MOSFET de Potncia

Carlos
Edson
Flvio
Jorge
Luciano
Rafael
Welinton
 Introduo
Um MOSFET, comparado com outros dispositivos semicondutores
de potncia (IGBT, Tiristor...), tem como vantagens a alta velocidade
de comutao e boa eficincia em baixa voltagem. Compartilha
com o IGBT uma ponte isolada que torna mais fcil sua conduo.
O MOSFET de Potncia o switch mais usado para baixa voltagem
(menos de 200V). Pode ser encontrado em vrias fontes,
conversores DC/DC, e controles de motor a baixa voltagem.
Quando usar MOSFET:
1. Freqncias altas (acima de 50 kHz);
2. Tenses muito baixas (< 500 V);
3. Potncias baixas (< 1 kW)
Regio de Operao
 Estrutura Bsica
Diversas estruturas foram exploradas desde o incio dos anos 80, quando o
primeiro MOSFET de Potncia foi introduzido. Entretanto, a maior parte
deles foi sendo abandonada (pelo menos at recentemente) a favor da
estrututa Vertical Diffused MOS (VDMOS), tambm chamado Double-
Diffused MOS ou simplesmente DMOS.

Seo de um VDMOS, mostrando a clula elementar. Note que a clula

muito pequena (alguns micrometros), e os MOSFETs de Potncia so
compostos de milhares delas.
Estrutura Bsica
Estrutura Bsica

Analisando a figura ao
lado, temos que devido
elevada impedncia entre
porta e fonte, forma-se
um capacitor entre as
mesmas e, portanto, o
circuito simples de
comutao no precisa
de um capacitor como
antigamente. Basta uma
bateria e chave conforme
mostra o circuito inferior
da figura ao lado.
 O MOSFET bloqueado

Juno P-n- reversamente polarizada (sem tenso de gate).

Resistncia elevada (grande rea de depleo)

 O MOSFET em conduo

Tenso positiva de gate induz

a condutividade do canal
A corrente flui atravs da
seo vertical do dispositivo.
A resistncia total em
conduo dada pelo
somatrio das resistncias da
regio n-, do canal, terminais
de contato de dreno e fonte
(source).
Juno p-n- resulta num
diodo Di em anti-paralelo
com o sentido de conduo
dreno-source.
Tenso negativa dreno-
source polariza diretamente
o diodo Di
 Caractersticas On-state
Resistncia On-state
Quando o MOSFET de Potncia est em on-state, este apresenta um
comportamento resistivo entre os terminais do coletor e emissor. Pode ser
visto na figura que essa resistncia (chamada RDSon resistncia coletor
para emissor em on-state) a soma de vrias contribuies elementrias:
RS a resistncia do emissor.
Rch. Resistncia do canal.
Ra a resistncia de acesso.
RJFET o efeito da reduo da clula.
Rn a resistncia da camada epitaxial.
RD o equivalente do RS para o coletor.
 Caracterstica Esttica do MOSFET
Entrada em Conduo: VGS >> VGS(th) , 10 VGS 20

Bloqueio : VGS < VGS(th)

A resistncia em Conduo(RDSon) possui coeficiente de

temperatura positivo, facilitando a operao em paralelo de
MOSFETS.

Circuito de Comando: possuem caractersticas de fonte de tenso,

sendo mais simples do que BPT (comando com caractersticas de
fonte de corrente).
A = Regio de resistncia constante;
B = Regio de corrente constante;
 Regio de Corte
O transstor permanece desligado.
No h conduo entre o dreno e a fonte
(corrente entre o dreno e fonte deve
idealmente ser zero).
H uma fraca corrente invertida.
Regio de Triodo (ou regio linear)
O transistor ligado
Fluxo de corrente entre o dreno e fonte.

O MOSFET opera como um resistor,

controlado pela tenso na comporta.
 Regio de Saturao
O transstor fica ligado
Tenso de dreno maior do que a tenso na
comporta: uma parte do canal desligado.
A corrente de dreno agora relativamente
independente da tenso de dreno, controlada
somente pela tenso da comporta.
Caractersticas Dinmicas do
MOSFET
Cgd : Pequena e
altamente no linear.
Cgs: Elevada e
praticamente constante.
Cds : Mdia e altamente
no linear
Os tempos de comutao
so determinados pelas
taxas de carga e descarga
de Cgs e Cgd (Ciss).
 Valores tpicos para um MOSFET de 400V e 4A:
td(on) = 30ns ; tr(on) = 50ns ; td(off) = 10ns ; tf = 50ns
Os tempos fornecidos pelos fabricantes referem-se normalmente a
cargas resistivas e a grandeza de referencia sempre a tenso. Os
tempos de comutao dependem muito do circuito de comando de
gatilho empregado.
 Resumo
MOSFETs possuem caractersticas de reduzidos tempos durante as
comutaes (freqncias tpicas de dezenas centenas de kHz).
RDSon rapidamente aumenta com o aumento de VDSmax
suportvel.
Circuito de comando de gate muito simples.
A escolha dos MOSFETs normalmente so para aplicaes com
VDSmax < 500 V.
Aplicaes de MOSFETs com capacidade de bloqueio em torno de
1000 V so para baixas potncias (no superior 100 W).
 BJT x MOSFET x IGBT

MOSFET IGBT BJT

Tipo de comando Tenso Tenso Corrente

Potncia do comando Mnima Mnima Grande

Complexidade do Simples Simples Mdia

comando
Densidade de corrente Elevada em BT e Muito elevada Mdia
baixa em AT

Perdas de comutao Muito baixa Baixa para Mdia para

mdia alta