DETECTORES DE INFRAVERMELHO Princpios e Caracterizao LAS-INPE:- Ps-graduao Cesar Boschetti www.las.inpe.

br/~cesar I - Introduo

Fig. 1 - Experimento pioneiro realizado por Sir William Herschel qu e, por volta de 1800, revelou a existncia do que hoje conhecemos como a banda do infravermelho do espectro eletromagntico. Apesar do pioneirismo, o prprio Herschel no deu muita importncia sua descoberta [1,2]. Alm disso vale notar o uso do termmetro como primeiro detector de IV. Durante muito tempo essa radiao desconhecida foi denominada de raios invisveis, espectro termomtrico, raios que provocam calor e calor escuro. O termo infravermelho s apareceu por volta de 1880 e, lamentavelme nte, parece no haver um autor ao qual possamos creditar o nome. Para alguns autores, a raiz latina (infra = abaixo, em baixo de...) um indicativo de que o termo tenha aparecido naturalmente na literatura da poca sem uma autoria especfica. Mas para out ros autores, essa explicao no satisfatria. II - Linha do Tempo At 1830 Termmetros de mercrio (Com auxlio de microscpio era possvel perceber o incremento de 0,1 C) 1829 Nobili desenvolve o primeiro termopar (O efeito termoeltrico foi desco berto por Seebeck em 1821) 1833 Termopilha de Meloni (So vrios termopares ligados em srie e apresentava -se 40 vezes mais sensvel que os melhores termmetros da poca)

1840 John Herschel (filho do pioneiro) faz prottipo de Evaporagraph (Espcie de imageador baseado na evaporao diferencial de um filme de leo). 1843 Becquerel demonstra a fosforescncia de certos materiais sob infravermelho bem como a sensibilidade de filmes fotogrficos. 1883 Abney detecta 1,3 m com filmes fotogrficos especiais. Dcada de 1880 surge o bolmetro de Langrey (30 vezes mais sensvel que a termopilha de Melloni). 1917 Case desenvolve o primeiro fotocondutor de Sulfeto de Tlio (Primeiro detector quntico) Durante II Guerra Mundial os Alemes desenvolvem vrios fotocondutores e demonstram o ganho de sensibilidade com resfriamento. Durante a Guerra Fria houve grande desenvolvimento na rea tcnicas, grande aperfeioamento eletrnico etc...) III - Interao da Radiao com a matri a De modo geral, radiao o nico efeito observvel em inmeros eventos fsicos que ocorrem em uma escala de tempo muito breve ou em uma escala de tamanho muito reduzido. tambm o nico aspecto observvel e, portanto, fundamental, no estudo de evento s que ocorrem a distncias muito grandes. Deste modo, os detectores de radiao tm um papel fundamental no progresso cientfico e tecnolgico nos mais variados campos do conhecimento. A radiao, no sentido mais amplo a que estamos nos referindo, pode as sumir uma das seguintes formas: (a) Partculas carregadas : eltrons, prtons e ncleos atmicos dentre outras partculas elementares; (b) Partculas neutras : nutrons, partculas elementares e grvitons; (c) Ftons (Radiao Eletromagntica) : microondas, infravermelho, visvel, ultravioleta, raios X e raios gama. De modo geral, a radiao absorvida interage com o detector produzindo alguma forma de sinal eltrico que processado por um circuito eletrnico associado (Figura 2). A sensibilidade do sistema (detector + eletrnica), isto , o menor nvel de intensidade de radiao incidente que pode ser detectado depende, basicamente, de fatores intrnsecos ao detector e de fatores intrnsecos eletrnica associada. Para maximizar a sensibilidade de um sis tema, devemos considerar a formao do sinal no detector, o acoplamento do detector com a eletrnica e as flutuaes introduzidas pela eletrnica durante o processamento do sinal. O acoplamento detector-eletrnica compreende uma variedade de aspectos basta nte ampla e, por vezes, bastante complexa. O assunto bastante extenso e extrapola o contexto desta apostila. Entretanto, alguns aspectos mais relevantes sero abordados mais a frente. (Novos materiais, novas

Fig. 2 - Diagrama esquemtico de um sistema sensor de radiao

O desenvolvimento de um sistema de deteco de radiao apresenta um elevado grau de interdisciplinaridade, envolvendo a participao de vrias reas da fsica e da engenharia. Por exemplo, a compreenso de um sistema de deteco moderno, seja para aplicao em Fsica

de Altas Energias, seja para Imageamento Mdico, envolve conhecimentos nas seguintes reas: - Fsica da Matria Condensada; - Fsica de Dispositivos Semicondutores; - Tecnologia de Fabricao de Dispositivos; - Tcnicas em Amplificadores de Bai xo Rudo - Microeletrnica Analgica e Digital - Transmisso de dados em alta velocidade; - Aquisio e Processamento de dados por Computador Alm desses tpicos, um aspecto que vem ganhando importncia cada vez maior o problema de compatibilidade eletr omagntica. Esta rea busca identificar e minimizar o problema de interferncia eletromagntica entre aparelhos que operam no mesmo ambiente. Trata -se de um problema delicado, mas de fundamental importncia em diversos setores. Alm disto, os detectores podem se apresentar sob uma ampla gama de direrentes formatos tendo em vista o efeito fsico utilizado no processo de deteco e a utilizao do dispositivo O objetivo deste curso no pretende, claro, ir to longe e discorrer sobre todos esses aspectos. Procuraremos apenas compreender alguns princpios fundamentais tendo como foco principal os detectores de infravermelho. Esta escolha tem relao direta com os materiais semicondutores de gap estreito, PbTe e PbSnTe, que so objeto de estudos no LAS. Antes de adentrarmos no estudo dos detectores e sua caracterizao, devemos situar um pouco melhor alguns aspectos importantes do espectro de infravermelho. Uma parte especialmente importante da regio do infravermelho mostrada na Tabela 1, est detalhada na Fig. 3. Percebe-se claramente nessa figura que existem algumas janelas, onde a atmosfera terrestre permite a passagem de grande parte da radiao infravermelha. Isto tem especial importncia em inmeras aplicaes como veremos a seguir. Para entendermos bem estes aspectos e sua importncia, precisamos entender como um objeto qualquer com temperatura acima de 0 K (zero Kelvin) emite radiao eletromagntica. Tabela 1 Espectro Eletromagntico Tipo Faixa de Frequncia (Hz) Freq. Muito Baixas 3 - 300 Hz Freq. Baixas 300 Hz - 300 kHz Freq. Altas - Ondas Curtas 300 kHz - 30 MHz Freq. Muito Altas (VHF, UHF, SHF) - TV 30 MHz - 30 GHz Microondas 30 cm - 1 mm / 1 300 GHz Freq.: 100 GHz 100 THz Comprimento de onda Muito Distante (XIR) 1000 15 m Distante (FIR) 15 - 6 m Mdio (MIR) 6 - 3 m Prximo (NIR) 3 - 0.75 m Freq.: > 200 THz Comprimento de onda Vermelho 770-622 nm Laranja 622-597 nm Amarelo 597-577 nm Verde 577-492 nm Azul 492-455 nm Violeta 455-390 nm 15 16 Freq. : 10 - 10 Hz Comprimento de onda UV-A (Pouco Nocivo) Luz Negra 400-315 nm UV-B (Nocivo, Absorvido por oznio) 315-280 nm UV-C (Muito Nocivo, Absorvido pelo Ar) 280-100 nm 17 19 -9 -11 10 - 10 Hz 10 - 10 m 19 21 -11 -13 10 - 10 Hz 10 - 10 m

