ELETRÔNICA DE POTÊNCIA

SUMÁRIO

1. DISPOSITIVOS DE POTÊNCIA: CARACTERÍSTICAS E

FUNCIONAMENTO
2. DIAC E TRIAC
3. APLICAÇÃO DE CARGA NO EMISSOR E COLETOR DE UM
TRANSISTOR
1.1. DIODOS DE POTÊNCIA:

Simbologia do diodo Exemplo de diodo

• São dispositivos semicondutores capazes de conduzir corrente elétrica
em apenas um sentido.

• Trabalham como uma chave aberta ou como uma chave fechada.

• Alta capacidade de conduzir elevadas correntes elétricas.

• Suporta grandes intensidades de tensão reversa sem danificar seu

funcionamento.

• Não tem comportamento linear, desta forma sua aplicabilidade em

circuitos eletrônicos de potência é ampla como os retificadores.
• Os diodos de potência são basicamente compostos por duas camadas, uma de um
cristal tipo P ( carregado positivamente) e uma camada de cristal N ( carregado
negativamente), a junção criada entre eles permite a passagem de corrente
elétrica em um único sentido, a diferença dos diodos de potência dos diodos
comuns é uma terceira camada denominada N extra, esta camada possibilita que
os diodos de potência possam suportar tensões elétricas mais elevadas.

Polarização Direta Polarização Reversa

CURVA DO DIODO
 1.2. TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TJB):

Simbologia do transistor Exemplos de transistores

• O transistor é um dispositivo semicondutor de três camadas,
muito utilizado na construção de chips eletrônicos para as
mais variadas aplicações. Composto principalmente de silício
ou germânio, o transistor é empregado em processos de
amplificação e produção de sinais e em operações de
chaveamento.
• Essa categoria de transistor recebe essa denominação por
possuir duas junções PN combinadas e por envolver tanto
cargas positivas, quanto cargas negativas no processo de
condução. Os dois tipos de TBJ mais comuns são os NPN e os
PNP. Nos transistores PNP, a corrente é composta
majoritariamente de cargas positivas (lacunas), enquanto que
nos NPN a corrente é composta majoritariamente de elétrons.
• Os três terminais do transistor bipolar de junção são denominados
base, coletor e emissor. O terminal da base é responsável por
controlar o processo de condução, enquanto que o emissor e o
coletor são os terminais de entrada e saída da corrente principal de
condução. A ordem dos terminais em cada transistor pode alternar
entre modelos, tipos e fabricantes diferentes, fazendo necessária a
consulta de seu datasheet para saber a ordem correta.
• Por ser um dispositivo que possui três camadas de semicondutor
alternadas, é possível trata-lo como duas junções de materiais
semicondutores do tipo P e do tipo N. Tem-se então as junções
base-emissor e a junção base-coletor. Quando polarizado de maneira
correta, essas junções PN podem ser consideradas como
dois diodos, com a junção base-emissor equivalendo a um diodo
polarizado diretamente e a junção base-coletor a um diodo
polarizado inversamente.
TRANSISTOR POLARIZADO
CURVA DO TRANSISTOR TJB
1.3. TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO
(MOSFET)

Simbologia MOSFET Exemplo MOSFET

• O MOSFET é um transistor de chaveamento rápido,
caracterizado por uma alta impedância de entrada, apropriado
para potências baixas (até alguns quilowatts) e para
aplicações de alta frequência (até 100kHz).
• Um MOSFET tem aplicações importantes em fontes de
alimentação chaveadas, nas quais frequências altas de
chaveamento subentendem componentes menores e mais
econômicos, além de motores de baixa velocidade de controle
que utilizem modulação por largura de pulso.
• Os MOSFETs estão disponíveis no mercado nos tipos canal N
e canal P. Entretanto, os dispositivos em canal N têm valores
nominais de corrente e tensão mais altos.
• Devido à alta resistência de porta, a corrente de controle é
praticamente nula, propiciando um controle de condução
entre dreno e fonte a partir de uma tensão aplicada no
terminal de porta. Ainda, pela baixíssima necessidade de
corrente de controle, é possível comutar a condução do
MOSFET através de circuitos microcontrolados.
• O MOSFET é bem mais rápido nas comutações que o TJB,
entretanto fornece mais perdas de condução na saturação.
1.4. TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA
(IGBT):

