PRÁTICA 8: CURVAS

CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR FET

Aluno: Antônio Victor Gonçalves da Silva Matrícula: 20189036812
Prof. Marcos Eduardo do Prado Villarroel Zurita

Materiais Utilizados
Multímetro, resistores, fonte de tensão regulável, transistor MOSFET 2N7000 e potenciômetro.
INTRODUÇÃO
O transistor de efeito de campo (FET) é um componente eletrônico amplamente utilizado na
indústria e na pesquisa devido à sua versatilidade e eficiência em amplificação e controle de sinais.
Uma análise aprofundada de suas características é essencial para compreender seu comportamento e
explorar todo o potencial desse dispositivo. O objetivo deste relatório é investigar a curva
característica do transistor FET e suas principais propriedades.
A curva característica é uma representação gráfica que relaciona a corrente de dreno (I D) e a tensão
de dreno-source (VDS), mantendo a tensão de gate-source (V GS) constante. Através dessa análise, é
possível compreender como o FET responde às variações de tensão e corrente. Além disso, será
discutido a operação do transistor FET em modo de saturação, e como a curva característica é
afetada nesse modo.
Por meio dessa análise, espera-se obter um conhecimento mais aprofundado sobre o comportamento
do transistor FET, permitindo um uso mais eficiente e preciso desse dispositivo em diversos
projetos e aplicações.
EXPERIMENTOS
I. Métodos e Especificações
O experimento se resume em utilizar o MOSFET 2N7000, mostrado na figura 1, em um circuito
que irá polariza-lo variando o valor das tensões aplicadas sobre ele. Para variar o valor da tensão
VGS foi utilizado um potenciômetro, de forma que mantemos uma tensão de 6 volts fixa e regulamos
a tensão em cima do potenciômetro ao alterar sua resistência. Para alterar o valor da tensão V DS se
fez uso de um resistor no valor de 1 k Ω e uma fonte de tensão regulável com valor máximo de 20 volts .
O esquema do circuito analisado é mostrado na figura 2 e as especificações do experimento são
listadas abaixo:
 V 1=6 [V ] (Fonte DC)
 V 2=0 a 20[V ] (Fonte DC)
 R1=1 k [Ω ]
 R2=10 k [Ω ] (Potenciômetro)
 Rd =1 k [Ω]
 M 1=2 N 7000 (MOSFET utilizado)

A primeira etapa da coleta de dados é determinar os valores mínimo, médio e máximo que V GS pode
assumir levando em conta as especificações do circuito. Para isso, com a fonte V 1 ligada, foi
ajustado o potenciômetro para VGS = 0,8 V, após ligou-se a fonte V2, e são medidos os valores de
Vds e Id. Variando o potenciômetro até obter Vds = 6,0 V e o valor de V GS será o valor máximo.
Posteriormente, ajustamos o potenciômetro até que V DS = 19,0 V, o valor de VGS será o valor
mínimo. Por fim, é calculado o valor médio entre esses dois valores. Os resultados são mostrados
nas tabelas 1 e 4.
O passo seguinte é registrar os valores de I D para diferentes valores de VDS mantendo o VGS
constante, para fazer o preenchimento das tabelas 2 e 5, e além disso, destacar na última coluna se o
MOSFET está operando na região de saturação. Assim, foi ajustado V GS por meio do potenciômetro
para o valor mínimo e a tensão da fonte V2 para obter o primeiro valor não nulo de V DS indicado na
tabela e colhidos os valores solicitados. Esse procedimento foi repetido para todos os valores de V DS
e VGS.

Por fim, foram plotadas as curvas mostradas nas figuras 4 e 5, que mostram a função √ I D =f (V GS),
essas curvas são importantes para obter a tensão V th do MOSFET, pois seu valor é o ponto da reta
quando temos √ I D =0. Outro valor pedido foi o K n, que foi calculado utilizando a equação abaixo.
Os valores são dispostos nas tabelas 3 e 6.
2
I D =(K n /2)(V GS −V th )

II. Simulações e Experimentos

No software MultiSIM, foi implementado o circuito experimental, como mostra a figura 3, e
realizado os procedimentos explicados anteriormente. Em laboratório foi montado o mesmo circuito
e foram realizadas as medições com o auxílio do voltímetro. Os resultados colhidos e os gráficos
para fins de comparação são mostrados no final do relatório.

QUESTIONÁRIO
a) Traçar as curvas I d=f (V ds ) e I d=f (V gs ) do MOSFET: experimental e simulada.
RESPOSTA: As curvas são apresentadas nas figuras 6, 7, 8 e 9.
b) Comente detalhadamente a respeito das curvas traçadas no item (a) explorando os seguintes
tópicos: polarização utilizada, curvas características e limites de operação.
RESPOSTA: Como mostra o diagrama do circuito experimental, a polarização do MOSFET foi feita
utilizando divisor de tensão, a tensão V gs é controlada pela resistência viável do potenciômetro.
Observando as curvas é possível notar que se comportam de forma similar, mas com pequenas variações que
podem ser justificadas pelas variações das características elétricas de cada MOSFET 2N7000, como a Gate
Threshold Voltage (V th) que tem valores máximos e mínimos de 3 volts e 0,8 volt, respectivamente, como
mostra o datasheet da figura 10, em simulação obtivemos o valor de 2 volts e com o MOSFET real de 1,5
volt, portanto dentro do esperado.

c) Consultando a folha de dados do FET adotado durante a prática, comente a respeito das
principais características de operação, bem como os limitantes de operação.
RESPOSTA: A figura 10 mostra os limites de operação e as características elétricas do 2N7000. É
possível perceber que esse MOSFET apresenta um bom limite de operação, a tensão V ds máxima é
de 60 volts, dissipação de potencia de 625 mW e uma temperatura de operação máxima de 150 oC, logo
trabalhamos dentro dos limites de operação.