Regio Rdio Frequncia

Infravermelho

Visvel

Ultravioleta Raios-X Raios Gama

Fig. 3 - Transmitncia atmosfrica na regio do infravermelho (Para uma camada de ar de 1830 metros de espessura ao nvel do mar com 17 mm de gua precipitvel) IV - Radiao de Corpo Negro (resumo histrico do problema) No princpio do sculo passado (por volta de 1900), j havia uma razovel compreenso da natureza macroscpica e microscpica da matria. A mecnica Newtoniana explicava e previa muito bem os movimentos dos objet os terrestres e astronmicos; A estrutura atmica da matria j no era mais segredo; A termodinmica estava praticamente desenvolvida e a teoria eletromagntica de Maxwell j havia atingido um estgio bastante adiantado explicando muito bem uma srie de f enmenos eltricos e magnticos. Vale notar que havia inclusive a sensao de que a Cincia havia chegado aos seus limites, restando apenas o acerto de alguns detalhes (Atualmente, parece que existe um sentimento semelhante). Um dos aspectos ou detalhe que intrigava os Fsicos da poca era a radiao emitida pelos corpos aquecidos. Havia uma compreenso geral do mecanismo envolvido. Sabia -se que o calor fazia com que os tomos e molculas de um corpo slido vibrassem, e que esses tomos e molculas era m arranjos complexos de cargas eltricas. Das experincias de Hertz e Maxwell com antenas simples, j havia sido confirmado que cargas oscilantes emitiam radiao eletromagntica. Sabia-se das equaes de Maxwell que essa radiao propagava -se com a veloci dade da luz e, portanto, havia se chegado concluso que luz e a radiao dos corpos aquecidos estavam intimamente relacionadas e eram ambas, radiao eletromagntica. O quadro ento era o seguinte. Em um corpo aquecido as molculas e tomos vibram e, co mo consequncia, temos cargas eltricas vibrando. Assumindo que a teoria de Maxwell, que funcionava bem na escala macroscpica, tambm fosse vlida na escala microscpica, essas cargas oscilantes deveriam irradiar luz e calor. O grande mistrio era por que as previses baseadas na teoria acima no eram condizentes com as medidas experimentais. Posto de outra forma, o grande problema era encontrar uma teoria que explicasse a distribuio da radiao de Corpo Negro pelas vrias frequncias ou comprimentos de onda observadas experimentalmente (Figura 4).

Fig. 4 - Espectro da Radiao de Corpo Negro As teorias clssicas no ofereciam um modelo adequado e completo do problema. Tnhamos a lei de Kirchhoff que estabelecia que um bom absorvedor de radiao tam bm um bom emissor. Foi o prprio Kirchhoff que em 1860 props o termo Corpo Negro referindo -se a um corpo capaz de absorver toda a radiao que incide sobre o mesmo e, consequentemente, seria tambm o melhor emissor de radiao, funcionando como um padr o de referncia. Em 1879 Stefan deduziu, experimentalmente, que a quantidade total de energia irradiada por um Corpo Negro era proporcional quarta potncia de sua temperatura absoluta. Em 1884 Boltzmann chegou mesma concluso atravs de consideraes Termodinmicas. O Resultado final ficou conhecido como lei de Stefan-Boltzmann. W = .T 4 ( = 5,67 x 10 -12 W.cm -2.K-4) [1]

Em 1894 Wien publicou sua lei do Deslocamento que procurava explicar a distribuio da radiao do Corpo Negro. Infelizmente, sua equao s concordava com os dados experimentais em baixas temperaturas e para pequenos comprimentos de onda. Apesar disso, uma consequncia importante dos estudos de Wien e vlido at hoje, a relao entre a temperatura absoluta de um Corpo Negro e o comprimento de onda de mxima emisso ou comprimento de onda de pico. max T = 2897,8 m.K [2]

Em 1900, a partir de consideraes eletromagnticas clssicas, Rayleigh derivou uma expresso (posteriormente corrigida por Jeans) que se aj ustava aos dados experimentais para comprimentos de onda grande e altas temperaturas. Infelizmente, essa expresso previa a radiao de Corpo Negro proporcional ao inverso da quarta potncia do comprimento de onda, conduzindo a um aumento ilimitado da ener gia irradiada para pequenos comprimentos de onda e que ficou conhecido como catstrofe do ultravioleta . Apesar de mal sucedidas, todas essas tentativas serviram de importante subsdio para que Planck apresentasse uma soluo satisfatria e definitiva para o problema. Planck buscou um meio de interpolar os resultados de Wien e Rayleygh -Jeans que funcionavam bem nos extremos inferior e superior, respectivamente, do espectro de Corpo Negro. O raciocnio de Planck pode ser resumido do seguinte modo: Sabia -se que cargas eltricas oscilantes emitiam energia eletromagntica e que o Corpo Negro podia ser visto como um conjunto de osciladores harmnicos. De acordo com a teorias clssica, esse conjunto de osciladores podia emitir em todas as frequncias e com qua lquer amplitude de oscilao, isto , com qualquer energia. Esse raciocnio conduzia formulao de Rayleigh-Jeans que Planck sabia estar errada.

Planck concluiu ento que a teoria clssica no deveria ser adequada descrio de processos na escala atmi ca. Como antes, Planck admitiu que todas as frequncias fossem possveis, mas introduziu a idia de que a amplitude da oscilao e, portanto, a energia irradiada s poderia variar de modo discreto de uma quantia dada por h, hoje chamada de quantum de energia. Planck designou o termo h de quantum de ao . Entre o anncio preliminar de suas idias em 19 de Outubro de 1900 em um encontro da Escola de Fsica Germnica, e a formulao completa da equao do Corpo Negro apresentada em 14 de Dezembro de 1900 transcorreram menos de 2 meses. Temos ento que em menos de 2 meses uma verdadeira revoluo ocorreu na Fsica. Gradualmente os conceitos introduzidos por Planck foram ganhando aceitao geral e acabaram por culminar no formalismo da moderna Mecnica Qunt ica. A equao de Planck para a distribuio de radiao do Corpo Negro (Figura 4) dada por:

2 hc = 5

1 e
ch kT

[3]

onde: W - Emitncia radiante espectral (W. cm -2.m-1) - Comprimento de onda em m h - Constante de Planck (6,6256 x 10 -34 W.s2) T - Temperatura absoluta 10 c - Velocidade da luz (2,9979 x 10 cm/s) -23 -1 k - Constante de Boltzmann (1,38 x 10 W.s.K ) Fica como exerccio a obteno das Leis de Wien e de Stefan -Boltzmann a partir da lei de Planck. Sabemos que Terra com temperatura mdia de cerca de 300K , em boa aproximao, um corpo negro. Com isto podemos comparar o espectro correspondente da Figura 5 com a transmitncia Atmosfrica da Figura 3. Comparando as duas figuras, pode se ver claramente que a janela Atmosfrica entre 8 e 14 m permite ver muito bem a regio de emisso mxima da Terra. Este fato faz dessa regio do espectro, apropriadamente chamada de Infravermelho Termal, uma importante banda para sensoriamento remoto e controle de atitude de Satlites com referncia Terra.

