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Caractersticas do MOSFET de canal p A Fig. 18(a) mostra o smbolo de circuito do MOSFET de enriquecimento de canal p. A Fig. 18(b), mostra o smbolo modificado. Uma seta usada apontando na direco normal do fluxo de corrente. Para o caso habitual de se ligar o substrato source, usa-se o smbolo simplificado da Fig. 18(c).
Para um dispositivo canal p a tenso de limiar Vt negativa. Para induzir um canal, aplica-se uma tenso na gate que seja mais negativa de que Vt. vGS Vt ou vSG |Vt| (26)
Fig. 18
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(d) 38
A corrente de dreno fli para o exterior do terminal de dreno. Para operar na regio de trodo, vDS tem de satisfazer
vDS vGS Vt
(canal contnuo)
(27)
Isto , a tenso de dreno deve ser maior de que a tenso da gate em pelo menos |Vt|. A corrente iD representada de forma idntica equao para o NMOS (eq. 13), substituindo apenas kn por kp
' iD = k p
W L
(28)
39
vDS vGS Vt
(canal estrangulado)
(30)
Isto , a tenso de dreno deve ser menor do que a (tenso da gate + |Vt|). A corrente iD dada pela mesma equao usada para os NMOS (Eq. (21)), substituindo apenas kn por kp
iD =
(31)
vGS, Vt, e vDS so negativos. Para que o transstor PMOS fique activo (on), a tenso da gate tem de ser menor de que a tenso da source de um valor no mnimo igual |Vt|. Para funcionar na zona de trodo a tenso do dreno deve exceder a tenso da gate pelo menos |Vt|, caso contrrio o PMOS opera na saturao.
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Fig. 19
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Em muitas aplicaes, o terminal B do substrato (ou corpo) ligado ao terminal da source, pelo que a juno pn formada entre o substrato e o canal induzido (ver fig. 5) fica inversamente polarizado de forma permanente. Em tais casos, o substrato no desempenha nenhum papel no funcionamento do circuito e a sua existncia pode ser ignorada. Nos circuitos integrados, contudo, o substrato usualmente comum a vrios transstores MOS. A fim de manter a condio de polarizao inversa na juno substrato-canal, o substrato habitualmente ligado tenso de alimentao mais negativa num circuito NMOS ( mais positiva num circuito PMOS). A tenso inversa resultante entre a source e o corpo (VSB num dispositivo de canal n) vai afectar o funcionamento do transstor. Para verificar esse efeito, considere-se um transstor NMOS e admita-se que o substrato est negativo relativamente source. A tenso inversa alarga a regio de depleo (ver fig. 2), o que, por sua vez, reduz a profundidade do canal. Para que o canal recupere o seu estado inicial, vGS tem de ser aumentada.
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O efeito de VSB sobre o canal pode ser mais convenientemente representado como uma alterao da tenso limiar Vt. Concretamente, pode mostrar-se que aumentando a tenso de polarizao inversa do substrato VSB, a tenso Vt aumenta de acordo com a relao. (32) Em que Vt0 a tenso de limiar para VSB = 0; um parmetro ligado ao processo de fabrico, dado por,
2qN A s Cox
(33)
q a carga do electro (1.6x10-19C), NA a concentrao de dopantes do tipo p no substrato e s a permitividade do silcio (11.7 0). O parmetro tem a dimenso de V1/2 e tipicamente igual a 0,4 V e f um parmetro fsico sendo 2f tipicamente igual a 0,6 V.
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A equao 32 tambm se aplica a dispositivos canal p com VSB substitudo por VBS (ou de modo alternativo |VSB|.
negativo.
No clculo de , NA substitudo por ND (concentrao de dopantes do poo n no qual o PMOS formado). Para dispositivos canal p, 2f tipicamente 0.75 V e tipicamente -0.5 V1/2. A Eq. (32) indica que um aumento de VSB origina um aumento de Vt, o que, por sua vez, causa uma diminuio de iD mesmo que vGS tenha sido mantida constante. Conclui-se, assim, que a tenso do substrato controla iD; desta forma, o corpo actua como uma segunda gate para o MOSFET, um fenmeno chamado efeito do corpo. O efeito do corpo pode causar uma degradao considervel do desempenho do circuito.
