Curso de Eletrnica

Eletrnica Bsica 2
Parte 1

Prof. Kobori

Prof. Antonio Carlos Kobori

carloskobori@bol.com.br www.kobori.tk

Apostila de EB2 verso 2006.1

todos direitos reservados

ELETRNICA BSICA 2 Prof. Kobori.

Fonte de Alimentao A maioria dos circuitos eletrnica requer corrente contnua para a operao. Aparelhos que usam a rede eltrica precisam de um circuito para converter a tenso alternada para tenso ou tenses contnuas necessrias. Mesmo em aparelhos que usam pilhas ou baterias, pode haver necessidade de converso da tenso destas para nveis de operao dos circuitos. Uma fonte ideal no deve apresentar perdas, a tenso fornecida deve ser contnua pura, sem ondulaes e constante, independente da variao da carga. evidente que isso no existe na prtica, mas a evoluo dos circuitos (de fontes ou quaisquer outros) ocorre sempre no sentido da aproximao com o ideal. O propsito comear a partir dos conceitos mais simples e chegar at aos arranjos mais utilizados nos tempos atuais

Observao: transformadores so componentes quase sempre presentes em fontes de alimentao. Retificao O processo fundamental da fonte a retificao, isto , a transformao da corrente alternada em contnua. Isto feito normalmente por diodos, componentes que s permitem a passagem da corrente em uma direo. O exemplo mais simples de fonte: o transformador reduz ou eleva a tenso da rede para o valor desejado e um nico diodo s permite a passagem dos semiciclos positivos. Por isso, chamado retificador de meia-onda.

Tenso na carga : VP

ELETRNICA BSICA 2 Prof. Kobori.

O resultado uma corrente contnua pulsante, de valor de pico teoricamente igual ao valor de pico da tenso do secundrio do transformador. O circuito anterior pouco eficiente e de elevada ondulao, pois a metade do ciclo no aproveitada. Retificador onda completa O secundrio do transformador center tape, com a derivao central como referencial, devendo cada lado ter a tenso desejada na sada da fonte. A ondulao da corrente de sada visivelmente menor que a do circuito de meiaonda.

Tenso na carga : VP

Center Tape

Ponte de diodos

No circuito com ponte de diodos faz-se o mesmo trabalho de retificao em onda completa sem necessidade de duplo secundrio no transformador. A contrapartida o uso de quatro diodos em vez de dois. Assim pode-se notar que a tenso na carga RL a tenso de pico de sada do transformador, sendo ento: VRL = VP

Filtragem Para obter-se uma tenso de nvel DC (contnua) o mais prxima do ideal, utiliza-se o processo de filtragem com capacitor. O capacitor de filtro, ir se carregar com a tenso de entrada at atingir Vmax. A partir da, como seu potencial maior que a entrada, iniciar um processo descarga atravs de RL at que um novo semiciclo reinicie um processo de carga.

ELETRNICA BSICA 2 Prof. Kobori.

Anlise. Transformador: deve ser especificado em Vac tanto para o primrio como para o secundrio, indicar o tipo e a corrente mxima do secundrio(Is Max),

Vp = Vac/ 0,70 7

I sec IRl max

Diodos: deve se especificar a corrente direta(Id) e a tenso reversa(Vr).

Id IRL

Vr Vp

Capacitor: deve especificar o tipo, sendo que geralmente se utiliza o eletroltico devido a altas capacitncias, sua capacitncia e sua tenso de trabalho.

C = IRL / F Vond onde : F = frequencia para retificadores onda completa 120 Hz Vond = Tenso de ondulao (ripple)
Carga: deve especificar a Corrente de consumo, a tenso Vcc, a Potncia dissipada e a Resistncia mnima.

IRL = VRL / RL

Vcc = Vp

P = VRL IRL

ELETRNICA BSICA 2 Prof. Kobori.

