Caractersticas Fsicas do IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

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UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO DE JANEIRO

ESCOLA POLITCNICA DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELETRNICA DISCIPLINA: Sistemas Digitais PROFESSOR: Otto Carlos Muniz Bandeira Duarte AUTORES: Carlos Fernando Teodsio Soares Guilherme Mello de Moura Guilherme Pastor Garnier Rafael Jorge Szendrodi

O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

I . Introduo
Desde a inveno do primeiro tiristor de juno PNPN, pelos laboratrios Bell em 1957, houve um grande avano nos dispositivos semicondutores de potncia. Para serem aplicados em sistemas de elevada potncia e substiturem as rudimentares vlvulas ignitron, phanotron e thyratron, os dispositivos semicondutores devem ser capazes de suportar grandes correntes e elevadas tenses reversas em seu chaveamento. Alm disso, em vrias aplicaes de eletrnica de potncia, h necessidade de uma operao em elevadas freqncias de chaveamento dos dispositivos semicondutores, como, por exemplo, os inversores de tenso, necessrios para a construo de filtros ativos de potncia. Dessa forma, os dispositivos semicondutores devem possuir baixas perdas de potncia durante o chaveamento. At 1970, os tiristores convencionais foram exclusivamente usados para o controle de potncia em aplicaes industriais. Desde 1970, vrios tipos de dispositivos semicondutores de potncia foram desenvolvidos e se tornaram disponveis comercialmente. Estes dispositivos podem ser amplamente divididos em cinco tipos: os diodos de potncia, os tiristores, os transistores bipolares de juno de potncia, os MOSFETs de potncia, os SITs (Static Induction Transistor) e os IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor), assunto desta dissertao. Reunindo as caractersticas de comutao dos transistores bipolares de potncia elevada impedncia de entrada dos MOSFETs, o IGBT se torna cada vez mais popular nos circuitos de controle de potncia de uso industrial e at mesmo em eletrnica de consumo e embarcada. Os transistores bipolares de potncia possuem caractersticas que permitem sua utilizao no controle de elevadas correntes com muitas vantagens, como baixas perdas no estado de conduo. No entanto, as suas caractersticas de entrada, exigindo correntes elevadas de base, j que operam como amplificadores de corrente, trazem certas desvantagens em algumas aplicaes. Por outro lado, os transistores de efeito de campo MOS de potncia podem tambm controlar potncias elevadas com muitas vantagens pelo fato de exigirem tenso para o disparo, pois, embora sejam dispositivos de alta impedncia tm como desvantagem uma baixa velocidade de comutao

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devida s capacitncias de porta (Gate) que aumentam com a intensidade de corrente (Largura do canal) que deve ser controlada. No entanto, para baixas correntes de conduo atravs do canal, o MOSFET pode operar com elevadas freqncias. O IGBT rene a facilidade de acionamento dos MOSFETs e sua elevada impedncia de entrada com as pequenas perdas em conduo dos TBP (Transistores Bipolares de Potncia). Sua velocidade de chaveamento determinada, a princpio, pelas caractersticas mais lentas as quais so devidas s caractersticas do TBP. Assim, a velocidade dos IGBTs semelhante dos TBP; no entanto, nos ltimos anos tem crescido gradativamente, permitindo a sua operao em freqncias de dezenas de kHz, nos componentes para correntes na faixa de dezenas e at centenas de Ampres. Juntando o que h de bom nesses dois tipos de transistores, o IGBT um componente que se torna cada vez mais recomendado para comutao de carga de alta corrente em regime de alta velocidade. Abaixo, apresentamos um grfico contendo uma comparao entre os principais dispositivos semicondutores de potncia quanto s suas caractersticas de tenso, corrente e freqncia de operao. Nesta figura, vemos que os tiristores so os dispositivos que conseguem suportar os maiores valores de corrente e tenso, mas no podem operar em freqncias de chaveamento elevadas. Como podemos ver a partir desta figura, os IGBTs possuem uma capacidade de suportar maiores tenses e podem operar em mais altas freqncias que os transistores bipolares de potncia e podem suportar maiores tenses e correntes que os MOSFETs de potncia. Como podemos notar a partir deste grfico, a regio de operao segura do IGBT maior que as regies reservadas ao MOSFET e ao transistor TBP, o que era desejado.

Apresentamos aqui nesta dissertao como operam fisicamente os IGBTs e apresentaremos o modelo para descrio do seu funcionamento. Sero tambm mostradas as pginas do manual de um fabricante de IGBT para ilustrar as caractersticas de operao deste dispositivo. Por fim, ser apresentada uma aplicao dos IGBTs em eletrnica de potncia para mostrar a utilidade do dispositivo.