Figura 5 Espectro de Emisso da Terra aproximada por um corpo negro a 300K.

A ttulo de ilustrao, a figura 6 a seguir mostra o espectro de um corpo negro a 6000K, ou seja, o espectro do Sol. Pode -se perceber que o pico de emisso Solar cai em cerc a de 0,5 m (Pela Lei de Wien obtemos o valor mais exato de 0,48 m).

Figura 5 Espectro de Emisso do Sol Os aspectos vistos acima deixam bem claro a importncia de sensores sensveis faixa do infravermelho, principalmente do infravermelho termal. De outro lado, sabemos que os semicondutores absorvem com grande facilidade ftons cujas energias ( h) sejam prximas do valor correspondente ao gap ( Eg) do material. Deste modo, o semicondutor pode funcionar com um sensor de ftons com energias prximas quela do seu gap (Figura 6). Isto tambm define um critrio prtico e fcil para selecionarmos materiais semicondutores com gap de energia adequado aos nossos propsitos. Da relao, E=h obtemos Eg = hc/ (Eq. 4) que muito til para relacionarmos o gap de um semicondutor com o comprimento de onda que o mesmo absorve com maior intensidade:

E (eV ) =

1,24 ( m)

[4]

A tabela II abaixo mostra alguns materiais semicondutores e os respectivos comprimentos de onda no qual ocorre maior absoro de e nergia. Isto deixa claro a importncia de estudarmos os materiais do grupo IV -VI representados principalmente pelos compostos PbTe, SnTe, PbSnTe e PbEuTe. Na tabela temos que Eg a largura de banda proibida; a0 o parmetro de rede; lin o coeficiente de dilatao trmica linear; a massa especfica e P o comprimento de onda medido em m onde ocorre a mxima absoro do material.

Fig. 6 Ilustrao do princpio fsico de funcionamento de um detector.

Tabela II: Constantes fsicas 300K de alg uns compostos semicondutores (Excetuando o CdTe, o Si e o SiC, os demais semicondutores so tambm chamados de semicondutores de gap estreito NGS (Narrow Gap Semiconductor ). Composto Eg (eV) a0 () lin (10 -6 .K-1) (g.cm -3) P(m) PbTe PbSe PbS SnTe Pb 0,8 Sn 0,2 Te HgTe CdTe Hg0,8 Cd0,2 Te Si SiC (fcc) 0,319 0,278 0,410 0,260 0,20 0,15 1,45 0,165 1,12 2,3 6,462 6,124 5,936 6,300 6,432 6,463 6,482 6,4645 5,431 4,35 19,8 19,4 20,3 21,0 20 4 5,5 4,3 2,6 405 8,16 8,15 7,61 6,45 7,91 8,976 5,85 7,63 2.33 3,21 3,89 4,46 3,02 4,77 6,2 8,26 0,86 7,5 1,1 0,54

Evidentemente, em termos de detectores de radiao, no basta o material ter um gap cuja energia corresponda ao comprimento de onda desejado. Apesar de importante este apenas um dos critrios. N a construo de um detector, inmeros outros fatores devem ser levados em considerao como veremos com mais detalhes a seguir. V - Detectores de Infravermelho fcil notarmos que o termo detector bastante genrico podendo significar, dentre outras coisas, um filme fotogrfico ou um termmetro. Para nossos propsitos, um detector ou sensor de radiao infravermelha um transdutor de energia eletromagntica, isto , um dispositivo que converte a energia radiante incidente sobre o mesmo em alguma outra forma conveniente de sinal mensurvel, geralmente, um sinal eltrico. Dependendo da arquitetura do sensor podemos dividi -los em dois grupos: Detectores elementares ou puntuais Imageadores (Arrays de detectores puntuais) Um detector elementar tambm po de fornecer uma imagem desde que seja providenciado algum tipo de varredura (scanners). Isto requer detectores muito rpidos. Por outro lado, quando analisamos o mecanismo fsico envolvido no processo de deteco podemos estabelecer duas outras categorias distintas de detectores: Detectores Trmicos Detectores Qunticos Alm disso, dependendo do material empregado, do mecanismo fsico envolvido e da ptica e eletrnica associadas, os detectores cobrem diversas faixas de comprimento de onda. A problemtica do custo e da facilidade de operao tambm desempenham um papel muito importante na seleo de um sistema de deteco para uma determinada aplicao. Na pesquisa e desenvolvimento de detectores, todos esses aspectos precisam ser analisados com bastante cuidado. Nos tpicos que seguem procuraremos detalhar um pouco mais os principais tipos de detectores e sua caracterizao. Como a caracterizao envolve procedimentos genricos e aplicveis a qualquer tipo de sensor vamos abord -la em primeiro lugar. Voltaremos a tratar dos diversos mecanismo de deteco no item VIII.

VI - Caracterizao de Detectores Para facilitar a avaliao do desempenho de um dispositivo e compar -lo com outros similares, emprega-se um conjunto de figuras de mrito. Estas figuras pro vm de uma conveno internacional e envolvem a medida de diversos parmetros tais como, os nveis de sinal e de rudo produzidos pelo sensor sob determinadas condies de operao. Desta forma possvel a comparao, qualitativa e quantitativa, entre dis positivos semelhantes. A seguir vamos detalhar todo o processo e condies de medida normalmente utilizados. Um detector quando iluminado por radiao eletromagntica, responde com um sinal eltrico contnuo (CC) e proporcional intensidade da luz incide nte. Isto ocorre porque, apesar de a radiao incidente ser um sinal alternado, as frequncias so muito altas (>100 THz). Estas frequncias correspondem a intervalos de tempo (<10 -14 s) muito menores que aqueles caractersticos das transies eletrnicas em um semicondutor, na faixa de 10 -9 10-8 s. Alm deste problema, dependendo dos nveis de potncia da radiao incidente, o sinal eltrico produzido pode ser extremamente baixo, requerendo amplificadores de alto ganho para que se possa process -los. Esses dois aspectos colocam uma restrio importante no processo de amplificao do sinal detectado. Embora os amplificadores CC sejam perfeitamente factveis, sabe-se que sofrem de instabilidade devido flutuaes de temperatura, principalmente se o ganho for alto. Alm disto, o sinal eltrico produzido por qualquer radiao espria incidente no detector, seria igualmente amplificado, limitando bastante o uso do sistema. Se, entretanto, a radiao incidente sobre o detector for modulada em frequncias men ores que 1GHz, o sinal de sada do detector ser tambm modulado, permitindo a amplificao em modo alternado (CA). Os amplificadores CA so estveis e no respondem sinais CC, tornando possvel a distino entre os sinais provenientes do alvo de interes se cujo sinal achase modulado, daqueles de fontes esprias. Alm disto, a amplificao CA permite tratar o sinal modulado em uma faixa estreita de frequncias, possibilitando otimizar a relao sinal -rudo para a configurao do dispositivo utilizado. Esta forma de deteco com sinal modulado e amplificao sintonizada na frequncia de modulao chama-se deteco sncrona . Este processo, alm da informao em frequncia, possibilita tambm uma informao de fase entre o sinal e sua referncia, ampliando a s possibilidades de uso do sistema. Em termos de caracterizao em laboratrio, a radiao incidente sobre um detector de infravermelho fornecida por um corpo negro calibrado, cuja radio modulada por uma retcula giratria que, alternadamente, deix a passar ou no a radiao incidente. Essas retculas ou moduladores mecnicos ( choppers) permitem a modulao na faixa de frequncias de udio, desde alguns poucos Hz at vrios KHz. Em aplicaes civis ou militares, o problema de modulao ptica mais complexo, pertinente engenharia de sistemas e extrapola o presente contexto. Todavia, na caracterizao de um sensor, a frequncia de modulao da radiao incidente um parmetro importante, pois afeta tanto o sinal quanto o rudo do dispositivo, dev endo ser estabelecida e aferida com bastante cuidado como veremos a seguir. VII - Figuras de mrito O desempenho de um detector de radiao pode ser avaliado e comparado com sistemas similares atravs de suas figuras de mrito. O denominao Figura de Mrito diz respeito um conjunto de parmetros que devem ser medidos sob determinadas condies convencionadas internarcionalmente. As principais figuras so: Detetividade D*, Responsividade , Resposta espectral , Tempo de resposta . O arranjo experimental tpico usado para as medidas de D* e est esquematizado na Figura 7. Nesse arranjo o detector iluminado por um corpo negro cuja radiao modulada