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O valor da tenso limiar Vt diminui cerca de 2 mV por cada C de aumento da temperatura. Esta diminuio de |Vt| causa um aumento correspondente da corrente de dreno, com o aumento da temperatura. Todavia, uma vez que k diminui com a temperatura e este efeito dominante, o efeito global de um aumento da temperatura a diminuio da corrente de dreno. Este interessante resultado aproveitado nas aplicaes dos MOSFETs em circuitos de potncia. Ruptura e proteco da entrada Aumentando progressivamente a tenso do dreno, atinge-se um valor para o qual a juno pn formada pela regio do dreno e o substrato entra em rotura por avalanche. Esta ruptura ocorre geralmente para tenses entre 20 e 150 V e manifesta-se por um sbito aumento da corrente (conhecida por avalanche fraca).
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Um outro efeito de ruptura, que ocorre para tenses mais baixas (cerca de 20 V) nos dispositivos modernos, chama-se perfurao. Manifesta-se nos transstores com canais relativamente curtos, quando a tenso do dreno aumenta a ponto de a regio de depleo que envolve a regio do dreno se estender atravs do canal at source, provocando o aumento rpido da corrente de dreno. A perfurao, normalmente, no causa danos permanentes no transstor. Ainda um terceiro tipo de ruptura ocorre quando a tenso gate-source excede um valor de cerca de 30 V. Trata-se da ruptura da camada de xido da gate e causa a destruio do transstor. Apesar de 30 V ser uma tenso elevada e, portanto, poder pensar-se que dificilmente atingida, deve recordar-se que o MOSFET tem uma impedncia de entrada muito elevada e uma capacidade de entrada muito pequena pelo que mesmo pequenas quantidades de carga esttica acumulada na capacidade da gate podem levar a que esta tenso seja excedida. Para evitar a acumulao de carga no condensador da gate de um MOSFET, os circuitos integrados MOS incluem normalmente dispositivos de proteco da gate, que invariavelmente fazem uso de dodos clamping.
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Caractersticas i-v
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Concretamente, apresenta-se um conjunto de exemplos de anlise e projecto de circuitos com MOSFETs em c.c. Nos exemplos que se seguem, por questes de simplicidade e para focar a ateno na essncia da operao do circuito MOSFET, despreza-se modulao do comprimento do canal, i.e., assume-se que =0. Exemplo 2 Projectar o circuito da Fig. 20 (determinar RD e RS) por forma que o transstor funcione com ID = 0,4 mA e VD = +0.5 V. O transstor NMOS tem Vt = 0.7 V, nCox = 100 A/V2, L = 1 m e W = 32 m. Fig. 20
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Visto que VD =0.5 V maior de que VG, significa que o transstor NMOS opera na regio de saturao. Assim, usa-se a expresso iD da regio de saturao, para determinar o valor requerido de VGS,
Substituindo resulta
ou Assim, De acordo com a Fig. 20, a gate est ao potencial zero. Assim, a source tem de estar a -1,2V e o valor de Rs pode ser determinado Para estabelecer a tenso de +0.5V no dreno, tem-se de seleccionar RD, do seguinte modo
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Redesenhe o circuito da Fig. 20, para o seguinte caso: VDD= - VSS = 2.5 V, Vt = 1V, nCox = 60 A/V2, L = 3 m e W = 120 m, ID=0,3mA e VD = + 0.4 V.
EXEMPLO 3 Projecte o circuito da Fig. 21 para obter uma corrente ID de 80 A. Determine o valor requerido para R e a tenso contnua VD. Admita que o transstor NMOS tem Vt = 0.6 V, nCox = 200 A/V2, L = 0.8 m e W = 4 m. Despreze o efeito de modulao do comprimento do canal (i.e., admita que = 0).
Fig. 21
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Uma vez que VDG = 0, (VD=VG), o FET est na regio saturao. Assim, A tenso de dreno ser:
Assim,
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Considere o circuito do exemplo 3. Admita que a tenso VD aplicada gate de outro transstor Q2 conforme a Fig. 22. Assuma que Q1 igual a Q2. Determine a corrente e tenso do dreno para Q2.
