Centro Universitário Central Paulista

Departamento de Engenharia Elétrica

Laboratório de Eletrônica

Circuitos com Transistor Bipolar de Junção

Operação em Corrente Contínua

São Carlos

2023
 5

Claudemir da Silva RA: 3801150

Matheus Sousa Filié RA: 3801192
Wagner Luís de Oliveira RA: 3801170

Laboratório de Eletrônica

Relatório apresentado ao Centro Universitário Central

Paulista (UNICEP), como parte das exigências para a
obtenção dos resultados que contemplam as notas do
semestre para a matéria de Laboratório de Eletrônica

Orientador: Prof. Mario F. Bôtega Jr.

São Carlos

2023
SUMÁRI
O

OBJETIVO................................................................................................................................4

INTRODUÇÃO..........................................................................................................................4

PROCEDIMENTO.....................................................................................................................5

CURVA CARACTERÍSTICA DO TBJ.......................................................................................6

POLARIZAÇÃO CC DO TBJ...................................................................................................11

POLARIZAÇÃO NO CORTE E SATURAÇÃO........................................................................15

CONCLUSÃO.........................................................................................................................17

REFERÊNCIA BIBLIOGRÁFICAS..........................................................................................19
OBJETIVO

Conhecer o transistor bipolar de junção (TBJ) aplicado em circuitos básicos,

operando em corrente contínua (polarização quiescente e corte/saturação).

INTRODUÇÃO
O Transistor Bipolar de Junção (TBJ) é um componente eletrônico amplamente
utilizado na indústria e na eletrônica moderna, sendo um dispositivo semicondutor que
permite controlar o fluxo de corrente em um circuito eletrônico, sendo fundamental para o
desenvolvimento de sistemas eletrônicos mais eficientes e compactos.
Inicialmente, serão apresentados os conceitos fundamentais relacionados à estrutura
e funcionamento do TBJ, bem como suas principais características e aplicações. Em
seguida, serão discutidos os diferentes tipos de TBJ, incluindo os NPN e PNP, suas
diferenças e como são utilizados em circuitos eletrônicos.
Além disso, este relatório abordará as limitações do TBJ e suas possíveis soluções,
bem como as tendências atuais na pesquisa e desenvolvimento de novas tecnologias
baseadas em transistores. Por fim, serão apresentadas as conclusões sobre o estudo
realizado e as recomendações para futuras pesquisas nessa área.

4
PROCEDIMENTO

Materiais e Equipamentos

Multímetro Protoboard
Osciloscópio Resistores e capacitores diversos
Fonte de alimentação Transistor BC548
Gerador de Funções Transistor BC558

Roteiro

1. Curva característica do TBJ

2. Polarização CC do TBJ
3. Polarização no corte e saturação

5
CURVA CARACTERÍSTICA DO TBJ

Inicialmente, foi proposta a montagem de um circuito elétrico relativamente

simples com o transistor TBJ, part number BC548, contendo uma fonte de alimentação DC
com tensão de 20V, três resistores, sendo RB responsável por limitar a corrente da base, e
RC limitar a corrente do coletor, e um resistor RE limitando a corrente do emissor, a
montagem se deu através da protoboard e suas respectivas matrizes de conexão de acordo
com a imagem abaixo (Error: Reference source not found):

Figura 1 - Esquemático Elétrico

Após concluída a montagem do circuito na protoboard (Error: Reference source not

found), foram colocados juntamente à análise, 3 multímetros da Minipa, sendo que cada um
desempenhou uma função de monitoramento, o primeiro (Figura 3) ficou responsável por
supervisionar a corrente do coletor do transistor TBJ BC548, o segundo (Figura 4)
monitorando a corrente da base e o terceiro permaneceu realizando a leitura tanto da base
com o emissor como a tensão do coletor em relação ao emissor, de forma alternada (Figura
5).

6
 Corrente do Coletor

Figura 2 - Setup Inicial Figura 3 - Medições Iniciais

Corrente da Base Tensão Vbe e Vce

Figura 4 - Medições Intermediárias Figura 5 - Medições Finais

Com a configuração do teste montada, foi orientado aos alunos realizarem a

captação das 3 leituras que os multímetros estavam realizando de acordo com a tabela
abaixo, aumentando gradualmente os níveis de resistência, mantendo a mesma
configuração inicial para os limitadores da base, afim de verificar o comportamento da
tensão em cima do transistor nos terminais do coletor e do emissor, e o efeito que este
proporciona no circuito em que está incluído (Error: Reference source not found).

