ELETRNICA BSICA 2 Prof. Kobori.

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Professor KOBORI, Antonio Carlos.

Docente da rea de Tecnologia Eletrnica, desde 1989, atuou em diversos
segmentos do mercado de desenvolvimento e projetos eletrnicos em destaque na
3M do Brasil. Com formao tambm em Licenciatura Plena em Pedagogia
coordenador dos Cursos Tcnicos do Centro Universitrio Moura Lacerda em
Ribeiro Preto, SP.

Os cursos tcnicos tornaram-se uma opo em destaque aos concluintes do ensino mdio e a
profissionais que procuram uma qualificao profissional. Por terem uma objetividade muito acentuada, os
cursos tcnicos tm curta durao, em mdia 3 semestres, permitem ao concluinte uma certeza de insero ao
mercado de trabalho, viabilizando inclusive, que o aluno prossiga seus estudos universitrios com sua
autonomia financeira.
Com o desenvolvimento da tecnologia e aumento do conhecimento cientifico e desfragmentado, a
imagem do tcnico mudou, hoje alm do desenvolvimento operacional, o mesmo atinge cargos de superviso e
controle.
A formao tcnica , de forma geral, responsvel por profissionais bem sucedidos, em muitos casos,
o profissional est na contra mo do desemprego, no so eles que vo atrs das empresas, so as empresas
que os procuram.
O profissional Tcnico em Eletrnica capaz de pensar, resolver, pesquisar, aprender e agir sobre a
tecnologia eletrnica, permitindo a ele atuar no campo de desenvolvimento e projetos de circuitos e
equipamentos eletrnicos, na conservao e manuteno de equipamentos da rea, em coordenao e
conduo de equipes de trabalho e aplicao de normas tcnicas.
Esta apostila rene conceitos, textos e aplicaes que orientam o desenvolvimento de nossos estudos
dentro da disciplina de Eletrnica Bsica, buscando a metodologia de integrao entre a parte conceitual e
aplicao do conhecimento adquirido, fazendo da parte conceitual base solida para fundamentar a aplicao e
esta o alicerce de construo do conhecimento.

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FONTE DE ALIMENTAO

A maioria dos circuitos eletrnica requer corrente contnua para a operao. Aparelhos que usam a
rede eltrica precisam de um circuito para converter a tenso alternada para tenso ou tenses contnuas
necessrias. Mesmo em aparelhos que usam pilhas ou baterias, pode haver necessidade de converso da
tenso destas para nveis de operao dos circuitos.
Uma fonte ideal no deve apresentar perdas, a tenso fornecida deve ser contnua pura, sem
ondulaes e constante, independente da variao da carga. evidente que isso no existe na prtica, mas a
evoluo dos circuitos (de fontes ou quaisquer outros) ocorre sempre no sentido da aproximao com o ideal.
O propsito comear a partir dos conceitos mais simples e chegar at aos arranjos mais utilizados nos tempos
atuais

Observao: transformadores so componentes quase sempre presentes em fontes de alimentao.

RETIFICAO

O processo fundamental da fonte a retificao, isto , a transformao da corrente alternada em

contnua. Isto feito normalmente por diodos, componentes que s permitem a passagem da corrente em
uma direo. O exemplo mais simples de fonte: o transformador reduz ou eleva a tenso da rede para o valor
desejado e um nico diodo s permite a passagem dos semiciclos positivos. Por isso, chamado retificador de
meia-onda.

Tenso na carga = VP

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O resultado uma corrente contnua pulsante, de valor de pico teoricamente igual ao valor de pico da
tenso do secundrio do transformador.
O circuito anterior pouco eficiente e de elevada ondulao, pois a metade do ciclo no aproveitada.

RETIFICADOR ONDA COMPLETA

O secundrio do transformador center

tape, com a derivao central como referencial, devendo

cada lado ter a tenso desejada na sada da fonte.

A ondulao da corrente de sada visivelmente menor que a do circuito de meia-onda.

Center Tape

No circuito com

ponte de diodos faz-se o mesmo trabalho de retificao em onda completa

sem necessidade de duplo secundrio no transformador. A contrapartida o uso de quatro diodos em vez de
dois.
Assim pode-se notar que a tenso na carga RL a tenso de pico de sada do transformador, sendo
ento: VRL = VP

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FILTRAGEM
Para obter-se uma tenso de nvel DC (contnua) o mais prxima do ideal, utiliza-se o processo de
filtragem com capacitor.
O capacitor de filtro, ir se carregar com a tenso de entrada at atingir Vmax. A partir da, como seu
potencial maior que a entrada, iniciar um processo descarga atravs de RL at que um novo semiciclo
reinicie um processo de carga.