Fig. 22
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Projecte o circuito da Fig. 23 para estabelecer uma tenso de dreno de 0,1 V. Determine a resistncia efectiva entre o dreno e a source neste ponto de funcionamento. Considere Vt = 1 V e kn(W/L) = 1 mA/V2.
Uma vez que a tenso de dreno inferior tenso da gate em 4,9 V e Vt = 1 V, o MOSFET est a funcionar na regio trodo. Assim, a corrente ID dada por
Fig. 23
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Num problema prtico de projecto escolhe-se o valor normalizado mais prximo: com resistncias de 5%, 12 k. A resistncia efectiva entre dreno e source pode ser determinada como segue
Analise o circuito da fig. 24 (a) e determine as tenses nos ns e correntes nos ramos do circuito. Seja Vt = 1 V e kn(W/L) = 1 mA/V2 . Despreze o efeito de modulao do comprimento do canal (i.e., assuma que = 0). Uma vez que a corrente da gate zero, a tenso da gate simplesmente determinada pelo divisor de tenso formado pelas duas resistncias de 10 M, Fig. 24
VG = VDD
RG 2 RG 2 + RG 1
Com esta tenso positiva na gate, o transstor NMOS est em conduo. No sabemos, contudo, se est a funcionar em saturao ou na regio trodo. O procedimento a adoptar j nosso conhecido: assume-se que o transstor est em saturao, resolve-se o problema e verifica-se a validade da suposio. Naturalmente, se se concluir que a hiptese incorrecta, resolve-se novamente o problema, com o transstor a funcionar na regio de trodo.
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iD =
1 'W kn (vGS Vt ) 2 = 1 x 1 x (5 6 I D 1) 2 2 L 2
Fig. 24 Esta equao d dois valores para ID: 0,89 mA e 0,5 mA. O primeiro valor leva a uma tenso da source de 6 0,89 = 5,34 V, que superior tenso da gate, pelo que no fisicamente aceitvel, visto que implicava que o transstor NMOS estivesse ao corte. Assim,
Uma vez que VD > VG - Vt o transstor est em saturao, como se tinha admitido.
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Projectemos o circuito da Fig. 25 por forma que o transstor funcione em saturao com ID = 0,5 mA e VD= +3 V. Admitamos que o transstor PMOS de enriquecimento tem Vt = -1 V, Kp(W/L)=0,5 mA/V2 e = 0. Determinemos tambm o maior valor de RD que ainda permite o funcionamento na regio de saturao. Uma vez que o MOSFET est em saturao podemos usar obtendo VOV=(VGS-Vt)=+/-1 V. Como VGS tem de ser negativa (VGS < Vt), conclumos que a nica soluo desta equao que faz sentido VGS = -2 V. Ento, como a source est a +5 V, a tenso da gate tem de ser +3 V. Isto pode ser conseguido escolhendo adequadamente os valores de RG1 e de RG2. Uma escolha possvel RG1 = 2 M e RG2 = 3 M. O valor de RD pode ser obtido a partir de RD=VD/ID=3/0,5=6 k O funcionamento em modo de saturao ser mantido at ao ponto em que VD exceda VG de Vt , i.e. VDmax=3+1=4 V Este valor da tenso de dreno obtido com RD dada por RD=4/0,5=8 k 57
Fig. 25
Esta importante aplicao do MOSFET deve-se ao facto de que, quando operado na regio de saturao, este actua como uma fonte de corrente controlada por tenso. Variaes na tenso gate-source (vGS) d origem a variaes na corrente de dreno iD. O MOSFET na saturao pode ser usado para implementar um amplificador de transcondutncia. Todavia, o interesse reside em amplificao linear, i.e., em amplificadores cujo sinal de sada (corrente de dreno) tenha um comportamento linear com o seu sinal de entrada (a tenso vGS).
Objectivo: A tcnica usada para obter uma amplificao linear baseia-se na escolha de uma apropriada polarizao (DC) atravs de VGS, qual corresponde uma corrente ID, sendo depois sobreposta a tenso a amplificar vgs. Mantendo vgs pequeno, a variao resultante na corrente de dreno, id, poder ser considerada proporcional a vgs.