Circuito de Entrada Circuito de Saída

Rb (Ω) Ib (µA) Vbe (Volts) Rc (Ω) Vce (Volts) Ic (mA)
2,7kΩ 0,182 4,47
680kΩ 16,9 0,67 1,5kΩ 3,325 5,87
1kΩ 6,00 5,94

Tabela 1 - Dados das medições no transistor BC548

7
 Em seguida, com os resultados já dispostos, estes foram analisados e tratados em
uma planilha, para que assim fosse plotado um gráfico estabelecendo a relação entre Ic x
Vce, corrente do coletor (Eixo Y) e a tensão do coletor-emissor do TBJ (Eixo X), e
consequentemente, a curva característica de um transistor (Figura 6).

Comportamento do Transistor TBJ Ib=16,9µA

5.2

5.1 5.15
Corrente do Coletor (Ic)

5
4.98
4.9

4.8

4.7

4.6

4.5
4.45
4.4
0.25 4.38 6.86

Tensão do Coletor-Emissor (V)

Curva do transistor TBJ BC548

Figura 6 - Curva característica do transistor TBJ

A curva de saída mostra a relação entre a corrente coletor-emissor (IC) e a tensão

coletor-emissor (VCE) para um dado valor de corrente de base (IB). Essa curva
característica é usada para determinar a região de operação do transistor (corte, saturação
ou ativa) e para avaliar sua capacidade de amplificação, ela mostra uma relação quase
linear entre IC e VCE na região ativa e uma relação quase constante na região de
saturação. A curva também mostra a região de corte, na qual não há corrente no coletor,
independentemente do valor de VCE.
Logo em seguida, foi feito o cálculo do ganho de corrente do transistor com base nos
valores medidos anteriormente, resultando nos valores da tabela abaixo (Tabela 2):

GANHO DO TRANSISTOR ( β ) VALOR DO RESISTOR APLICADO (Ω)

−3
Ic 4 , 47 x 10 2
β 1= = −6
=2 , 64 x 10 =264 R1 = 2,7kΩ
Ib 16 , 9 x 10

−3
Ic 5 ,87 x 10 2
β 2= = =3 , 47 x 10 =347 R2 = 1,5kΩ
Ib 16 , 9 x 10−6

−3
Ic 5 , 94 x 10 2
β 3= = =3 ,51 x 10 =351 R3 = 1,0kΩ
Ib 16 , 9 x 10−6

8
 Tabela 2 - Dados do ganho do transistor para cada valor de resistor

Considerando a última configuração do circuito, RB=680kΩ e RC=1kΩ, foi

requisitado que o transistor fosse aquecido com um ferro de solda na parte de trás do seu
encapsulamento (Figura 7), e em seguida fosse medido as correntes da base, IB, e do
coletor, IC.

Figura 7 - Transistor sendo aquecido por um ferro de solda

Além disso, foi verificado a alteração do ganho de corrente do transistor em vista

desse sobreaquecimento sobre seu encapsulamento (Tabela 3):

RESULTADOS DO TESTE
Resistor: 1kΩ
−3
Ic 8 , 12 x 10 2
Ib: 16,3 µA β 3= = =4 , 98 x 10 =498
Ib 16 ,3 x 10−6
Ic: 8,12 mA

Tabela 3 - Resultados do teste

Quando um transistor bipolar é aquecido, seus níveis de dopagem são afetados, o

que altera a mobilidade dos portadores de carga no material semicondutor. No caso do
transistor BC548, que é do tipo NPN, o aumento da temperatura causa um aumento na
densidade de portadores de carga livres no material semicondutor da base, o que pode
diminuir a resistência elétrica da base.
Isso significa que, com a mesma tensão aplicada na base, a corrente de base
aumentará, permitindo que mais elétrons sejam injetados na região da base, formando uma
corrente de emissor mais forte. No entanto, o aumento da densidade de portadores de carga
livres na base pode também diminuir a resistência da junção base-coletor, o que pode
permitir que uma maior corrente flua do coletor para o emissor, para uma dada tensão
aplicada na base.