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Anlise.
Transformador: deve ser especificado em Vac tanto para o primrio como para o secundrio, indicar o
tipo e a corrente mxima do secundrio (Is Max),

Vp = Vac/ 0 ,70 7

I sec IRl max

Diodos: deve se especificar a corrente direta(Id) e a tenso reversa(Vr).

Id IRL

Vr Vp

Capacitor: deve especificar o tipo, sendo que geralmente se utiliza o eletroltico devido a altas
capacitncias, sua capacitncia e sua tenso de trabalho.

C = IRL / F Vond
onde :
F = frequencia para retificadores onda completa 120 Hz
Vond = Tenso de ondulao (ripple)

Carga: deve especificar a Corrente de consumo, a tenso Vcc, a Potncia dissipada e a Resistncia
mnima.

IRL = VRL / RL

Vcc = Vp

P = VRL IRL

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EXPERIMENTO: RETIFICAO E FILTRAGEM

1.

Circuito Retificador onda completa com Trafo CT.

D1

trafo
12-0-12

C1

RL
470R

D2

Trafo: Is = 500 ma
C1 = 330F e 1000 F

1.1)

Atravs de procedimentos tericos, especifique o projeto.

1.2)

Montar o circuito e efetuar as medies utilizando o osciloscpio e o multmetro, para os dois valores
do capacitor C1.

1.3)

Desenhar as formas de onda em cada ponto relevante do circuito

1.4)

Comparar e concluir com os resultados tericos.

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Circuito

2.

C1

trafo
12-0-12

RL
470R

Trafo: Is = 500 ma
C1 = 330F e 1000 F

2.1)

Atravs de procedimentos tericos, especifique o projeto.

2.2)

Montar o circuito e efetuar as medies utilizando o osciloscpio e o multmetro, para os dois valores
do capacitor C1.

2.3)

Desenhar as formas de onda em cada ponto relevante do circuito.

2.4)

Comparar e concluir com os resultados tericos.

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TRANSISTORES BIPOLARES
1951 a data de incio da Eletrnica Transistorizada, um dispositivo semicondutor capaz de amplificar
sinais eltricos, como sinais de rdio e TV, que at ento era papel das vlvulas.
O Transistor bipolar substitui as vlvulas, e entre vrias vantagens , podemos citar: a)pr ser um dispositivo
semicondutor ele pode durar indefinidamente, b) no possui filamento, logo no requer consumo de potncia
alta, c)suas dimenses so bastante miniaturalizadas, d) suas caractersticas de rigidez fsica permite circuitos
mais dinmicos.
Um transistor bipolar formado atravs de trs blocos semicondutores, divididos em dois tipos, npn
ou pnp, onde o bloco central denomina-se base, e os outros coletor e emissor. Podemos notar que o bloco da
base menor que os outros dois blocos, isto ser a principal caracterstica para seu funcionamento.
Abaixo se demonstra a construo em blocos e a simbologia dos transistores bipolares.

Corrente coletor - emissor

coletor
PNP

NPN

C
Corrente de
Base

base

emissor

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EFEITO TRANSISTOR.

+ VCC
Q1
NPN
+ VBB

Observamos no diagrama, que o transistor est polarizado em sua

juno base-emissor atravs de Vbb, e a juno coletor-emissor
atravs de Vcc.

A Vbb polariza diretamente a juno base-emissor, no entanto Vcc polariza reversamente a juno
coletor-emissor.
Adotando o sentido real de corrente eltrica, teremos uma corrente circulando entre emissor-base,
esta corrente ter um valor muito baixo devido a base ser fisicamente menor que os outros blocos
semicondutores, o maior fluxo de corrente ir para o coletor , atrado pela Vcc, mesmo esta juno estando
polarizada reversamente.
Podemos afirmar que a corrente de base (muito pequena) controla o fechamento entre coletor
emissor, conseqentemente a corrente de coletor-emissor, a esta caracterstica chamamos de efeito
transistor.
Abaixo observamos o diagrama esquemtico das correntes do transistor, a corrente Ic ser
praticamente igual IE, que controlada pela corrente IB.

