PRÁTICA 5: CURVAS

CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR TBJ

Aluno: Antônio Victor Gonçalves da Silva Matrícula: 20189036812
Prof. Marcos Eduardo do Prado Villarroel Zurita

Materiais Utilizados
Multímetro, resistores, fonte de tensão regulável, transistor NPN 2N3904 e osciloscópio.
INTRODUÇÃO
Um transistor de junção bipolar (TBJ) é um dispositivo eletrônico feito de materiais semicondutores
dispostos em três camadas de materiais tipo N e tipo P, sendo elas “emissor”, “coletor” e “base”. De
forma básica, o emissor é responsável por “emitir” portadores majoritários em direção à região
coletora, o coletor tem a função de “coletar” os portadores majoritários vindos da região emissora e
a base, região intermediária, faz o controle do fluxo de portadores entre as outras duas regiões. O
TBJ possui diversas aplicações em circuitos elétricos atuando como amplificadores, chaves e
osciladores. A figura 1 mostra a simbologia do TJB NPN e PNP.
Em configuração emissor-comum, mostrada na figura 2, a corrente entra pelo coletor (I C) e pela
base (IB) e saí pelo emissor (IE), com isso é possível extrair duas curvas para analisar o
comportamento do TBJ: base-emissor e emissor-coletor, respectivamente entrada e saída. A saída se
dá por uma curva que relaciona a corrente no coletor (I C) e a tensão coletor-emissor (VCE) obtendo
valores da corrente de base (IB), e a entrada relaciona a corrente de base (I B) a tensão coletor-
emissor (VCE) obtendo valores da corrente de coletor (I C), essas curvas são mostradas nas figuras 3 e
4. A relação entre as correntes na configuração emissor-comum é:
I E =I C + I B (1)
A região das curvas onde apresentam um comportamento quase constante é a região ativa da
configuração emissor-comum. Esta região pode ser utilizada para amplificação de tensão, corrente
ou potência. A relação de IB e IC no modo CC é denominada “ganho” ou “hfe” dada pela expressão:
IC
β= (2)
IB

A utilização das curvas do transistor consiste na análise do ponto de operação que se trata de um
ponto que ao ser indicado numa curva identifica os valores de I B, IC e VCE que o transistor está
operando. Esta análise permite de forma prática a identificação de valores importantes para o
comportamento do transistor durante o funcionamento.
EXPERIMENTOS
I. Métodos e Especificações
O experimento se resume em utilizar o TBJ 2N3904 na configuração emissor-comum variando o
valor de VCE, utilizando uma fonte de tensão regulada, assim obtendo os valores da corrente I C para
três valores diferentes de IB, assim preenchendo as tabelas 1 e 2 foi possível traçar as curvas
simulada e experimental do TBJ. O esquema do circuito projetado e analisado é mostrado na figura
5 e as especificações do experimento são listadas abaixo:
 V 1=0 a15 [V ] (Tensão contínua aplicada à polarização base-emissor do TBJ)
 V 2=0 a15 [V ] (Tensão contínua aplicada à malha de saída)
 RC =100[Ω] (Resistor do coletor)
 { {
470 k [Ω ] I C =1 mA
 R B= 100 k [Ω] (Resistor de base para I C =10 mA )
10 k [Ω] I C =50 mA
 Q1=2 N 3904 (Transistor NPN utilizado)

II. Simulações
Inicialmente foi fixado o valor da fonte V 2 em 1,1 volts e ajustado V1 até obtermos IC = 1 mA e foi
anotado o valor de IB, é possível ver essa simulação na figura 6. Após, foi alterado o valor de V 2
conforme os valores indicados na primeira linha da tabela 1 e para cada um deles foi anotado o
valor de IC obtido. Essas etapas se repetem para I C = 10 mA e IC = 50 mA, trocando o resistor da
base e regulando V1 e V2 para coletar os valores de I B e IC obtidos. As figuras 7 e 8 demonstram
essas duas etapas.

III. Experimentos
Implementamos em laboratório o circuito com o TBJ e repetimos as mesmas etapas da simulação,
utilizando o auxílio de multímetro e osciloscópio para medir os valores desejados. Os resultados
colhidos são dispostos na tabela 2.
QUESTIONÁRIO
a) Traçar as curvas de saída Ic = f(Vce) do TBJ: experimental e simulada;
RESPOSTA: É possível observar as curvas simuladas e experimentais na figura 11.
b) Estimar o valor da tensão de Early com base na projeção das curvas traçadas;
RESPOSTA: Para cada curva temos os seguintes valores da tensão de Early:
IB1(simulado) → VA = - 65,6 V
IB2(simulado) → VA = - 67,2 V
IB3(simulado) → VA = - 70,4 V
IB1(experimental) → VA = - 49 V
IB2(experimental) → VA = - 64,1 V
IB3(experimental) → VA = - 100,6 V
c) Determine o ganho de corrente (β) para as curvas traçadas em (a).
RESPOSTA: Para cada curva temos os seguintes valores de ganho de corrente (β):
IB1(simulado) → β = 135,8
IB2(simulado) → β = 160,1
IB3(simulado) → β = 132,5
IB1(experimental) → β = 142,2
IB2(experimental) → β = 183,2
IB3(experimental) → β = 139,9