9
 Assim, a combinação desses dois efeitos resulta em um aumento da corrente de
coletor e uma diminuição da corrente de base, para uma dada tensão aplicada na base. Isso
pode levar o transistor BC548 a operar em uma região de maior ganho, o que pode ser
desejável em alguns circuitos amplificadores, mas pode ser prejudicial em outros.
Além disso, o aumento da temperatura também pode levar a uma redução na
confiabilidade e vida útil do dispositivo. Por isso, é importante garantir que a dissipação de
calor seja adequada e que a temperatura do transistor seja mantida dentro de limites
seguros de operação.
E por fim, para finalizar essa etapa do procedimento, foi capturado os dados
intrínsecos ao transistor TBJ BC548 na sua ficha técnica (Datasheet) afim de expor as suas
características de funcionamento em regiões com potencial máximo de desempenho,
especificações de comportamentos padrões que podem ser um problema caso não se tenha
a informação, como por exemplo a corrente de fuga, se não for monitorada, pode vir a
causar danos no circuito, queimando componentes, dando divergências nas medições, entre
outras circunstâncias (
Error: Reference source not found).

DATASHEET BC548
Máxima tensão coletor-emissor 30V
Máxima corrente de coletor 100mA
Máxima dissipação de potência 500mW
Corrente de fuga de coletor 15nA
Máxima tensão base-emissor 720mV
Máxima tensão de saturação coletor-emissor 600mV
Máximo ganho de corrente 800

Tabela 4 - Datasheet BC548

10
POLARIZAÇÃO CC DO TBJ

Em seguida, dando continuidade nos experimentos envolvendo circuitos elétricos

com transistores bipolares de junção, a montagem do próximo circuito se baseou na
prototipagem do primeiro, um circuito elétrico relativamente simples, contendo uma fonte de
alimentação DC com 20V de entrada, um transistor BC548, e 3 resistores limitando a
corrente dos terminais do transistor, Base, Coletor e Emissor, utilizando o protoboard e suas
respectivas matrizes de conexão (Figura 8).

Figura 8 - Esquemático Elétrico

a. POLARIZAÇÃO COM ESTABILIZAÇÃO DE EMISSOR

Após concluída a montagem do circuito na protoboard (Figura 9), foram definidos os

resistores que seriam usados no circuito, sendo esses Rb=470kΩ (Base), Rc=1kΩ (Coletor)
e Re=330Ω (Emissor).

11
 Figura 9 - Circuito Elétrico Montado

Em seguida, foram realizadas as medições de tensão do coletor, emissor, coletor-

emissor, base-emissor, e as correntes em cada terminal, sendo que os resultados estão
apresentados na tabela abaixo (Tabela 5):

MEDIÇÕES NO TRANSISTOR BC548

Terminais Tensão (V) Corrente (mA)

Coletor 11,8 11,75

Emissor 3,93 11,96

Base --- 0,0338

Base-Emissor 0,678 ---

Coletor-Emissor 4,41 ---

Tabela 5 - Medições no transistor BC548

Considerando a configuração do circuito, foi requisitado que o transistor fosse

aquecido com um ferro de solda na parte de trás do seu encapsulamento novamente (Figura
10), e em seguida o efeito fosse observado e monitorado medindo as correntes da base, IB,
e do coletor, IC.

12
 Figura 10 - Transistor sendo aquecido por um ferro de solda

Além disso, foi verificado a alteração do ganho de corrente do transistor em vista

desse sobreaquecimento sobre seu encapsulamento (Tabela 6):

RESULTADOS DO TESTE
Resistor: 1kΩ
−3
Ic 14 , 51 x 10 2
Ib: 32,6 µA β 3= = =4 , 45 x 10 =445
Ib 32 ,6 x 10−6
Ic: 14,51 mA