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IDENTIFICAO DE TERMINAIS E POLARIDADE (NPN OU PNP)

1) Identificao da Base (para transistores NPN ou PNP)

Mea as resistncias direta e reversa entre os terminais do
transistor, dois a dois, at que um par resulte em resistncias
ALTAS nos dois sentidos, o terminal que no fizer parte desta
ltima medida a base.
Obs: A base no , necessariamente, o terminal central do
transistor.
2) Identificao do Coletor, do Emissor e da Polaridade do Transistor.
Mea as resistncias diretas entre a base e os dois outros terminais. Tais medidas identificaro a polaridade do
transistor, sendo NPN se a resistncia direta for medida com a ponta de prova positiva (+) na base, e PNP se a
resistncia direta for medida com a ponta de prova negativa (-) na base.
A identificao do coletor e do emissor feita pela comparao entre as medidas das resistncias diretas
(BAIXAS).
As figuras abaixo mostram como a polaridade do transistor e os terminais coletor e emissor podem ser
identificados, considerando como exemplo o terminal
central como base.
A resistncia BAIXA de

maior

valor identifica o

emissor.
A diferena entre as resistncias BAIXAS de menor e de
maior valores no grande; portanto, essas medidas
devem ser realizadas com cuidado.

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ATIVIDADE

Utilizando o Multmetro digital na escala de semicondutores,

Identificar o cdigo do fabricante.

Identificar os terminais dos transistores abaixo. (coletor/emissor/base)
Identificar o tipo. (NPN ou PNP)
Identificar o material. (Silcio ou Germnio)

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CURVA CARACTERSTICA.

A curva caracterstica de um
transistor bipolar descreve seu
funcionamento

de

forma

completa para interpretao

geral. Formada pelos eixos da
corrente de coletor IC em
funo da tenso VCE, tendo
as correntes de base em suas
funes, temos dois pontos
nesta, que so: o valor IC
mxima. (VCC/RC) e o valor de
Vcc, da unio destes pontos
traa a chamada reta de carga, que tem o ponto Q (quiescente) se deslocando sobre ela.
A projeo perpendicular do ponto Q ao eixo IC indica o valor de corrente de coletor, e a projeo
perpendicular do ponto Q ao eixo VCE indica o valor da tenso entre coletor-emissor.
A tabela abaixo mostra as tenses e correntes do transistor, verifique a integrao entre a tabela e a
curva caracterstica.

IB

IC

VCE

Corte

mnima

zero

Vcc

Saturao

mxima

Ic mxima.

zero

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EXPERIMENTO: VERIFICAO E COMPROVAO DOS PARMETROS DE UM

TRANSISTOR
1) Circuito:

Vcc
12V

470R

D1
LED1

VB
12V

RB
Q1
BC548

2) Montar o circuito.
3) Efetuar as medidas para preencher a tabela 1.

RB

Ib
(terica)

Ib
(medida)

IC
(medida)

Vce
(medida)

6,8 M
2,7 M
1M
560 K
270 K
180 K
100 K
Tabela 1
4) Compare os resultados obtidos na tabela 1, com a curva caracterstica do transistor, observando os
parmetros de funcionamento do componente.
5) Construa a curva caracterstica do transistor, conforme os valores obtidos na tabela 1.
6) Mantenha a montagem do circuito 1 porm fixando o valor de RB em 100K e variando a tenso de entrada
Vin, completando a tabela 2

Vin
2V
4V
6V
8V
10V
12V

IB
terica

IB
medida

IC
VCE
medida medida

Tabela 2

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QUESTES

01- Explique e exemplifique a estrutura fsica de um transistor bipolar.

02- Explique o efeito transistor, relacionando-o com amplificador de corrente.
03- Em um transistor NPN os portadores majoritrios da base so:
a) eltrons livres
b) lacunas
c)

ambos

04- A barreira de potencial em cada depresso, consecutivamente para o Si e Ge , aproximadamente:

a) 0,7v e 0,3v
b) 0,3v e 0,7v
05- Para operar como amplificador de corrente, a juno base-emissor deve ser polarizada :
a) diretamente
b) reversamente
c)

ambas

06- Justifique a resposta da questo 05.

07- A corrente de emissor IE a somatria de:
a) IB + IE
b) IB + IC
c)

Nenhuma das anteriores.