Simbologia IGBT Exemplo IGBT

• Os IGBTs substituem os MOSFETS em aplicações de alta
tensão, nas quais as perdas na condução precisam ser
mantidas em valores baixos. Embora as velocidades de
chaveamento dos IGBTs sejam maiores (até 50 kHz) do que as
dos TJBs, são menores que as dos MOSFETs.
• Portanto, as frequências máximas de chaveamento possíveis
com IGBT ficam entre as dos TJBs e as dos MOSFETs.
• Ao contrário do que ocorre no MOSFET, o IGBT não tem
qualquer diodo reverso interno. Assim, sua capacidade de
bloqueio para tensões inversas é muito ruim. A tensão inversa
máxima que ele pode suportar é de menos de 10 V.
2. DIAC E TRIAC:

Simbologia DIAC Simbologia TRIAC

2.2 FUNCIONAMENTO DIAC:
• DIAC ou "Diodo para Corrente Alternada " - É um diodo
bidirecional que conduz corrente elétrica somente após a sua
tensão de ruptura (VBO) ter sido atingida,  ou, também é
conhecido como; corrente de corte. A tensão de disparo é por
volta de 30 volts para a maioria destes dispositivos.
• A vantagem de um DIAC é que ele pode ser controlado
simplesmente alterando o nível de tensão. Os DIACs também
são conhecidos como um transistor sem base. Deve-se levar
em consideração que um DIAC pode ser ligado ou desligado
em ambas polaridades de tensão, ou seja; uma tensão de
passagem positiva ou mesmo tensão negativa.
• Quando a tensão de ruptura do DIAC ocorre, a resistência do
componente diminui abruptamente e isso leva a uma queda
acentuada na queda de tensão do DIAC e a um aumento
correspondente na corrente. O DIAC manterá o seu estado
condutor até que a corrente através dele desça abaixo de um
valor específico conhecido como corrente de retenção.
Quando a corrente cai abaixo da corrente de retenção,
o DIAC volta ao seu estado de alta resistência e não haverá
condução nele.
CURVA DIAC
2.3. FUNCIONAMENTO TRIAC
• Um TRIAC é um componente eletrônico equivalente a
dois retificadores controlados de silício (SCR/) ligados em
antiparalelo e com o terminal de disparo (ou gatilho - gate)
ligados juntos. Este tipo de ligação resulta em uma chave
eletrônica bidirecional que pode conduzir a corrente elétrica nos
dois sentidos. O TRIAC faz parte da família de tiristores.
• Um TRIAC pode ser disparado por uma corrente alternada
aplicada no terminal de disparo (gate). Uma vez disparado,
o dispositivo continua a conduzir até que a corrente elétrica caia
abaixo do valor de corte, como o valor da tensão final da metade
do ciclo de uma corrente alternada. Isto torna o TRIAC um
conveniente dispositivo de controle para circuitos de corrente
alternada ou C.A, que permite acionar grandes potências com
circuitos acionados por correntes da ordem de miliamperes.
• Também podemos controlar o início da condução do dispositivo,
aplicando um pulso em um ponto pré-determinado do ciclo de
corrente alternada, o que permite controlar a percentagem do
ciclo que estará alimentando a carga (também chamado de
controle de fase).
• O TRIAC de baixa potência é utilizado em várias aplicações como
controles de potência para lâmpadas dimmers, controles de
velocidade para ventiladores entre outros. Contudo, quando usado
com cargas indutivas, como motores elétricos, é necessário que
se assegure que o TRIAC seja desligado corretamente, no final de
cada semi-ciclo de alimentação elétrica. Para circuitos de maior
potência, podemos utilizar dois SCRs ligados em antiparalelo, o
que garante que cada SCR estará controlando um semi-ciclo
independente, não importando a natureza da carga geral.
CURVA TRIAC
2.4. APLICAÇÕES:
• Uma das principais aplicações de um DIAC é em um circuito
de disparo com o TRIAC. O DIAC está conectado ao terminal
do gate do TRIAC.
• Circuito dimmer da lâmpada
• Circuito de controle de temperatura
• Controle de velocidade de motores universal
3. APLICAÇÃO DE CARGA NO EMISSOR E
COLETOR DE UM TRANSISTOR:
REFERÊNCIAS:
• MALVINO, Albert Paul; BATES, David J. Eletrônica. AMGH,
2011.
• https://www.mundodaeletrica.com.br/o-que-e-e-para-que-serve-
um-transistor
/
• POMILIO, José Antenor. Apostila de Eletrônica de
potência. Universidade Estadual de Campinas, disponível no
sítio http://www. dsce. fee. unicamp. br/~ antenor/apostila.
html, 2001.