Discentes: Herbert Nascimento, Heuller Guimarães, Hinglison Parente Rebelo,
Hugo Ribas, Iridani Sales, Ítalo Araújo, Jakson Pompeu, Jamilly Viana, Jarlisson Douglas, Jarley José, Joao Victor Cardoso de Macedo , Jose Renivaldo Santos Gondim , Josimar dos Santos,Juliane Almeida A eletrônica de potência e seus objetivos. A eletrônica de potência tem como sua principal finalidade processar e controlar o fluxo da energia elétrica. Com a utilização de dispositivos semicondutores (diodos e transistores) operando como chaveadores (ligar/desligar), para realizar o controle do fluxo de energia elétrica e a conversão de formas de onda de tensões e correntes entre fontes e cargas. Transistores BJT e FET Os transistores são dispositivos semicondutores que podem ser usados como amplificadores ou chaves em circuitos eletrônicos. O principal diferença entre BJT e FET é que BJT é um tipo de transistor bipolar onde a corrente envolve um fluxo de portadores majoritários e minoritários. Em contraste, FET é um tipo de transistor unipolar onde apenas os portadores majoritários fluem. Transistor BJT
Também conhecido como BJT (Bipolar Junction
Transistor) ou TJB (Transistor de Junção Bipolar) e o transistor bipolar é o mais comum e mais utilizado. O BJT é composto por duas pastilhas de material semicondutor, de mesmo tipo, entre as quais é colocada uma terceira pastilha mais fina e de um material semicondutor diferente Transistor FET
O transistor de efeito de campo (FET - Field Effect
Transistor) funciona através de um campo elétrico em sua junção. Ele é bastante utilizado em amplificadores, como chave ou controle de corrente em uma carga. Capacitores Os capacitores são usados basicamente para armazenar energia, alguns cuidados devem ser tomados para garantir que trabalham sempre dentro das suas especificações evitando sobreaquecimento que em alguns casos pode até causar a explosão do componente. Transistores Bipolares Os transistores bipolares são construído pela junção de 3 camadas de semicondutores. Existem 2 tipos: os NPN e os PNP. Este nomes são dados em função das camadas de semicondutores. Nos transistores NPN, duas camadas N são unidas com uma camada P no meio. Já nos PNP, duas camadas P são unidas com uma camada N no meio.