mecanicamente por uma retcula rotatria ( Chopper). O sinal produzido pelo dispositivo medido com um amplificador sncrono (Lock -in Amplifier) com frequncia e banda passante ajustveis.

Fig. 7 - Diagrama da montagem para medidas de Detetividade e Responsividade. O amplificador sncrono, do tipo Lock -in, possui caractersticas muito importa ntes para este tipo de medida. Vamos ver isso com mais detalhes. Os principais mdulos do instrumento esto ilustrados no diagrama de blocos da Figura 8. O mdulo principal do instrumento o misturador ou detector sncrono sensvel a fase que faz a interc onexo dos mdulos de entrada, de referncia e de sada. O princpio de funcionamento anlogo deteco heterdina.

Figura 8 - Diagrama de blocos simplificado de um amplificador sncrono sensvel a fase. Vamos acompanhar, grosso modo, a trajetria do sinal no amplificador. O sinal modulado na frequncia s, mais o rudo injetados no instrumento, so amplificados nos estgios de entrada, sem que haja qualquer alterao na relao sinal/rudo. A seguir o sinal passa pelo amplificador seletivo, onde um filtro passa banda, com Q ajustvel e centrado em S, propicia um incremento na relao sinal/rudo. Isto ocorre porque as vrias formas de rudo, presentes no experimento e no laboratrio, so de banda larga (rudo branco), ou previsveis, como 60 Hz da rede eltrica, de modo que a limitao da banda passante, centrada em uma frequncia apropriada, permite uma certa reduo do rudo, neste estgio do processamento do sinal. Na sequncia, o misturador faz a multiplicao eletrnica do sinal, na frequnc ia s, proveniente do amplificador seletivo, com o sinal de referncia na frequncia r, fornecendo ao estgio de sada, um sinal na forma: Vm = [Vssen(st+s)] x [Vr sen(rt+r )], onde Vs,r so as amplitudes do sinal e da referncia e s,r as respectivas f ases.

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O sinal resultante, Vm=VsVr cos[(s-r)t+s-r] - V sVr cos[(s+r)t+ s+r], composto por dois sinais CA, um com a soma das frequncias e outro com a diferena. Este sinal aplicado a um filtro passa baixa, que elimina a componente de alta frequ ncia de forma que, se as frequncias do sinal e da referncia forem iguais, como usual, um sinal CC puro, Vm=1/2VsVrcos(s-r), proporcional ao sinal de entrada, fornecido ao amplificador CC de sada. Observe que este sinal CC j um sinal previamente amplificado e filtrado e, portanto, diferente da situao mencionada anteriormente com relao amplificao CC. Esta forma de processamento do sinal, aliada extensa faixa dinmica do equipamento, permite a deteco de sinais fracos, mesmo quando imer sos em rudo com intensidade centenas ou at milhares de vezes maior. Em termos simples, a faixa dinmica reflete exatamente essa tolerncia do equipamento para processar sinais com intensidades muito diferentes. definida como a razo entre o sinal mxim o aplicvel entrada do equipamento sem sobrecarga, pelo menor sinal discernvel, em relao ao fundo de escala do equipamento. Alm dessas caractersticas, os amplificadores Lock -in modernos admitem diversos pr amplificadores com ganho e impedncia de e ntrada diferentes e adequados a uma ampla gama de situaes prticas distintas. O endereo a seguir disponibiliza na internet um simulador de lock-in (http://fp.physik.uni -konstanz.de/lockin.html ) que vale uma visita. Voltando ao arranjo da Figura 7, a densidade de potncia produzida pelo corpo negro e incidente no sensor dada pela equao 5 abaixo. Esta equao nada mais que a equao de Stefan-Boltzman (Eq. 4) reescrita para uma situao particular. Na equao 5, F o fator de transferncia do modulador mecnico ilustrado na Figura 9; As a abertura da cavidade do corpo negro na temperatura T BB e afastado de uma distncia d do sensor. a constante de Stefan Boltzman.
4 H = FTBB

As .d 2

[5]

Fig. 9 - Ilustrao da lmina reticulada de um modulador mecnico. A relao, =a/t, tambm expressa em termos do dimetro ( Dc) e nmero de aberturas ( n) da lmina, pela relao: = nD a/[(DcDa)], sendo Da o dimetro da abertura do corp o negro. O fator F refere-se ao valor rms do sinal modulado. Este fator depende da relao entre a abertura As e a abertura da retcula do modulador, como mostra a Figura 9 e Tabela III. Em termos ideais, se a abertura do corpo negro fosse pontual, o sina l modulado seria na forma de uma onda quadrada. Na prtica isso no ocorre. No caso de nosso equipamento, por exemplo, o fator F=0,294, e ser utilizado para a correo das detetividades e responsividades. Medindo-se a tenso de sinal, VS, produzida pela densidade de potncia H e a tenso de rudo, VN, bloqueando-se a radiao incidente no dispositivo, pode -se calcular a detetividade dada pela relao 6.