II . Operao Fsica do IGBT

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Na figura a seguir, apresentamos a estrutura de um tpico IGBT de canal tipo N. Todas as discusses apresentadas aqui esto relacionadas com o dispositivo de canal tipo N, pois o canal tipo P anlogo e possui uma operao fsica dual quela apresentada para o de canal tipo N. Sua estrutura muito semelhante quela apresentada por um transistor MOSFET. Onde, no caso o IGBT, teremos uma dupla difuso de uma regio do tipo P e uma do tipo N. Abaixo da regio da porta (Gate), uma camada de inverso pode ser formada a partir da aplicao de uma certa tenso entre a porta e o emissor (emitter), tal como feito em um MOSFET para faz-lo entrar em conduo. A principal diferena entre essa estrutura do IGBT e a de um MOSFET a incluso de um substrato P+ (O smbolo + foi colocado para indicar que esta regio fortemente dopada, enquanto que o smbolo - indica que a regio fracamente dopada) onde conectado o terminal de coletor (collector). Esta mudana tem como efeito a incluso de caractersticas bipolares ao dispositivo. Esta camada P+ tem como objetivo a incluso de portadores positivos lacunas na regio de arrastamento (Drift region) como feito em um transistor bipolar do tipo pnp. Na estrutura do IGBT, importante notar que o terminal de porta est conectado duas regies isoladas do material semicondutor atravs de uma camada isolante de xido de silcio (SiO2) ao invs de ser apenas uma regio como costumamos ver em MOSFETs. Assim, como veremos, o IGBT apresenta formao de dois canais ao invs de apenas um.

O IGBT freqentemente utilizado como uma chave, alternando os estados de conduo (Onstate) e corte (Off-state) os quais so controlados pela tenso de porta, assim como em um MOSFET. Se aplicarmos uma pequena tenso de porta positiva em relao ao emissor, a juno J1 da figura anterior ficar reversamente polarizada e nenhuma corrente ir circular atravs dessa juno. No entanto, a aplicao de uma tenso positiva no terminal de porta far com que se forme um campo eltrico na regio de xido de silcio responsvel pela repulso das lacunas pertencentes ao substrato tipo P e a atrao de eltrons livres desse mesmo substrato para a regio imediatamente abaixo da porta. Enquanto no houver conduo de corrente na regio abaixo dos terminais de porta, no haver conduo de corrente entre o emissor e o coletor porque a juno J2 estar reversamente polarizada, bloqueando a corrente. A nica corrente que poder fluir entre o coletor e o emissor ser a corrente de escape (leakage). Uma caracterstica desta regio de operao a tenso direta de breakdown, determinada pela tenso breakdown da juno J2. Este um fator extremamente importante, em particular para dispositivos de potncia onde grandes tenses e correntes esto envolvidas. A tenso de breakdown da

