PRÁTICA 6: TBJ OPERANDO COMO

CHAVE
Aluno: Antônio Victor Gonçalves da Silva Matrícula: 20189036812
Prof. Marcos Eduardo do Prado Villarroel Zurita

Materiais Utilizados
Multímetro, resistores, fonte de tensão regulável, transistor NPN BC548 e osciloscópio.
INTRODUÇÃO

Os Transistores Bipolares de Junção (TBJ) operando como chave desempenham um papel vital em
eletrônica. Ao alternar entre os estados de saturação e corte, os TBJs podem controlar o fluxo de
corrente em um circuito. No estado de saturação, o TBJ permite que a corrente flua livremente,
enquanto no estado de corte, a corrente é interrompida. Essa funcionalidade torna os TBJs
adequados para aplicações como amplificadores, osciladores e circuitos digitais. Com sua
capacidade de rápida comutação, os TBJs operando como chave fornecem a base para a
implementação de sistemas eletrônicos avançados e de alta velocidade.
Como mencionado, ao utilizar um transistor como uma chave, ele opera em duas regiões: corte e
saturação, como mostra a figura 1. Na região de corte do TBJ ambas as junções base-emissor e
base-coletor são polarizadas reversamente, funcionando como um circuito aberto, assim temos V CE
= VCC. Já na região de saturação, temos ambas as junções diretamente polarizadas, assim o transistor
permite o fluxo de corrente operando como um curto-circuito, VCE = 0.
EXPERIMENTOS
I. Métodos e Especificações
O experimento se resume em utilizar o TBJ BC548 na função de chave, ao alternar a sua região de
operação entre corte e saturação, com o objetivo de esboçar as curvas V BB VCE e VRC. O controle da
corrente de base foi feito com uma onda quadrada de tensão V BB com 2,2 volts de pico e frequência
de 10 kHz, e para obter o valor de V CE SAT foi usado uma tensão continua VCC de 12 volts. O
esquema do circuito projetado e analisado é mostrado na figura 2 e as especificações do
experimento são listadas abaixo:
 V CC =12[V ] (Tensão contínua aplicada ao coletor)
 V BB=2 ,2 [V ] (Tensão onda quadrada aplicada à base)
 β=30 (Ganho de corrente do TBJ)
 I B=100[μA ] (Corrente de base adotada)
 V CE SAT =0 , 3[V ] (Tensão de saturação do TBJ)
 f C =10[kHz ] (Frequência da onda quadrada)
 Q1=BC 548 (Transistor utilizado)

II. Dimensionamento dos Resistores

Com as informações citadas anteriormente é possível calcular os valores dos resistores R C e RB para
atender as especificações do projeto.
 V BB−V BE 2 , 2−0 , 7
R B= = −6
=15 k Ω
IB 100× 10
V CC −V CE SAT 12−0 , 3
RC = = −6
=3 , 9 k Ω
β× IB 30 ×100 ×10

III. Simulações e Experimentos

Foi simulado o circuito como mostrado na figura 3, com os valores já definidos, no software
MultiSIM e plotados as curvas VBB VCE e VRC que podem ser visualizadas na figura 4.
Implementamos em laboratório o circuito com o TBJ e repetimos as mesmas etapas da simulação,
utilizando o osciloscópio para obter as curvas desejados. Os resultados são mostrados na figura 5.
QUESTIONÁRIO
a) Traçar as formas de onda de tensão experimental e simulada para o TBJ: VBB, VCE e VRC.
RESPOSTA: As curvas simuladas e experimentais são mostradas nas figuras 4 e 5.
b) Comente detalhadamente a respeito das curvas traçadas em (a) tomando como referência o
comportamento do circuito e a curva característica do circuito de saída.
RESPOSTA: Para VBB igual a 0 volts as junções base-emissor e base-coletor estão polarizadas
reversamente, de forma que o TBJ funciona como circuito aberto, e toda a tensão permanece em
VCE, o mesmo acontece com a tensão VRC, que permanece em 0 volts pois não ocorre passagem de
corrente. Quando VBB é igual 2,2V as junções base-emissor e base-coletor estão polarizadas
diretamente, logo o TBJ funciona como uma chave fechada, dessa forma a tensão VCE é 0 volts,
simulando um curto-circuito, e há passagem de corrente por RC.
c) Determine as perdas de condução do TBJ usando a curva característica Ic = f(Vce).
RESPOSTA: As perdas por condução do TBJ são diferentes para as regiões de corte e saturação.
Logo:
PCORTE =V CC × I leak =12 V × 141 pA=1 , 69 nW

PSAT =V CESAT × I C =0 , 3 V × 3 , 06 mA=0,918 mW

d) Pesquisar a respeito dos tipos de encapsulamento.

RESPOSTA: Os encapsulamentos mais comuns são:
DIP (Dual In-Line Package): Encapsulamento com duas fileiras de pino. Dependendo do material,
espaço de pinos ou função especial que o circuito integrado é construído ele recebe uma letra antes
do DIP, PDIP para invólucro de plástico e CDIP para invólucro de cerâmica.
SIP (Single In-Line Package): Encapsulamento com uma fileira de pinos, tem como principal
vantagem a economia de espaço.
ZIP (Zig-zag In-Line Package): Nesta forma os pinos são dispostos em zigue-zague.
e) Pesquisar a respeito das principais especificações do TBJ encontradas na folha de dados dos
fabricantes de modo que o componente trabalhe como chave.
RESPOSTA: Para o funcionamento como chave é necessário buscar no datasheet os valores de
saturação e corte do TBJ, além dos seus limites de operação, como mostrado na figura 6.
f) Pesquise aplicações que fazem uso do TBJ funcionando como chave.
RESPOSTA: Eletrônica digital, amplificadores, fontes de alimentação, comutação de cargas e
osciladores são alguns exemplos de aplicações do TBJ como chave.

CONCLUSÃO
Após a conclusão do experimento, obtém-se uma compreensão mais clara do funcionamento do
TBJ como uma chave e do comportamento das formas de onda das tensões presentes no circuito.
Durante o experimento, foi possível analisar o comportamento simultâneo quando V CE atinge 0
volts, enquanto VBB e VRC alcançam seus valores máximos. Além disso, pôde-se verificar a
influência da frequência de chaveamento no sistema, observando que um aumento significativo na
frequência resulta em maiores perdas e evidencia a influência da capacitância das junções.
REFERÊNCIAS
1. Prof. Otacílio M. Almeida, Prof. Marcos Zurita, Apostila Dispositivos Eletrônicos ver.1.1,
UFPI, 2022.
Figura 1: Curva característica do TBJ
Figura 4: Curvas VBB VCE e VRC simuladas

Figura 2: Circuito experimental

Figura 5: Curvas VBB VCE e VRC experimentais

Figura 3: Simulação do circuito

Figura 6: Datasheet do TBJ BC548