08- A corrente de coletor IC controlada pela:

a) Vcc
b) IB
c)

IE

d) Nenhuma das anteriores

09- Justifique a resposta da questo 08.
10- Sabendo-se que o ganho de corrente em um transistor chamado de Beta , e determinado pela relao
da corrente de sada em funo da entrada, determine a equao de ganho Beta.

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11- Se o Beta de um transistor for 200 e a corrente de coletor for 100mA, calcule a corrente de base.
12- Explique e esquematize o processo de testes que podem ser efetuados em transistores utilizando o
multmetro digital.
13- Equacione a Potncia dissipada pelo transistor bipolar.
14- A tenso de base-emissor ser uma tenso de valor fixo, devido polarizao direta, sendo esta tenso de
valor da barreira de potencial.
A afirmao acima est correta? Justifique.
15- A corrente de coletor de 5mA e a corrente de base de 0,02mA. Qual o valor de Beta?
16- Um transistor tem um ganho de 125 e uma corrente de base de 30A. Calcule a corrente de coletor.
17- Se um transistor operar no meio da reta de carga , um aumento na resistncia da base far o ponto Q se
mover
a) para baixo
b) para cima
c)

ficar no mesmo lugar

d) para fora da reta de carga

18- Justifique a questo 17.
19- Se um transistor opera no meio da reta de carga, um aumento no ganho de corrente mover o ponto Q
a) para baixo
b) para cima
c)

ficar no mesmo lugar

d) para fora da reta de carga

20- Quando o resistor de base diminui, a tenso do coletor provavelmente
a) diminuir
b) aumentar
c)

permanecer igual

21- Justifique a questo 20.

22- Suponha que o resistor de base esteja aberto, qual ser o valor da tenso no coletor? Justifique.
23- Qual ser o valor da tenso entre coletor e emissor quando o transistor estiver em saturao? Justifique.
24- Construa uma curva caracterstica de um transistor bipolar, explicando-a.

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TRANSISTOR POLARIZADO COMO CHAVEADOR

Chamamos de polarizao de um transistor o circuito, na maioria resistivo, onde aplicamos

determinadas tenses e correntes calculadas a fim de situarmos o ponto quiescente em um local da reta de
carga.
Conforme polarizao, um transistor pode operar em trs regies distintas, a de corte, a ativa e a de saturao.
Na regio ativa, o transistor utilizado como amplificador . Nas regies de corte e saturao, utilizado como
chaveador (interruptor), servindo para comutao, conduzindo ou no.
A polarizao determinada de forma a situar o ponto quiescente na regio de corte, quando a IB for a
mnima, e na regio de saturao quando a IB estiver com valor mximo, esta condio retoma a curva
caracterstica e relaciona o ganho de um transistor sendo Beta () sendo, =IC / IB
Para fins de calculo, utilizamos em projeto a corrente de base na saturao IBsat , um valor que
assegura o fechamento total entre coletor e emissor, que ser adotado um Beta igual a 10 , assim teremos
IB= IC / sat
Para o transistor operar na regio de corte, ou seja, chave aberta necessrio que o potencial de VBB seja
menor que VBE , sendo assim VCE aproximadamente igual a VCC , e para regio de saturao VBB deve ser
maior que VBE fazendo ento a VCE atingir um valor de VCE saturao , sendo ento VCE aproximadamente
igual a zero.

Circuito Transistor como Chave

D1
LED1

Anlise
Clculo de RC

Rc

VBB
+V

+ Vcc

RC = VCC - VRL - VCEsat / IC

Rb
S1

Q1
NPN

Sendo IC = IRL
Clculo de IB sat
IB sat = IC / sat
sendo sat = 10 adotado.
Clculo de RB
RB = VBB VBE / IB sat

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EXPERIMENTO: TRANSISTOR CHAVEADOR

Ttulo: Polarizao, montagem e testes prticos de um circuito polarizador de transistor como chaveador.

Circuito:

D1
LED1

Transistor BC 548

Rc

Vcc

Vce sat= 0.1v

Vl = 1.7v

+V

+ Vcc
Rb
S1

Q1
NPN

IL = 20 mA
Vcc = 12v

Testes:
A) Calcular o valor de Rb e Rc para o circuito (adotar Rb= 5K6 e Rc = 470 )

B) Montar o circuito e observar o funcionamento.

C) Medir o valor de Vce em corte e saturao

D) Medir o valor de Ic em saturao e corte.

E) Medir o valor de Vbe em saturao e corte.

F) Concluses gerais.

