PRÁTICA 9: FET OPERANDO COMO CHAVE

Aluno: Antônio Victor Gonçalves da Silva Matrícula: 20189036812

Prof. Marcos Eduardo do Prado Villarroel Zurita

Materiais Utilizados
Multímetro, osciloscópio, resistores, fonte de tensão regulável, gerador de sinais, transistor
MOSFET 2N7000 e LED.
INTRODUÇÃO
Este relatório provê um estudo aprofundado sobre o uso do transistor de efeito de campo de
semicondutor de óxido de metal (MOSFET) como um interruptor eletrônico. MOSFETs são
amplamente aplicados em eletrônica de potência, devido às suas características únicas, é adequado
para uso como chave liga / desliga em circuitos eletrônicos.
A operação do MOSFET como um interruptor depende de sua capacidade de controlar a corrente
entre o dreno e a fonte aplicando uma tensão de controle ao terminal gate. Quando o MOSFET está
conduzindo, a resistência entre o dreno e a fonte é baixa, permitindo que a corrente flua livremente.
Por outro lado, quando o MOSFET “desliga”, a resistência entre dreno e fonte aumenta e o fluxo de
corrente é cessado.
Os MOSFETs têm vantagens significantes sobre outros tipos de dispositivos de comutação, como
os transistores bipolares (TBJs). As principais vantagens incluem a baixa corrente de acionamento
necessário para operar como chave, alta impedância de entrada, capacidade de operar em altas
frequências e mínima dissipação de energia. Essas características tornam os MOSFETs ideais para
aplicações de eficiência energética, onde a velocidade de comutação e a dissipação de calor são
fatores importantes.
Nesse sentido, serão abordados os princípios de operação do MOSFET como chave, incluindo seus
modos de operação, curvas características e outros fatores pertinentes. Além disso, os experimentos
foram realizados via simulação em software e posteriormente em laboratório, para fatores de
comparação dos dados obtidos, como as curvas traçadas e os valores medidos.
EXPERIMENTOS
I. Métodos e Especificações
O experimento se resume em utilizar o MOSFET 2N7000, mostrado na figura 1, como uma chave
comutadora, controlando a tensão no gate (V gs) por meio de uma fonte de tensão variável, com valor
máximo e mínimo de 10 volts e 0 volt, respectivamente. Assim, quando V gs = 0 volt o MOSFET
está na região de corte e temos Id = 0 A, para o outro caso Vgs = 10 volts, tensão suficiente para
atingir a região de saturação do dispositivo e, portanto, surgir um valor de corrente I d. As
especificações do experimento são listadas abaixo, e o circuito experimental pode ser visto na figura
2:
 V 1=0 a10 [V ] (Tensão Vgs)
 V 2=15 [V ] (Tensão aplicada ao circuito de saída)
 R1=10 k [Ω ] (Resistor de entrada)
 R2=1 M [Ω] (Resistor de descarga)
 V led =2[V ] (Queda de tensão no led)
 I led max =15[mA ] (Corrente máxima no led)
  M 1=2 N 7000 (MOSFET utilizado)

II. Dimensionamento dos componentes

Considerando essas especificações e o circuito experimental, fica claro que é necessário
dimensionar o valor do resistor Rd utilizando esses dados fornecidos. Para isso devemos considerar
o valor da tensão Vds = 0 volt, pois queremos que o MOSFET se comporte como uma chave
fechada, um curto-circuito, quando estiver no estado “ligado”. Sendo assim, utilizando a lei das
tensões de Kirchhoff temos,
V 2−V led −V Rd=0 → 15−2−V Rd =0

V Rd=13 V

Analisando o circuito, fica perceptível que a corrente que passa por Rd também passa pelo LED,
portanto,
I led=I Rd =15 mA

Pela lei de Ohm, temos o valor da resistência

V Rd 13 V
Rd = = =866 , 6 Ω
I Rd 15 mA

O valor comercial utilizado para o resistor Rd foi de 910 Ω .

III. Simulações e Experimentos

Via simulação e implementação em laboratório, o objetivo inicial é fazer o preenchimento das
tabelas 1 e 2, para isso foi montado o circuito da figura 3 que apenas faz o acionamento do LED, e
anotado o valor da corrente na primeira linha da tabela. Para os demais valores, montamos o
circuito da figura 4, utilizando o MOSFET, e variamos a tensão V 1 até obtermos os valores de V gs
indicados, e para cada um deles, medimos os valores de Id e Vds.
Posteriormente, a fonte de tensão V1 foi substituída por um gerador de onda quadrada, com valor
máximo de 10 volts e mínimo de 0 volt, com frequência de 10 kHz. Foram plotadas as curvas das
tensões V1, Vds, e em Rd utilizando o osciloscópio, que são mostradas nas figuras 6 e 9. Por fim,
foram plotadas essas mesmas curvas, mas com uma mudança no circuito, foi removido o resistor R 2
para verificar a sua influência nas formas de onda, essas curvas são vistas nas figuras 8 e 10.

