquemstica, na qual © fuxo de vorenie € de cima para buixo, dexenharemos ‘Sempre os transistores pp conforme moxtrado na Figura 15.13 (isto é, com o emissor ein cima), aa gure 6:19 Sinsolo de cies pu Ts A Figura 5.14 mostra os transisiores. pm e pp poi ‘izados pura operat no mexla tivo. Deve ser menclonado gic © avtanjo de polarzaglo exposio, utlizando duss fentes ec, nfo € usual ¢ foi uilizado apenas par usta a ‘operagso, Esquemas pratisas de polarzacan serio apte- sentados na Segio 5.5. A Figura 5.14 indica também a referencia ¢ 0s sentldbs reals lo ura de cotrente 0 tat= Stor. Nossa convensdo utlizard 0 sentido de seferéacia ‘que coincide com o sentido normel do fluxo de corrente, Por isso, normalmente, rio deveremos encontrar valores eRALIVOS PAHs Hy hs A convenincia de deseabar @ citeulto conforme a convencio adotada deve estar dbvia pele Figura 5.14. [Note que os finos de correntes so cc cima para baixo © que 0s potenciais «io mais altos em cima do que ciubaiko. Cot 380, a seta do emissor também indica a polaridade da teasto emissor-base que deve ser epliceda para polarizar diretamente a jungi0 emissor-base, No sfmbolo do transistor pnp. por exemplo, serfica-se Que devemos fazer 0 potencial do emissor mais alto que & base (de vj) a fit de fazer circular uma Corrente no ‘emissor (para baixo}. Observe que o sfinbulo vine epre- sents a tenso pela qual 0 emissor (E) é mais elevado gue 4 base (B). Logo, para tum transistor pap operando no odo ativo, ve € positive, enquanto em umn transistor ‘pm nn € posstiv. Pela diseassio da Segio 5.1, segucise que ir tran: sistor npn cuja JEB estd diretamente polarizada operand no ean a pibenctal no “coleror Boi? cbaisa do porencial dx base mais que aproximademenre G4 -¥. Caso contro, 0 transistor sai do modo stivo € ‘ena a regio de suturagao de opera. De maneira semelhante, 0 transistor pnp operard no node ative se JEB jor diretamenie pelaricada e ¢ poten ial do coletor née ultrapassar o potencial de base por ‘mais que apreximadamente 0.4 V. Caso contésio, a JCB fica dretamente polarizada, ¢ 0 transistor pnp entra no modo de saturagio de opera i o Figura 5.18 Pandas das eases ePexos de corre para otis tore polarizados on mado avo. Para referSncia répida, apresentamos na Tabsla 5.2 ‘um resumo das relagdes corrente-tensBo para 0 TBI n0 ‘movlo ative de operagio. Note que, por simplicidade, usaremos ae f preferivelmente a aye By. A constante n Na equisio do diodo (Capiivlo 3). tusamos uma constaie no expoente¢ mencionamos que csse valor esi ent 1 © 2. Para o» uansistores bipolares de jungo modernos, a constante n 84 préxins da tumidade,exceto’em casos especils 1) em alias coreates (sto, alt ern relagdo a faa normal de operago de dado transistor), em que a relay 颗 ye exibe um valor de «qos std prdnimo de 2, ¢ (2) em bainas eorrentes, cin que © relagae pte também exibo um valor pars » de apro16 || Microetetronica Timadlamente 2, Observe que, para nessos propésitos, ire- ‘mos supor sempre que n = 1, A cerrente reversa de coletor-base (/cyy) Em nossa discessti do uo de corrente nox transistores, havfaion ‘gnondo os pequenos valores de correntes reversas trans. Portidas pelos portadores minoritérios. gerados termica. ‘meme, Embors tais correntes possum ser seguramente desprezadas nos transistores modernes, a corrente reversa 1a jung coletor-base merece ser mencionaa, Essa cor. rete, denominada lego, ¢ 4 corrente reversa que viscula do coletor pata a base com o emistor em circuito aberto (porisso, wsamos 0 subserito 0, do inglés open). Essa cor tele est4 geralmente na fuixa de nanoamperes, um valor que uitas vezes é maior que previsto teoricamente. Do esto modo que a coments reversa no diodo, Jcyg Con ‘mum componente de fuga substancial e” seu valor depende de v¢p- Ieao depende muito da temperatura, aprosimadamente dobrando de valor para cada 10 °C de aumento na temperatura Nota Pace omit pe, sss ome POX on yar 5 a t= Ble k= (B41 2 8 Ome Bet Vicente a eaemy nage tence eS EXEMPLO 5.1 © transistor no eieuito da Figura 5,15(a) tem = 100.