UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ

CAMPUS DE SOBRAL
CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA

CAP 4 – Transistores de Efeito de

Campo MOS (MOSFETs) – Parte 1

Disciplina: Eletrônica Analógica

 OBJETIVOS

Entender a estrutura e operação física dos MOSFETs;

Apresentar as características de corrente-tensão;

Analisar circuitos com MOSFETs em CC.

 INTRODUÇÃO

 Os MOSFETs são dispositivos de 3 terminais;

 O princípio básico de funcionamento é o uso de de uma
tensão entre 2 de seus terminais para controlar o fluxo de
corrente no terceiro terminal (amplificador ou chave);
 São utilizados em variadas aplicações que se estendem
desde a amplificação de sinais até o projeto de circuitos
lógicos e de memória;
 Comparado com o TBJ podem ser fabricado em dimensões
muito pequenas (> 200 milhôes em pastilhas simples de
CIs), porém em potências menores.
 ESTRUTURA FÍSICA – MOSFET CANAL n
 Substrato (corpo) – tipo p;
 Fonte (Source) e Dreno (Drain) fortemente dopados do tipo n;
 Porta (Gate) conectado a uma placa metalica (eletrodo de porta);
 Camada de óxido de silício (SiO2) isolante (Tipicamente tox = 2-50 nm);
 MOSFET CANAL n – OPERAÇÃO FÍSICA
 A tensão positiva aplicada a porta (VGS) faz com que as lacunas livres
sejam “empurradas” para baixo do substrato;
 A região de depleção fica repleta de ligações covalentes de cargas
negativas que ficaram descobertas devido às lacunas que foram
deslocadas para baixo;
 Além disso, a tensão positiva VGS atrai os elétrons das regiões n+ da
fonte e dreno;
 Como consequência, um
canal é formado quando um
número suficiente de elétrons
se acumula próximo à
superfície do substrato, sob a
porta (região n induzida)!
 Se VDS for aplicado,
circulará uma corrente pelo
“canal n”!
 MOSFET CANAL n – OPERAÇÃO FÍSICA
 A tensão VGS mínima necessária para que um número suficiente de
elétrons se acumule formando o canal é chamada “tensão de limiar”
(threshold voltage - Vt);
 Vt é um valor positivo (MOSFET canal n), normalmente numa faixa de
0,5 a 1 V, tipicamente;
 A porta e a região do canal formam um capacitor de placas paralelas
com o óxido de silício (SiO2) atuando como dielétrico;
 O campo elétrico resultante
deste capacitor controla a
quantidade de cargas no
canal, portanto determina
sua condutividade e a
corrente que circulará
quando VDS for aplicada!
 MOSFET CANAL n – OPERAÇÃO FÍSICA
 Para VDS pequeno (da ordem de 50 mV) o MOSFET opera na “região de
triodo”;
 O valor de ID depende da densidade de elétrons no canal, que por sua vez
depende de VGS;
 A condutância do canal será proporcional ao excesso de tensão (VGS - Vt),
também chamada de tensão efetiva ou sobretensão de condução!
 MOSFET CANAL n – OPERAÇÃO FÍSICA
 O canal não tem a profundidade uniforme (VGS = cte e VDS = Variável);
 A profundidade do canal é proporcional a tensão entre a porta e os pontos
do canal (variando de VGS, na fonte a VGS-VDS, no dreno);
 À medida que aumentamos VDS o canal se torna mais estreito e sua
resistência aumenta correspondentemente;
 Canal estrangulado(pinched-off): VGD ≤ Vt ou VGS-VDS ≤ Vt ou VDS ≥ VGS-Vt !
 MOSFET CANAL n – OPERAÇÃO FÍSICA

 Logo, define-se as regiões de operação: TRIODO E SATURAÇÃO!

 A tensão entre dreno e fonte a partir da qual o MOSFET entra em
saturação será VDSsat = VGS-Vt;
 Aumentando a tensão entre dreno e fonte além de VDSsat, não há mais
efeito sobre a forma do canal e a corrente ID “satura”!
 MOSFET CANAL n – OPERAÇÃO FÍSICA

 Determinação da relação: iD – VDS:

𝑊 1
• 𝑖𝐷 = 𝑘𝑛 ′ 𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 𝑣𝐷𝑆 − 𝑣𝐷𝑆 2 (Região de triodo)
𝐿 2

1 ′ 𝑊
• 𝑖𝐷 = 𝑘 𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 2 (Região de Saturação)
2 𝑛 𝐿

onde 𝑘𝑛 ′ = 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 .

𝑘𝑛 ′ - Parâmetro de transcondutância do processo (𝐴/𝑉 2 )

𝜇𝑛 - Mobilidade de elétrons no canal (𝑐𝑚2 /𝑉)
𝐶𝑜𝑥 - Capacitância do canal por unidade de área (F/𝑚2 )
𝑊 - Largura do canal (𝑐𝑚)
𝐿 - Comprimento do canal (𝑐𝑚)
MOSFETs - SIMBOLOGIA
MOSFET CANAL n:

MOSFET CANAL p:
 MOSFETs – REGIÕES DE OPERAÇÃO
 Regiões de operação: Triodo, Saturação e Corte.
• O MOSFET canal n opera na região de triodo quando VGS é maior que
Vt e a tensão de dreno é menor que a tensão na porta em pelo menos
Vt volts.
• O MOSFET canal n opera na região
de saturação quando VGS é maior
que Vt e a tensão de dreno não cair
abaixo da tensão de porta por mais
de Vt volts.
• O MOSFET canal n opera na região
de corte se VGS < Vt.
 MOSFETs – CIRCUITO EQUIVALENTE
 MODELO PARA GRANDES SINAIS:
 Na região de saturação a corrente ID tem um pequeno aumento com
VDS;
 Para reproduzir este efeito, uma resistência de saída é introduzida no
modelo:
𝑉𝐴
𝑟𝑜 = , onde VA é a tensão de Early.
𝐼𝐷
 EXEMPLOS
 Projete o circuito da figura abaixo de modo que o transistor opere
com ID = 0,4 mA e VD = 0,5 V. O transistor NMOS tem VT = 0,7 V,
2
µnCox = 100 µA/V, L = 1 µm e W = 32 µm. Despreze a modulação do
comprimento do canal (λ = 0).
 EXEMPLOS
 Projete o circuito abaixo para obter uma corrente de dreno ID = 80 µA. Dê
o valor necessário de R e calcule a tensão VD. Suponha que o transistor
2
NMOS tenha VT = 0,6 V, µnCox = 200 µA/V, L = 0,8 µm e W = 4 µm.
Despreze a modulação do comprimento do canal (λ = 0).
 EXEMPLOS
 Analise o circuito abaixo a fim de determinar todas as tensões nos nós e
correntes nos ramos. Suponha que o transistor NMOS tenha VT = 1 V e
, 2
kn = 1 mA/V. Despreze a modulação do comprimento do canal (λ = 0).