UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEAR CENTRO DE TECNOLOGIA DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA ELETRNICA ANALGICA

FET OPERANDO COMO CHAVE

Professor: Dr. Tobias Rafael Fernandes Neto Alunos: Danilo Cordeiro Andrade - 320754 Caio Carlos Vasconcelos de Aguiar - 337158

Fortaleza CE 02 de Julho de 2013

1. OBJETIVOS Produo de um drive de acionamento de MOSFET de potncia atravs de simulao e experimentao.

2. INTRODUO Sendo necessrio o acionamento de um MOSFET de potncia, faz-se necessrio a utilizao de um circuito de amplificao do pequeno sinal a ser utilizado como gatilho do dispositivo de potncia. Atravs da associao de TBJs PNP e NPN pode-se utilizar um sinal de pequena amplitude para chavear esses e obter no gate do MOSFET um sinal que o satura ou provoca seu corte. Segue abaixo um modelo de circuito de acionamento do dispositivo de potncia:

Figura 1. Circuito de drive utilizado.

O driver acima ser montado e testado para verificar sua aplicabilidade. 3. ESPECIFICAES, CONSIDERAES E MATERIAL UTILIZADO As seguintes especificaes foram utilizadas na prtica: VCC = VCD = 15 [V] HFE = =40 ID1 =400 mA VBE =0,7 [V] Vpulse = 2,7 [V] Fc: 10 [kHz] D1 1N4148 D2 1N4442 M1 IRF840 Q1, Q3 BC558 Q2 BC546 Multmetro, osciloscpio, gerador de funo, fonte de tenso CC.

4. ANLISE COMPUTACIONAL E SIMULAES Sendo a anlise computacional feita com valores de resistores j fornecidos durante a realizao da prtica pelo professor responsvel, obteve-se os resultados atravs do software OrCAD/PSPICE. Foi feita a simulao e mensurou-se, assim como na prtica, VC2, VE1, VGATE e VDRENO. Na pgina que segue se tem o circuito utilizado na simulao e as ondas plotadas.

Figura 2, 3, 4, 5, 6 e 7. Verifica-se de cima para baixo o circuito simulado, o ponto VIN, VC2, VE1, VGATE e VDRENO. Foi possvel observar que o chaveamento do Q2 provoca o acionamento do MOSFET de potncia. A onda de entrada est em fase com a tenso de sobre o emissor do Q1 e com a tenso de gate. A tenso sobre o dreno defasada de 180 graus da tenso de entrada, bem como a tenso sobre o coletor de Q2. A tenso VIN apresenta variao de 0 a 2,7 volts; a tenso sobre o coletor de Q2 tem pico de 15 volts (VCC) mnimo de 0,2 volts; a tenso do emissor do Q1 varia de 0 a 14,3 volts; a tenso de gate do MOSFET varia de 0 a 14,2 volts; a tenso de dreno vai de 86 mV, devido resistncia interna a 15 volts (VDD).

5. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL 5.1 blabllabla

INSERIR IMAGEM AQUI Figuras 8, 9, 10, 11. Formas de ondas obtidas na prtica. De cima para baixo, tem-se tenso sobre coletor de Q2, tenso sobre emissor do Q1, tenso sobre gate do MOSFET e tenso sobre o dreno do MOSFET. COMENTRIO SOBRE O QUE ACONTECE, QLQR COISA TEM EXPLICAO ALI EM CIMA NA SIMULAO, BASTA FALAR Q REALMENTE ACONTECEU O ESPERADO E AFINS 6. QUESTIONRIO 6.1 Traar as formas de onda tenso experimental e simulada sobre os pontos de interesse. Esse item j foi realizado e comprovou-se o funcionamento do circuito. Ambos os casos, experimental e simulado foram coerentes com o esperado. 6.2 Comente a respeita das curvas traadas no item anterior tomando como referncia a funo do circuito. Mesma explicao que foi dada na simulao e comprovada no experimental!!! 6.3 Determinar perda do MOSFET em simulao. Esse tem que fazer umas contas escrotssimas. Copiar do allan :D 6.4 - Pesquisar a respeito dos tipos de encapsulamento dos MOSFET. Copiar da internet!!! 6.5 Apresentar circuito para acionamento de MOSFET de potncia (diferente do apresentado na prtica). Explicar seu funcionamento. Copiar da internet! 6.6 Explicar funo de D2 e R7 no circuito utilizado. Eu sei que o resistor deve servir pra a corrente poder sair pro neutro, POIS O GATE POSSUI ALTSSIMA IMPEDNCIA. O zener eu no sei. Perguntar pro allan! 6.7 Pesquisar aplicao do MOSFET atuando como chave. INTERNETT!!

7. CONCLUSO Concluir algo! O circuito funciona, deu tudo certo, visualizou-se que o gate apresenta impedncia elevada de fato e o MOSFET tem muitas apliacaes

8. BIBLIOGRAFIA BOYLESTAD, Robert L. Introduo Anlise de Circuitos Prentice Hall/Pearson, 10. Ed, 2004