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 = a/t

Tabela III - Fator rms do modulador mecnico. F (fator rms) 0,450 0,448 0,445 0,442 0,433 0,421 0,405 0,386 0,340 0,286

0 (onda quadrada) 0,05 0,08 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30 0,40 0,50 (onda triangular)

D * (TBB , f 0 , f ) =

1 H

f V S A VN

(cm.Hz 1/2 .W -1)

[6]

Na relao acima, fo a frequncia de modulao da radiao incidente, f a banda passante do amplificador e A a rea sensvel do detector. Nesta figura de mrito importante controlar e explicitar sempre os parmetros T BB, fo e f, ou seja, o resultado final s tem significado se acompanhado dos valores TBB, fo e f, que representam as co ndies de medida. T BB define a distribuio espectral da radiao de corpo negro enquanto fo e f afetam o nvel de ruido presente no detector. A medida do rudo requer alguns cuidados adicionais, j que o amplificador, mesmo com as caractersticas acima, sempre introduz algum rudo extra na medida. A correo para este rudo adicional feita com base nas figuras de rudo do pr -amplificador, mostrada na Figura 10. Esta correo feita a partir da prpria definio da figura de rudo, NF, dada por:

V NF = 20 log N , OUT GV SN

[7]

onde: VN, OUT a tenso rms total de rudo na sada do pr -amplificador; G o ganho e VSN a tenso rms de rudo da carga. A razo da tenso de rudo na sada pelo ganho do amplificador pode ser expressa como uma tenso equiva lente de rudo, VEQ, IN , na entrada do amplificador. Esta tenso equivalente corresponde ao valor efetivamente medido pelo equipamento de modo que a tenso de rudo da carga dada por:

V SN =

V EQ , IN 10
NF 20

[8]

O parmetro NF, obtido graficamente da Figura 9 em funo da frequncia de operao e da resistncia do dispositivo, previamente, determinada. Com o valor da tenso de sinal do detector podemos calcular tambm responsividade do mesmo dada por:

VS HA

(V.W -1)

[9]

Observe que, ao contrrio da Detetividade, a Responsividade no leva em conta a banda passante do circuito eletrnico, pois no depende do rudo. uma medida que traduz a eficincia de converso do dispositivo.

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Se a densidade de potncia incidente sobre o d etector (H) for discreta, isto , medida em funo do comprimento de onda ( ), a detetividade e responsividade acima, passam a representar a Detetividade espectral D * e a Responsividade espectral , respectivamente. Todavia, a resposta espectral , normalmente, dada em termos relativos, isto , trazendo informao apenas da faixa de resposta do dispositivo sem considerar sua sensibilidade ou eficincia.

Fig. 10 - Figuras de rudo do pr -amplificador modelo 116, no modo direto (traduzido do manual). Para medida da resposta espectral o arranjo experimental um pouco diferente, como mostrado na Figura 11 a seguir. Entre o modulador e o sensor, intercalado um monocromador e uma lente para focar a radiao no detector. Devido ao maior nmero de componentes e aumento do caminho ptico, a radiao incidente sobre o detector fica bastante atenuada, sendo necessrio a substituio do corpo negro por uma fonte tipo Globar, mais intensa. Esta medida requer que em primeiro lugar seja levantada a curva d e resposta do sistema fonte modulador-monocromador -lente, utilizando-se um radimetro piroeltrico calibrado cujo sinal de sada independente do comprimento de onda. Em seguida deve -se repetir o mesmo procedimento com o dispositivo em teste, sendo a repo sta relativa dada pela razo entre as duas medidas. O sistema pode ser microcontrolado com uma interface GPIB, permitindo a varredura automtica do intervalo de comprimentos de onda desejado.

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Fig. 11 - Diagrama da montagem para medidas de resposta espec tral relativa. O monocromador opera com redes de difrao adequadas diferentes faixas de comprimentos de onda. Desta forma, a varredura de todo o intervalo espectral desejado deve ser feita em etapas, utilizando -se diferentes redes e filtros para corte dos harmnicos. A Tabela IV, a seguir, lista as redes e filtros utilizados em nosso laboratrio na varredura do intervalo de 0,7 - 7,0 m, no qual os dispositivos de PbTe so normalmente sensveis. A Figura 12 mostra as curvas de transmisso dos filtros u tilizados e a Figura 13 mostra o espectro da janela de ZnSe de um criostato utilizado para o resfriamento dos detetores fotovoltaicos que sero descritos mais adiante. Tabela IV - Redes de difrao e filtros usuais para medidas de resposta espectral. Rede de difrao Faixa primria (m) Filtro Varredura ( m) ORIEL7272 (600 linhas/mm) 0,67 - 1,5 RG695 0,8 - 1,3 ORIEL7273 (300 linhas/mm) 1,33 - 3,0 Si 1,2 - 2,0 ORIEL7273 (300 linhas/mm) 1,33 - 3,0 Ge 1,8 - 3,8 ORIEL7274 (150 linhas/mm) 2,67 - 6,0 ORIEL5793 (*) 3,6 - 6,8 (*) 65% de transmisso na faixa de 3,8 6,5 m

Fig. 12 - Espectro de transmisso dos filtros utilizados para corte de 2 harmnica nos subintervalos da Tabela IV.4.

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Fig. 13 - Janela de ZnSe (3 mm de espessura) utilizada com o criost ato para refrigerao dos dispositivos. Embora os espectros das Figuras 12 e 13 estejam limitados 3,2 m, a curva do Si estende -se at cerca de 8 m, do Ge at 25 m e a do ZnSe at 20 m, com praticamente o mesmo patamar de transmisso. A Figura 14 mos tra a curva tpica de irradiao de uma fonte tipo Globar. Percebe-se claramente na figura que esta fonte no um Corpo Negro perfeito mas sim um corpo cinza

Fig. 14 - Irradincia tpica da Globar 6363M por cada 0,1 cm distncia de 0,5 m (traduzida do manual). VIII - Detectores Trmicos e Detectores Qunticos

de rea do emissor, para uma

Vimos acima que na mensurao das figuras de mrito de um detector, o rudo gerado internamente no dispositivo um parmetro importante que deve ser considerado e a valiado com muito cuidado. Para evitarmos erros grosseiros importante o conhecimento das diversas fontes de rudo envolvidas. Este tema muito amplo e complexo. Daremos apenas uma noo geral e superficial do assunto. Tambm precisamos conhecer bem o me canismo de deteco responsvel pelo funcionamento e desempenho de nosso dispositivo. Novamente, a variedade de efeitos fsicos utilizados em dispositivos sensores vasta, no sendo possvel uma abordardagem detalhada. Nos limitaremos a um esboo superfic ial dos dispositivos mais

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comuns, com nfase em detectores fotovolticos que esto mais prximos de nossas atividades de P&D no LAS. A) Detectores Trmicos Neste caso, a energia eletromagntica absorvida provoca o aquecimento do dispositivo. Isto provoca a alterao de alguma propriedade do material que funo da temperatura e pode ser mensurada por uma das seguintes formas: Medida direta da temperatura (calorimetria) Mudana na resistncia eltrica do material Um sinal de corrente ou tenso termoeltr ica Alterao de Carga ou Capacitncia do dispositivo Este tipo de detector apresenta uma resposta proporcional energia incidente, sendo praticamente independente do comprimento de onda da radiao. Devido inrcia trmica dos processos de absoro e t roca de calor, este tipo de sensor apresenta -se com tempos de resposta relativamente longos (>10 s). Em geral esses detectores no precisam de refrigerao, facilitando o seu uso em diversas aplicaes de campo com menor custo operacional. Os principais ti pos de detectores trmicos so a Termopilha, o Detector Piroeltrico e o Bolmetro. Termopilha - Consiste de vrios termopares ligados em srie. Um termopar consiste na juno de dois materiais com coeficientes termoeltricos diferentes. A Figura 15 ilust ra, esquematicamente, o funcionamento de um termopar. Quando as duas junes esto a diferentes temperaturas, surge uma corrente proporcional diferena de temperatura entre as duas junes. Esta corrente deve -se diferenas no nvel de Fermi nos metais e a dependncia com a temperatura do nvel de Fermi. Se uma terceira e quarta juno com um terceiro metal condutor (geralmente cobre) for introduzida e mantida ambas na mesma temperatura, o efeito dessas duas ltimas se cancelam e a tenso medida corresp onde tenso efetiva entre as duas junes originais.