Tabela 6 - Resultados do teste

Esse aumento da corrente de saturação ocorre porque o aquecimento reduz a

resistência interna do material semicondutor do transistor, o que permite que uma maior
quantidade de elétrons flua da base para o coletor. Como consequência, a corrente de base
diminui, pois o aumento da corrente de saturação leva a uma menor resistência de entrada
do transistor. Já a corrente de coletor aumenta, porque a corrente de saturação adicionada à
corrente de base amplifica a corrente de coletor. Essas alterações na corrente de base e
coletor afetam o ganho do transistor e podem impactar o funcionamento do circuito em que
ele está inserido.

b. POLARIZAÇÃO POR DIVISÃO DE TENSÃO

13
 Feito esses procedimentos, foi recomendado que fosse adicionado mais um resistor
limitador no terminal da base do transistor BC548, afim de realizar a polarização do mesmo
através da divisão de tensão. De tal maneira, foi utilizada a seguinte configuração de
resistores para o novo modelo de circuito proposto para essa etapa, RB1=10kΩ,
RB2=2,2kΩ, RC=3,9kΩ e RE=1kΩ (Figura 11), e em seguida o mesmo foi montado na
protoboard para dar procedimento nas medições que a atividade requer para fins de análise
(Figura 12).

Figura 11 - Esquemático Elétrico Figura 12 - Circuito Elétrico Montado

Após concluída a montagem do circuito na protoboard, foi feito em seguida as

medições de tensão do coletor, emissor, coletor-emissor, base-emissor, e as correntes em
cada terminal, sendo que os resultados estão apresentados na tabela abaixo (Tabela 7):

MEDIÇÕES NO TRANSISTOR BC548

Terminais Tensão (V) Corrente (mA)

Coletor 7,05 1,32

Emissor 1,337 1,30

Base 1,977 0,0038

Base-Emissor 0,640 ---

Coletor-Emissor 5,72 ---

Tabela 7 - Medições do Transistor BC548

Considerando a configuração do circuito, foi requisitado que o transistor fosse

aquecido com um ferro de solda na parte de trás do seu encapsulamento novamente
(Figura 13), e em seguida o efeito fosse observado e monitorado medindo as correntes da
base, IB, e do coletor, IC.

14
 Figura 13 - Transistor sendo aquecido por um ferro de solda

Além disso, foi verificado a alteração do ganho de corrente do transistor em vista

desse sobreaquecimento sobre seu encapsulamento (Tabela 8):

RESULTADOS DO TESTE
Resistor: 1kΩ
−3
Ic 1 , 4 x 10 2
Ib: 3,1 µA β 3= = =4 , 51 x 10 =451
Ib 3 , 1 x 10−6
Ic: 1,4 mA

Tabela 8 - Resultados do teste

Essas alterações na corrente de base e coletor afetam o ganho do transistor, que é a

razão entre a corrente de saída e a corrente de entrada do dispositivo. Com o aumento da
corrente de coletor, o ganho pode aumentar ou diminuir dependendo do circuito em que o
transistor está sendo utilizado. Por isso, é importante levar em conta essas variações
causadas pelo aquecimento durante o projeto de circuitos eletrônicos.

POLARIZAÇÃO NO CORTE E SATURAÇÃO

Dando sequência nos experimentos, a montagem do próximo circuito consiste em

utilizar o transistor TBJ na configuração como uma chave (Figura 14), ou seja, atua em
apenas dois estados: ligado (saturado) ou desligado (corte), e para isso, utilizando a

15
protoboard e suas respectivas matrizes de conexão para efetuar a montagem (Figura 15).

Figura 14 - Esquemático Elétrico Figura 15 - Circuito Montado

Utilizando uma fiação em aberto no circuito como chave On/Off na posição aberta
(desligado), foi verificado o estado do LED como apagado inicialmente, e as seguintes
sequências de medições realizadas, Vc, Vce, Vbe, Vled e Ic (Tabela 9):

MEDIÇÕES NO TRANSISTOR BC548

Pontos de Medição Tensão (V) Corrente (mA)

Coletor 12,14 0

Base-Emissor 0,0005 ---

Coletor-Emissor 10,55 ---

LED 0,940 ---

Tabela 9 - MEDIÇÕES NO TRANSISTOR BC548

Com a fiação na posição fechada (ligado), o estado do LED alternou para aceso e
novos dados de medições foram levantados com base nessa alteração feita no circuito,
resultando na tabela abaixo (Tabela 10):