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juno J2 dependente da poro mais fracamente dopada da juno, isto , a camada N- . Isto s deve ao fato de que a camada mais fracamente dopada resulta em uma regio de depleo desta juno mais larga. Uma regio de depleo mais larga implica em um valor mximo de campo eltrico na regio de depleo que o dispositivo poder suportar sem entrar em breakdown mais baixo, o que implica no fato de que o dispositivo poder suportar altas tenses na regio de corte. Esta a razo pela qual a regio N- da regio de arrastamento mais levemente dopada que a regio tipo P da regio de corpo (Body). Os dispositivos prticos geralmente so projetados para possurem uma tenso de breakdown entre 600 V e 1200 V. Ao aplicarmos uma tenso entre porta e emissor do dispositivo, fazendo a porta possuir uma tenso positiva com relao ao emissor, uma corrente de pequena intensidade e de curta durao circula pela porta de forma a carregar a capacitncia parasita que existe entre a porta e a poro semicondutora logo abaixo do terminal de porta. Como j foi dito, a tenso faz com que um campo eltrico aparea entre o terminal de porta e a poro de semicondutor p logo abaixo da porta. Este campo eltrico atrai alguns eltrons livres da prpria regio tipo p e alguns eltrons livres das pores n+ localizadas dentro desse substrato p, em virtude do fato de essa regio estar fortemente dopada. Ao aumentarmos a tenso entre a porta e o emissor, conseqentemente, aumentaremos esse campo eltrico e mais portadores negativos sero atrados para a regio imediatamente abaixo do terminal de porta. Quando a tenso entre a porta e o emissor atinge um determinado valor limite que depende do dispositivo conhecida como tenso de limiar (threshold voltage), simbolizada por Vth, a quantidade de eltrons livres atrados pelo campo eltrico tamanha que a regio imediatamente abaixo da porta acaba por se transformar do tipo p para o tipo n, fenmeno conhecido como inverso sendo a camada que sofreu o processo recebe o nome de camada de inverso, mais comumente conhecida como canal. Com a formao deste canal, temos uma ligao do tipo n entre a pequena regio n+ e a regio de arrastamento, tal canal permite a conduo de corrente atravs de uma pequena regio na juno J1 que estava reversamente polarizada antes de a tenso entre porta e emissor atingir o valor limiar. Dessa forma, eltrons sero transportados atravs deste canal at a regio de arrastamento onde iro fazer parte da corrente que circula pela juno J3 que est diretamente polarizada, fazendo com que o diodo formado pela juno J3 entre em conduo. Com este efeito, temos que a camada p+ conectada ao coletor injeta lacunas positivamente carregadas na regio de arrastamento n-. Essa injeo de lacunas da regio de arrastamento causa a modulao da condutividade da regio de arrastamento onde as densidades de ambos os portadores, eltrons livres e lacunas, atingem valores muito mais elevados que quela que a regio n- geralmente apresenta. esta modulao de condutividade que d ao IGBT sua baixa tenso de conduo entre os terminais de coletor e emissor do IGBT por causa da reduzida resistncia da regio de arrastamento isto se deve ao fato de que a condutividade de um material semicondutor proporcional densidade de portadores deste material. Assim, o IGBT poder drenar correntes elevadas com poucas perdas de potncia, assim como o que ocorre em um transistor bipolar. Algumas das lacunas injetadas na regio n- so recombinadas nesta mesma regio com os eltrons livres desta camada. No entanto, a maior parte das lacunas que alcanam a regio no se recombinam e alcanam a juno J2 que est reversamente polarizada. Assim, as lacunas encontram um campo eltrico favorvel ao seu movimento, justamente por causa da polarizao reversa da juno. Com este campo eltrico da juno J2, as lacunas sero arrastadas por meio da corrente de difuso pela regio de arrastamento atravessando a juno J2 at serem coletadas pela regio do tipo p onde est conectado o terminal de coletor. A operao fsica do IGBT descrita aqui ilustrada na figura apresentada abaixo:

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Analisando a figura acima e verificando como a operao fsica do IGBT, podemos facilmente deduzir um modelo para descrever o funcionamento do dispositivo usando apenas componentes eletrnicos conectados de forma a funcionar de modo equivalente ao IGBT. Olhando a figura acima, vemos que temos ao longo do dispositivo trs fatias de semicondutores formando uma juno PNP que a mesma que forma um transistor bipolar de potncia cuja base conectada regio central e os terminais de coletor e emissor so conectados do mesmo modo que no TBP. Na parte de cima da figura, temos uma estrutura que opera exatamente como um MOSFET de potncia cuja corrente de dreno injetada na regio de arrastamento que corresponde base do transistor PNP de potncia que temos ao longo do IGBT. Essa corrente de dreno do MOSFET atua como o disparo do transistor. Assim, podemos modelar o IGBT pelo circuito equivalente da figura abaixo.

A figura 3 (b) mostra um modelo mais completo para o circuito equivalente do IGBT que inclui o transistor parasita pela regio tipo n+ da fonte do MOSFET, a regio de corpo do MOSFET do tipo p e a regio de arrastamento tipo n-. Neste modelo tambm apresentada a resistncia lateral da regio tipo p da regio de corpo. Se a corrente fluindo atravs dessa resistncia for elevada o suficiente, teremos uma queda de tenso que ir polarizar diretamente a juno entre esta camada semicondutora e a regio n+ ativando o transistor parasita que forma um tiristor parasita juntamente com o transistor PNP principal da estrutura do IGBT. Uma vez que o tiristor tenha sido disparado, h uma elevada injeo de eltrons livres oriundos da regio tipo n+ na regio tipo p do substrato do MOSFET, fazendo com que a tenso de gate no influa mais na operao do dispositivo assim como o que ocorre com os tiristores fazendo com que o controle da operao do IGBT seja perdido. Este fenmeno denominado latch-up , quando ocorre, geralmente conduz destruio do

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dispositivo. Geralmente, os fabricantes de IGBT constroem o molde da superfcie do emissor em forma de uma tira estreita, enquanto que a geometria utilizada em MOSFETs baseada em clulas concentradas, tal fato permite que se evite o disparo do tiristor parasita existente na estrutura do IGBT. Na figura apresentada a seguir, temos o smbolo utilizado em circuitos para designar o IGBT. Neste smbolo vemos detalhes que lembram tanto o smbolo usado para transistores bipolares como o smbolo usado para MOSFETs. Tambm apresentamos um desenho do aspecto do IGBT produzido como componente discreto pela International Rectifier.