Fig. 15 Princpio de funcionamento de uma termopilha

Nos dispositivos modernos, com cerca de 50 a 200 termopares em srie, a termopilha fabricada com tcnicas de evaporao de filmes finos em alto-vcuo e sua geometria definida com recursos de fololitografia. Um conjunto de junes termicamente isolado e exposto radiao incidente. O outro conjunto de junes mantido em contato com uma massa metlica que funciona como uma espcie de dren o de calor (Heat Sink) e mantido na temperatura de referncia (temperatura ambiente). A figura 15 ilustra um dispositivo moderno onde, para efeito didtico, so mostradas apenas 4 junes.

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Fig. 16 Termopilha moderna feita por evaporao de filmes f inos em alto-vcuo.

Detector Piroeltrico - Certos cristais dieltricos apresentam polarizao dieltrica espontnea. Quando o momento de dipolo eltrico for dependente da temperatura o material pode ser usado como um sensor. O detector construdo na f orma de um capacitor e as cargas induzidas nas duas faces do cristal pelos dipolos internos estabelecem uma corrente ou diferena de potencial que pode ser medida por um circuito externo. A Figura 17 ilustra, esquematicamente, um detector piroeltrico.

Fig. 17 Representao esquemtica de um sensor piroeltrico. A radiao incidente deve ser entendida como atingindo o cristal piroeltrico e no o metal como pode parecer. Os materiais comumente empregados para a fabricao de detectores piroeltrico so o TGS (Tri-Glycine Sulphate), LiTaO 3 (Tantalato de Ltio) e PZT (Lead Zinc Titanate) alm de alguns polmeros com propriedades piroeltricas. Usualmente, os detectores piroeltricos dispensam polarizao eltrica e podem operar tanto no modo de corrente quanto no modo de tenso, sendo por isso bastante flexveis. So bastante empregados na construo de radimetros para medidas de potncias pticas em uma ampla faixa do espectro. Bolmetro - Trata-se basicamente de um termoresistor, isto , de um disposi tivo cuja resistncia eltrica varia com a temperatura. Pode ser construdo tanto a partir de metais

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(dispositivos clssicos) quanto com semicondutores (dispositivos modernos) que apresentem dependncia significativa da resistncia eltrica com a temperatu ra. A Figura 18 ilustra, qualitativamente, essa dependncia. Para os metais a dependncia expressa pela relao R o -1 = R o ( 1 + .?T) com positivo e variando entre 0,3 -0,6% x C . Para semicondutores a -3/2 /T dependncia expressa como R = RoT e . Existe ainda um terceira categoria de materiais conhecidos como Termistores que so compostos por xidos mistos e vm sendo utilizados com sucesso na construo de bolmetros.

Fig. 18 Dependncia tpica da resistncia eltrica dos metais e dos semicondutores com a temperatura. A operao de um bolmetro relativamente simples, requerendo entretanto um circuito de polarizao e um resistor de carga como mostrado na Figura 19 abaixo. A tenso de sada do circuito deve ser atravs de um capacitor para desacoplar o nvel DC da polarizao. O sinal de sada pode ser expresso por:

VS =

VB .R L .Rb ( Rb + R L ) 2

[10]

Fig. 19 Circuito de polarizao de um bolmetro.

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B) Detectores Qunticos Estes detectores utilizam a converso direta dos ftons incidentes em portadores de carga via transio eletrnica em um material semicondutor. Esses dispositivos podem ser construdos e operados sob duas formas diferentes: Fotocondutor ou Fotoresistor Fotovoltaico (Fotodiodo) . Fotocondutor - Neste caso, os ftons absorvidos acarretam um aumento na populao de portadores de carga ( eltrons ou buracos) fazendo com que a resistncia eltrica do dispositivo diminua. O circuito de operao anlogo ao empregado com um bolmetro, todavia a diferena fundamental que para transio eletrnica, os tempos de resposta so bem menores que aqueles dependentes do acoplamento e inrcia trmica do dispositivo. Uma outra diferena tambm fundamental que para os detectores qunticos, principalmente aqueles fabricados com semicondutores de gap estreito, a taxa de portadores gerados devido radiao de fundo na temperatura ambiente alta, impondo a condio de que para operar, eficientemente, o dispositivo precisa ser resfriado. Fotodiodo - Consiste em uma juno p-n, ilustrada na Figura 20, onde ocorre a formao de uma zona de transio entre uma regio de material semicondutor cuja condutividade eltrica dominada por portadores de carga tipo -n (eltrons) e uma regio cuja condutividade dominada por portadores de carga tipo -p (buracos). A largura w e a simetria dessa regio, dependem dos processos de fabricao e dos materiais envolvidos. Se a concentrao de portadores, eltrons por exemplo, varia lentamente ao longo da distncia w relativamente ampla, entre o valor mximo do lado n e o mnimo do lado p, a juno chamada gradual. No outro extremo, quando essa variao brusca e a regio w estreita, tem-se uma juno abrupta. A regio de transio, tambm chamada de zona de depleo, caracterizada pela existncia em seu interior de um forte campo eltrico E. Este campo devido existncia de cargas eltricas fixas na rede cristalina, originadas pela depl eo de portadores livres que durante a formao da juno se difundiram para o lado oposto. No equilbrio, forma -se uma barreira de potencial, eVB, que impede a difuso continuada de portadores majoritrios de um lado para o outro. Quando os semicondutor es dos dois lados da juno so do mesmo material e a zona de depleo estreita, tem -se uma homojuno p-n abrupta, cujas propriedades fsicas so mais facilmente modeladas e formam a base de operao de grande parte dos dispositivos semicondutores. As j unes graduais e heterojunes entre materiais diferentes, em termos qualitativos, obedecem aos mesmos princpios fundamentais. Os principais processos utilizados para a fabricao de junes so implantao inica de impurezas (dopantes), difuso trmic a de impurezas, deposio trmica de filmes finos e tcnicas epitaxiais. Dentre as vrias tcnicas de epitaxia, o crescimento por MBE vem ganhando cada vez maior importncia pela sua flexibilidade e facilidade de controle. Quando se cresce epitaxialmente u m material tipo-n sobre um substrato do mesmo material, porm com condutividade oposta, obtm -se uma homojuno p-n, cuja largura da zona de depleo depende dos materiais, temperaturas e tempos de crescimento. No crescimento epitaxial de junes de PbSnT e, em geral obtm -se junes graduais ( w 1m), devido interdifuso de Sn, mas usando -se temperaturas e tempos de crescimento no muito altos, possvel a obteno de junes praticamente abruptas ( w < 0,05m).

