Disciplina: Laboratório de Eletrônica

Período Letivo: 2021.2

Professor: Pedro Henrique
Alunos: Maria Eduarda Salgado Macedo e Wanderson Silva Freitas Data: 29/12/2021

Relatório Técnico da Simulação Circuitos com TBJ

1. Maria Eduarda Salgado Macedo Matr.: 20192EEI0047

2. Wanderson Silva Freitas Matr.: 20192EEI0022

Resumo: Este relatório apresenta a montagem desenvolvida na matéria de laboratório de

eletrônica dos circuitos com transistores bipolares de junção, com e sem capacitores, para
verificar seu funcionamento, observar comportamento e diferenças e efetuar medidas por meio
do osciloscópio. Neste documento, encontra-se os registros dos circuitos em simulação de um
transistor polarizado por divisor de tensão como amplificador de emissor comum, tais como as
formas de ondas para cada circuito.

Palavras-chave: Eletrônica. Transistores. Amplificadores. Emissor Comum. Circuito.

1. Introdução

Polarização por Divisor de Tensão (PDT).

Nas polarizações anteriores a corrente e a ddp eram funções do ganho de corrente (beta).
Entretanto ele é muito sensível à temperatura, e o valor exato de beta normalmente não é
bem definido. Seria então desejável desenvolver um circuito de polarização que seja menos
vulnerável, ou seja, independente do beta do transistor. O circuito mais usado na polarização
do transistor é o chamado polarização por divisor de tensão (PDT). Este circuito é derivado
do circuito de polarização do emissor.
Algumas vezes, a tensão da fonte pode ser muito alta para ser aplicada diretamente na
base. Para esse tipo de circuito, ao se resolver sem modificar a fonte, aplicamos um divisor

1 de 9
de tensão como mostrado na figura abaixo. Escolhendo adequadamente os valores de R1 e
R2, podemos diminuir a tensão para valores adequados do circuito apresentado na Fig. 1.

Figura 1. Representação do Circuito de aplicação para um divisor de tensão.

Análise desse circuito:

O circuito acima pode ser redesenhado como mostra a figura abaixo para a análise dc.
Sendo classificado como um circuito equivalente de Thèvenin para o circuito à esquerda do
termina da base pode ser determinado da seguinte maneira:

Figura 2. Representação da aplicação do Teorema de Thèvenin no Circuito

2 de 9
Passo 1:
Substituir a tensão por um curto-circuito e calcule a resistência em paralelo de R1 e R2.

Figura 3. Tensão em curto-circuito em paralelo.

Para o cálculo da tensão sobre o resistor R2 do circuito abaixo:

Figura 4.Tensão em curto-circuito em paralelo.

Se usa a relação:

3 de 9
 E para o cálculo da determinação da tensão entre o coletor e o emissor, usa – se a relação:

Polarização do emissor

Figura 5. Circuito de polarização do emissor

O circuito de polarização CC que está representado na figura 1.2.1 contém um resistor

conectado ao emissor para tornar mais estável a configuração com polarização fixa. Pois,
quanto mais estável for uma configuração, menos sua resposta ficará submetida a alterações
desfavoráveis de temperatura e variações de parâmetros.

Ao adicionar o resistor de emissor ao circuito de polarização CC do transistor bipolar

de junção (TBJ), ocorre uma melhoria na estabilidade, isto é, as correntes e tensões CC se
mantêm aproximadas dos valores estabelecidos pelo circuito quando acontecem modificações
nas condições externas, como exemplo a temperatura e o beta do transistor sofrem variações.
O nível de saturação do coletor ou a corrente de coletor máxima em um projeto de
polarização podem ser determinados estabelecendo um curto-circuito entre os terminais do
coletor e do emissor e calculando a corrente do coletor resultante.

𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸

4 de 9
 Após a inclusão do resistor do emissor, o nível de saturação do coletor é levado a um
valor abaixo do obtido ao utilizar uma configuração de polarização fixa com o mesmo resistor
de coletor.

2. Objetivos

2.1. Objetivo Geral

Comprovar teorias vistas em sala de aula em um simulador e comparar resultados

calculados comparando possíveis erros entre o que foi visto na teoria e a simulação
computacional.

2.2. Objetivos Específicos

 Executar os circuitos nos simuladores antes de executar a prática no laboratório;

 Comprovar valores encontrados nos cálculos teóricos;
 Entender o motivo de um sinal CC não afetar a saída CA do circuito medida no
osciloscópio; e
 Executar trabalho em equipe fundamental para um profissional da área de engenharia.