MEDIÇÕES NO TRANSISTOR BC548

16
 Pontos de Medição Tensão (V) Corrente (mA)

Coletor 0,0478 10

Base-Emissor 0,742 ---

Coletor-Emissor 0,0436 ------

LED 2,074

Tabela 10 - MEDIÇÕES NO TRANSISTOR BC548

E, para finalizar os experimentos correspondentes aos circuitos com transistores TBJ

utilizando o modelo com part number BC548, foi montado um circuito em que foi utilizado o
gerador de função afim de manter um sinal de entrada pulsante na base, e assim, fazer com
que um LED pisque na mesma frequência de atuação do instrumento, seguindo a seguinte
configuração: onda quadrada, 50% de duty-cycle (onda simétrica), 5V, 0V offset, 1.0Hz.

Figura 16 - Esquemático Elétrico Figura 17 - Circuito Montado

Com o osciloscópio foi realizada a medição das tensões de base e coletor-emissor,

além do registro das formas de ondas.

MEDIÇÕES NO TRANSISTOR BC548

Pontos de Medição Tensão (V)

Base 0,790

Coletor-Emissor 10,52

Tabela 11 - MEDIÇÕES NO TRANSISTOR BC548

O circuito descrito consiste em um amplificador emissor comum, no qual o transistor

BC548 é utilizado para amplificar um sinal de entrada de um gerador de funções. O LED é
utilizado como indicador visual do estado de condução do transistor.
O resistor de 1k em série com o LED limita a corrente que passa pelo LED para
protegê-lo. O resistor de 4,7k em série com o gerador de funções limita a corrente de base

17
do transistor.
Para medir VB e VCE, coloca-se a ponta de prova do osciloscópio entre a base do
transistor e o terra para medir VB, e entre o coletor do transistor e o terra para medir VCE.
Com a configuração do gerador de funções descrita, a frequência de operação (FO)
do circuito será de 1,0 Hz. O duty-cycle de 50% significa que a onda quadrada terá a mesma
duração de tempo em níveis altos e baixos.
Ao aplicar o sinal do gerador de funções na entrada do circuito, o transistor BC548 é
ativado e desativado em sincronia com o sinal de entrada. Isso deve fazer com que o LED
acenda e apague em sincronia com o sinal de entrada.

CONCLUSÃO
Em conclusão, o Transistor Bipolar de Junção (TBJ) é um componente fundamental
na eletrônica moderna, permitindo o controle do fluxo de corrente em circuitos eletrônicos de
forma precisa e eficiente. O TBJ é amplamente utilizado em diversas aplicações, como em
amplificadores de sinais, osciladores, fontes de alimentação, entre outros.

18
 O TBJ é um dispositivo semicondutor que possui três camadas, sendo uma de
material tipo N e outra de material tipo P, formando duas junções PN. Essa estrutura permite
que o TBJ opere como um interruptor controlado ou um amplificador de sinais.
Existem dois tipos principais de TBJ, o NPN e o PNP, que apresentam diferenças na
polaridade e na direção do fluxo de corrente. A escolha entre os dois tipos depende da
aplicação e do circuito eletrônico em que serão utilizados.
Apesar de suas vantagens, o TBJ apresenta algumas limitações, como a baixa
velocidade de operação em alta frequência, baixa impedância de entrada e distorção não
linear de sinais. Para superar essas limitações, novas tecnologias baseadas em transistores,
como o Transistor de Efeito de Campo (FET) e o Transistor Bipolar de Emissão Lateral
(Lateral Bipolar Junction Transistor - LBJT), têm sido desenvolvidas.
Em resumo, o TBJ é um componente eletrônico essencial que tem sido utilizado há
décadas na eletrônica moderna e continuará sendo utilizado em diversas aplicações. O
estudo contínuo do TBJ e das novas tecnologias baseadas em transistores é fundamental
para o desenvolvimento de sistemas eletrônicos mais eficientes e avançados.

REFERÊNCIA BIBLIOGRÁFICAS

Boylestad, Robert; Nashelesky, Louis. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos.

5ta. Ed. Rio de Janeiro: Prentice-Hall do Brasil, 1994.

Halliday, Resnick; Walker. Fundamentos de Física, Vol. 3, Ed. LTC.

19