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POLARIZAO DE TRANSISTORES

Como vimos, para uma melhor condio de aproveitamento da funo efeito transistor devemos
polarizar a juno base/coletor reversamente, e aplicarmos valores de corrente de coletor, emissor e base de
acordo com onde queremos o ponto quiescente.

Polarizando um transistor para que o mesmo opere em uma regio de trabalho, sendo um
amplificador de corrente , analisaremos dois tipos de polarizao: - polarizao de IB constante, e
polarizao de IB varivel .

Polarizao de IB constante utilizaremos quando o valor da corrente de base se comportar de forma

constante e sem varries, onde o ponto quiescente ficar em um local fixo na reta de carga.

+ Vcc
Rc

Rb

Q1
NPN

Re

CIRCUITO E ANLISE
Clculo de IB:
IB = IC /

utilizar o Beta nominal do transistor

Clculo do RB:
RB = VCC VBE VRE / IB

onde

# VBE de acordo com o transistor

# VRE = VCC / 10 para projeto

Clculo de RC:
RC = VCC VCE VRE / IC
Clculo de IE:
IE = IB + IC quando o Beta for maior ou igual a 100 podemos desprezar o valor de IB.

20

Clculo de RE:

RE = VRE / IE

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EXPERIMENTO: POLARIZAO DE TRANSISTOR IB CONSTANTE

Ttulo: Polarizao, montagem e testes prticos de um circuito polarizador de transistor com corrente de base
IB constante.

+ Vcc

Transistor BC 548

Rb

Rc

Rb = 100 K
150 K

Q1
NPN

220 K
Rc = 330
Re

Re = 100
Vcc = 12V

1. Preencha a tabela abaixo, com valores obtidos no experimento:

Rb

100 K

150 K

220 K

Ib

Ic

Ie

Vbe

Vce

Vrb

Vrc

Vre

Vcc

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2. Efetue as comprovaes conceituais com os valores obtidos no experimento, analisando os resultados:

a) Vcc=Vrc+Vce+Vre
b) Vin=Vrb+Vbe+Vre
c)

Ic=Vrc/Rc

d) Ib=Vrb/Rb

3. Calcule pelos valores obtidos no experimento o Beta do transistor.

4. Compare os resultados atravs de clculos, faa a curva caracterstica.

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POLARIZAO DE TRANSISTOR COM DIVISOR DE IB (IB VARIVEL)

O circuito polarizador de transistor utilizando o divisor de tenso de base utilizado com maior
freqncia para circuitos em que o sinal de entrada tem funo varivel, alm de se obter uma melhoria em
relao estabilizao trmica.

+ Vcc
Rb1

Rc

Q1
NPN

Rb2

Re

ANLISE DO CIRCUITO
Analisando a malha de entrada, teremos um divisor de tenso formado por RB1 e RB2, nesta malha a corrente
do divisor ( ID ) ter um valor para efeito de clculo adotado como sendo: ID = IC / 10.
Lembrando que a corrente IB ser a corrente de entrada, que ir variar o ponto quiescente na reta de carga.
Observando o RB2 , notamos que o mesmo encontra-se em paralelo com a malha em srie de RE e a juno
base / emissor, portanto:
VBE + VRE = VRB2
Logo:
RB2 = VRB2 / ID
Ainda analisando o divisor de tenso, temos que a tenso total aplicada ao divisor resistivo a VCC , logo
deduzimos que:
VCC VRB2 = VRB1
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Logo:
RB1 = VRB1 / ID
Para a malha de sada teremos o RC sendo o limitador e polarizador de IC, ento temos:
RC = VRC / IC
Sendo:
VRC = VCC VCE VRE

O resistor RE utilizado para estabilizao trmica calculado sendo:

RE = VRE / IE

Sabendo que:
VRE = VCC / 10
e
IE = IC + IB

podendo IB ser desprezada quando Beta for maior que 100.

24

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EXPERIMENTO: POLARIZAO DE TRANSISTOR DIV. TENSO BASE

Experimento: Polarizao de Transistor Bipolar, atravs de divisor de tenso de base.
1.

Analisando o circuito abaixo e sua curva caracterstica, preencha atravs de procedimentos tericos
(clculos), a tabela 1:

+ Vcc
27 mA

Rc

Rb1

Q1
NPN

Re

Rb2

12V

Usar para o clculo Id = 10% ICmax

2.