Experimento: Retificao e filtragem 1. Circuito Retificador onda completa com Trafo CT.
D1
Trafo: Is = 500 ma C1 = 330F 1000 F e

trafo 12-0-12

C1 D2

RL 470R

1.1) 1.2) 1.3) 1.4)

Atravs de procedimentos tericos, especifique o projeto. Montar o circuito e efetuar as medies utilizando o osciloscpio e o multmetro, para os dois valores do capacitor C1. Desenhar as formas de onda em cada ponto relevante do circuito Comparar e concluir com os resultados tericos.

2.

Circuito
Trafo: Is = 500 ma

trafo 12-0-12

C1

RL 470R

C1 = 330F 1000 F

2.1) 2.2) 2.3) 2.4)

Atravs de procedimentos tericos, especifique o projeto. Montar o circuito e efetuar as medies utilizando o osciloscpio e o multmetro, para os dois valores do capacitor C1. Desenhar as formas de onda em cada ponto relevante do circuito. Comparar e concluir com os resultados tericos.

ELETRNICA BSICA 2 Prof. Kobori.

TRANSISTORES BIPOLARES 1951 a data de incio da Eletrnica Transistorizada, um dispositivo semicondutor capaz de amplificar sinais eltricos, como sinais de rdio e TV, que at ento era papel das vlvulas. O Transistor bipolar substitui as vlvulas, e entre vrias vantagens , podemos citar: a)pr ser um dispositivo semicondutor ele pode durar indefinidamente, b) no possui filamento, logo no requer consumo de potncia alta, c)suas dimenses so bastante miniaturalizadas, d) suas caractersticas de rigidez fsica permite circuitos mais dinmicos. Um transistor bipolar formado atravs de trs blocos semicondutores, divididos em dois tipos, npn ou pnp, onde o bloco central denomina-se base, e os outros coletor e emissor. Podemos notar que o bloco da base menor que os outros dois blocos, isto ser a principal caracterstica para seu funcionamento. Abaixo se demonstra a construo em blocos e a simbologia dos transistores bipolares.

Corrente coletor - emissor

coletor

PNP
Corrente de Base

NPN C C B E E

base

emissor

ELETRNICA BSICA 2 Prof. Kobori.

EFEITO TRANSISTOR.
+ VCC Q1 NPN + VBB

Observamos no diagrama, que o transistor est polarizado em sua juno base-emissor atravs de Vbb, e a juno coletor-emissor atravs de Vcc. A Vbb polariza diretamente a juno baseemissor, no entanto Vcc polariza reversamente a

juno coletor-emissor. Adotando o sentido real de corrente eltrica, teremos uma corrente circulando entre emissor-base, esta corrente ter um valor muito baixo devido a base ser fisicamente menor que os outros blocos semicondutores, o maior fluxo de corrente ir para o coletor , atrado pela Vcc, mesmo esta juno estando polarizada reversamente. Podemos afirmar que a corrente de base (muito pequena) controla o fechamento entre coletor emissor, conseqentemente a corrente de coletoremissor, a esta caracterstica chamamos de efeito transistor. Abaixo observamos o diagrama esquemtico das correntes do transistor, a corrente Ic ser praticamente igual IE, que controlada pela corrente IB.

ELETRNICA BSICA 2 Prof. Kobori.

IDENTIFICAO DE TERMINAIS E POLARIDADE (NPN OU PNP) 1) Identificao da Base (para transistores NPN ou PNP) Mea as resistncias direta e reversa entre os terminais do transistor, dois a dois, at que um par resulte em resistncias ALTAS nos dois sentidos, o terminal que no fizer parte desta ltima medida a base. Obs: A base no , necessariamente, o terminal central do transistor. 2) Identificao do Coletor, do Emissor e da Polaridade do Transistor. Mea as resistncias diretas entre a base e os dois outros terminais. Tais medidas identificaro a polaridade do transistor, sendo NPN se a resistncia direta for medida com a ponta de prova positiva (+) na base, e PNP se a resistncia direta for medida com a ponta de prova negativa (-) na base. A identificao do coletor e do emissor feita pela comparao entre as medidas das resistncias diretas (BAIXAS). As figuras abaixo mostram como a polaridade do transistor e os terminais coletor e emissor podem ser identificados, considerando como exemplo o terminal central como base. A resistncia BAIXA de menor valor identifica o emissor por causa da variao de dopagem entre ele e o coletor. A diferena entre as resistncias BAIXAS de menor e de maior valores no grande; portanto, essas medidas devem ser realizadas com cuidado.