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A deduo da caracterstica da tenso de transferncia, permite de forma clara visualizar a regio ao longo da qual o transstor pode ser polarizado para operar como amplificador de pequenos sinais, bem como as regies onde este pode operar como interruptor (i.e., totalmente ON ou totalmente OFF) . A Fig. 26, ilustra a estrutura bsica do amplificador MOSFET mais utilizado: O circuito source comum (CS) O nome source comum deve-se ao facto de que quando o circuito visualizado como uma rede de dois portos, o terminal da source ligado massa comum a ambos os portos de entrada (entre gate e source) e de sada (entre dreno e source). Variaes em vGS (ou neste caso, variaes em vI, visto que vGS = vI), do origem a variaes em iD. A tenso de sada v0 vem: Fig. 26
v0 = vDS = VDD RD iD
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Determinao da caracterstica da tenso de transferncia do amplificador source comum da Fig. 26. Assuma-se que vI varia entre 0 e VDD. Dois modos de obteno da caracterstica: - grfico - analtico
Modo grfico
O funcionamento do circuito source comum determinado pelas caractersticas iD-vDS do MOSFET e pela relao entre entre iD e vDS, imposta pela ligao do dreno fonte de tenso VDD atravs da resistncia RD. Assim,
vDS = VDD RD iD
ou, de modo equivalente,
(35)
(36)
Trata-se de uma equao linear nas variveis iD e vDS e pode, portanto, ser representada por uma recta no plano iD-vDS.
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Fig. 27 61
Nesta regio foi identificado um ponto de funcionamento particular Q, obtido para VGS = VIQ com coordenadas V0Q = VDSQ and IDQ. A operao na regio de saturao permanece at que v0 decresa at um ponto que inferior a vI de um valor Vt volts.
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VOB = VIB Vt
Para vI > VIB, o transstor entra mais profundamente na regio trodo. A tenso nesta regio decresce lentamente para zero. O ponto de funcionamento C ilustrado na Fig. 27 obtido para vI = VDD. A tenso de sada correspondente VOC usualmente muito pequena. Esta determinao ponto-a-ponto da caracterstica de transferncia, resulta na curva de transferncia mostrada na Fig. 28.
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Fig. 28
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Como interruptor, o MOSFET opera em pontos extremos da curva de transferncia. O dispositivo est ao corte mantendo vI < Vt, correspondendo regio de operao delimitada pelo segmento XA, com vO = VDD. O Mosfet comuta para o estado ON, aplicando uma tenso prxima de VDD. Nesse caso est a funcionar prximo do ponto C, com vO muito pequeno (no ponto C vO = VOC).
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Nestas circunstncias, o amplificador tem um comportamento praticamente linear e vO ter a mesma forma de onda de vi, excepto na amplitude. O ganho no ponto Q dado por
Av =
dvO dvI
v I =VIQ
Assim, o ganho em tenso igual inclinao da curva de transferncia no ponto Q. A inclinao negativa. O amplificador source comum inversor. Tal pode ser verificado a partir das formas de onda de vi e vO. O aumento de vi, conduz distoro do sinal de sada, pois o funcionamento deixa de estar restrito a um segmento quase linear da curva de transferncia.
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Visto que o sinal de sada sobreposto tenso DC VOQ ou VDSQ, importante que VDSQ seja tal de modo a permitir a excurso desejada do sinal de sada. Isto , VDSQ deve ser menor de que VDD, por uma quantidade aprecivel e maior de que VOB por uma quantidade suficiente, para permitir uma completa excurso do sinal de sada. Se VDSQ prximo de VDD, os picos positivos sero cortados. Se VDSQ prximo da fronteira da regio trodo, o MOSFET entrar nesta regio para a parte do ciclo prxima dos picos negativos. O projectista dever ter em conta o valor de RD que determina a curva de transferncia. , por este motivo, mais apropriado localizar o ponto Q fazendo referncia ao plano iD vDS. Este ponto ilustrado na Fig. 29. 67
A Fig. 29 mostra duas rectas de carga e correspondentes pontos de funcionamento. O ponto Q1, no permite que a parte positiva do sinal oscile (demasiado prximo de VDD). O ponto Q2 demasiado prximo da fronteira da regio do trodo e pode no permitir suficiente oscilao da parte negativa do sinal.