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Fig. 20 - Homojuno p-n e o correspondente diagrama de bandas de energia. ID representa a corrente direta de portadores majoritrios e Iph a fotocorrente de minoritrios. No caso de uma homojuno no equilbrio, o acoplamento entre as bandas de energia das regies p e n, ocorre de modo cont nuo e determinado apenas pela variao do potencial eltrico dos portadores ao longo da direo perpendicular juno, de modo que o nvel de Fermi, Ef, seja o mesmo nos dois lados, como ilustrado pela Figura 19. Evidentemente, pressupe-se que a interfac e livre de defeitos e contaminaes, sem descontinuidade da rede cristalina. Em termos prticos, nos modernos sistemas de MBE com ambiente de ultra -alto vcuo, as interfaces de homojunes podem se aproximar bastante dessa idealizao. Na Figura 19, Ec e Ev correspondem respectivamente energia mnima da banda de conduo e mxima da banda de valncia, sendo a diferena, Eg = Ec - Ev, a largura de banda proibida do semicondutor. A energia potencial dos portadores de carga majoritrios em relao ao nve l de Fermi, Ef, no fundo da banda de conduo e no topo da banda de valncia, eVn e eV p, respectivamente. Supondo que um fluxo de ftons (cm .s ) com energia h > Eg, incida sobre o dispositivo, propiciando a excitao de pares eltrons -buracos em ambos os lados da juno, os portadores minoritrios fotoestimulados uma certa distncia da juno podem, por difuso, atingir a zona de depleo antes de se recombinarem sendo acelerados pelo campo eltrico para o outro lado onde se tornam majoritrios. Desta forma cria-se uma corrente de portadores minoritrios, chamada fotocorrente Iph, dada por:
-2 -1

Iph = eA

[11]

Na expresso, a eficincia quntica do material. Representa a quantidade de portadores excitados por fton incidente. O Valor de sempre menor ou igual unidade. e a carga do eltron e A a rea sensvel ou rea de absoro do dispositivo. Esta corrente praticamente constante, pois se uma tenso de polarizao reversa ( VR) for aplicada, a barreira de potencial fica aumentada de e(VB + V R). Isto significa aumentar o campo eltrico interno, reduzindo ainda mais a probabilidade de difuso dos portadores livres majoritrios ( corrente de difuso em funo do gradiente de concentrao ) e pouco influindo na corrente dos portadores livres minoritrios ( corrente de deriva em funo do campo eltrico ).

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Os portadores minoritrios so poucos e dependem apenas do fluxo de ftons incidentes ou daqueles gerados termicamente nas proximidades ou dentro da zona de depleo. Se por outro lado uma tens o de polarizao direta ( VF) for aplicada, a barreira de potencial para os portadores majoritrios fica diminuda de e(V B VF), aumentando significativamente a corrente de difuso e, novamente, pouco influindo na corrente de deriva. esta caracterstica que confere a propriedade de retificao a uma juno p-n podendo ser expressa pela relao: I = I S [exp(eV/kBT) 1] [12]

onde I a corrente total na juno ou diodo; IS a corrente de saturao; V a tenso de polarizao; kB a constante de Boltzman e T a temperatura absoluta. Essa relao pode ser graficamente representada pela curva caracterstica IxV, mostrada na Figura 20 e, embora traduza o comportamento de um diodo ideal, permite a anlise e obteno de uma srie de parmetros importantes de qualq uer dispositivo fotovoltaico a juno. Convm enfatizar que a relao [12], refere -se corrente lquida total de portadores (majoritrios e minoritrios) quando a juno est submetida uma tenso de polarizao, enquanto que o efeito fotovoltaico de vido apenas corrente de portadores minoritrios fotogerados, independente de a juno estar polarizada ou no. A fotocorrente desloca a curva de corrente-tenso no sentido reverso, como mostrado na Figura 20. No equilbrio termodinmico, sem radiao inc idente e sem polarizao, a corrente lquida total, para um fotodiodo ideal, nula, em primeiro lugar porque as taxas de gerao e recombinao trmica se igualam e, em segundo, porque as correntes de difuso e de deriva (em sentidos opostos), se equilibram perfeitamente.

Fig. 21 - Curva caracterstica IxV de um fotodiodo ideal iluminado e no iluminado. Em termos de circuito equivalente, um fotodiodo pode ser representado como no diagrama simplificado da Figura 22.

Fig. 22 - Circuito equivalente de um fotodiodo, onde a corrente ID dada pela equao IV.2 e ISH corresponde uma corrente de fuga sobre uma resistncia paralela ( shunt) ao diodo.

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A partir da expresso [11] para a fotocorrente e da lei de Ohm, lembrando que a energia do fton dada por hc/, podemos escrever a Responsividade Espectral pode ser escrita como: =

e Ro hc

[13]

com a qual pode -se determinar a eficincia quntica, , do dispositivo. Analogamente, supondo-se que a tenso de rudo, VN, seja devida apenas ao rudo trmico ou Johnson, que veremos logo a seguir, a Detetividade Espectral pode ser dada por:
* D =

e Ro A 1 2 ( ) hc k B T

[14]

Percebe-se nesta expresso [14] que o produto da resistncia dinmica pela rea sensvel, RoA, pode ser co nsiderado tambm uma figura de mrito do dispositivo, j que a detetividade diretamente proporcional raiz quadrada deste produto. IX - Rudo em Detectores Qualquer tipo de detector apresenta um limite mnimo de potncia radiante detectvel imposto por alguma forma de rudo seja originria do prprio dispositivo ou da fonte de radiao incidente. Um detector atinge sua sensibilidade mxima, teoricamente admissvel, quando limitado apenas pelo rudo quntico no sinal, isto , aquele inerente s flutua es estatsticas na densidade de ftons emitidos pela prpria fonte de sinal. Entretanto, para a grande maioria dos sistemas no infravermelho, o limite de deteco imposto por flutuaes na radiao de fundo (BLIP Background Limited Infrared Photodetect or), como ilustrado na Figura 23. A radiao de fundo proveniente de todos os corpos temperatura ambiente, inclusive de partes da prpria montagem do detector. A emisso trmica de um corpo 300K, tem o seu mximo em um comprimento de onda de cerca d e 10 m, com 25% da potncia radiante abaixo desse comprimento de onda e 75% acima. Desta forma o limite por rudo quntico mais facilmente aproximado por detectores no visvel e no ultravioleta, enquanto que no infravermelho este limite s pode ser apro ximado em sistemas complexos, empregando recursos de deteco heterdina ptica, na qual o prprio detector faz o papel de misturador entre a frequncia do sinal incidente e a do oscilador local, geralmente um laser. Os rudos quntico e de fundo, situam -se abaixo dos rudos internos do dispositivo e do amplificador que, atravs de cuidados especiais podem ser minimizados. interessante observar na Figura 23 que o limite terico imposto pelo rudo de fundo, para os comprimentos de onda de corte indicados, foi praticamente alcanado nos anos 60. A partir de ento, os esforos de pesquisa e desenvolvimento, passaram a se concentrar em novas estruturas ou otimizao das existentes, objetivando reduo de custos de fabricao e operao dos dispositivos. Os detectores qunticos fazem a converso direta dos ftons incidentes em um sinal eltrico, via transies eletrnicas em materiais semicondutores. Nesses materiais, a natureza estatstica dos portadores de corrente do origem ao rudo interno do dispositivo , mesmo na ausncia de radiao incidente. Os dois processos fundamentais responsveis por este rudo so as flutuaes trmicas nas velocidades dos portadores livres e as flutuaes na densidade de portadores, tambm devido flutuaes nas taxas de gera o-recombinao trmicas. Em um fotodiodo, esses dois mecanismos introduzem flutuaes na corrente que circula no dispositivo, acarretando o rudo de corrente ( shot noise), dado por:

I SN = (2eI + 4eI S ) f

[15]

onde I a corrente no fotodiodo dada pela expresso [12], IS a corrente de saturao e f a banda passante do circuito eletrnico associado.

