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DS1210
Chip controlador não volátil
www.maxim-ic.com

RECURSOS ATRIBUIÇÃO DE PIN

- Converte RAMs CMOS em memórias não
voláteis VCCO 1 8 VCCI
- Proteção incondicional contra gravação quando VCCestá VBAT1 2 7 VBAT2
fora da tolerância PARA MIM 3 6 CEO
- Muda automaticamente para bateria quando GND 4 5 CE
ocorre falha de energia DS1210 DIP de 8 pinos (300 mil)

- DIP de 8 pinos com economia de espaço

Consulte Mec. Seção de Desenhos

- Consome <100nA de corrente da bateria

NC 1 16 NC
- Testa a condição da bateria ao ligar VCCO 2 15 VCCI
- Fornece baterias redundantes NC 3 14 NC
- Detecção de falha de energia opcional de 5% ou 10% VBAT1 4 13 VBAT2
- Baixa queda de tensão direta no VCC NC 5 12 NC
Trocar PARA MIM 6 11 CEO
NC 7 10 NC
- Pacote opcional de montagem em superfície SOIC de
GND 8 9 CE
16 pinos
- Faixa de temperatura industrial opcional (N) de
DS1210S SOIC de 16 pinos (300 mil)
Veja Mec. Seção de Desenhos
- 40°C a +85°C
DESCRIÇÃO DO PIN
VCCO - Fornecimento de RAM

VBAT1 - + Bateria 1
PARA MIM - Tolerância da fonte de alimentação
GND - Chão
CE - Entrada de habilitação de chip

CEO - Saída de habilitação de chip

VBAT2 - + Bateria 2
VCCI - + Fornecimento

NC - Sem conexão

DESCRIÇÃO
O chip controlador não volátil DS1210 é um circuito CMOS que resolve o problema de aplicação de conversão de
RAM CMOS em memória não volátil. A energia de entrada é monitorada para uma condição fora da tolerância.
Quando tal condição é detectada, a habilitação do chip é inibida para realizar a proteção contra gravação e a
bateria é ligada para fornecer energia ininterrupta à RAM. Os circuitos especiais usam um processo CMOS de
baixa fuga que permite uma detecção precisa de tensão com um consumo de bateria extremamente baixo. O
pacote DIP de 8 pinos mantém os requisitos de propriedade da placa de PC no mínimo. Ao combinar o chip
controlador não volátil DS1210 com uma memória CMOS e baterias, a operação de RAM não volátil pode ser
alcançada.

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 DS1210
OPERAÇÃO
O controlador não volátil DS1210 executa cinco funções de circuito necessárias para fazer backup de uma RAM. Primeiro,
um interruptor é fornecido para direcionar a energia da bateria ou da fonte de entrada (VCCI) dependendo do que for
maior. Este interruptor tem uma queda de tensão inferior a 0,3 V. A segunda função que o controlador não volátil
fornece é a detecção de falha de energia. O DS1210 monitora constantemente a alimentação de entrada. Quando o
fornecimento sai da tolerância, um comparador de precisão detecta a falha de energia e inibe o chip
permitir (CEO). A terceira função de proteção contra gravação é realizada segurando oCEOsinal de saída para dentro de 0,2 volts