Aps os procedimentos e anlises tericas, monte o circuito e efetue as medidas, preenchendo a

tabela 1
Valores

Valores

tericos

experimento

Vcc
Vrc
Vre
Vce
Vrb1
Vrb2
Vbe
Icmax

Apenas terico

Irc
Irb1
Irb2
Rc
Re
Rb1
Rb2
Tabela 1

3.

Compare os valores tericos e experiemntais, justifique-os atravs dos elementos conceituais e

matemticos, reescreva a curva caracterstica pelos valores edo experimento.
25

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EXERCCIOS

01- No circuito abaixo, sabendose que todos Resistores de base esto dimensionados para a saturao
dos transistores, preencha o quadro indicando aceso ou apagado, para a condio do LED.

R8

R6

R9

R7
D1
LED1

S1

+ V1
R3

R2

R1
Q1

Q3

Q2

S2

S1

S2

LED

26

R5

R4
Q4

Q5

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ATIVIDADES:

01) Para o circuito abaixo, transistor chaveador, calcule o que se pede:

Tr = Si
RL

Vcc = 20V

Rc

Calcule:
RC= ...........

Vbb = 5 V
+ Vcc
Rb

RB= ...........

VRL = 5,3 V

Q1
NPN
+ Vbb

PRL = 25 mW
Vce sat = 0,2 V

02) Para o circuito abaixo, polarizador com IB constante, calcule o que se pede:

+ Vcc

Tr = Si

RC= ................

Beta = 100

Q1
NPN

RB=................

Vcc = 20V

Rc

Calcule:

Vce = 4V

Rb

RE= .................

Re

Ic = 30 mA

03) Para o circuito abaixo, polarizador por divisor de tenso de base, calcule o que se pede:

+ Vcc
Rc

Q1
NPN

Rb2

Re

Tr = Si

RC=......................

Vcc = 30V

Rb1

RE=.......................

Vce = 15V

RB1=.....................

Ic = 40 mA

RB2=......................

04) Analisando o circuito do exerccio 02, supondo que o resistor RB abra, qual ser a tenso entre coletor e
emissor do transistor? Justifique sua resposta.
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EXPERIMENTO: AMPLIFICADOR TRANSISTORIZADO

Ttulo: Amplificador de pequenos sinais, usando o transistor bipolar e levantamento da curva de resposta em
freqncia.

Rb1
5K6

+ Vcc
12V

Rc
330
C2
1uF

Vin

C1
1uF

Vout

Q1
548

Rb2
1k2

Re
100

+
C3
100uF

a) Montar o circuito e aplicar na entrada um sinal senoidal de 100m Vpp, com freqncia de acordo com a
tabela abaixo, medindo o valor do sinal de sada.
Calcule o ganho AV para cada freqncia e preencha a tabela.
Vin freq.

Vout volt

Av

200 Hz
300 Hz
500 Hz
2 KHz
6 KHz
20 KHz
40 KHz
100 KHz
300 KHz
500 KHz
800 KHz
1 MHz
1,5 MHz

C) Construa o grfico AV x freqncia ( curva de resposta em freqncia) .

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MULTIVIBRADOR BIESTVEL TRANSISTORIZADO

O circuito opera como uma chave comutadora liga/desliga utilizando um pulso de disparo nico, assim
podendo obter uma alterao de estado alto e baixo atravs de um mesmo pulso de disparo. Este circuito
muito til quando precisamos alterar de estado (alto ou baixo) e dispomos de apenas um circuito nico de
disparo.
Funcionamento:
Inicialmente supomos Q1 aberto e Q2 saturado, assim no coletor de Q2 tem-se uma tenso
aproximada de 0v que atravs de R2 carrega C2, ao mesmo tempo polariza a base de Q1 atravs de RB1 na
posio de corte, a tenso no coletor de Q1 polariza atravs de RB2 o Q2 em saturao, esta situao se
manter sem alterao.
Quando se aplica um pulso em S1, o capacitor C2 se descarrega bruscamente aplicado na base de Q2
atravs de D2 uma diminuio brusca de tenso fazendo Q1 saturar, esta situao permanecer inalterada at
que haja um pulso em S1 ocorrendo o evento idntico ao citado porm na malha D1, C1.