3. Metodologia

3.1. Materiais

 Software NI Multisim 14;

 Transistor Simulado BC548B;

3.2. Métodos

Para a simulação ser realizada, foram feitos cálculos sobre as resistências do

circuito e as respectivas correntes. O transistor utilizado foi o BC548B encontrado na biblioteca
do NI Multisim 14. O circuito do Experimento 1 foi montado conforme Figura abaixo:

5 de 9
 Figura 6. Circuito Experimento 1

Depois de feita todas as medições de tensão e corrente, foram inseridos dois capacitores
de 10uF cada e uma fonte de tensão alternada de 10mV em uma frequência de 60Hz. Com o
auxílio de osciloscópio, foram realizadas as medidas da entrada e da saída para efeitos de
comparação. O circuito pode ser visto a seguir:

Figura 7. Circuito Experimento 1 Emissor Comum

6 de 9
 A mesma abordagem foi realizada com o circuito do Experimento 2. O circuito foi
desenhado da seguinte forma:

Figura 8. Circuito Experimento 2

Com as medidas de tensão e correntes em mãos, foram adicionados ao circuito dois

capacitores de 10uF e um de 50uF e uma fonte de tensão alternada de 1mV em uma frequência
de 60Hz. O circuito montado é mostrado a seguir:

7 de 9
 Figura 9. Circuito Experimento 2

4 Resultados

Experimento 1

Para o circuito do Experimento 1 os cálculos foram realizados para determinar as

resistências, tensões e correntes no circuito para alcançar os valores estabelecidos. Para este
circuito considerou-se a corrente 𝐼𝐸 um valor próximo da corrente 𝐼𝐶 . Assim obtendo as
seguintes tensões:

Para 𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶 ; 𝐼𝐶 = 2𝑚𝐴 logo 𝐼𝐸 = 2𝑚𝐴.

Para as tensões foram utilizados as formulas seguintes:
𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 ∗ 1,2𝑘Ω = 2𝑚𝐴 ∗ 1,2𝑘Ω = 2,4𝑉
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 = 10𝑉 + 2,4𝑉 = 12,4𝑉
𝑉𝐵 = 2,4𝑉 + 0,7𝑉 = 3,1𝑉
Sendo as resistências 𝑅𝐶 e 𝑅1 :
18 − 𝑉𝐶 = 𝑅𝐶 ∗ 𝐼𝐶
18 − 12,4𝑉 = 𝑅𝐶 ∗ 2𝑚𝐴
𝑅𝐶 = 2,8𝑘Ω
As correntes que passam pelos resistores 𝑅1 e 𝑅2 :
8 de 9
 𝑉𝐵 3,1𝑉
𝐼𝑅2 = = = 172𝜇𝐴
18𝑘Ω 18𝑘Ω

Considerando que 𝐼𝐵 = 0 então 𝐼𝑅1 = 𝐼𝑅2 = 172𝜇𝐴; logo, para 𝑅1 :

18𝑉 − 3,1𝑉
172 𝜇𝐴 = => 𝑅1 = 86,6𝑘Ω
𝑅1

Como visto nos cálculos os valores na simulação para as correntes 𝐼𝐸 e 𝐼𝐶 são

aproximadamente os mesmos:

Figura 10. Circuito Experimento 1 - Correntes Ic ≅ Ie

Utilizando pontos de medição para as tensões, confirmou-se os valores mostrado nos

cálculos que podem ser vistos na Tabela 1:

9 de 9
 Figura 11. Circuito Experimento 1 - Tensões V_B, V_C e V_E

Tabela 1: Valores de tensão encontrados

Cálculos - Ret. de meia onda

𝑉𝐸 2,4 𝑉

𝑉𝐶 12,4 𝑉
𝑉𝐵 3,1 𝑉

A simulação também mostrou valores aproximados para as correntes 𝐼𝑅1 e 𝐼𝑅2 :

10 de 9
 Figura 12. Circuito Experimento 1 - I_R1 próximo de I_R2

Assim como esperado, os valores experimentais para resistências, tensões e correntes

foram aproximados com os teóricos demonstrados através dos cálculos.
Adicionado os capacitores e a fonte de tensão alternada, verificamos com o osciloscópio
as formas de onda da entrada e saída do circuito do Experimento 1, também denominado
Amplificador de Emissor Comum:

Figura 13. Circuito Experimento 1 - Amplificador de Emissor Comum

11 de 9
Formas de onda no osciloscópio

Com o osciloscópio, as formas de ondas foram plotadas, sendo a onda em azul para a
entrada e a saída em vermelho, podendo ser comparadas na Figura:

Figura 14. Circuito Experimento 1 - Gráfico do osciloscópio

Os valores apresentados pelo osciloscópio para o pico de tensão na saída do Canal B:

Figura 15. Circuito Experimento 1 - Medidas Sinal Amplificado

Como mostrado pelo gráfico da Figura XX, a tensão AC de 10 mV foi amplificada em

23 mV na saída do capacitor, demonstrando a utilidade desta ferramenta em amplificar sinais
12 de 9
de baixa voltagem para uma mais alta sendo importante para várias implementações como
sinais de rádios que são que são captados por antenas.

