LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA ANALÓGICA

PRÁTICA 04: CURVAS CARACTERÍSTICAS DO

TRANSISTOR TBJ.

Aluna:
Sarah Matins Guimarães Rodrigues (428349).
Turma:01A.

Professor: Rene Pastor Torrico Bascope.

Fortaleza, 10 de maio de 2020.

 Curvas características do transistor tbj.

1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é levantar e traçar as curvas características de um
transistor de TBJ na configuração emissor-comum mediante simulação e experimentação.

2. ATIVIDADES DO PRÉ-LABORATÓRIO

(a) Montar o circuito da Prática no ORCAD ou outro programa similar, e usando a opção
DC Sweep traçar as curvas Ic=f(Vce) do TBJ BC546. Para esta finalidade, na opção Primary
Sweep a fonte de tensão V1 é variável, o qual deve variar de 0 a 20 V com incrementos de 0,1 V;
e na opção Secondary Sweep a fonte de tensão V2 é variável, o qual deve variar de 0 a 10 V com
incrementos de 1 V.

Figura 01 – Curvas Ic=f(Vce).

Fonte: Próprio Autor.

 b) Após traçar as curvas, delimitar a área de operação do TBJ BC546, assim como as
regiões de operação (saturação, corte e ativa).

Figura 02 – Área de operação num transistor TBJ BC546.

Fonte: Próprio Autor.

A figura acima representa a área de operação do TBJ BC546, em que é delimitada pelos
valores máximos de corrente 100mA e de tensão 20V. Além disso, a curva vermelha representa a
potência máxima de 500mW.
Obs: Os valores máximos foram retirados do datasheet TBJ BC546.
 Figura 03. – Regiões de operação do TBJ BC546.

Fonte: Próprio Autor.

Na figura acima, onde estão representadas as regiões de operação, a área vermelha

indica a região de saturação, onde é definida como a das curvas características à esquerda de
VCB = 0 V, e as junções base-emissor e base-coletor são polarizadas diretamente. A região
branca sob a curva azul representa a região ativa, em que a junção base-emissor é polarizada
diretamente e a base-coletor é polarizada reversamente. A região verde representa a região de
corte, em que a corrente do coletor é 0 A, além das junções base-emissor e base-coletor serem
ambas polarizadas reversamente.
 (c) A partir do catálogo do fabricante Fairchild, mostrar as curvas Ic=f(Vce) do TBJ
BC546. Também delimitar a área de operação, assim como as regiões de operação (saturação,
corte e ativa).

Figura 04 – Curvas características pelo datasheet num TBJ BC546.

Fonte: Próprio Autor.

(d) Fazer uma análise comparativa entre as curvas obtidas mediante simulação e as curvas
do catálogo do fabricante.

Percebe-se uma pequena discrepância entre as curvas das figuras 02 e 03 ao serem

comparadas com as curvas da figura 04. Isso acontece, principalmente, pelo fato de que as curvas
simuladas apresentam uma maior precisão do software em relação ao esboço à mão num gráfico
do datasheet. Entretanto, apesar das pequenas diferenças, as curvas dos gráficos comparados
foram semelhantes e apresentam a mesma natureza.
 • Resultados da simulação.

Tabela 01 - Resultados simulados.

Corrente no coletor medida Ic (mA)

Ibb (uA)
13 33 53 73

Vce (V) 0,5 2,525 6,379 10,224 13,563

1 2,535 6,473 10,231 13,588
3 2,560 6,529 10,475 13,826
5 2,610 6,648 10,636 14,118
10 2,710 6,861 11,128 14,727
15 2,816 7,120 11,432 15,226
Fonte: Próprio Autor.

3. QUESTIÓNARIO

Questão (01): Pesquisar técnicas para diminuir o tempo de estocagem em TBJs, pois o
mesmo causa um atraso considerável em alta freqüência (>20 kHz).

Para diminuir o tempo de estocagem em TBJs, são conhecidas técnicas que utilizam Baker
clamps, introduzindo um feedback negativo não linear em um estágio de emissor comum (chave
TBJ), com o objetivo de evitar a saturação, diminuindo o ganho próximo ao ponto de
saturação. Enquanto o transistor está no modo ativo e distante o suficiente do ponto de saturação,
o feedback negativo é desativado e o ganho é máximo; quando o transistor se aproxima do ponto
de saturação, o feedback negativo é ativado gradualmente e o ganho cai rapidamente. Para
diminuir o ganho, o transistor atua como um regulador de derivação em relação à sua própria
junção base-emissor: desvia uma parte da corrente base para o terra conectando um elemento
estável à tensão em paralelo à junção base-emissor.
 Uma desvantagem do Baker clamps é o aumento do nível de saída de baixa tensão. Nos
circuitos lógicos, diminui a imunidade ao ruído; em aplicações de energia, aumenta a potência
dissipada.
Uma alternativa simples ao Baker clamps é um único diodo de baixa tensão do coletor
para a base. Para funcionar bem, a queda direta do diodo deve ser menor que a queda do
emissor-base, de modo que os diodos Schottky e germânio de baixa voltagem podem ser usados
com transistores de silício (a queda de tensão direta de um diodo Schottky é muito menor que
a tensão de polarização Vbe de um transistor de silício e ele muda rapidamente). Um circuito
alternativo de fixação do diodo conecta o diodo a uma junção de dois resistores de polarização
da base.
A solução atualmente é integrar a combinação de um diodo Schottky e transistor em
um transistor Schottky.

Questão (02): Procurar nas páginas de fabricantes de TBJs componentes comerciais com a
(hfe), omáxima corrente de coletor. Na questão indicar, a corrente de coletor, a tensão
coletoremissor, a dissipação de potência, o tipo de encapsulamento, o ganho de corrente nome do
fabricante, e endereço eletrônico do fabricante.

Tabela 02. – Características dos componentes com máxima corrente de coletor.

Ic VC PD Encaps. hF Site
Fabricante EO E
Rohm Semiconductor 10 A 30 V 10 W TO-252 200mín e 500 rohm.com
máx
Nexperia 8A 80 V 20 W TO-252 60mín e sem nexperia.com
máx
Verical 10 A 80 V 36 W TO-220 60mín e sem verical.com
máx
Fonte: Próprio Autor.
4. CONCLUSÃO
Essa prática foi de suma importância para compreender as curvas características de um
transistor TBJ. Apesar de não ter sido realizado o procedimento experimental, foi possível ratificar
a teoria por meio das simulações feitas pelo software OrCAD.
Além disso, a prática cumpriu seu objetivo ratificando os estudos teóricos do aluno, sendo
possível compreender de forma clara as zonas de operação e a área de atuação do TBJ.

5. REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS

[1] SOUSA OLIVEIRA JR., Demercil ; PASTOR TÓRRICO BASCOPE, René. Eletrônica
Analógica - Práticas de Laboratório. Universidade Federal do Ceará - Campus do Pici: [s. n.],
2020.
[2] BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis. Dispositivos eletrônicos e teoria de
circuitos. 11. ed. São Paulo: Pearson, c2013. xii, 766 p. ISBN 9788564574212 (broch.).

[3] BAKER CLAMPS | Disponível em

>https://electronics.stackexchange.com/questions/358517/baker-clamp-application-for-pnp-
transistor<. Acesso em 06 de maio de 2020.

[4] Transistor TBJ. MecaWeb. | Disponível em:

>http://www.mecaweb.com.br/eletronica/content/e_transistor_bjt<. Acesso em: 06 de maio de
2020.