¢ cexibe um vp de 0.7 V quando i¢ = | mA. Projete 0, saute de modo que uina corrente de 2 mA circule pelo coletbr ea tensdo no coletor seja de +5 V. solute Observe a Figura 5.15(b). Notamos desde © inicio que, ‘com precisamos projetar para Vo = +5 V,a ICR estari polatizada reyersamente ¢ 0 TBS operas mo indo wivo, -8v @ Figure 8.18 Circo paca Exempt. Para obter um valor Ve-de +5 V. a queda de tensko por Re deve ser de 15 ~ 5 = 10 V. Agora, como fe =2mA, ‘0 Yalor de Ro deve ser escothido tal que lov _ Re = 70N- = sk Visto que vine = 047 V, quando é¢ = 1 mA,o valor de vate ‘quando i= 2 mA deve ser Vae= 027+ vota(3) =on7v ‘Como a base esté em 0 V, a tensto no emissor deve sex Ve=-0717V Para (2 = 100, « = 106/101 = 0.99. Logo, a comemte do cemissor deve ter Tey ghocen: Ign Em ghg = 202mA Assim, o valor necessério para Ae pode ser determinado por 5 = 707k 699 Coniplew @ projeto. Contudo, deve ser abservaito que (8 céleulos anteriores foram feitos com umn grau de pee- Go que normalmente nao € hem nevessario nem justifi- cado na pritica, tendo em vista, por exeraplo, as toler: clas esperadas nos valores dos componentes, Entretaata, esolvemos fazer 0 projeto eom preciso a fim de ilustear ‘05 passos envolvidos. —_—- ____ es Toes etapa Teg BW Ta poreae Topp SE ws Componente Te Taga RTARTACapitulo 5 _Transistores bipolares de jungao (TB)) || 27 510 No cizcuito moveado na Figura £5.10, teesso no emissoe 01 medida como ~0.7 V. Se = 50, calle Jes Im Joe Vi sv = Fo. 1 oN Figura £5.10 mA, 15.2 4A:O91 mA: +5.45 V. 5:17. No trcuto mostrado na Figura E511, as meds indica Vado +10 Ve Vede 41,7 V. Quals soos valores de ae 8 part esse transistor! Qual 60 valor de Veno coletor? Resposta 0.9 +iov + ska) noua 2 oe espoala 0,994; 165)-i,73 V. 5.2.2 Representac&o grafica das caracteristicas do transistor As vezes, & dtil descrever as caracterfsticas t-v do transistor graficamente A Figura 5.16 mostra a carac. teristca fc vyp cust relasio exponencial & ig = Terme ‘que ¢ idEntica (exceto pelo valor da comstante n) a relagto iv do diodo. As earacteristicas i—vpy € iy—thp tam. béin so exponenciais, porém com diferentes fatores de scala de correntes: Ifa para iy ¢ I para ip. Visio que & omsitante da caracteristica exponencial, /Vz. € relativ ‘mente alta (= 40), curva sobe bastante acentuada, Para Yne Menor que 0.5 V aproximadamente, a comenie & desprezivelmente pequena.S Além disso, vge: limita-se ‘uma faixa de 0,6 V a 0.8 V para correntes normais de ‘operago, Ao realizarmos clleuloy ripidos para detetmi- har grandezas cc, suporemos normalmente que Var ~ 07 NV, que & similar ® aproximagio usada na andlise de ‘ireuitos com diodo (Capitulo 3). Para un transistor pry, ‘ caracteristica jc—vgp serd id€ntica em aparéncia A ea Feotetftica da Figura 5.16 com vq substituido por vpp, ‘Como nos diodos de silicio, a tensdio na juno emnis- sor-base diminui cereade 2 mY para cada | °C de sumen- to nn tomperatura, considerando que a jungao esteia ‘operando em um valor constante de corsente. A Figura 5.17 ilustra @ dependéncis com a temperatara represea- undo as CUrvas ie~vyy: em trés temperaturas diferentes ara um transistor npn. vy os a7 laura 8.16 9 cares ~via um nso apm Teh Floura 8:17 Eloto di empernior we scwastersica tx, Com) luna cerrente de emistor ceasante int travel), yy ada do 2 nvr Ceracteristicas base comum Uma forma para desere- ‘era operagio de um transistor bipolar é tragar a curva ic ‘arcana Weaver tips sarge. Eas em somaay ain WANG Rape "A caacerien TicdT alog araterisicaiy-1s do MOSHET dpe cartgacinea Eas eo fanhos.os entra enc ier do excedet um linia pars o dispoiti conduc apitcarclncnis. Np caso do MOSPET, hun cto lm tl, Vp qv Ses peanene fata de OSV x 1,0 Para TI, ce uta sparen de aproximadanene 0'V. A canis ig-ms ( tansiter¢ pueden. portant, é menos acest gue acratetica fc ye do TR, Fas ference vn iliac ‘ne valor dn eranscondtinci ypar cada posiwh osy == Bee —| ‘pena Flow 8.18 Ascaricteriicas toy de un tandstoe np, versus Yea pare vatics valores de i 4 apresensamos tal tipode grifico na Figara S.9, o qual uilizamos para intro- duce © modo saturagio de operagie, Uma montagem ‘experimental conceitual para medir essas caractersticas ¢ mostrada na Figura 5.18(a), Observe que, nessas medidas, ‘tteasio da base 6 rhantida constante no potencil terrae, Portnto, a base serve como um terminal comum entre os {erainais de entrada e de savda. Consequentemente, ocon- junto de caracterficas resultante, mostrado na Figura 5.18), 8 eonhecido como curacteristicas hase comm, [Na Tegido ativa de operacio, obtida em torno de ea > ~ 08 V, as carvan uc desvian-se da nossaexpec tativa de dois modos, Primsiro, as carvas nio sio linhas ‘elas horizontals, max mosiram un pequena inctinag Posifva, indicando que jc depende levernente de sy m0 ‘nod ative, Discutiremos esse fendmeno em breve. Segundo, 4 Yabresreativamente grandes de ve, a corrente do coletor presenta umm crescimento ripido, que € umn fendmeno de rup- tum que consideraromos em um estigio posterior, ‘Como indisado na Figura 5,18(0), cada uma das curvas ‘aracoritioasintorcepta o cau veil ern um mel de or rente igual a ap, cm que fy; € a comente de emissor cons. tater qual cada curva é medida, O valor resultante de a & senkecido como a total ou ce para grandes sinais isto €, = iclig om que ice ig significam correntes unas Ge cole. tor ceiisoot, tespectivamente. Aqui, elembramos que a Spropriadamente chirnadé. ganko de conrenie para base ‘omuin, Oa ineremeatal ov « para pequenos sinais pode ser determina medino-se a variagto de fo, Alc, devido & ‘uma ariagdo em ig por um inerementode dips a = Aic/Ai Essa medida € normalmente feta para ep Constante, como indieado-na Figury S.18(b). Comunvente, 05 valores dec total ¢ incremental diferem levemente, pore nio faremos ‘Gualquze dstingdo ene os dois so longo deste fiveo, Finalmente, vollando 4 regido de saturaedo, a cequagiin de Ehers-Mell pode sor utilieada paca obier « ovguint eapressd0 pata CUIVa fo tp a epllode turagio (pata fe (535) Podemos usar essa equao para determiner 0 valor de Yac Ro qual ic e redur'n zero. Recordando que a JCB tem tamanho bem maior que a JEB, a queda de tensto direta Upc Seri menor que vgp sesultando na tensio cole tor-emissor, yey, de 0,1 Va 0,3 V na saturiglo. 5.12 Considere um transistor jap com vp ~ 057 V pata ip = {1 mA. Suponha que a base estsju Merada, o emis seja slimentado por uma forte de srrente constant de 2 mA, oooletor esteja comcstado a uma fonte de alimentagio de SV por uma ressiéacia de | KO: Se a temperatura ‘umentar em 30 °C, caleule as variages nas toned de coletore de emissor. Desprere efelo Ue Fenn. Rocpesta — 60 mv. 0. 5.13 Calcule © valor do uc em que fc de um transistor npn ‘operando na configumaglo BC com fy = 1 mA. safe ‘edu (4) part a metade de seu valor no modo stivoe(b) Fr rer, Suponha ay = 1 © 4 = Os.O val do Vax ok fedido pars vey ~ 0 [veja0 mmanjo de medida na Figura ‘.18ta)|€ foi Comite: Gue eri 0.7 V, Reka (a) ¢ (by para ap ~ 01, Resposta 0.528 Vi ~0.645 ¥, -0,308 V; —0.585:V. 5.2.3 Dependéncia de ic da tensao de coletor — 0 efeito Early Quando operando ni regio ativa, ox TBJs mosiram ‘ fe = 0.1, 1 10 ma. Aespusta 1 M0; 100 KML: 10k, 5.15 Consdereo crcuito a Figura S.19(, Sendo Veg = | Vs Var ¢ shstado fara manter uma corrente de-ccleor de 1 mA. A seguir, enquanto Vag & mmantido constante. Vor & sunettado paca 11, Caleuke o novo valor de fe. Para esse transistor, Vj = 100 V, espa 1,1 mA, 5.2.4 Caracteristicas emissor comum ‘Unne Forma alternativa de expressar as caracteristicas temissor comam do transistor é apresentada na Figura 5.21. Aqui, a corente de base jg. mals aptopriadamente que 4 tenséo emiskor-base ys 6 empregada como parimetro, Isto 6, cada curva (e—vr € medida, tendo a base alimenta- da com uma corrente coasiante Jp. As caracteritieas res! {antes parece similares dquelas na Figura 5.19, exceto ue, nesse e280, mostramos um fendmeno de ruptura, que discutiremos em breve. Devemios também mencionar que, cemboranio seja Gbvio nos grfieos, a inclinagio das curvas ‘a regio ativa de operagao difere ds inctinagao correspon- dente na Figura 5.19, Isso, entretanto, 6 um pono bastante sulle fora do nosso interesse nesse momento, O ganho de corrente emissor comum Um piaimetro importante do transistor € © ganho de correate et emiser comm 2 ou simplesmente B. Anteriormente, definimos como a ravi entre a corrente total no coletor © 9 comrente ‘otul na base e supusemos que 6 era constante para dado tfansistor, independentemente das condigBes de operagi. A seguir, examinames esses dois pontos em detalhes. ‘Coasidere um transistor operanco na regiio asiva no onto indicaslo como Q na Figura 5.21, isto €, com uma cor Tente de coletor feg, uma correnie de Base Fog c uma tension de coletor-emiscor Vay. A razio entve a corrente de cole- lore a comente de base € 0 8 cc ou 8 para prandes sinais, (539) (que € 0 8, que tem sido empregado na nossa deserigto da operagtio do transistor. Ele & comumente indicade: nos imuanuais de fabricante como fire. um simbole que origi- fnou-se do uso dos parimetros hibridos, ou /, em redes dois scessos para caractetizar a operasdo do transistor (veja 0 Apéndice B), Também podemos definir out-o 8 baseado nas quuntidudes incrementais ow para pequetios sinais. Apo» consulta 3 Figura $,21, nolamos que. man- tendo 4 tensio coletor emissor viz constante ne valor Very © variando x coment ly de fag para (lay + Ain). resulta em ic aumentando de log pata Ucg ~ Aig), Ou seja, podemos definiro 6 incremental ou ca, 8... como ‘As magnitudes de A. © 8. diferem, tipicamente em cerca de 10% a 20%. Nest livro, normailmente nio faremes dis- ‘tng¥o entre os dois, Finalmente, devemos mencionar que © 6'0u B.), para pequenos sinas também & conhecido pelo sémbelo aliemativo hye. Como © 8 ou ye para pequenos sinais¢ detinido e medide para dado cr constant — isto