ELETRNICA BSICA 2 Prof. Kobori.

NPN general purpose transistors

BC546; BC547; BC548

FEATURES Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 65 V). APPLlCATIONS General purpose switching and amplification.

PINNING

PIN 1 3 emitter base collector

DESCRIPTION

DESCRIPTION NPN transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. PNP complements: BC556, BC557 and BC558.

Fig.1 Simplified outline (TO-92; SOT54) and symbol.

SYMBOL
VCBO

PARAMETER
collector-base voltage BC546 BC547 BC548 open emitter

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

open base

80 50 30

V V V

VCEO

collector-emitter vo!tage BC54r

BC547 BC548 ICM

Pio!

65 45 30
200

V V V
mA mW

peak collector current

total power dissipation DC current gain BC546 BC547 BC548 Tamb S; 25C Ic = 2 mA; V CE = 5 V

110 110 110 Ic = 10 mA; VCE = 5 V; f = 100 MHz 100

500
450 800 800

hFE

fT

transition frequency

MHz

ELETRNICA BSICA 2 Prof. Kobori.

Atividade Utilizando o Multmetro digital na escala de semicondutores, Identificar o cdigo do fabricante. Identificar os terminais dos transistores abaixo. (coletor/emissor/base) Identificar o tipo. (NPN ou PNP) Identificar o material. (Silcio ou Germnio)

ELETRNICA BSICA 2 Prof. Kobori.

CURVA CARACTERSTICA. A curva caracterstica de um transistor bipolar descreve seu funcionamento de forma completa para interpretao geral. Formada pelos eixos da corrente de coletor IC em funo da tenso VCE, tendo as correntes de base em suas funes, temos dois pontos nesta, que so: o valor IC mxima. (VCC/RC) e o valor de Vcc, da unio destes pontos traa a chamada reta de carga, que tem o ponto Q (quiescente) se deslocando sobre ela. A projeo perpendicular do ponto Q ao eixo IC indica o valor de corrente de coletor, e a projeo perpendicular do ponto Q ao eixo VCE indica o valor da tenso entre coletor-emissor. A tabela abaixo mostra as tenses e correntes do transistor, verifique a integrao entre a tabela e a curva caracterstica. IB IC zero Ic mxima. VCE Vcc zero

Corte
Saturao

mnima mxima

Alguns tipos de transistores

Transistor baixa potncia

Transistor mdia potncia

Transistor de potncia

10

ELETRNICA BSICA 2 Prof. Kobori.

Experimento: Verificao e comprovao dos parmetros de um transistor 1) Circuito:

Vcc 12V

470R

VB 12V

D1 LED1

RB Q1 BC548

2)Testes: 3.1) Montar o circuito. 3.2) Efetuar as medidas para preencher a tabela 1.
RB Ib (terica) Ib (medida) IC (medida) Vce (medida)

6,8 M 2,7 M 1M 560 K 270 K 180 K 100 K

3.3) Compare os resultados obtidos na tabela 1, com a curva caracterstica do transistor, observando os parmetros de funcionamento do componente. 3.4) Construa a curva caracterstica do transistor, conforme os valores obtidos. 4.0) Pesquisa Apresentar em anexo, tabelas de caractersticas de transistores

11

ELETRNICA BSICA 2 Prof. Kobori.

