Materiais Elétricos,

Eletromagnéticos e
Óticos
Matheus Santos Vieira
Resistividade

 A resistividade elétrica é uma propriedade que

define o quanto um material opõe-se à passagem
de corrente elétrica, de forma que: quanto maior
for a resistividade elétrica de um material, mais
difícil será a passagem da corrente elétrica, e
quanto menor a resistividade, mais ele permitirá
a passagem da corrente elétrica.
Resistividade

𝜌∗𝑙
𝑅 Ω = , onde:
𝐴
 R-> Resistência dada em Ohms
 A-> Área efetiva de contato elétrico do condutor
 l-> Comprimento do elemento resistivo
 ρ-> Resitividade do material dado em Ω ∗ 𝑚
Resistividade e Condutividade

 A medida de condutividade é o inverso da resistividade da mesma forma que

condutância é o inverso de resistência:
1
 𝑅𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡ê𝑛𝑐𝑖𝑎 Ω =
𝐶𝑜𝑛𝑑𝑢𝑡â𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑆
1
 𝑅𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑖𝑣𝑖𝑑𝑎𝑑𝑒 Ω∗𝑚 = 𝑆
𝐶𝑜𝑛𝑑𝑢𝑡𝑖𝑣𝑖𝑑𝑎𝑑𝑒 𝑚
Resistores comerciais
Potenciômetros e resistores smd
Capacitância

 Define-se capacitor como o elemento elétrico que possuí a

capacidade de armazenar carga elétrica sobre a forma de
campo elétrico. A propriedade de capacitância é que
determina a capacidade de armazenamento de carga
destes dispositivos
Capacitância e capacitores de placas
paralelas
Capacitância

 A formula de capacitância relaciona diretamente a área ocupada e a distancia

entre as placas:
𝑘𝜖0 𝐴
𝐶 𝐹 = , onde:
𝑑
 C-> Capacitância dada em Faradays(F)
 A-> Área das placas paralelas
 d-> Distancia entre as placas
 𝜖0 -> Permissividade elétrica do vácuo (8,85x10-12F*m ou 8,85pF*m )
 K-> Permissividade relativa do material (Para o ar pode ser considerado 1)
Permissividade relativa
Capacitores comerciais
Capacitores comerciais
Indutância

 Define-se indutor como o elemento elétrico que possuí a

capacidade de armazenar carga elétrica sobre a forma de
campo eletromagnético. A propriedade de indutância é
que determina a capacidade de armazenamento de carga
destes dispositivos.
Indutor
Indutância

 O indutor possui relação direta entre a sua capacidade de armazenar carga e

a capacidade de gerar campo eletromagnético, portanto, na maioria das
construções são usadas espiras na construção de um indutor
𝜇0 𝑘𝑁2 𝑆
 𝐿 𝐻 = , onde:
𝑙
 L-> Indutância em Henrys
 N-> Número de voltas da bobina
 μ0-> Permeabilidade magnética do vácuo (4πx10-7Wb / A · m ou H · m)
 S-> Área da seção transversal do núcleo
 L-> Comprimento das linhas de fluxo
 k-> Permissividade relativa do meio
Permeabilidade relativa
Indutores Comerciais
Semicondutores

 Semicondutores são substâncias químicas que possuem 4

elétrons em sua ultima camada, mas, especialmente para
estes materiais, quando quatro ligações covalentes são
feitas, a distancia entre os átomos é igual, criando assim
uma estrutura cristalina que normalmente não permite a
passagem de corrente elétrica.
Estrutura cristalina dos semicondutores
Dopagem de semicondutores

 O processo de dopagem de semicondutores refere-se à

adição, ao cristal intrínseco, de pequena quantidade de
impureza, com propriedades adequadas, de forma a
afetar o comportamento elétrico do semicondutor da
maneira desejada. Existem dopantes doadores e
receptores, que produzem os semicondutores tipo n e tipo
p.
Dopagem tipo P
Dopagem tipo N
Componentes semicondutores: Diodo
Componentes semicondutores: Transistor
Transistor

 Componente ativo que relaciona as

suas correntes através de um
parâmetro intrínseco chamado de
β(beta) ou hFE.
 Ie=Ic+Ib
 Onde Ic=Ib* β e
 Ie=Ib* (β+1)
Transistor darlington
Scr – Silicon Controlled Rectifier,
Retificador Controlado de silício
TRIAC-Triode for Alternating Current,
Triodo para Corrente Alternada