com um componente de sinal zero entre ocoletore emis- sor —, ele & conhecido como 0 ganko de corrente de ‘curto-circuito em emissor comum.Capitulo 5 Transictores bipolares de jung (TEs) © Valor de B depenile do nivel de corrnte do ope- sazlo no tiansisior, © essi dependécia tom foma ‘mostrada a Figura 5.22, Os processos fisicos que dio erigem a essa dependéncia endo fora dem objetivos dente listo, A Figura 522 também most a depend@ncia de B orn a tempera 1 wo 1 0 Head (4m) C10 mA) (190m) Figure 9:22 Dependtnciathica de com /c- com atemperiursem |" modemotrnior mpn de ici ere om sieoeiteradon rojas pars oper em oro de mA. A tensio de saturagdo Vccsat € 2 resistencia de. ‘saturacdo Roce Uma visia umplinda das curvas co tucteristicas de emissor comuim na repiao de saturaeay & smosttada na Figura 5.23. O faio de as curvas estarem "gar dadas" na regio de saturagio implica que o ineremen- fal & menor nessa regido do que na regido ativa. Um pos sivel ponto de operacio na reyido de saturacio & aquole indicado por X. Fle € cametcrizado pec uma comente de base J uma comente de colewor Fein © 4 tensio cole= toremissor Vera: Note que Tou < Byly. Uma ver que 0 valor de Leu estahelecido pelo projeists do excite, 0 transfor saturddo é dito estar operandi em tm f forge 1 dado por (S42) A sazio cite fp © Baty € conhecida como fator forgado (overdrive factor. Quanto maior o far forge do, mais o transistor € levado para a saturacdo e menor 0 Woes Se torn, Figur 9.23 Lima visto expurdidy das carcteritinas de emer om na ego de satura.12 || Microetetronica _ As curv jeqy ma stares so bem inclinadas, fndicanda que o transitorssturado exibe haixa recisténcia enirecoletor e emissor, Rees dia por dice! ae Reva = (3.3) ‘Vipicamente. Renu varia dé poucds ohms « poueas dezenas de ohms. ‘A Figura $.24(b) mostra uma das curvas earaterfsti- cas icmvce do transistor saturado ilustrado na Figura 5.24), E interessante notar que a curva iniercepta 0 tixo te em Vz In (V/ag), um valor comum a todas as curvas icmvce. Mosiramos também na Figura 5.24(b) que 4 tangeate a0 ponto de operactio X apresenta incli- tagad 1/Rcr Quando extrapolads, a tangents inieresp- 429 eixo rey em uma tensdo Vega jo Valor aproximnae do €0,1 V. Segue que a caracterfstiea fc— vee de um transistor saturado pode sor representada aproximada- Imenic pelo citewito equivalente mosirado ns. Figura 5.24e), Do lado do coletor, 0 transistor ¢ representado pela resistencia Regus em série com uma bateria Ver Porunto, a fensao de satragio Venus pede ser encontra- da apanir de Vera = Verse + teaRcran (5.44) ‘Tipicamente, Vea cao faixa de 0,1 V a 0.3 V. Para ‘mits aplicagSes, 0 modelo mais simples mostrado na Figura $.24(d) € suficiente. A tensfo residual (offset) de uum eansiniorsaturad, embora pequena, far 0 TBI menos rat vo como uima chave do que © MOSFET, exjas caric- tetisicas ip~ups passam exatamente pela origer no plano ip~vos E imeressante € instutive utilizar modelo, de Ehen-Moll para derivar as expresses anaitcas para 3 caractersticas do transistor saturado, Pera tanto, uti- leans as exquagées 5.28 © $.27, eubstintinda do = fy © ddesprezando os termes pequenos que ado incluert expo~ sencain; portanto, ig gate Higa Br 6.45) Divitindo a Equagio 546 pela Equago 545 ¢ exereven- do tne = tye + tcp i890 nos permite expressar ic Nt forma Esta & « equagSo da curva earsctertstica do~ yep obsida quando a hase é comandada por uma corrente constante Jy, A Figura 5.25 mostra um grifico tipico da corrente de coletor normalizads fe/(Byly), que € igual a (Bioyais/Br) fem fungao de vee. Como mostrade, a curva pode ser ‘aproximada por una linha reta ceineidente com a tan- ‘gente 90 pont Braraso/Br = 0.5. F fécil mostrar que essa fangente tem uma Inclinagao de éproximadamente 10-V"l. independent dos parimettos do. transistor. Portanio, Rees = M0BHs Outros parimettos importantes do grifico. normalizado esto indicados na Figura 5.25, Finalmente, podemos fobier uma expressto para Vern pela substitigho ic eat = Proxaiela © vee = Versa 88 Bquagio 5.47, 1+ Brgte + Be T= Brood) 5.16 tim tansistse npn carcterizado pot iy = 100.e a = 0. opera na saturagio com content de base Constante ds 0,1 mAcum f forgado de 10, Caeule os valores de Vesem ic = 0, Rena Vener Uti as akimas das Figura porn fblee um valor apeckimada para Vera {iso &, usual 0 modelo equivalents de circuit da Figura 524(0)- Encore ‘um valor mais presiso para Vcr wsundo a Fquago $49 e ‘compare 05 resultados. Repita PB Paeato S20. Resposta 58 mV; 10.0; 120 mV; 130 mV. 118 mV: 140 mV ¢ 137 mV. (5.48) Vcr = Vela (549), 15,17 Mads sealizadas em um TBJ, que oper na sturagiocor ‘omente