d) Pesquise os tipos de MOSFET: MOS de sinal, DMOS, VMOS, UMOS e MOSFET de Potência.
RESPOSTA:
MOSFET de Sinal: É usado principalmente em aplicações de amplificação de sinal de baixa
potência, como amplificadores de áudio e circuitos de radiofrequência.
DMOS (Double-Diffused MOSFET): Possui uma estrutura de dopagem dupla, que melhora as
características de condução de corrente e a resistência ao bloqueio. É frequentemente usado em
aplicações de baixa tensão e alta corrente, como circuitos de acionamento de motores.
VMOS (Vertical MOSFET): O VMOS é um tipo de MOSFET de potência que possui uma estrutura
vertical única. É projetado para operar em alta tensão e é capaz de lidar com altas correntes, e
possuí uma resistência ao bloqueio mais baixa em comparação com outros tipos de MOSFET,
tornando-os adequados para aplicações de potência, como inversores e fontes de alimentação
comutadas.
UMOS (U-shaped MOSFET): UMOS é uma variante do MOSFET de potência projetado para
melhorar ainda mais o desempenho em relação à resistência ao bloqueio. Possui uma estrutura em
forma de "U" para aumentar a área ativa do dispositivo. Os UMOS são usados em aplicações de alta
potência, como conversores DC-DC e amplificadores de áudio de alta potência.
MOSFET de Potência: Os MOSFETs de potência são amplamente utilizados em eletrônica de
potência, incluindo conversores, inversores, acionamento de motores, fontes de alimentação e
sistemas de energia renovável.

CONCLUSÃO
Dados os resultados obtidos, foi possível constatar que é aceitável fazer uso de simulações para
traças as curvas e colher dados de circuitos utilizando MOSFET, porém há divergências
consideráveis, sobretudo para baixos valores de V gs. Esse resultado era esperado, pois na folha de dados
do dispositivo o fabricante ressalta que cada MOSFET 2N7000 possui suas características exclusivas, como
a tensão V th que pode variar de 3 volts até 0,8 volt. Isto pode ser observado nas tabelas 3 e 6,
obtivemos o valor de V th =2 para a simulação e V th =1 ,5 para o MOSFET real, essa pequena
diferença provocou as alterações de I d quando comparamos as tabelas 2 e 5, e as curvas traçadas. É
valido concluir que o recomendado para a analise do MOSFET é realizar o experimento em
laboratório, assim os dados e as curvas traçadas são representados de uma maneira mais fiel e
realista.
REFERÊNCIAS
1. Prof. Otacílio M. Almeida, Prof. Marcos Zurita, Apostila Dispositivos Eletrônicos ver.1.1,
UFPI, 2022.
 Figura 1: MOSFET 2N7000
Figura 5: Raiz quadrada de Id em função de Vgs
para diferentes valores de Vds na saturação
(experimental)

Figura 2: Circuito experimental

Figura 6: Curva característica simulada ID = f(VDS)

Figura 3: Circuito simulado no MultiSIM

Figura 7: Curva característica experimental ID =

f(VDS) para diferentes valores de VGS

Figura 4: Raiz quadrada de Id em função de Vgs

para diferentes valores de Vds na saturação
(simulação)
Figura 8: Curva característica simulada ID = f(VGS)

Figura 9: Curva característica experimental ID =

f(VGS)

Figura 10: Datasheet do MOSFET 2N7000

 Tabela 1: Valores simulados de Vgs para caracterização de M1

V gs (V )
min
V gs (V )
med
V gs (V )
max

2,14 2,34 2,53

Tabela 2: Valores simulados

V gs V ds (V ) I d ( mA ) [V (3 ) / R d ] √ I d (mA 1 /2 ) Saturação (S/N)

0,0 0,00 0,00 N
0,1 0,917 0,957 N
0,2 1,01 1,00 S
V gs 0,4 1,01 1,00 S
min
0,6 1,01 1,00 S
1,0 1,01 1,00 S
3,0 1,01 1,00 S
6,0 1,01 1,00 S
0,0 0,00 0,00 N
0,1 2,83 1,68 N
0,2 4,73 2,17 N
V gs 0,4 5,79 2,40 S
med
0,6 5,79 2,40 S
1,0 5,79 2,40 S
3,0 5,79 2,40 S
6,0 5,79 2,40 S
0,0 0,00 0,00 N
0,1 4,58 2,14 N
0,2 8,28 2,87 N
V gs 0,4 13,0 3,60 S
max
0,6 14,0 3,74 S
1,0 14,0 3,74 S
3,0 14,0 3,74 S
6,0 14,0 3,74 S

Tabela 3: Parâmetros estimados via simulação de M1

2
V th (V ) K n (mA /V )
≈2 ≈ 100,97
 Tabela 4: Valores medidos de Vgs para caracterização de M1

V gs (V )
min
V gs (V )
med
V gs (V )
max

Tabela 5: Valores medidos

V gs V ds (V ) I d ( mA ) [V (3 ) / R d ] √ I d (mA 1 /2 ) Saturação (S/N)

0,0 0,00 0,00 N
0,1
0,2
V gs 0,4
min
0,6
1,0
3,0
6,0
0,0 0,00 0,00 N
0,1
0,2
V gs 0,4
med
0,6
1,0
3,0
6,0
0,0 0,00 0,00 N
0,1
0,2
V gs 0,4
max
0,6
1,0
3,0
6,0

Tabela 6: Parâmetros estimados via experimento de M1

2
V th (V ) K n (mA /V )