EXPERIMENTO: BIESTVEL TRANSISTORIZADO

12V
+V

RC2
10k

RC1
10k
RB2
100k
R8
470R

RB1
100k

Q2

Q1
R1
120k
D1

R2
120k

D2

LED1

C1
1KpF

C2
1KpF

S1

29

12V
+V
R7
120k

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MULTIVIBRADORES ASTVEL E MONOESTVEL

Os circuitos multivibradores so geradores de onda de tenso quadrada que so utilizadas em grande
escala em circuitos eletrnicos, podendo ser divididos em dois circuitos bsicos:
Monoestvel (temporizador), circuito que permanece em um estado estvel num tempo
indeterminado enquanto no houver um sinal de disparo externo para que possa passar para o outro
estado, este estado no entanto determinado por um tempo.
Astvel (oscilador), circuito que fornece uma forma de onda quadrada oscilante que possui um tempo
em alto e um tempo em baixa, sem a necessidade de um pulso externo.
Circuito Monoestvel Disparo down
Para analisarmos o circuito monoestvel observaremos o
circuito, no perodo chamado estvel ou repouso, a condio
dos transistores Q1 e Q2 que esto polarizados como
chaveadores se apresenta da seguinte forma: Q2 saturado,
determinando uma tenso aproximadamente igual a zero na
base de Q1, fazendo este ficar em corte. Esta situao
permanecer inalterada, que chamaremos de estado de
repouso.

Vcc

RC1

RC2

RT
CT

RB1

Q1

Q2

Neste instante conveniente analisarmos algumas tenses

D1
existentes no circuito, estas tenses sero em relao ao
referencial; na base de Q2 devido polarizao direta entre
S1
base/emissor tem-se a tenso da barreira de potencial,
aproximadamente 0,7v implicando em uma polarizao de
saturao do mesmo onde, no coletor ter
aproximadamente uma tenso nula, a tenso nula do coletor de Q2 aplicada na base de Q1 fazendo este se
manter aberto.
No instante em que se dado um pulso na chave S1, a tenso de polarizao de Q2 deixar de existir
fazendo Q2 abrir elevando a tenso em seu coletor que far Q1 fechar, neste instante a tenso na base de Q2
vai a valores negativos devido inverso de polarizao do capacitor CT que ir aumentando at novamente
atingir a barreira de potencial de Q2, este processo tem tempo de durao que depende de: T = RT . CT . 0,693

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Circuito Monoestvel Disparo up

O circuito monoestvel com disparo em up ter

Vcc

o mesmo funcionamento operacional que o descrito

acima, no entanto o seu disparo ser aplicando uma

RC1

RC2

RT

tenso de transio up nos emissores dos transistores,

RB1

CT

Vcc

processo de temporizao.

Q2

Q1

fazendo a inverso dos estados e assim iniciando o

S1
+
Cd

R2
1k

EXERCCIOS.
1.

Calcule o que est sendo pedido;

a)

Ta= 4s , CT= 470F,

RT= ?

b) Ta= 4s, CT=?

RT= 10K

c)

Ta=? ,

CT= 470F,

RT= 15K

d) Ta=? ,

CT= 470F,

RT= 22K

e)

Ta= 4s, CT=?

RT=22K

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2.

O circuito abaixo temporiza o disparo de um alarme, preciso calibr-lo para que seu tempo em alto
seja de 2,2295625 segundos, calcule o valor do Rx para esta condio.
Vcc

RC1
1k

RT
10k
RC2
1k

Rx
CT
470uF
+

RB1
100k

Q2

Q1

D1

S1

3.

Construa o grfico sobreposto do circuito acima com seus valores, sendo: Disparo, Base Q2, Coletor
Q2 e Coletor de Q1.

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EXPERIMENTO: CIRCUITO MULTIVIBRADOR MONOESTVEL.

12V
Vcc
R3
470R

RT
27 k

RC1
1,8 k
CT
330uF
+

RC2
1,8 k
RB1
10k

D3
LED1
R4
220k

Q3
BC548
12V
Vcc

Q2
BC548

Q1
BC548

+
S1
Cd
680uF

R2
100 R

1. ANALISE E DESCREVA O FUNCIONAMENTO DO CIRCUITO ABAIXO:

2.

Construa o grfico sobreposto do circuito com os valores calculados, sendo: Disparo, Base de Q2,
Coletor Q2, Coletor Q1, Coletor Q3 e situao do led1.

3.

Monte o circuito e mea o tempo ativo do circuito.

4.

Compare os valores tericos e experimentais, aps estabelea um comentrio conclusivo.