de base constant, proveem os segues deden: pan c= 5 mA. vce ~ 170 mV para fc = 2A. ter | .,10 mv. Quai sio ox valores da tensio resial (oie) Vear €wesiteneta de StS Rep Hea sts? 19 mV; 20 0. Pe 5.2.5 A ruptura do transistor ‘As tenses maxims que podem ser uplicadas a0 TBY ‘io limitadas pelos efeitos dé rapmara nas jungdes emis- for-base ¢ coletor-base que se seguer go inecanismo de avalanche descrito na Subsegio 3.74, Considere primeiro |) configuragdo base comum. A caracteristiea fe~vea mt Figura $.18(b) indica que, para ig ~ 0 (isto 6, para 0 emis- sor em aber‘o), «jungle coletor-base se rompe para uma ensfo denominada BYcxn (Temsdo de naptars entre co- Jelor ¢ base com 0 emissor em aberto), Pura iz > 0 upturn corre para tenses menores que BVcwo- Tipicamente, BVcag € maior que 50 V.ra Figura 8.24 (a) Lin iransicior nom operant no mos de satirac com ima cere de hake conse Ty) Cova ricerca iene na 1s fy Astra pole ser apron for unas ota som neue UR ay (0 Representa Jo crits eqsvalml pao Waser ater, (4) Moves equtalene smpiticado de ccuo pas) eaausice satu, uctagin = 10") Figura $.28 Grifico de i normliad em fang de scx param waste npn com By = 100€.a5~ 0. Iso um eiico Levant paid Aquos, que € deriva wan onde de Pdr Aols [microetetronica A sepuir.considere as caracteristicas emissor comam dda Figura 5.21, que mostra a ruptura ocorrendo para va temsio BVé yo. Nesse caso, emboru a rupuara ain soja do tipo avalanche. os efeitos nas caracteristicas so. mais comlexos que ao caso da configuragio base comum. Nao explcaremos esses detalhes: € suficiente mencionar que, tipicamenie, BVeyo € metade de BVemo. Nas especiic cages de transstores, BVouy &s ezes é chamado tens de manutencao LV.czo (sustaining voltage) ‘A ruptura da JCB, tanto na configuragio base comum {quato-na eonfiguragio emissor comum, no é destrutiva enguant a dssipagio de poténela no dispositivo for man- tida dentro de limites seguros. Iso, no entanto, nfo é 0 «asocom a muptura da jungao emissor-base. A JEB rompe- sc por avalanche para ums tznsio BVy muito menor que BV cao. Tipicamente, BVryo esi na faixa de 6.08 V. ea ruptur ¢ destruiva no sentido de que @ do transistor & permanentemente redaride. Isa nio evita 0 uso da JEB como um diode Zener para gerartensdes de referéncia om projets de Cle. Em tas aplicagies, no hi preocupaga0 como efeito de redugio de B. Um circuit que evite« rup- tura da EB em Cis amplifcadares ser4 diseatido no Captulo 8. A rupiura do wansisior © a maxima dissipasao de peténcia ackmissvel so parimetros importantes 10 pro- Jjeto de amplificadores de potencia (Capttulo 14). a Crud 5.18 Qual &tensio de saida do citouto oa Figura ES.18 se 0 £AVaco do wansistor ¢ de 70 V? Respasla —C0V. 5.2.6 Sumario ‘Conclufioy nosso extudo sobre rente-tense do TBJ com um sumério dos resultados ‘importantes na Tabela'5.3. ‘Transistor npn Operagiio mn» modo ative (para aplicagao como amptificador) Concigdes: | IBE diretamente polarizada Tipicamente, vg = 0.7 V 2. JBC reversamente polarizads vge~ Vacwe: Vacos = 04 V Supe 03V Relagbes corrente-tensio, [semen ee > Vorea: Vaton * 0.5 V ng > Visio: Viton = 0.5 ¥ Tipicamente, ty = 0.7 V ep Venn’ Venom * O4'V Ser = 03V ties ierCapitulo 5 _Transistores bipolares de juncéo (ra) | ‘a= iB ie = Bly tiem ide ie = aie 6 Modelo equivatente de cireuito para grandes sins (Gncluindo 0 efe:to Early) v(m tom rew(t 4 = Valls ety fon = den =) fon Ie" 0) foe = hc — 1) Toe tases else = exc = ts Isc _ ae _ Aveatce. Tig aq AreaJEB Operagao no modo de saturagio Condigbs: 1. JRE diretamente polarizada ne > Yation: Vato = 03 V ew > Vernon Virion 20.5 V Tiplearente, typ = 0.70.8 V Tipicaiene, sey = 0,7-08 VLs | Microctetronica 2. IBC reversamente polarizada Tipicamente, vpe $2 vg ~ Vcr = O02 ¥ Citeritos equivalentes He = Vet Vem = 04 V ven = Ver Veaon = 04 V QS-06V — Tipicamente, rq = 0.5—0,6V = tec = Versa = 041-02 ¥ Jou = Bronascl Para horas = Bel: 5.3 O TBJ como AMPLIFICADOR E COMO CHAVE ‘Tendo estudad a8 caracterfticas terminals do TBJ, agora estamos pronios para refietir sobre suas duas prin- ‘ipan reas de aplicagso; como amplificador de sinal? ¢ ‘como chave em circuitos digituis. A base para a apli- ‘capt como amplificador esti no fato de que, quando ¢ TBI opera no modo ativo, ele atua como uma Fonte de corrente controtada por tensio: varingdes na tensto emiscar-hase vigr detencadeiam muutancas na corrente de coletor ic. Portanto, no modo ative, o TBI pode ser erupregado na implementagdo Ge um amplificador de transcondutincia (veja a Segio 1.5). A amplificagio de tensio pode ser obtida simplesmente fazcrdo passar a corrente do coletor por uma resisiéncia Rc, como