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Polarização de Transistores
Gabriel Alves Pereira; Joab Tomaz de Aquino; Constantino Cândido Maranhão Mariz Neto; Matheus Cavalcanti da Silva
Santos
1 Resumo
Nessa prática foi feita a análise dos tipos de
polarização dos transistores. Foi feita
também uma comparação entre os valores de
corrente e tensão encontrados manualmente e
na simulação.
3 Metodologia
O transistor utilizado é o 2N5210 –
TO-92B, que possui o hfe (β) médio de 400,
e para os cálculos da atividade (o máximo é
600 e mínimo é 200), abaixo está o gráfico de
ganho típico da corrente de pulso versus a
corrente do Coletor:
Fig. 3 Circuito com Polarização do Emissor
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𝐼𝐶 = 400 𝑥 4,344 µ𝐴 ℎ𝑓𝑒 = 400 (𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑚é𝑑𝑖𝑜)
𝑰𝑪 = 𝟏, 𝟕𝟑𝟕𝒎𝑨 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
𝐼𝐶𝑄 = 400 𝑥 3,924 µ𝐴
• Tensão do Resistor do Coletor 𝑰𝑪𝑸 = 𝟏, 𝟓𝟔𝟗𝒎𝑨
𝑉𝑅𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶
𝑉𝑅𝐶 = 1,737𝑚𝐴 𝑥 4,7𝑘Ω • Tensão do Resistor do Coletor
𝑽𝑹𝑪 = 𝟖, 𝟏𝟔𝟒𝑽 𝑉𝑅𝐶 = 𝐼𝐶𝑅𝐶
𝑉𝑅𝐶 = 1,569𝑚𝐴 𝑥 4,7𝑘Ω
• Tensão do Coletor Emissor (LTK) 𝑽𝑹𝑪 = 𝟕, 𝟑𝟕𝟒𝑽
Malha 4: 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶(𝑅𝐶 +
𝑅𝐸) • Tensão do Coletor Emissor Ponto
Quiescente (LTK)
𝑉𝐶𝐸 = 12 − 1,737. 10−3 (4,7. 10³ + 1,0. 10³) • Malha 6: 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 – 𝐼𝐶 𝑅𝐶
• 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 12 − 7,374
• 𝑽𝑪𝑬𝑸 = 𝟒, 𝟔𝟐𝟔V
𝑽𝑪𝑬 = 𝟐, 𝟎99V
Simulação
Simulação
• Corrente de Base:
𝐼𝐵 = +𝐸𝑇ℎ−𝑉𝐵𝐸 / 𝑅𝑇ℎ + (𝛽+1)𝑅𝐸
𝐼𝐵 = +2,164𝑉 − 0,7𝑉 / 1,803. 103 + (400 +
1)1000
𝑰𝑩 = 𝟑, 𝟔𝟑𝟒 µ𝑨
• Corrente do Coletor.
ℎ𝑓𝑒 = 400 (𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑚é𝑑𝑖𝑜) 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
𝐼𝐶 = 400 𝑥 3,634 µ𝐴
𝑰𝑪 = 𝟏, 𝟒𝟓𝟑 𝒎𝑨
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• Tensão Coletor Emissor.
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸)
𝑉𝐶𝐸 = 12𝑉 − 1,453mA(4,7. 10³ + 1,0. 10³)
𝑽𝑪𝑬 = 𝟑, 𝟕𝟏𝟖𝑽
5 Conclusão
Conclui-se que tudo ocorreu como esperado.
A diferença entre os valores calculados
manualmente e os simulados foi muito pequena.