do VCCIou alimentação da bateria. SeCEentrada é baixa no momento em que ocorre a detecção de falha de energia,
aCEOsaída é mantida em seu estado atual até queCEé retornado alto. O atraso da proteção contra gravação até que
o ciclo de memória atual seja concluído evita a corrupção de dados. A detecção de falha de energia ocorre na faixa
de 4,75 volts a 4,5 volts com o pino 3 de tolerância aterrado. Se o pino 3 estiver conectado a VCCO, a detecção de
falha de energia ocorre na faixa de 4,5 volts a 4,25 volts. Durante as condições de alimentação nominal
CEOseguiráCEcom um atraso máximo de propagação de 20 ns. A quarta função que o DS1210 executa é um aviso de status da bateria para que a
perda potencial de dados seja evitada. Cada vez que o circuito é ligado, a tensão da bateria é verificada com um comparador de precisão. Se a
tensão da bateria for inferior a 2,0 volts, o segundo ciclo de memória será inibido. O status da bateria pode, portanto, ser determinado
executando um ciclo de leitura após a inicialização em qualquer local da memória, verificando o conteúdo desse local de memória. Um ciclo de
escrita subsequente pode então ser executado no mesmo local de memória alterando os dados. Se o próximo ciclo de leitura não verificar os
dados gravados, as baterias estão com menos de 2,0 V e os dados correm o risco de serem corrompidos. A quinta função do controlador não
volátil fornece redundância de bateria. Em muitas aplicações, a integridade dos dados é primordial. Nessas aplicações, muitas vezes é desejável
usar duas baterias para garantir a confiabilidade. O controlador DS1210 fornece uma chave de isolamento interna que permite a conexão de
duas baterias. Durante a operação de backup da bateria, a bateria com a tensão mais alta é selecionada para uso. Se uma bateria falhar, a outra
assumirá a carga. A mudança para uma bateria redundante é transparente para a operação do circuito e para o usuário. Um aviso de status da
bateria ocorrerá quando a bateria em uso cair abaixo de 2,0 volts. Um V aterrado o outro assumirá a carga. A mudança para uma bateria
redundante é transparente para a operação do circuito e para o usuário. Um aviso de status da bateria ocorrerá quando a bateria em uso cair
abaixo de 2,0 volts. Um V aterrado o outro assumirá a carga. A mudança para uma bateria redundante é transparente para a operação do
circuito e para o usuário. Um aviso de status da bateria ocorrerá quando a bateria em uso cair abaixo de 2,0 volts. Um V aterradoBAT2pino não
ativará um aviso de falha da bateria. Em aplicações onde a redundância da bateria não é necessária, uma única bateria deve ser conectada ao
pino BAT1. O pino da bateria BAT2 deve ser aterrado. O controlador não volátil contém circuitos para desligar o backup da bateria. Isso é para
manter a(s) bateria(s) em sua capacidade máxima até que o equipamento seja

ligado e os dados válidos são gravados na SRAM. Enquanto estiver no modo de selo de frescura, oCEOe VCCO
será forçado a VOL. Quando as baterias são conectadas pela primeira vez a um ou ambos os terminais VBASTÃOpinos, VCCOnão
fornecerá backup de bateria até que VCCIexcede VCCTP, conforme definido pelo TOLpino, e então cai abaixo de VBASTÃO.

A Figura 1 mostra uma aplicação típica incorporando o DS1210 em um sistema baseado em microprocessador. A seção A
mostra as conexões necessárias para proteger a memória RAM quando VCCé inferior a 4,75 volts e para fazer backup da
alimentação com baterias. A seção B mostra o uso do DS1210 para parar o processador quando VCCé inferior a 4,75 volts
e para atrasar sua reinicialização na inicialização para evitar gravações espúrias.

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 DS1210
SEÇÃO A - BATERIA DE RESERVAfigura 1

EXEMPLO DE DRENO DE CORRENTE DE RESERVA DE BATERIA

CONSUMO
DS1210 IBASTÃO 100 nA
RAM ICC02 10 -A
Drenagem Total 10.1 -A

SEÇÃO B - REINICIALIZAÇÃO DO PROCESSADOR

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 DS1210
CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS*
Tensão em qualquer pino em relação à - 0,3V a +7,0V
temperatura de operação do solo 0-C a +70-C, -40-C a +85-C para N partes
Temperatura de armazenamento - 55-C a +125-C
Temperatura de solda Veja IPC/JEDEC J-STD-020A

* Esta é apenas uma classificação de estresse e a operação funcional do dispositivo nestas ou quaisquer outras condições acima
daquelas indicadas nas seções de operação desta especificação não está implícita. A exposição a condições de classificação
máxima absoluta por longos períodos de tempo pode afetar a confiabilidade.