QUESTES 01- Explique e exemplifique a estrutura fsica de um transistor bipolar. 02- Explique o efeito transistor, relacionando-o com amplificador de corrente. 03- Em um transistor NPN os portadores majoritrios da base so: eltrons livres lacunas ambos 04- A barreira de potencial em cada depresso, consecutivamente para o Si e Ge , aproximadamente: a) 0,7v e 0,3v b) 0,3v e 0,7v 05- Para operar como amplificador de corrente, a juno base-emissor deve ser polarizada : diretamente reversamente ambas 06- Justifique a resposta da questo 05. 07- A corrente de emissor IE a somatria de: a)IB + IE b)IB + IC c)Nenhuma das anteriores. 08- A corrente de coletor IC controlada pela: a)Vcc b)IB c)IE d)Nenhuma das anteriores 09- Justifique a resposta da questo 08. 10- Sabendo-se que o ganho de corrente em um transistor chamado de Beta , e determinado pela relao da corrente de sada em funo da entrada, determine a equao de ganho Beta. 11- Se o Beta de um transistor for 200 e a corrente de coletor for 100mA, calcule a corrente de base. 12

ELETRNICA BSICA 2 Prof. Kobori.

12- Explique e esquematize o processo de testes que podem ser efetuados em transistores utilizando o multmetro digital. 13- Equacione a Potncia dissipada pelo transistor bipolar. 14- A tenso de base-emissor ser uma tenso de valor fixo, devido polarizao direta, sendo esta tenso de valor da barreira de potencial. A afirmao acima est correta? Justifique. 15- A corrente de coletor de 5mA e a corrente de base de 0,02mA. Qual o valor de Beta? 16- Um transistor tem um ganho de 125 e uma corrente de base de 30A. Calcule a corrente de coletor. 17- Se um transistor operar no meio da reta de carga , um aumento na resistncia da base far o ponto Q se mover a)para baixo b)para cima c)ficar no mesmo lugar d)para fora da reta de carga 18- Justifique a questo 17. 19- Se um transistor opera no meio da reta de carga, um aumento no ganho de corrente mover o ponto Q a)para baixo b)para cima c)ficar no mesmo lugar d)para fora da reta de carga 20- Quando o resistor de base diminui, a tenso do coletor provavelmente a)diminuir b)aumentar c)permanecer igual 21- Justifique a questo 20. 22- Suponha que o resistor de base esteja aberto, qual ser o valor da tenso no coletor? Justifique. 23- Qual ser o valor da tenso entre coletor e emissor quando o transistor estiver em saturao? Justifique. 24- Construa uma curva caracterstica de um transistor bipolar, explicando-a.

13

ELETRNICA BSICA 2 Prof. Kobori.

TRANSISTOR POLARIZADO COMO CHAVEADOR Chamamos de polarizao de um transistor o circuito, na maioria resistivo, onde aplicamos determinadas tenses e correntes calculadas a fim de situarmos o ponto quiescente em um local da reta de carga. Conforme polarizao, um transistor pode operar em trs regies distintas, a de corte, a ativa e a de saturao. Na regio ativa, o transistor utilizado como amplificador . Nas regies de corte e saturao, utilizado como chaveador (interruptor), servindo para comutao, conduzindo ou no. A polarizao determinada de forma a situar o ponto quiescente na regio de corte, quando a IB for a mnima, e na regio de saturao quando a IB estiver com valor mximo, esta condio retoma a curva caracterstica e relaciona o ganho de um transistor sendo Beta () sendo, =IC / IB Para fins de calculo, utilizamos em projeto a corrente de base na saturao IBsat , um valor que assegura o fechamento total entre coletor e emissor, que ser adotado um Beta igual a 10 , assim teremos IB= IC / sat Para o transistor operar na regio de corte, ou seja, chave aberta necessrio que o potencial de VBB seja menor que VBE , sendo assim VCE aproximadamente igual a VCC , e para regio de saturao VBB deve ser maior que VBE fazendo ento a VCE atingir um valor de VCE saturao , sendo ento VCE aproximadamente igual a zero. Circuito Transistor como Chave

D1 LED1

Rc

Anlise
Clculo de RC RC = VCC - VRL - VCEsat / IC Sendo IC = IRL Clculo de IB sat IB sat = IC / sat sendo sat = 10 adotado. Clculo de RB RB = VBB VBE / IB sat

VBB +V Rb S1 Q1 NPN + Vcc

14

ELETRNICA BSICA 2 Prof. Kobori.

