LAB-2 - Espelhos de Corrente

1)Objetivos: Familiarizar o aluno com o transistor MOSFET com aplicações do CI CD4007.

Espelhar ou replicar correntes, normalmente empregadas na polarização de CI´s.

 Introdução teórica:

Transistor de Efeito de Campo:

Um transistor bipolar de junção (TBJ) NPN ou PNP é um dispositivo de corrente

controlada no qual estão envolvidas correntes de elétrons e lacunas. O transistor de efeito de
campo (TEC) é unipolar. Ele opera como dispositivo de tensão controlada com a corrente de
elétrons no canal N ou a corrente de lacunas no canal P. Os dispositivos TBJ ou TEC podem
ser usados em um circuito amplificador (ou outros circuitos semelhantes, desde que sejam
adequadamente polarizados).
Existem dois tipos: o transistor de efeito de campo de junção (abreviadamente TECJ ou
JFET – Junction Field Effect Transistor) e o transistor de efeito de campo de porta isolada
(IGFET – Insulated Gate Field Effect Transistor), mais comumente chamado transistor metal-
óxido-semicondutor (TECMOS ou MOSFET – Metal-Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor).
O transistor de efeito de campo difere do transistor de junção bipolar nas seguintes
características importantes:
1. É de fabricação simples e ocupa menos espaço. O MOSFET quando integrado ocupa
menos da área da pastilha ocupada pelo transistor bipolar. Desta maneira, são
amplamente utilizados para integração em larga escala (LSI).
2. Em uma parte da faixa de operação dos MOSFET, eles atuam como elementos resistivos
controlados por tensão e ocupam área muito menor que o resistor de CI correspondente.
3. Apresenta alta impedância de entrada (até 10 14 Ω). Isto significa que a constante de
tempo do circuito de entrada é bastante grande para possibilitar que a carga armazenada
na pequena capacitância de entrada permaneça por tempo suficiente para que o
dispositivo seja utilizável como elemento de memória em circuitos digitais.
4. Possui capacidade de dissipar potências elevadas e comutar grandes correntes em
alguns nanossegundos.
5. É menos ruidoso do que um transistor bipolar, e, portanto mais adequando para estágios
de entrada de amplificadores de baixo nível (é extensivamente usado em receptores FM
de alta fidelidade).
6. Os MOSFETS quando utilizados na configuração complementar CMOS, a dissipação de
potência quiescente é essencialmente nula em baixas frequências.

As principais desvantagens do FET são apresentar uma relativamente pequena banda

de ganho em comparação com o TBJ e maior susceptibilidade a danos quando manuseado. O
uso de dielétrico de porta, normalmente dióxido de silício, apresenta uma das grandes
vantagens do MOSFET, conferindo lhe altíssima impedância de entrada, comparada aos
transistores BJTs. No entanto, este fato também traz uma grande desvantagem. O dióxido de
silício apresenta ruptura dielétrica para campos elétricos da ordem de 2 x 10 7 V/cm. Assim, um
transistor com espessura de óxido de porta de 10 nm, rompe com tensão da ordem de 20 V.

Característica de Transferência:
 A característica de transferência é um gráfico da corrente de dreno ID em função da
tensão porta-fonte, VGS, para um valor constante da tensão dreno-fonte, VDS. A característica
de transferência pode ser obtida diretamente a partir de medidas da operação do dispositivo ou
desenhada a partir das características de dreno.

Parâmetros do MOSFET:
Os fabricantes especificam vários parâmetros para descrever o dispositivo MOSFET e
tornar possível a escolha entre várias unidades. Alguns dos parâmetros mais úteis
especificados são:
• Cox – Capacitância do óxido
• Vt - Tensão de corte (estrangulamento) porta-fonte. A tensão porta-fonte, abaixo da qual, a
corrente no canal dreno-fonte é nula. Nos catálogos dos fabricantes, denotada por
VGS(OFF) ou Vt.
• gm - a transcondutância. O valor de gm diz quanto a corrente AC mudará quando se aplica
uma tensão porta-fonte AC. gm é medido em Siemens (S).

Normalmente também são fornecidos pelos fabricantes vários outros parâmetros

relacionados com a capacitância do dispositivo, tensão de ruído, tempos para ligar e desligar e
potência de operação.

O FET de Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFET)

A estrutura básica e o símbolo dos MOSFETs de canal N e canal P tipo depleção são
mostrados nas Figuras 1a e 1b, respectivamente. As Figuras 1c e 1d mostram a estrutura básica
e o símbolo dos MOSFETs de canal N e canal P tipo acumulação.
 Fig. 1 – Diagrama esquemático e símbolo do MOSFET: (a) tipo depleção canal N; (b) tipo
depleção canal P; (c) tipo acumulação canal N; (d) tipo acumulação canal P.

A diferença básica entre os MOSFETs tipo acumulação e depleção está no canal, ou

seja, no modo acumulação para se formar o canal, deve-se aplicar uma tensão de porta-fonte;
no modo depleção o canal já é formado (fabricado), e a tensão porta-fonte controla a largura
do mesmo. A Fig. 2 mostra as curvas de transferência do JFET e dos MOSFET tipo depleção
e acumulação.