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MULTIVIBRADOR ASTVEL
Um astvel um oscilador, e para analisar o seu funcionamento consideremos como ponto de partida
(t=0) o instante em que o Q1, na Fig1, estando cortado passa a saturado, ocorrendo o oposto com Q2.

Fig1.
(a)

(b)

Observe na Fig1b que Q2 comea a conduzir (fechar) quando Vc1 = barreira de potencial da
juno base-emissor, a tenso do emissor de Q2 faz Q1 abrir e iniciar o processo de carga atravs de
R2-C2, at a tenso na base de Q1 atingir o valor da barreira de potencial e fechar Q1 como mostra a
fig2.
Fig2

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Como pode ser visto atravs do grfico sobreposto, a base de tempo formado por RT1 e CT1
determina o tempo em alto de Q2 e, a base de tempo formado por RT2 e CT2 determina o tempo em alto de
Q1, sendo a constante de tempo dado pela equao Ta = Rt .CT . 0,693 .
Como o estado de um transistor depende do estado do outro, pode-se concluir que TaQ1 = TbQ2 e TaQ2
= TbQ1 ,

assim a freqncia de oscilao ser:

F = 1 / TT , onde,
TT = Tempo total

TaQ1 + TbQ1

EXERCCIOS:
1.

Para o circuito abaixo:

Vcc

RT1
10k

RC1
1,8 k

RT2
22k

RC2
1,8 k

CT2
150KpF

CT1
150KpF
+

+
Q2

Q1

a) Calcule o tempo em alto e baixo de Q1 e Q2

b) Calcule a freqncia de oscilao do Q1 e Q2
c) Construa o grfico sobreposto do circuito com valores.

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EXPERIMENTO: CIRCUITO MULTIVIBRADOR ASTVEL.

Sendo o circuito abaixo;

12V
Vcc

RT1
10k

RC1
1,8 k
CT1
1KpF
+

RT2
22k
CT2
1KpF
+

Q2
BC548

Q1
BC548

a)

RC2
1,8 k

Calcule o tempo em alto e baixo de Q1 e Q2

b) Calcule a freqncia de oscilao.

c)

Coloque o canal 1 do osciloscpio na base de Q1 e no coletor de Q1 o canal 2, efetue as medidas e

desenhe as formas de onda.

d) Repita o mesmo procedimento para o Q2.

e)

Compare os valores tericos e experimentais.

f)

Elabore a concluso.

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EXERCCIOS:

Sendo o circuito abaixo;

12V
Vcc

R1
1k

R2
500k

C2
1uF
+

R3
100k

C1
470uF
+

Q2

Q1

Q3

D1

S1

Construa o grfico sobreposto com valores dos pontos:

Disparo S1

Base de Q2

Base de Q4

Base de Q3

Coletor de Q4

R6
25k

R5
1k

R4
1k

Coletor de Q3

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R7
35k

R8
1K

C3
1uF
+
Q4

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REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS :

CAPUANO, Francisco e MARINO, Maria. Laboratrio de Eletricidade e Eletrnica. So Paulo: rica, 1995.

MALVINO, Albert P. Eletrnica . vol.1 e 2 . Pearson Education do Brasil Ltda., 1997.

MARKUS, Otvio. Ensino Modular: Sistemas Analgicos - Circuitos com Diodos e Transistores. So Paulo: rica,
2000.

ALBUQUERQUE, Rmulo Oliveira. Anlise de Circuitos em corrente Alternada. So Paulo: rica.

ALBUQUERQUE, Rmulo Oliveira. Anlise de Circuitos em corrente Contnua. So Paulo: rica.

MARKUS, Otvio. Ensino Modular: Teoria e Desenvolvimento de Circuitos Eletrnicos. So Paulo: rica, 2000.

MARKUS, Otvio. Ensino Modular: Eletricidade Corrente Contnua. So Paulo: rica, 2000.

SIMONE, Glio Alusio. Transformadores Teoria e Exerccios. So Paulo: rica.

NETO, Vicente Soares e . Telecomunicaes Tecnologia de Centrais Telefnicas. So Paulo: rica.

LANDO, Roberto Antonio. Amplificador Operacional. So Paulo: rica.

GIORGINI, Marcelo. Automao Aplicada: Descrio e Implementao de Sistemas Seqenciais com PLCs. So
Paulo: rica.

BOYLESTAD, Robert L. Dispositivos eletrnicos e teoria de circuitos. So Paulo: Pearson Education do Brasil,
2004.

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