d) Comente detalhadamente a respeito das curvas traçadas em (a) explorando os seguintes tópicos:
funcionamento na configuração emissor-comum, curvas de característica de entrada e saída, ganho
de corrente e limites de operação.
RESPOSTA: Pode se notar que pequenos aumentos na corrente de base geram consideráveis
mudanças na corrente do coletor, isso ocorre devido ao ganho expresso na fórmula (2), como a
corrente de base é muito baixa, da ordem de μA, as menores mudanças afetam o ganho
consideravelmente. Apesar disso, as curvas experimentais se assemelham muito as simuladas.
e) Consultando a folha de dados do TBJ adotado durante a prática, comente a respeito das principais
características de operação, bem como as limitações de operação.
RESPOSTA: Com o datasheet do TBJ 2N3904 mostrado na figura 9 temos as tensões máximas de
coletor-emissor, coletor-base e emissor-base: VCE MAX = 40V, VCB MAX = 60V, VEB MAX = 6V. A
máxima potência dissipada na temperatura de 25ºC é 625 mW e diminui 5 mW a cada 1ºC abaixo.
O ganho CC é mostrado para diferentes valores de IC e VCE na figura 10.
f) Pesquise a respeito: transistores de carboneto de silício e suas aplicações.
RESPOSTA: Os transistores de carboneto de silício são dispositivos eletrônicos avançados que
oferecem melhor desempenho em relação aos transistores de silício convencionais, especialmente
em termos de alta temperatura de operação, baixa perda de energia e alta velocidade de comutação.
Normalmente são usados como inversores de energia para veículos elétricos e híbridos, sistemas de
energia solar e eólica, sistemas de carregamento rápido de baterias, iluminação de LED de alta
potência e eletrônica de defesa.

CONCLUSÃO
A realização desse experimento mostra, de forma prática, as características do TBJ NPN com
configuração emissor-comum, onde foi possível verificar a confirmação da teoria. As curvas
simulada e experimental mostram uma divergência mais considerável na região de saturação,
devido ao aumento exponencial da corrente de coletor conforme V CE aumenta. Na região ativa de
operação o erro foi mínimo, demonstrando como o experimento foi corretamente realizado. Além
disso, com os três valores diferentes da corrente de base foi provado como essa corrente controla a
corrente de coletor, muito semelhante a uma válvula.
REFERÊNCIAS
1. Prof. Otacílio M. Almeida, Prof. Marcos Zurita, Apostila Dispositivos Eletrônicos ver.1.1,
UFPI, 2022.
 Figura 1: Transistores NPN e PNP

Figura 4: Curva VCE x IB

Figura 2: Configuração emissor-comum do TBJ

Figura 5: Circuito experimental

Figura 3: Curva IC x VCE

Figura 6: Circuito simulado para encontrar IB1
Figura 7: Circuito simulado para encontrar IB2

Figura 9: Limites máximos do TBJ 2N3904

Figura 8: Circuito simulado para encontrar IB3

Figura 10: Ganho CC do TBJ 2N3904

Figura 11: Curvas características simuladas e experimentais do TBJ

 Tabela 1: Valores de IC simulados para diferentes valores de IB e VCE
VCE (V)
IB (μA) 0,0 0,12 0,30 0,50 0,75 1,00 3,00 5,00 RB V2

IB1 = 7,53 μA 0,0 337 μA 993 μA 998 μA 1 mA 1 mA 1,03 mA 1,06 mA 470 kΩ 1,1
IB2 = 62,6 μA 0,0 2,8 mA 9,91 mA 9,97 mA 10,0 mA 10,0 mA 10,3 mA 10,6 mA 100 kΩ 2,0
IB3 = 385 μA 0,0 11,8 mA 48,9 mA 49,7 mA 49,9 mA 50,0 mA 51,4 mA 52,8 mA 10 kΩ 6,0

Tabela 2: Valores de IC experimentais para diferentes valores de IB e VCE

VCE (V)
IB (μA) 0,0 0,12 0,30 0,50 0,75 1,00 3,00 5,00 RB V2

IB1 = 0,0 470 kΩ 1,1

IB2 = 0,0 100 kΩ 2,0
IB3 = 0,0 10 kΩ 6,0