Os IGBTs so componentes usados principalmente como comutadores em conversores de freqncia, inversores etc. Nestas aplicaes, normalmente uma carga indutiva ligada e desligada, podendo com isso aparecer tenses inversas elevados, contra as quais o dispositivo deve ser protegido. Essa proteo feita com o uso de diodos ligados em paralelo com o coletor e o emissor para evitar que uma elevada tenso reversa seja aplicada ao IGBT. Quando o IGBT liga novamente, o fluxo de corrente no diodo funciona inicialmente como se fosse praticamente um curto. A carga armazenada tem que ser removida inicialmente para que o diodo bloqueie a tenso. Isso faz com que aparea uma corrente que se soma corrente de carga a qual chamada de corrente reversa de recuperao do diodo IRR. O mximo de corrente IRR ocorre quando a soma das tenses instantneas sobre o IGBT e o diodo se iguala tenso de alimentao. Quando o IGBT desliga, o resultado uma variao de corrente, e isso faz com que o pico de sobretenso aparea devido variao de corrente nas indutncias parasitas. Este pico de tenso responsvel por perdas e exige um aumento no tempo morto entre a conduo de dois dispositivos semelhantes quando usados numa configurao de meiaponte, como o que ser mostrado no exemplo de aplicao desse dispositivo. Um ponto importante que deve ser levado em considerao em todo dispositivo de comutao o Efeito Miller. O Efeito Miller nada mais do que a realimentao da tenso coletor-emissor (VCE) atravs da capacitncia existente entre a porta e o coletor do dispositivo (CGC). Isso que dizer que uma variao da tenso entre o coletor e emissor (VCE) tem o mesmo efeito que uma fonte de corrente interna no circuito de polarizao , onde a intensidade desta corrente dada pela expresso:

I G = C GC (VCE )

VCE t

Infelizmente, Cgc no constante, mudando de valor com a tenso entre coletor e emissor. As maiores variaes de CCG ocorrem justamente com pequenas tenses entre emissor e coletor. Em conseqncia disso temos explicaes para alguns comportamentos do IGBT: Quando o IGBT liga (turn-on) - partindo de Vce alto e VGE igual a zero ou negativo com

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uma corrente constante carregando a porta, um aumento linear da tenso de porta obtido. Com a queda da tenso entre coletor e emissor VCE a corrente de polarizao de porta usada para carregar CGC, e a tenso de porta permanece constante. Mais tarde, quando a tenso entre o coletor e o emissor cai, CGC aumenta de valor de tal forma que, uma pequena variao de VCE suficiente para levar a um aumento da corrente de porta. Somente quando a corrente necessria carga se reduz novamente que a tenso de porta aumenta. Quando o IGBT desliga - partindo de Vce baixa , VGE positiva ou maior que a tenso limiar Vth a tenso de porta inicialmente decresce quase que linearmente (pela fonte de corrente constante de descarga). A diminuio da capacitncia com o aumento da carga aumenta a tenso. Como existe uma fonte de polarizao que est drenando corrente da porta, a tenso porta-emissor se mantm constante. Em conseqncia, VCE aumenta e a maior parte da corrente de descarga da porta usada para manter a tenso de porta constante. O processo de carga termina quando VCE alcana a tenso de operao. devido ao Efeito Miller que a corrente de porta durante a comutao (ligado ou desligado) usada antes de tudo para mudar a carga CGC. Isto explica porque, carregando ou descarregando , a porta tem sua velocidade de resposta reduzida. Deve ser mencionado que as mudanas de CGC e VCC regulam por si prprias de tal forma que apenas a corrente disponvel na porta usada. Isso esclarece porque um resistor de grande valor ligado em srie com a porta faz que todos os eventos que envolvam a comutao de uma IGBT tenham seu tempo de durao aumentado. As caractersticas de tenso e corrente de um IGBT se assemelham muito com as caractersticas de um transistor MOSFET e de u transistor bipolar de potncia. Para uma visualizao das caractersticas de um IGBT real, apresentamos aqui o manual dos IGBTs fabricados pela Mitsubishi, no formato .PDF.

III . Aplicaes de IGBT Um Inversor de Tenso.