Fig. 29
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vI Vt e vO = VDD vI Vt e vO vI Vt
iD =
vem,
1 W ( n C ox ) 2 L
2 (vI Vt )
em
vo = VDD RD iD
(37)
1 W vo = VDD R D n C ox (vI Vt ) 2 2 L
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dv Av = O dvI
v I =VIQ
W Av = R D n C ox (VIQ Vt ) L
(38)
O ganho de tenso proporcional aos valores de RD, ao parmetro de transcondutncia kn = nCox, a W/L e tenso overdrive no ponto de polarizao (V0V = VI0 Vt). Uma outra expresso simples e muito til para o ganho em tenso, pode ser obtida substituindo vI = VIQ e v0 = VOQ na eq. 37, utilizando a eq. 38 e substituindo VIQ Vt = V0V. Resulta, assim,
Av =
2VRD VOV
(39)
Onde VRD a queda de tenso DC na resistncia de dreno RD, i.e., VRD = VDD VOQ.
O ponto terminal (B) do segmento da regio de saturao caracterizado por VOB = VIB Vt
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(40) 70
vI Vt e vO vI Vt
iD = ( n C ox )
W 1 2 (vI Vt )vO vO L 2
vO = VDD RD iD
(41)
W (vI Vt ) vo = VDD / 1 + R D n C ox L
Usando a expresso para rDS (Eq. (15)), a resistncia source-dreno prxima da origem do plano iD vDS ,
rDS
W = 1 / n C ox (vI Vt ) L
vO = VDD
rDS rDS + RD
(42)
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vO VDD
rDS RD
(43)
vI = 0 V , vI = 1 V ,
vO = 10 V vO = 10 V
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vI = VIB = VOB + Vt
2 9VOB + VOB 10 = 0
vI = VOB + 1
VOB = 1 V
VIB = 1 + 1 = 2 V
VOC =
10 = 0.061 V 1 + 18 1 (10 1)
Este valor muito pequeno, o que justifica a utilizao da expresso aproximada dada pela eq. (41).
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Vamos agora determinar a polarizao do amplificador de modo a operar num ponto apropriado do segmento da regio de saturao. Visto que este segmento se estende desde vO = 1 V a 10 V, escolha-se operar a VOQ = 4 V. Este ponto permite a excurso do sinal em ambas as direces, proporcionando um ganho em tenso mais elevado do que seria obtido com o valor mdio (i.e., VOQ = 5.5 V). Para operar a uma tenso de sada DC de 4V, a corrente de dreno dc tem de ser,
ID =
VDD VOQ RD
10 4 = 0.333 mA 18
W 2 1 iD = k 'n VOV L 2
VOV =
2 0.333 = 0.816 V 1
O MOSFET tem de ser operado com uma tenso gate- fonte, dada por,
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O ganho em tenso deste amplificador, para este ponto de polarizao, pode ser determinado a partir da eq. (38):
Fig. 30
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Note-se que o incremento negativo em iD (0.333-0.275) = 0.058 mA, enquanto o incremento positivo (0.3970.333) = 0.064 mA, os quais so ligeiramente diferentes. Tal indica que o segmento da curva iD vGS ( ou de modo equivalente, da curva vO vI), no perfeitamente linear, como era esperado. A tenso de sada varia em torno do valor de polarizao VOQ = 4 V e ter os seguintes limites:
Para vGS = 1.741 V, iD = 0.275 mA e vO = 10 0.275 18 = 5.05 V Para vGS = 1.891 V, iD = 0.397 mA e vO = 10 0.397 18 = 2.85 V
Assim, enquanto o incremento positivo 1.05 V, a excurso negativa um pouco maior (1.15 V), uma vez mais como resultado da caracterstica de transferncia no-linear. A distoro de vO pode ser reduzida, diminuindo a amplitude do sinal de entrada. Um outro ponto de vista acerca da operao do amplificador, pode ser obtido considerando a sua anlise grfica, mostrada na Fig. 31.
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Fig. 31
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