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Memrias volteis
Memrias SRAM e DRAM Estrutura interna uma RAM Organizao da memria RAM
Memrias no volteis
Memrias
Tipos de Memrias
Volteis a informao perde-se quando se deixa de fornecer energia elctrica Utilizadas para leitura e escrita da informao
No-volteis a informao continua armazenada quando se deixa de fornecer energia elctrica Inicialmente utilizadas apenas para leitura da informao guardada
Mas actualmente existem memrias derivadas da ROM que so programveis, algumas delas utilizadas tanto para leitura como para escrita
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Memrias RAM
Clulas de memria:
Latches / flip-flops
Rpidas tempos de acesso baixos para leitura e para escrita Utilizadas tipicamente como memrias cache (associadas ao processador)
Clula de memria Din R/W S D Q Dout
Memrias RAM
Clulas de memria:
Pares transistor-condensador, que conseguem manter o nvel lgico armazenado durante curtos espaos de tempo Necessitam por isso de ciclos de refrescamento peridicos para reposio dos nveis lgicos nos condensadores
Transistor
Seleco da clula
Condensador
Clula de memria
Memrias RAM
Memrias RAM
Reagem a ambos os flancos do sinal de relgio Muito utilizadas em PCs Evoluo: DDR (2000) DDR-2 (2003) DDR-3 (2007)
Tm esta designao porque os mdulos de memria esto ligadas em srie num barramento (bus) prprio Eficientes em leituras e escritas por blocos Pouco utilizadas em PCs, usadas na Playstation 2 e Nintendo 64
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Memrias RAM
2k x n RAM
Leitura / escrita
Enables
Memrias RAM
Data1
D Q
Data0
D C Q
4x2 RAM Dados (input) Endereos Leitura / Escrita Enable (Chip Select)
2
Dados (output)
D E S C O D I F I C A D O R
D C
D C
D C
D C
D C
D C
CS R/W
O0 O1
Memrias RAM
Sadas Tri-state
Enable
Modelos:
Enable = 0
Enable 0 1 1
A x 0 1
Y ? (alta impedncia) 0 1
A Y=A Y Enable = 1
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Memrias RAM
Organizao da memria
possvel projectar memrias com maior capacidade associando vrios blocos de memria.
64Kx8 RAM Dados (input) Endereos Leitura / Escrita Enable (Chip Select)
8 16
Dados (output)
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Memrias RAM
64K x 16 RAM
D8...D15
8
D0...D7
8
O8...O15
O0...O7
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Memrias RAM
256K x 8 RAM
Dados (input) D0...D7 8 64Kx8 RAM Data ADDR R/W CS 64Kx8 RAM Endereos DEC 2/4 A16 A17 X0 X1 Y0 Y1 Y2 Y3 Data ADDR R/W CS 64Kx8 RAM Data ADDR R/W CS 64Kx8 RAM Data ADDR R/W R/W CS O0...O7 8
A0...A15
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Memrias ROM
ROM
Read-only memory
Construdas pelo fabricante, mediante especificao fornecida pelo cliente. Sem flexibilidade para alterao do contedo s permite leitura da informao armazenada. Utilizao
Guardar informao necessria ao arranque de sistemas Tabelas de converso de cdigos (e.g. binrio natural -> BCD) Tabelas de operaes aritmticas (e.g. logaritmos, divises) Etc.
2k x n ROM
Enables
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Memrias ROM
ROM (exemplo)
Dec 3/8
A0 A1 A2
B3
B2
B1
B0
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Memrias ROM
PROM
Programmable read-only memory
Permite que o utilizador especifique o contedo da ROM Pouca flexibilidade uma nica programao
A programao geralmente feita atravs de rebentamento de fusveis nas ligaes entre as linhas de endereos descodificados e as linhas de sada
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Memrias ROM
EPROM
Erasable programmable read-only memory
Permite mltiplas programaes A reprogramao feita atravs de impulsos elctricos Para apagar o contedo armazenado, a EPROM tem que ser submetida a radiao ultra-violeta. Custo mais elevado que uma ROM, mas maior flexibilidade Pouco usadas, uma vez que actualmente h alternativas melhores
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Memrias ROM
EEPROM
Electrically erasable programmable read-only memory
Utilizao idntica EPROM, mas consegue-se apagar o contedo atravs de impulsos elctricos Maior flexibilidade por reunir as funcionalidade de uma RAM e uma ROM simultaneamente Comparando com uma RAM:
Operaes de escrita muito mais lentas (devido s operaes de apagar e reprogramar) As operaes de leitura podem ser da mesma ordem de grandeza
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Memrias ROM
FLASH EEPROM
Incluem toda a lgica necessria para reprogramao, e esta muito mais rpida do que numa EEPROM convencional
No entanto, as operaes de escrita continuam a ser muito mais lentas do que as de leitura
O tempo de vida dos dados armazenados superior a 10 anos, e pode ser reprogramada milhes de vezes
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