Experimento 2

Seguindo o mesmo raciocínio, para o circuito do Experimento 2 que é apresentado na

Figura 3.2, os cálculos realizados para determinar as resistências, tensões e correntes são
demonstrados a seguir (usando 𝛽 = 150 como especificado):

𝐼𝐶 = 2 𝑚𝐴

𝐼𝐶 2𝑚𝐴
𝐼𝐵 = = => 𝐼𝐵 = 13,3 𝜇𝐴
𝛽 150

𝐼𝐸 = (1 + 𝛽)𝐼𝐵 = 151 ∗ 13,3 𝜇𝐴 = 2,013 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐶 20 𝑉
𝑉𝐸 = = = 2 𝑉 => 𝑉𝐵 = 2 + 0,7 = 2,7 𝑉
10 10

𝑉𝐶 = 2 + 10 = 12 𝑉

Para as resistências 𝑅𝐵 , 𝑅𝐸 e 𝑅𝐶 os valores foram demonstrados utilizando a Lei de

Ohm:
20 𝑉 − 12 𝑉
𝑅𝐵 = = 4 𝑘Ω
2 𝑚𝐴

2𝑉
𝑅𝐸 = = 990 𝑘Ω
2,013 𝑚𝐴

20 𝑉 − 27 𝑉
𝑅𝐶 = = 1,3 𝑀Ω
13,3 𝜇𝐴

Estes valores teóricos foram confirmados na simulação:

Correntes 𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 e 𝐼𝐸 :

13 de 9
 Figura 16. Circuito Experimento 2 – Correntes I_B, I_C e I_E

Tensões 𝑉𝐵 , 𝑉𝐶 e 𝑉𝐸 :

Figura 17. Circuito Experimento 2 – Tensões V_B, V_C e V_E

14 de 9
 Trocando o transistor agora pelo modelo BC548B o circuito do Experimento 2 pode ser
visto abaixo:

Figura 18. Circuito Experimento 2 – Transistor BC548B

Para este transistor, as correntes 𝐼𝐶 e 𝐼𝐵 apresentam novos valores, sendo estes:

𝐼𝐶 = 3,76 𝑚𝐴

𝐼𝐵 = 12 𝜇𝐴

15 de 9
 Figura 19. Circuito Experimento 2 – Correntes I_C e I_B

O ganho do transistor β foi calculado a seguir:

𝐼𝐶 2 𝑚𝐴
𝛽= = = 313,33
𝐼𝐵 13,3 𝜇𝐴

Utilizando agora os capacitores no circuito do Experimento 2 da Figura 3.3 e usando

um osciloscopio para realizar as medições de tensões de entrada e saída, observamos uma
amplificação do sinal de tensão ainda maior quando comparada com o circuito Amplificador
de Emissor Comum do Experimento 1. As formas de ondas pode ser vistas abaixo:

Figura 20. Circuito Experimento 2 – Formas de Onda

16 de 9
 A onda em azul é o sinal de entrada enquanto a onda em vermelho é a resposta do
circuito na saída do capacitor C2. Os valores obtidos pelo osciloscio são demonstrados:

Figura 21. Circuito Experimento 2 - Medidas Sinal Amplificado

A resposta para uma aplicação de 1mV na entrada o circuito responde com 66,5 mV
na saída.

5 Conclusão

Portanto, com a montagem dos circuitos utilizando o protoboard, assim como a

utilização de equipamentos como por exemplo, o multímetro e o osciloscópio, foi possível
examinar os circuitos. Observa – se um ponto em questão, que circuitos transistorizados são
sensíveis às variações de temperatura, sofrendo mudanças no ponto de operação. Uma forma
de amenizar os efeitos da dependência térmica é polarizar o transistor por divisão de tensão.
Com isso, construção dos gráficos auxiliou na análise do comportamento deste tipo
de circuito. Após as simulações dos circuitos o que se ganha destaque será a sua estabilidade
térmica praticamente independente de β.

6 Referências

BOYLESTAD, R. L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria dos Circuitos. 11 ed. São Paulo:

Pearson Education do Brasil, 2012.

MATTEDE, H. Tipos e aplicações dos circuitos eletrônicos. Mundo da Elétrica, 2018.

Disponível em: www.mundodaeletrica.com.br/tipos-e-aplicacoes-dos-circuitos-eletronicos/
Acesso em 23/11/2021.

MALVINO, A. P. Eletrônica – Volume 1. 4 ed. São Paulo: Pearson Education do Brasil, 1997.

17 de 9