CONDIÇÕES DE OPERAÇÃO DE DC RECOMENDADAS (Ver Nota 9)

PARÂMETRO SÍMBOLO MIN TIPO MÁX. UNIDADES NOTAS
Pino 3 = Tensão de Alimentação GND VCCI 4,75 5,0 5,5 V 1
Pino 3 = VCCOTensão de Alimentação VCCI 4,5 5,0 5,5 V 1
Entrada Lógica 1 VIH 2.2 VCC+0,3 V 1
Entrada Lógica 0 VIL - 0,3 + 0,8 V 1
Entrada da bateria VBAT1, 2,0 4,0 V 1, 2
VBAT2

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS DC
(Ver Nota 9; VCCI= 4,75 a 5,5 V PIN 3 = GND)
(VCCI= 4,5 a 5,5 V, PIN 3 = VCCO)
PARÂMETRO SÍMBOLO MIN TIPO MÁX. UNIDADES NOTAS
Corrente de Fornecimento EUCCI 5 mA 3
Tensão de Alimentação VCCO VCC-0,2 V 1
Corrente de Fornecimento EUCCO1 80 mA 4
Vazamento de entrada EUIL - 1,0 + 1,0 µA
Vazamento de saída EUOA - 1,0 + 1,0 µA
CEOSaída @ 2,4 V EUOH - 1,0 mA 5
CEOSaída @ 0,4V EUOL 4,0 mA 5
VCCPonto de viagem (TOL=GND) VCCTP 4,50 4,62 4,74 V 1
VCCPonto de viagem (TOL=VCCO) VCCTP 4,25 4,37 4,49 V 1

(Ver Nota 9; VCCI= <VBASTÃO)

CEOResultado VOHL VBASTÃO-0,2 V 7
VBAT1ou VBAT2 100 n/D 2, 3
EUBASTÃO
Corrente da bateria
Corrente de backup da bateria
EUCCO2 50 µA 6, 7
@VCCO= VBASTÃO- 0,3 V

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 DS1210
CAPACIDADE (TUMA= 25°C)
PARÂMETRO SÍMBOLO MIN TIPO MÁX. UNIDADES NOTAS
Capacitância de entrada CDENTRO 5 pF
Capacitância de saída CFORA 7 pF

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS AC
(Ver Nota 9; VCCI= 4,75 V a 5,5 V, PIN 3 = GND)
(VCCI= 4,75 V a 5,5 V, PIN 3 = GND)
PARÂMETRO SÍMBOLO MIN TIPO MÁX. UNIDADES NOTAS
CEAtraso de propagação tPD 5 10 20 ns 5
CEAlto para falha de energia tPF 0 ns

(Ver Nota 9; VCCI= 4,75V, PIN 3 = GND; VCCI< 4,5, PIN 3 = VCCO)
Recuperação ao ligar tGRAVANDO 2 80 125 EM
VCCDesligamento da taxa de giro tF 300 µs
VCCDesligamento da taxa de giro tFB 10 µs
VCCDesligamento da taxa de giro tR 0 µs
CELargura do pulso tCE 1,5 µs 8

NOTAS:
1. Todas as tensões são referenciadas ao terra.

2. É necessária apenas uma entrada de bateria. As entradas de bateria não utilizadas devem ser aterradas.

3. Medido com VCCOeCEOabrir.

4. EuCC01é a carga média máxima que o DS1210 pode fornecer às memórias.

5. Medido com uma carga conforme mostrado na Figura 2.

6. EuCC02é a corrente de carga média máxima que o DS1210 pode fornecer às memórias no modo de
backup de bateria.

7. tCEmáx. devem ser atendidos para garantir a integridade dos dados em caso de perda de energia.

8.CEOsó pode sustentar a corrente de fuga no modo de backup de bateria.

9. Todas as características elétricas CA e CC são válidas para toda a faixa de temperatura. Para produtos
comerciais, esta faixa é de 0 a +70-C. Para produtos industriais (N), esta faixa é de -40-C a +85-C.

10. DS1210 é reconhecido pelo Underwriters Laboratory (UL®) sob o arquivo E99151.

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 DS1210
DIAGRAMA DE TEMPORIZAÇÃO: LIGAÇÃO

DIAGRAMA DE TEMPORIZAÇÃO: DESLIGAR

CARGA DE SAÍDAFigura 2

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