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Fig. 23 - Limite terico de detetividade D* (linhas tracejadas), imposto pelo rudo de fundo e o limite alcanado por diversos tipos de dispositivos f otodetectores de infravermelho, nas temperaturas de operao indicadas. A frequncia de modulao de 1800Hz, excetuando InSb(FEM - Fotoeletromagntico), 1000 Hz; bolmetro ferroeltrico, 100 Hz; termopar e termoresistor bolomtrico, 10 Hz. Em qualquer material resistivo, incluindo semicondutores, o movimento aleatrio dos portadores de corrente responsvel pelo rudo Johnson, mesmo na ausncia de polarizao ou radiao incidente. A potncia de rudo depende apenas da temperatura e da banda passante do circuito de medida, sendo independente da frequncia. Todavia a tenso e corrente de rudo, dependem tambm da resistncia do material, sendo dadas por:

V J = 4k B TR o f

IJ =

4k B Tf Ro

[16]

onde Ro a resistncia do dispositivo se m polarizao. Em baixas frequncias de operao, a presena de barreiras de potencial nos contatos eltricos, no interior e na superfcie do dispositivo, podem acarretar uma forma de rudo, cujo espectro de potncia varia com o inverso da frequncia. A c orrente devido a este rudo, genericamente denominado de rudo 1/f, flicker, ou ainda rudo de modulao e pode ser aproximadamente descrita pela expresso:

If =

CI dc f

[17]

onde Idc a corrente fluindo pelo dispositivo. C, e so parmetros caractersticos do material e geometria do dispositivo, sendo determinados apenas empiricamente. Em geral, assume valores prximos de 2, entre 0,8 e 1,5 e C pode variar bastante, mesmo entre dispositivos semelhantes. Uma quarta forma bastante comum de rudo, principalmente em semicondutores e causado pela taxa estatstica com que pares eltron -buracos so termicamente criados e posteriormente se recombinam o chamado rudo de gerao -recombinao (G-R). A flutuao na gerao -

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recombinao de portad ores causam flutuao na resistncia do material e, consequentemente, flutuao na corrente circulante. O espectro de potncia deste rudo plano desde baixas frequncias at uma frequncia que aproximadamente o inverso da vida mdia dos portadores de c orrente. Acima desta frequncia, o rudo de gerao -recombinao cai a uma taxa de 6dB/oitava. Essas quatro formas principais de rudo, embora presentes em quase todos os dispositivos, no so todas, simultaneamente, relevantes (Figura 24). O rudo de cor rente, s relevante em dispositivos com altas correntes de fuga, operados sob polarizao reversa. O rudo 1/f, tornase irrelevante para frequncias acima de 500Hz - 1KHz, alm disto suas fontes podem ser bastante atenuadas durante os processos de fabri cao. O rudo de gerao -recombinao, mais acentuado em fotocondutores ou quando se opera o fotodiodo sob polarizao reversa, podendo ser desprezado em condies de polarizao nula. De modo geral, o rudo em fotodiodos no polarizados, pode ser repre sentado em boa aproximao apenas pelo rudo Johnson.

Fig. 24 - Espectro tpico de rudo em dispositivos semicondutores, mostrando que a relevncia de uma dada forma de rudo depende da frequncia de operao do dispositivo. X - Bibliografia [1] W. Herschel - http://www.hao.ucar.edu/public/education/sp/images/herschel.html [2] W. Herschel - http://www.hao.ucar.edu/public/education/sp/great_moments.2.html#gm_1800 [3] Light Measurements Handbook http://www.intl-light.com/handbook/index.html [4] Radiation Detectors http://www-physics.lbl.gov/~spieler/Heidelberg_Notes/ [5] Black Body Radiation http://www.phys.virgini a.edu/CLASSES/252/black_body_radiation.html [6] Richard D. Hudson Jr. Infrared System Engineering. John Wiley and Sons Inc., 1969. {Biblioteca do INPE} [7] Kruse, P. W.; McGlauchlin, L. D.; McQuistan, R. D. "Elements of infrared technology nd generation, transmission and detection". John Wiley and Sons Inc. 2 Ed. (1963). {Biblioteca do INPE} [8] Infrared Sicence and Technology Group - University Of Southampton http://www.irst.ecs.soton.ac.u k/intro.shtml

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Apndice A Nomenclature (NIR, MIR and FIR) The nomenclature of the infrared regions is confusing, and there is no general agreement on the names of the various regions. The near infrared, or NIR starts at the red end of the visible and its short wavelength limit is usually taken as 750 nm or 0.75 m - although in fact some people can see wavelengths greater than 750 nm (but it can be dangerous - see below). The end of the near infrared is taken by most people to be 3 m - but sometimes as 2 or 2.5! Broadly speaking the technology of the NIR is similar to the visible, in that ordinary glass is transparent and thermal emission usually negligible, although detectors become increasingly 'different' to the visible in the longer wavelength part of the NIR. For most physicists and chemists the mid (or sometimes medium wave, or even 'intermediate') infrared or MIR starts at 3 m and ends anywhere between 20 and 50 m. This region is also sometimes called the 'fingerprint' region because it contai ns the characteristic vibrational spectrum of many molecules - the fingerprint region is perhaps most popularly defined as 2.5 -1 -1 25 m or 4000 cm to 400 cm . Beyond the mid infrared, from say 25 m, we logically reach the far infrared or FIR. Where tha t ends is a matter of taste! Most would not go further than 1um, where we reach the millimetre waves and waveguide, microwave techniques take over. But for some the far infrared stops at 100 m, and the region between 100 m and 1 mm is known as the 'sub -millimetre'. The far infrared is a difficult region with few good tunable sources, dominant thermal emission at room temperature, strong diffraction, poor, usually cryogenic detectors, few transparent materials and heavy water vapour absorption in the atmos phere. As if all those ill defined and vague boundaries between near, mid and far were not bad enough, certain specific users of infrared confuse things further! Military apparatus typically uses the 3 -5 or 8-14 m atmospheric windows. As such the 3 -5 m level is sometimes called near (or shortwave) infrared and the 8 -14 m band far (or long wave) infrared, a usage completely different to that of most physicists or chemists! The exact definitions of near, mid and far are often not that important, although military usage certainly does sometimes cause confusion. Within the IRST group generally speaking 0.75 -3 m is NIR, 3 -5 m is MIR and 25 m - 1 mm far infrared! Apndice B - do not try and look at NIR sources! Discussions sometimes occur on whether peopl e can see beyond 750 nm. In fact some people can see slightly longer wavelengths - but the very rapid drop in the eye's sensitivity makes it very hazardous to try. You may burn your retina with a source that still looks very dim. Some near infrared laser d iodes emit a small amount of red light - in this case it is the tiny amount of red you see - but the much larger amount of near infrared may easily damage your eye. It is very hazardous indeed to attempt to look at near infrared sources - you may seriously damage your eye, or even blind yourself, with no sensation of a bright light or pain. In many ways the part of the NIR between about 750 nm and 1.6 m is the most eye dangerous; to shorter wavelengths you get visible warning of the hazard, at longer wave lengths the eye does not transmit the energy to the delicate retina and so is more tolerant. Treat NIR lasers, even little laser diodes running of a battery, with due caution, many are powerful enough to damage your eyes.

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