Memoria flash

• Desafio: Memoria não-volátil

e apagável como a EEPROM,
e com densidades e custos
parecidos com o da EPROM.
• Célula de memoria com
estrutura parecida com a da
EPROM.
• Possui esse nome pois tem
tempos curtos de apagamento
e escrita, que é possível
devido ao apagamento em
blocos
 CI
• CMOS 28F256A
• +VPP: Entrada de voltagem
para programação, alta
para escrita, baixa para
leitura. (VPP é considerado
baixo quando os valores
são inferiores a 6,5v)

datasheet
Configuração dos pinos
Diagrama de bloco
 Comando de leitura
• Escrever 00(HEXA) no registrador de comandos, WE pulso
baixo, CE baixo, e OE alto
Tempo de acesso de no
máximo 120 ns.

• Realizar a leitura: Colocar a entrada de endereço desejada,

WE Alto, CE Baixo, e OE Pulsado para baixo.
 Comandos apagar e preparar para
apagar
• Escrever 20(HEXA) no registrador de comandos. (preparar o
chip para a operação de apagar).

• Escrever novamente 20(HEXA) .(inicia a operação de apagar).

• Obs: Esses dois passos são uma questão de segurança.

• Obs2: 20(HEXA)=00100000 (BINARIO).
• Duração de 10ms
• Vpp=12v.
 Verificar o apagamento
• Escreva A0(HEXA) no registrador de comandos
• Realize a leitura do endereço e compare com
FF(HEXA).
• Faça isso para todos os endereços.
• Se alguma não for igual a FF(HEXA), refaça o
apagamento.
• Duração de 1s.
 Preparação para programar,
programação e verificação
• Escreva 40(HEXA) no registrador de
comandos, e o dado desejado na posição
desejada.
• Para verificar: escreva C0(HEXA), faça a
operação de leitura e compare com oque
desejava ser programado.