Experimento: TRANSISTOR CHAVEADOR Ttulo: Polarizao, montagem e testes prticos de um circuito polarizador de transistor como chaveador. Circuito:
Vcc D1 LED1 Rc

Transistor BC 548 Vce sat= 0.1v Vl = 1.7v IL = 20 mA Vcc = 12v

+V Rb S1 Q1 NPN

+ Vcc

Testes: A) Calcular o valor de Rb e Rc para o circuito (adotar Rb= 5K6 e Rc = 470 )

B) Montar o circuito e observar o funcionamento.

C) Medir o valor de Vce em corte e saturao

D) Medir o valor de Ic em saturao e corte.

E) Medir o valor de Vbe em saturao e corte. F) Concluses gerais.

15

ELETRNICA BSICA 2 Prof. Kobori.

POLARIZAO DE TRANSISTORES Como vimos, para uma melhor condio de aproveitamento da funo efeito transistor devemos polarizar a juno base/coletor reversamente, e aplicarmos valores de corrente de coletor, emissor e base de acordo com onde queremos o ponto quiescente. Polarizando um transistor para que o mesmo opere em uma regio de trabalho, sendo um amplificador de corrente , analisaremos dois tipos de polarizao: - polarizao de IB constante, e polarizao de IB varivel . Polarizao de IB constante utilizaremos quando o valor da corrente de base se comportar de forma constante e sem varries, onde o ponto quiescente ficar em um local fixo na reta de carga.

CIRCUITO E ANLISE

+ Vcc Rb Rc

Q1 NPN

Re

Clculo de IB: IB = IC /

utilizar o Beta nominal do transistor onde # VBE de acordo com o transistor. # VRE = VCC / 10 para projeto

Clculo do RB: RB = VCC VBE VRE / IB Clculo de RC: RC = VCC VCE VRE / IC Clculo de IE: IE = IB + IC quando o Beta for maior Clculo de RE:

ou igual a 100 podemos desprezar o valor de IB.

RE = VRE / IE

16

ELETRNICA BSICA 2 Prof. Kobori.

Experimento: POLARIZAO DE TRANSISTOR IB CONSTANTE Ttulo: Polarizao, montagem e testes prticos de um circuito polarizador de transistor com corrente de base IB constante. Circuito: Transistor BC 548 Rb = 150 K Rc = 330 R Re = 100 R Vcc = 12v

+ Vcc Rb Rc

Q1 NPN

Re

Testes: a) Monte o circuito, agora colocando o resistor Re, e preencha o quadro abaixo:

IB

IC

IE

VBE

VCE

Vrb

Vrc

Vre

Vcc

b) Compare os resultados atravs de clculos, faa a curva caracterstica.

17

ELETRNICA BSICA 2 Prof. Kobori.

POLARIZAO DE TRANSISTOR COM DIVISOR DE IB (IB VARIVEL) O circuito polarizador de transistor utilizando o divisor de tenso de base utilizado com maior freqncia para circuitos em que o sinal de entrada tem funo varivel, alm de se obter uma melhoria em relao estabilizao trmica.

+ Vcc Rb1 Rc

Q1 NPN

Rb2

Re

ANLISE DO CIRCUITO Analisando a malha de entrada, teremos um divisor de tenso formado por RB1 e RB2, nesta malha a corrente do divisor ( ID ) ter um valor para efeito de clculo adotado como sendo: ID = IC / 10. Lembrando que a corrente IB ser a corrente de entrada, que ir variar o ponto quiescente na reta de carga. Observando o RB2 , notamos que o mesmo encontra-se em paralelo com a malha em srie de RE e a juno base / emissor, portanto: VBE + VRE = VRB2 Logo: RB2 = VRB2 / ID Ainda analisando o divisor de tenso, temos que a tenso total aplicada ao divisor resistivo a VCC , logo deduzimos que: VCC VRB2 = VRB1 Logo: RB1 = VRB1 / ID

18

ELETRNICA BSICA 2 Prof. Kobori.