QUESTIONÁRIO
a) Traçar as formas de onda de tensão experimental para o MOSFET.
RESPOSTA: As curvas foram traçadas nas figuras 9 e 10.
b) Comente detalhadamente a respeito das curvas traçadas em (a) tomando como referência o
comportamento do circuito e a curva característica do circuito de saída.
RESPOSTA: Observando as curvas podemos comprovar o funcionamento correto do circuito, pois
quando a tensão de entrada está no valor máximo (10 volts), a tensão Vds assume o valor
aproximado de 0 volt, simulando um curto-circuito (chave fechada) pois o MOSFET está na região
de saturação, e a tensão em Rd, que representa a corrente Id, tem o valor máximo próximo de 15 mA.
Quando a tensão de entrada está em 0 volt, a tensão Vds vai para seu valor máximo, mostrando que o
MOSFET está na região de corte, e a tensão em Rd se aproxima de 0, comprovando a ausência de
corrente no MOSFET (circuito aberto).
c) Com base nos dados experimentais, o MOSFET efetivamente funcionou como chave? Caso
afirmativo, a partir de qual tensão VGS o mesmo pode ser considerado uma chave aberta ou uma
chave fechada.
RESPOSTA: Como foi dito na questão anterior, o MOSFET teve um funcionamento adequado
como chave. Pelos valores das tabelas 2, o MOSFET pode ser considerado uma chave aberta até o
valor VGS = 1,5 volt, e para o funcionamento de chave fechada temos o valor de VGS = 2,5 volts e
superiores.
d) Pesquisa no datasheet do MOSFET utilizado quais são suas principais características, como
valores máximos de tensão e corrente admissíveis.
RESPOSTA: As informações presentes no datasheet do MOSFET 2N7000 fornecem uma tensão Vds
máxima de 60 volts, uma corrente Id máxima de 0,2 A, dissipação de potência de 625 mW e
temperaturas de operação de -55 oC até 150 oC.
e) A partir dos dados experimentais, calcular qual o valor da resistência apresentada pelo MOSFET
entre os terminais D e S para Vgs = 0V, 2V, 4V e 10V.
RESPOSTA:
13 , 38V 491 , 8 mV
V gs =0 V → Rds = =86 , 32 MΩ V gs =2V → R ds = =40 ,57 Ω
155 n A 12 ,12 m A
43 , 7 mV 32 ,0 m V
V gs=4 V → R ds= =3 , 45 Ω V gs=10V → Rds= =2 ,52 Ω
12 , 64 m A 12 , 66 m A
f) Explique a razão da diferença apresentada das formas de onda de Vds e VRd entre os Quadros 1 e
2. Qual o papel de R2?
RESPOSTA: O resistor R2 faz a função de descarregar a potência excessiva fornecida pelo gerador
V1, diminuindo as variações indesejáveis da tensão Vgs e fornecendo um melhor funcionamento do
circuito. Ao retirar o resistor R2 percebeu-se uma pequena variação nos valores máximos e
mínimos das formas de onda, além de um ruído mais aparente.

CONCLUSÃO
Com a realização desse experimento, foi possível compreender como o FET é um componente
ótimo para esse tipo de aplicação, pois os resultados foram satisfatórios mesmo em uma alta
frequência de comutação, aliado a uma baixa dissipação de potência. Vale ressaltar que a pequena
divergência nos dados das tabelas e das formas de onda quando comparamos os valores reais e
simulado, se dá por uma pequena alteração no circuito, pois em laboratório não havia
disponibilidade de resistores de 910 Ω, portanto foi utilizado um resistor de 1 kΩ no lugar. Apesar
disso, os objetivos foram alcançados, com a implementação de um circuito simples foi possível
analisar, projetar e verificar o funcionamento do FET operando como chave.
REFERÊNCIAS
1. Prof. Otacílio M. Almeida, Prof. Marcos Zurita, Apostila Dispositivos Eletrônicos ver.1.1,
UFPI, 2022.
 Figura 5: Circuito para traçar as formas de onda

Figura 1: MOSFET 2N7000

Figura 2: Circuito experimental

Figura 6: Curvas V1 , Vds e Rd simuladas

Figura 3: Circuito de acionamento do LED Figura 7: Circuito sem o resistor R2 para traçar as
formas de onda

Figura 4: Circuito para preencher a tabela 1

Figura 8: Curvas V1 , Vds e Rd simuladas sem o

resistor R2
 Figura 9: Curvas V1 , Vds e Rd experimentais Figura 10: Curvas V1 , Vds e Rd experimentais sem o
resistor R2

Tabela 1: Valores simulados

V gs (V ) Id V ds V gs (V ) Id V ds
Apenas LED e Rd 14,2 mA - 4,0 14,1 mA 89,6 mA
0,0 155 pA 14,3 V 4,5 14,1 mA 74,6 mA
0,5 156 pA 14,3 V 5,0 14,1 mA 64,8 mA
1,0 156 pA 14,3 V 5,5 14,1 mA 57,9 mA
1,5 158 pA 14,3 V 6,0 14,1 mA 52,7 mA
2,0 158 pA 14,3 V 7,0 14,1 mA 45,5 mA
2,5 11,4 mA 2,57 V 8,0 14,1 mA 40,8 mA
3,0 14,0 mA 172 mV 9,0 14,1 mA 37,4 mA
3,5 14,0 mA 115 mA 10,0 14,1 mA 34,8 mA

Tabela 2: Valores experimentais

V gs (V ) Id V ds V gs (V ) Id V ds
Apenas LED e Rd 4,0
0,0 4,5
0,5 5,0
1,0 5,5
1,5 6,0
2,0 7,0
2,5 8,0
3,0 9,0
3,5 10,0