Fig. 2 – Características de transferência: (a) do JFET; (b) do MOSFET canal N modo de

depleção; (c) do MOSFET canal N modo de acumulação.
O Circuito Integrado 4007
A pinagem da matriz de transistores CD4007 é mostrada na Fig. 3. Esta matriz é
constituída de 6 transistores MOSFET de acumulação, 3 de canal-P e 3 de canal-N, os quais
são conectados internamente com o objetivo de reduzir a quantidade de pinos no CI, mas por
outro lado reduzindo a flexibilidade.

Fig.3 –Pinagem da matriz de transistores CD4007

NOTAS: O pino 14 deve ser conectado no potencial mais positivo, e o pino 7 no potencial
mais negativo. Por uma questão de segurança, mantenha a tensão entre os pinos 7 e 14 abaixo
de 16 V para evitar tensão de ruptura. Esteja certo que foi desligada a alimentação antes de
alterar qualquer conexão do circuito.

2) Componentes:
Circuito integrado: CD 4007,
Resistores: 5.6K (2), 56K (2), 10k (2), 4.7K (4), 1k, 2,2k, 3,3k, 22k, 33k, 100k, 220k, 330k

3) Procedimentos:
3.1)Circuito: Espelho de Corrente MOSFET-P

Fig. 4.: Espelho de corrente simples com transistores canal-P.

O circuito mostrado na Fig.4 é conhecido como espelho de corrente, assim a corrente

ID no transistor M2 idealmente é duplicada (espelhada) como a corrente I B em M1. A corrente
no resistor RB é:

(1)
A corrente em ambas as portas é zero, pela KCL a corrente de dreno de M1 deve ser
igual a IB. A ação de espelhamento ocorre porque a configuração do circuito força M1 e M2
terem a mesma tensão fonte-porta VSG. Assim, sendo os transistores M1 e M2 casados
(fabricados na mesma pastilha de CI), tendo a mesma tensão V SG e estarem ambos operando
na saturação, eles terão, idealmente, a mesma corrente de dreno. I D = IB. Note que este
argumento não depende da lei quadrática do modelo devido justamente ao casamento.
A configuração de M1, com a porta e o dreno juntos, é equivalente a uma conexão diodo
para o MOSFET. Isto é porque o MOSFET vem a ser essencialmente um elemento de dois
terminais o qual somente conduz corrente quando a tensão exceder a tensão de limiar (similar
ao diodo, o qual somente conduz quando a tensão de diodo é excedida ≈ 0,7V). Note que a
conexão diodo deve estar na região de saturação, assim a conexão da porta com o dreno força
VGD = 0, o que assegura o estrangulamento (pinch off) do canal no terminal de dreno.
Neste laboratório será usado diferentes valores de R B para ajustar a corrente no MOSFET
conectado como diodo. Para resolver exatamente com V SG e RB o problema de projeto,
usaremos a equação quadrática a qual relaciona IB e VSG para o elemento de canal P:
 (2)
Para o CD4007 os parâmetros são os seguintes:

NMOS - N4007 PMOS - P4007

kn = 100 µA/V2 Kp = 50 µA/V2

Vtn = 2,0 V Vtp = -1,5 V

W = 30 µm W = 60 µm

L = 10 µm L = 10 µm
λn = 0,001 V-1 λp = 0,035 V-1

Onde kn = µnCox e kp = µpCox

Característica ID-VDS para vários valores de V GS (Canal-P)

A) Monte o circuito da Fig. 1. Para RB use 5,6 kΩ e 56 kΩ. Meça os valores dos resistores para
uma maior precisão.
B) Para cada valor de RB, meça o valor de VSG associado a cada um deles. Anote este valor
na tabela 1. Também, meça a queda de tensão V RB, calcule a corrente IB usando o valor de RB
do item 1, anote os valores na tabela 1.
C) Para cada valor de RB, substitua os diferentes valores de RLD indicado na tabela 1. Meça a
queda de tensão VLD através do resistor RLD, a tensão V SD e a corrente ID. Anote os dados na
tabela 1. Para cada valor de RLD, calcule a corrente ID = VLD/RLD. Para economizar tempo,
pule os valores com os quadros sombreados da tabela. Estes pontos não trazem muita
informação.
Tabela 1: Dados do espelho canal-P.
 R_B=5,6 kOhm R_B=56 kOhm

3.2) Espelho de corrente duplo com transistores canal-P.

Fig. 6 Espelho de corrente duplo com canal-P

A) Monte o espelho de corrente PMOS da Fig. 6.
B) Use o multímetro digital para medir as tensões dos nós A, B, C e E.
C) Curte circuite R1A, anote os valores novos e antigos, e particularmente a variação na
tensão.
D) Remova R1A e R2A, e curte circuite os nós B e D. Anotem os valores da corrente que flui
através dos pontos A e B na tabela 3 respectivamente.
E) Tire conclusões dos resultado obtidos anteriormente.