Para a malha de sada teremos o RC sendo o limitador e polarizador de IC, ento temos: RC = VRC / IC Sendo: VRC = VCC VCE VRE O resistor RE utilizado para estabilizao trmica calculado sendo: RE = VRE / IE Sabendo que: VRE = VCC / 10 e podendo IB ser desprezada quando Beta for maior que 100. IE = IC + IB

19

ELETRNICA BSICA 2 Prof. Kobori.

Experimento: POLARIZAO DE TRANSISTOR DIV. TENSO BASE Ttulo: Polarizao, montagem e testes prticos de um circuito polarizador de transistor com divisor de tenso de base.
+ Vcc Rb1 Rc

IC(mA 37,5
Q1 NPN

Vce (V)
Rb2

Re

12

Sendo a curva caracterstica e o circuito polarizador acima, usando um transistor bipolar NPN de Si, modelo BC 548, realize os testes abaixo. TESTES: Calcule e preencha o quadro 1 abaixo: (TEORICAMENTE). ID IC IE VBE VCE VRE VRB VRB RC 1 2 RE RB1 RB2

Monte o circuito, e realize as seguintes medidas, preenchendo o quadro 2 abaixo: (PRTICA) ID IC IE VBE VCE VRE VRB VRB RC 1 2 RE RB1 RB2

03) Estabelea a comparao entre a teoria e a prtica, fazendo assim uma descrio e uma concluso sobre o circuito e a curva caracterstica, observando sempre os valores adotados comercialmente dos componentes.

20

ELETRNICA BSICA 2 Prof. Kobori.

EXERCCIOS 01- No circuito abaixo, sabendose que todos Resistores de base esto dimensionados para a saturao dos transistores, preencha o quadro indicando aceso ou apagado, para a condio do LED.
R6 R8 R9 D1 LED1 + V1 R1 Q1 S2 R2 Q2 R3 Q3 R4 Q4 R5 Q5 R7

S1

S1 1 1 2 2

S2 1 2 1 2

LED

02- Desenhe o diagrama eltrico de um circuito polarizador de transistor com IB constante e outro de divisor de IB. 03- Sendo um circuito polarizador de IB constante, calcule o valor nominal de RC, RE e RB , para os casos abaixo; sendo a Vbb de 3V em todos os casos. a)TR = Si, Beta = 50, Vcc = 10V, IC = 20mA, Regio Quiescente. b)TR = Si, Beta = 100, Vcc = 10V, Vce = 5v, IC = 20 mA c)VBE = 0,3v, Beta = 100, Vcc = 10v, VCE = 5v , IC = 10 mA d)TR = Si, Beta = 100, Vcc = 12v, VCE = 2v , IC = 30 mA e)TR = Ge, Beta =100, Vcc = 10v, VCE= 3v , IC= 20 mA f)TR = Ge, Beta = 50 , Vcc = 20v , Regio Quiescente , IC = 30 mA 04- Sendo um circuito polarizador de divisor de IB, calcule o valor nominal de RC, RE, RB1, RB2, para os casos abaixo: a)TR = Si, Beta = 50, Vcc = 10V, IC = 20mA, Regio Quiescente. b)TR = Si, Beta = 100, Vcc = 12V, Vce = 5v, IC = 30 mA 05- Para um circuito polarizador de transistor como chaveador , calcule RB e RC, sendo: a)VBB = 10v, VCC = 12v, VCEsat = 0,3v, PRL = 100mW, VRL = 2v b)VBB = 5v, VCC = 20v, VCEsat = 0,2v, PRL = 150 mW, VRL = 2v c)VBB = 10v, VCC = 12v, VCEsat = 0,2v, IRL = 20mA, VRL = 3v.