seri visto em breve. ‘Uma vez gue estamos especificamenic interessaden em ampiifcacio linear, teremos de elaborar uma forma de aleangi-la ante 0 comportament altamente nfo linear do transisor, isto & a corrente de Coletor fc tem relagao expo- tencal com yyy Vamnos utilizar a estraiégia descrta de forma genérica na Segdo 1.4, Particularmente, vamos polarizar 0 transistor para operar em uma tensio cc iVeaul = Val 1+ Brogan, + 1 T= Boal Rea = NOBely cemissor-base Vie ¢ em uma correspondente corrente ce de ‘coletor (;. Em seguida, vamos superpor o sina! a ser ampli- ficado vip sobre a tenso ec Vag. Ao fazer-a amplitude do Sina mye Poquens, seremos capazes de restringir a opersgao oe base ‘gpeeaio da Figura $27. A situagao em que 1 € aplicada est istrada na Figura 5.30. Considere, primeiro, a Figura 5:30(a), que ‘mostra um sinal v eom forma triangular superposto & ten Rots de car nctinagto = — S36 ce’ Vpiy: Coxaespoindendo. a eas valor instAntanco Vag + uf), poxlemos desenhar tins retas com inclinagio =IiRy, Fssus fetus de carga instantineas intercoptam aire pd em poles cujas coordenadas fomecem 0s valores instantineos de fg © ugg correnpondenies 20s valo- ree partculares de Vg + (0). Por exemplo, a Figura 3,30(a) mostra reas corespendendoa y= 0, x, nose pico positivo e 00 seu pico negative, Assim sendo, sea ampli- tude do v for suficientemente pequens tal aue 0 ponio de ‘operagio instantineo figue eonfineds em um seginento aprosimatlamente Finear da curva iy~tias ent 08 sinais resultantes iy € ip terdo forma dé onds triangular, como indicado na figura so 6, na verdade, a aproximagio para pequenos sinas, Em zesuivo, aconsirugaogrdfica na Figura 5.30{a) pode ser empregada para determinar os valores ‘nstamtaneos totais de ig corrspondemtes a cada valor de, Vamos analisar. a seguir, as caracteristicas fc—Wex «da Figura 5.30(b). O ponto de operagio move-se ao longo da reta de earga de inclinagio —i7¢ & medida qe fy ‘ssa pelos Valores instanténeos determinados a partir da Figure 5.30(a). Por exeimplo, quando v; oud em seu poo positive, i (0a Figura 5 30(a)) ¢ 0 ponto de ope- rag instantiaco no plano jc—vcg estar na inlersegao da reta de carga e 4 curva que corresporde 8 ig = ipa. Dessa ‘maneira, poxiemos determinar as formas de onda de ¢ © ce €, consegjlentemente, dos componentes de sina i © 4 como indicado na Figura 5.3940). Efelto da posigao do ponto de polerizegio na ex- curso maxima de sinal A pesizio do ponio de pol rizag0 no plano ic—tee afeta significativamente « excursdio méxima de sinal admissfvel no coletor. Veja a Figura S-300hH)#'ebserve que 0s picos positives de v,-ndo podem iralémn de Voc, easo contrério 0 transistor entrar ha regido de corte. Analogamente, os picos negativos de ‘Ye nldo podem ficar abaino de uns poacos décimos:de volt (tipicameate 0,3 V), cazo contri © transistor entrar na rogillo de saturagio. A localizagio do ponto de polariza~ ‘0 na Figura $,30(b) possibilita uma excursdo igual em cada sentido, Figura 529 Consrioeritia pra a ebwenso du coment ede clewe fe eda tensiocoter-emisor Vee ao circa Fgum 5.27SS sof Ji reff A seguir, eonsidete « Figura 5.31. Nesse caso, estarios mostrand,reias de carga cortespondentes « Jois difercatcs valores de Re. A reta A correspond a um Valor baixo de Rc resulta no ponto de operixo Oy, em que o valor de Veg est muito peéximo de Voc. Partanto, a excursto postive de ficard severemente comprometida, nessa situago, di-se {que nio existe ‘espago superior’ suficiente. Por outro lado, a linha B, que corresponde a um valor aio de Rc, resulta em lum ponto de operaclo Qp cujo valor de Vex € muito bax. Portanto, para a reta B, embora exista amplo espago pe a a excursio postiva de x, (existe mito “espaco sup Flor), 4 excursso de sinal negativa fica severamente com> prometida devide A proximidade da regio de saturago (240 existe ‘espago inferior sufieleme). A soiucso é, obviamente lum compromisio eatre 2s eo dents da repo de Figura 6.1 Bic fa rn {anio, mits a exude positive do orn Be ent um pio de opsago prt de Capitulo 8 Transistores bipolares de jungso (TE) | 21 5,20 Considére 6 sirenito da Figura 527 com Vay = 1.7 V Ry = 100KM, Vee = 10 Ve Re-= SKA. O vaste tem {B= 100, O sinal de entrar, € ama ond triangular de de construgio arifica mesirada Ki para responder as =07%.