Uma das aplicaes de IGBT que mais so utilizadas em eletrnica de potncia a construo de inversores de tenso, os quais produzem tenso alternada atravs de tenso contnua. Tal processo muito utilizado na construo de filtros ativos de potncia e em sistemas de transmisso HVDC (High Voltage Direct Current) de energia eltrica. A Usina de Itaipu pertencente ao Brasil e ao Paraguai (que durante muitos anos foi a maior usina hidreltrica do mundo) produz energia com o sistema de corrente alternada, sendo que metade da produo (pertencente ao Brasil) gerada em 60Hz e a outra metade (pertencente ao Paraguai) gerada em 50Hz. No entanto, boa parte da energia produzida pela parte paraguaia vendida ao Brasil que consome tenso alternada em 60Hz. O problema foi resolvido instalando-se um retificador de potncia que transforma a tenso a ser transmitida em tenso contnua e a energia transmitida em DC at os centros consumidores (o principal a cidade de So Paulo) onde novamente alternada, agora em 60Hz para ser enviada aos transformadores que iro abaixar a tenso para a distribuio entre os consumidores de energia. Este inversor de tenso pode geralmente ser construdo com o uso de GTOs (Gate Turn-Off Thyristor) ou IGBTs. No caso de inversores de tenso que sero aplicados na construo de filtros ativos de potncia d-se preferncia ao emprego de IGBTs devido sua possibilidade de operar em elevadas freqncias. O bloco bsico de construo de um inversor de tenso usando IGBTs apresentado no esquema abaixo:

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As tenses de porta de cada um dos IGBTs so controladas a partir de uma Mquina de Estados Finitos, onde cada estado corresponde ao chaveamento de apenas trs IGBTs (cada um em uma associao em srie diferente com um na parte de cima e outro na parte de baixo), a ordem de chaveamento mostrada nos grficos apresentados abaixo, onde temos as tenses em cada uma das chaves com o tempo e a tenso total entre a fase C e o neutro da associao em Y na sada do transformador apresentado na figura acima.

Assim, vemos que a forma de onda da tenso na fase C com respeito ao neutro formada por seis segmentos idealmente retos, como mostrado na figura. Por isso, este bloco funcional denominado de um inversor de 6 segmentos. As formas de onda nas demais fases apresentam a mesma forma de onda que a da fase C, com apenas uma diferena de fase de 120 de uma em relao outra. Esta forma de onda na sada semelhante a uma forma de onda senoidal, embora ainda possua muita distoro harmnica (possui componentes harmnicos de freqncias mais altas). Para melhorar o desempenho do inversor, geralmente o que se usa a associao de mais blocos de

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inversores de 6 segmentos como o mostrado acima em srie, da seguinte forma apresentada na figura abaixo:

Cada um dos inversores mostrados na figura acima idntico ao inversor de 6 segmentos do esquema anterior e geram as mesmas formas de onda. No entanto, o primeiro transformador do tipo Y-Y, fazendo com que a forma de onda na sada no apresente nenhuma defasagem com relao ao sinal original; j no caso do segundo transformador do tipo -Y, temos que a sada ser defasada em 30 com relao forma de onda original. Assim, a sada deste inversor ser formada pela forma de onda de 6 segmentos normal somada a esta mesma forma de onda deslocada de 30, o que ir gerar uma forma de onda na sada de 12 segmentos como mostrado abaixo:

Como podemos ver, essa forma de onda se aproxima mais de uma senide do que a forma de onda anterior. Para suavizar esta forma de onda de forma que se aproxime mais de uma senide, bastando para isso utilizar um filtro passa-baixas para eliminar as componentes de altas freqncias que so responsveis pelas transies abruptas dessa forma de onda e causam um elevado fator de distoro harmnica.

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Este exemplo foi apresentado aqui para ilustrar uma forma de aplicao do IGBT na prtica, como uma chave em aplicaes de elevadas potncias.

IV . Referncias:
RASHID, Muhammad Harunur. Power Electronics Circuits, devices and applications. 2 ed. Prentice Hall, New Jersey: 1993. PENELLO, Luiz Fernando. Filtro Ativo de Potncia Shunt. Tese de Mestrado, Universidade Federal do Rio de Janeiro COPPE: 1992. http://www.elec.gla.ac.uk/groups/dev_mod/papers/igbt/igbt.html
http://www.mathworks.com/access/helpdesk/help/toolbox/powersys/igbt.shtml

http://www.coltec.ufmg.br/alunos/270/semicondutores/igbt.html http://www.mitsubishichips.com/datasheets/power/powermos_index.html http://sites.uol.com.br/rick.machado/engenhar.html http://orbita.starmedia.com/~tecnofac/eletronica/igbt.htm

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