21

ELETRNICA BSICA 2 Prof. Kobori.

Atividades: 01) Para o circuito abaixo, transistor chaveador, calcule o que se pede:
RL Rc

+ Vcc Rb Q1 NPN + Vbb

Tr = Si Vcc = 20V Vbb = 5 V VRL = 5,3 V PRL = 25 mW

Calcule: RC= ...........

02) Para o circuito abaixo, polarizador com IB constante, calcule o que se pede:
+ Vcc Rb Rc

Q1 NPN

Tr = Si Vce = 4V Vcc = 20V Beta = 100 Ic = 30 mA

Calcule: RB=............... . RC=

Re

03) Para o circuito abaixo, polarizador por divisor de tenso de base, calcule o que se pede: Tr = Si Vcc = 30V Vce = 15V Ic = 40 mA Calcule RC=.................... ... RE=.................... ...

+ Vcc Rb1 Rc

Q1 NPN

Rb2

Re

04) Analisando o circuito do exerccio 02, supondo que o resistor RB abra, qual ser a tenso entre coletor e emissor do transistor? Justifique sua resposta. 05) Construa a curva caracterstica do transistor, cuja polarizao seja relativa ao circuito do exerccio 03.

22

ELETRNICA BSICA 2 Prof. Kobori.

Experimento: AMPLIFICADOR TRANSISTORIZADO Ttulo: Amplificador de pequenos sinais, usando o transistor bipolar e levantamento da curva de resposta em freqncia. CIRCUITO
Rc 330 C2 1uF Vin C1 1uF Q1 548 + Vcc 12V

Rb1 5K6

Vout

Rb2 1k2

Re 100

+ C3 100uF

TESTES a) Montar o circuito e aplicar na entrada um sinal senoidal de 100m Vpp, com freqncia de acordo com a tabela abaixo, medindo o valor do sinal de sada. Calcule o ganho AV para cada freqncia e preencha a tabela. TABELA Vin freq. 200 Hz 300 Hz 500 Hz 2 KHz 6 KHz 20 KHz 40 KHz 100 KHz 300 KHz 500 KHz 800 KHz 1 MHz 1,5 MHz Vout volt Av

C) Construa o grfico AV x freqncia ( curva de resposta em freqncia) .

23

ELETRNICA BSICA 2 Prof. Kobori.

Referncias Bibliogrficas :
CAPUANO, Francisco e MARINO, Maria. Laboratrio de Eletricidade e Eletrnica. So Paulo: rica, 1995. MALVINO, Albert P. Eletrnica . vol.1 e 2 . Pearson Education do Brasil Ltda., 1997. MARKUS, Otvio. Ensino Modular: Sistemas Analgicos - Circuitos com Diodos e Transistores. So Paulo: rica, 2000. ALBUQUERQUE, Rmulo Oliveira. Anlise de Circuitos em corrente Alternada. So Paulo: rica. ALBUQUERQUE, Rmulo Oliveira. Anlise de Circuitos em corrente Contnua. So Paulo: rica. MARKUS, Otvio. Ensino Modular: Teoria e Desenvolvimento de Circuitos Eletrnicos. So Paulo: rica, 2000. MARKUS, Otvio. Ensino Modular: Eletricidade Corrente Contnua. So Paulo: rica, 2000. SIMONE, Glio Alusio. Transformadores Teoria e Exerccios. So Paulo: rica. NETO, Vicente Soares e . Telecomunicaes Tecnologia de Centrais Telefnicas. So Paulo: rica. LANDO, Roberto Antonio. Amplificador Operacional. So Paulo: rica. GIORGINI, Marcelo. Automao Aplicada: Descrio e Implementao de Sistemas Seqenciais com PLCs. So Paulo: rica. BOYLESTAD, Robert L. Dispositivos eletrnicos e teoria de circuitos. So Paulo: Pearson Education do Brasil, 2004.

24