¢ to tincar da Cult da oe seguintes quesioes: (2) Se one tb) Saporde a operasia em um ti fexponencialy mostre que 0 inyervo de sua incinagto 6 Vjlla calle ose valor (@) Localize os valores 2p imados para as ampliases plco a pice de dy © (A) Supondo gue as curvas i-—Ue: ejam horzaniss (sso Encontre » amplitude pico a pic de f, € thr (0) Qual €0 ano de tcrsto dense amplifies eoposts.. (2) 10 yA: (b) 25 Ki (at may’ Vi Ce) 0,6 mA, 2/00 —8 VV ©4 nA 10 av 5.3.4 Operacao como chave paca que 0-TBI opere como uma chavo. deve tizur os modos de operagie no corte € na saturagio, Come com a entrada vy que ie OS V0 ta ilastragao, considere mais um ‘comum, mosirado na Figure Varia, Pari v; Menor que aproximadamer tjetor estard no corte: portant, fp = 0. fc = De v= Ver Nesse estado, 0 n6 C esti desconectido do tecra, & chave iyi aber esta enigo mt 1} msisior conduit, temos de aumentar faa ima de 0,5 V. Na verdade, para correntes apreciavelsFigura 5.22, Ua cesitn simple rapresndo para nt os diecnes sotor de opera do 7, sineularein, vgg deve ser coma de 0,7 Ve uy deve ser ainda iaier, A corrente de base serd i aha © a corrente de coletor serd, ie= Bi (5.61) que € vélida somente quando 0 dispositivo estiver no ‘mods ativo, Este card caso, contanto que 6 JBC no exte- Ja diretumente polarizada, isto é, uma ver que vie > vp ~ O44 Vem que 1¢°€ dado por tte = Veo~ Ree (502) ‘Obviamente, & medids que ay é sumentade, jy aumentaré (Eqeagao 5.60), je também aumentaré (Equagio 5.61) ue diminuté (Equagao 5.62). Conseyuentemente, vi fcara menor que xy em 0,4 V, situagao na qual o rensistor deixa A repo ativa e entra na regio de saturagio. Esse ponto de limiar para saturagdo (LIS) é sefinido como —Vee~03 Fann Re (5.6) em que foi adotado Vag de aproximicamente 0.7 V,¢ toy byes = oo) (© valor necessério de-vy para levar 6 transistor xo liwiar ‘para sataragao pode ser encontrado a partir de Vues) = lanesiRe + Vane (3.65) Aumentando vy acima de Viiysy & comenie de base uments e goloca o transistor mais profundamente dentro da saturacio. A tensdo coletor-emissor. entretanto, diminui apenas leversente. Como aproximasao razoavel, vamos supor normalmente qv, para um transistor satura- 40, Venn = 0,2 V. A corrente de eoletor entd6 permancce fapreximadamente constante ¢m Jes, ee (5.66) Forgar mais corrente mi base quase nao afeta Te ¢ Ves Nesse estado, a chave esti fechada, com uma baixs sisiéncia ansociada egy € uma Pequens tensAo resi- dual (de ofiet) Vere (ve}4 4 Figura $2446), Finalmence, lembrar que, na saturacao. podemos forgero transistor a operar em qualquer desejado absino 0 Valor normal; isto ¢, x razdo entre a corrente de coleioe Jog: © 8 corrente de base pods ser fxada arbitrariameate © por essa razio, chamada B forgado, te Brags = 56) ‘Lembrar também que a razio eatre fy ¢ Iyu.ps) &eonboci- da.comno fator orca, fe obsemos 43 — Vp =0,1Vp + 0,1Vp + 055 ‘que resulta em Fe= 0390 0 t= 081 mA sid claro que o transistor est sara, visto que 0 valor de Aforgado é 8s Bore = aap = 25 que € muito menor que 0 B ininimo especifieado, tera uma tensao V3 dada por Ver ~ Veit Venlos ~ 86+ 0.7= +93 V ‘A comtente do emiscor de Qs pode ser agora caleulada, ‘como, $15-Vn _ 15-93. tg= BBR B= 285mA Visto que o coleter de est ligacto ao terra via Rex. pOs- vel que Qs este operando no modo ativo. Suponbs que Sein ese 0 aso. Encontrarnos agora valor de fe como ea sles = 0,99 = 2.85 = 2.82 mA (supondo B2 = 100) s18vam [microsietrantca A serio no coletor de Qs seré Ven = leat = 282 27 = 7.62V que € menor que: Vgp por 0,98 Y. Portanto, Qo esté no ‘modo ativo, conforme suposto Nesse entigio, € imponamte determinar 0 erro decorrente de nossos eilculos pela suposicdo de ave fax pode ser desprczado. O valor de daz & dado por des Ta BF ‘ajo valor & realmente multe menot qve fy (1.28 mA). Se for desejalo, podemos obter mais precisdo nos resulu dos farcado mais uma iteragio, considerande Jy como (0,028 mA. Os novos valores seri ‘Comenie em Ret = foi ~ fea = 1.28 ~ 0,028 = 1,252 mA Ver = 18 — 5X 1.252 = 8,74. V Vig = 874 +07 fea = 0,99 X 2,78 = 2.75 mA Ver = 279 %27= 143 278 Irn = Fge 7 OTS mA, Obseve que 0 novo valor de Tye esté muito prsximo do valorusado em nossa Heraglo, ¢ fteragdes adiciomis no se Jasifcam. O resulta Final est indicado ma Figura S41(b) O feivor deve estar admirado pela necessidade de usar lum exquema de iterasao na solugdo de um problema li near (ou linearizado), Redimente. podemos obter « solugio exata (se pudermos chamar de exato qualquer cdl. slo que fizermos com um modelo de primeira order!) serevensd as cquagdes apropriadas, O letor € aconselha- 0 4 determinar essa resposta ¢ somparar os resultados com os obtides umieriormente, & importante enfatizar, conttdo, que, em muitos desses problemas, ¢ suficiente obternm solugto aproximada, desde yue possanion obi lw tapidamente e, € claro, corretamente, Nos exemplos anteriores, utilizamos, freqientemenie, lum valor preciso de a para calcular a corrente de coleor ‘Como a € aproximadanente 1, 0 er10 em noss0s célculos seri muito pequeno se fizermos a suposigzo de que « = 1 ic = ig. Portanio, exceto para cdlculos que dependem se forma eritica do valor de « (como a coments da tase, por ‘xemalol waren sino + ggg ocieuito aa Figura 5.41, calcule « cowrents total a (ani ste fo stash Dp 3 ‘ia dissipads no circuit. Resposla 4,135 mA:62 mW, 5.30 O ciculio na Figua £5.39 deve ser eoneciado ao cireito da Figora S14 conforme ests indicate: especifca- ‘mente, 2 base de Qs deve ser conectada a0 coletr de Qa. £5 Q5 wef = 100, ealealew ney valor de V's ox ve lores de Ves tev risy Figura £5.90 Fineatsti 47.06 V; +636-V; 13.4 mA, EXEMPLO 5.12 Desejamos calcular todas as tenses nodais.c jodlne a0 sor. ‘entes nos ramos no circuito da Figura $42(a), SuponhaCapitulo 5 Transistors bipolares de jungeo (Te) || 21 _| Setugbo Examinando 9 circuito, conclutmos que os dois transis. tes Q} € Qs 1 podem estar conduzindo simultane mente, Portanto, s¢ Q) estiver ligado, QO. estari desligado ‘versa Suponha que Q2 estealigado. Concluse que corrente circulart do terra pelo resistor de carga de 1 LQ. fra © emissor de Qs. Logo, a base de Qs estar em uma {endo negativa ¢ « cortente le hase estard cireulando para fora da ase pelo resistor de 10 KO em direco &fonte de +8 V. Isso € impossfvel, visto que, sea base esté negativa, ‘ corrente no resistor de 10 KA ter de cireolarentrandcina ‘wise. Portante, conelaimos que nosss suposigto original = te que Q; esté ligado — € incorreta. Segue que Qs ‘Siard desiigndo © Q; estara tigado. ‘A questo agora se Q) estino modo ative ou se exté saturade. A resposta, nesse caso, € Sbvia. Uns vez que a tase ¢ alimentada com um fonte de +5-V e como cor rente-de base circula entrands na base de Q), conchae que 4 hase de Q, estard em uma tensio menor que +5 V. Portanto, a jungdio coletor-base de Q, std reversamente polirizada e Q, ests no modo ativo. Resta apenas deter- ninar as cortentes ¢ tensies utilizando tSenicas ja co- thecidas em detelhes, Ox resultados estio indicados na Figura 5.4200 ‘iis 15.81 Resolvé o problema no Exemplo 5.12 mudunde 2 tensio gue iments a base par +10. Sapona que Bran = 30 ‘encore Vi Va. for © le Respro +48 V, +55. mA:0. 5.5 POLARIZACAO DE CIRCUITOS AMPLIFICADORES TBJ (© problema ct polarizagao & estabelecer uma corente ‘ee constante no coletor do TBJ, Essa corrente tem de ser calculivel, previsivel ¢ insensivel is variagties da temper- ‘aura e as grandes variagOes no valox de B ensontradas sm transistores de um mesmo tipo, Outrs consideragdo impor: ‘ante no projeto de polarizacio€ aquela de localiza o poto se polarizagio ec no plano fe=zice de forma a permitir a ‘mé-xima excursio do sinal de saida (veja a discussio no final da Subsegio 5.3.3). Aqui, nesta see, trabalhareros ‘com virias abordagens empregadas para resolver o problc- ima da polarizagio de circuitos. projetados com compo- rentes discretos. Os métodos de polarizacio para proyeto de ircuitos integridos serdo apresentados no Capitulo 6. ‘Antes de apresentarmos os ‘bons? projetos de pola: ‘eagllo, devemos desiacar por que Gos atranjos bvins ‘io sio bons. Em primeiro lugar, tentar polarizar o TBI or meio, de um Vpe fiXo, por exemplo, utitizando um divisor de tensio conectado na fonte de alimentagao Ver, ‘como mostrade na Figura 5.43(a), nfo € uma abordagem Vidvel: 4 religio exponencial ic— vq muito abropta sig- nifiea que qualquer pequena diferenca inevitivel no valor desciado de Vpg resultard em grandes diferengas em fe em Veg. Em segunda, polerizar 9 TBI por uma corente constant na base, como exposto na Figura 543(b), em ue fn = Veo ~ 0.7K». também néo & uma abordager Fecomendada. Nesbe caso, as variagics tipicamente ‘andes no valor de fi entre as uniludes fabricadas de umn ‘mesmo tipo de dispositive resularlo em variagtes ele ‘vadas em Ice. consegilentemente, em Vee. 5.5.1 O arranjo de polarizacdo classico para circuitos discretos A Figura 5.4(a) most os arranjos mais eosnuments usados para u polarizayio de um eitcuito amplificador dis- cersto trinsisiorizado, se apenas win fonte de alimenngao simples esiver disponivel. A tSenics consiste em alimentar 4 base do transistor com: uma fragilo da tensBo de alimen- tago Vee por meio de um divisor resistivo de tensio fy & 3, Alki disso, win resistor Ry € concctado ao errs. Figura $48 Desks nou i par polazar © TR: a) Ve 0: (0) Tteo Amber ean ct rsa varietes em fee mbit em Vex Fowano, considers saceyuados” Neabuin do dos aaajon & Figure 6.44 Polarizao cassia para Ts wsndo una fone de alt ‘mento simples: (a) cic; () cial com divs de nso de ‘imenaydo gabasesubttaido po sow ysivalete ci Thsvenin,