Instituto Tecnológico de Aeronáutica

Divisão de Engenharia Aeronáutica e Aeroespacial

Laboratório de ELE-16
Eletrônica Aplicada

Curvas Características do BJT

Integrantes: Professor:
Arthur Queiroz Ramos André Ponchet
Daniel Molina Rodrigues
Eduardo Soares e Silva Britto
João Aguiar Moreira Gomes
José Eduardo Teixeira Araújo
Leonardo Antonio Lugarini
Jhonny Kenji Arashiro
Nauane Linhares do Nascimento
Rodrigo Araújo Holanda
Tiago Assmann Fontana
Victor Hugo de Oliveira Bastos

São José dos Campos, 20 de Setembro de 2022

1 Introdução
O transistor é o componente ativo chave em praticamente todos os eletrônicos mo-
dernos, considerado por muitos como uma das maiores invenções do século XX. Sua
importância na sociedade atual está associada a sua capacidade de ser produzida em
massa usando um processo altamente automatizado que alcança custos baixos por uni-
dade de transistor produzido. Atualmente a grande maioria dos transistores é produzida
em circuitos integrados (chips), junto com diodos, resistores, capacitores e outros com-
ponentes eletrônicos, para produzir circuitos eletrônicos completos, como em CPU’s e
GPU’s.
Uma expressão usada para se referir à importância desse componente na sociedade
atual foi feita por Gordon E. Moore: a lei de Moore [2]; segundo ela, o número de
transistores dos chips dobraria, pelo mesmo custo, a cada dois anos. Tal "lei"conjecturada
em 1965 vêm sendo seguida com boa margem desde então, a ponto de nos dias atuais já
existirem GPU’s com mais de 64 bilhões de transistores.
Nesta prática estudaremos os transistor de junção bipolar (BJT), diferentemente de
um transistor unipolar (que usa apenas um tipo de portador de carga), é um tipo de
transistor que usa tanto elétrons quanto lacunas como portadores de carga. Um transis-
tor BJT permite que uma pequena corrente injetada em um de seus terminais controle
uma corrente muito maior entre seus outros terminais, tornando o dispositivo ideal para
aplicações de amplificação.
O objetivo deste laboratório é obter as curvas características de entrada e de saída do
transistor BJT ligado na configuração emissor-comum. Para obter a curva de entrada,
fixa-se uma tensão VCE no transistor, a fim de se estabelecer valores de tensão VBE e medir
a corrente de base IB correspondente. Para obter as curvas de saída, fixa-se determinados
valores de corrente IB a fim de se medir a corrente de coletor IC para diferentes valores
de tensão VCE .
Para fins de melhor entendimento do conteúdo apresentado, este relatório foi dividido
em 4 seções, além desta breve introdução: revisão bibliográfica, onde será apresentado
uma breve revisão acerca da teoria de diodos; metodologia, onde serão descritos os mé-
todos experimentais e computacionais de obtenção dos dados; resultados, onde serão
apresentados e discutidos os resultados; Conclusão do estudo.

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2 Revisão Bibliográfica
Transistores Bipolares de Junção (BJT) são estruturas eletrônicas ativas constituídas
de duas junções PN interdependentes, como ilustra, esquematicamente, as Figuras 4a e
1b.

(a) Diagrama esquemático e simbologia de um (b) Diagrama esquemático e simbologia de um

transistor do tipo NPN. transistor do tipo PNP.

Figura 1: Regiões características de um transistor típico e sua simbologia. Adaptado de

[3].

Podem ser construídos com semicondutores como o silício, o germânio ou com es-
truturas mistas dos tipos SiGe ou SiC. Esses semicondutores devem ser adequadamente
dopados com elementos químicos dos grupos III ou V, de modo a formarem regiões do
tipo P, com excesso de lacunas livres, ou do tipo N, com excesso de elétrons livres, as
quais, quando em contato íntimo, formam junções depletadas nas fronteiras e, portanto,
retificadoras de corrente elétrica. As regiões mais externas têm, como função, emitir car-
gas livres ou coletar as cargas livres emitidas e, por isso, recebem os nomes de emissor
e de coletor, respectivamente. A região central, chamada base, controla a quantidade
de emissão e de coleta dessas cargas, variando a condutividade do dispositivo e fazendo
com que a corrente entre os terminais de emissor e de coletor seja modulada por uma
grandeza elétrica de controle, aplicada nessa região. Por causa dessa propriedade elé-
trica, a estrutura recebeu o nome de transistor (acrônimo de transfer-resistor). Como,
em junções PN, correntes de elétrons e de lacunas coexistem naturalmente, o dispositivo
possui característica bipolar. Ao contrário das válvulas, que só conduzem elétrons em
elementos metálicos, o transistor bipolar pode ser fabricado com duas polaridades, NPN
e PNP, como mostram as Figuras 4a e 1b. Uma seção de um transitor NPN é mostrada
na Figura 2.

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 Figura 2: Seção transversal de um transistor BJT do tipo NPN. Disponível em [3].

Se analisadas independentemente, as estruturas NPN e PNP são constituídas apa-

rentemente por dois diodos ligados em série e com polaridades opostas. Quando uma
tensão externa VCE for aplicada entre os terminais de coletor e de emissor, com qualquer
polaridade, se o terminal de base estiver aberto, não haverá corrente significativa entre
esses terminais, até que um dos diodos alcance a ruptura reversa. Esse fato acontece
porque diodos reversamente polarizados não conduzem ou apenas conduzem correntes de
minoritários, as quais são desprezíveis na temperatura ambiente. Neste caso, diz-se que
os transistores estão em corte ou, simplesmente, cortados. A região central (B) é comum
às duas junções e, consequentemente, as regiões de coletor e de emissor não podem traba-
lhar de maneira independente. Se um potencial externo VBE , positivo, for aplicado entre
os terminais de base e de emissor, o diodo DBE ficará polarizado diretamente e conduzirá
uma corrente IBE significativa.
No processo de condução direta do diodo DBE , lacunas serão injetadas no emissor
e elétrons serão injetados na base do transistor. Os elétrons injetados na base são mi-
noritários dessa região e sua população será diretamente proporcional à corrente direta
de injeção, IBE . Se, ao mesmo tempo, for aplicado, entre os terminais de coletor e de
base do transistor, um potencial externo positivo, VCB , o diodo DBC , mesmo estando
polarizado reversamente, conduzirá significativamente, pois a população de minoritários
na junção é elevada, graças à corrente IBE . Se |VBC | >> |VBE |, os minoritários injeta-
dos pela ação de IBE serão, prioritariamente, coletados pelo coletor gerando, então, uma
corrente ICE >> IBE . A Figura 3 ilustra o processo descrito.

3
Figura 3: Fluxo de corrente em um transistor NPN polarizado no modo ativo. Os valores
de VBE e VCB são típicos para um transistor de Si operar no modo ativo. Disponível em
[3].

O efeito oriundo da coleta de minoritários injetados por IB na região de base, gerando

uma corrente reversa significativa na junção B-C, é chamado de efeito transistor. A
corrente de coletor torna-se, então, diretamente proporcional à corrente de base e é,
portanto, controlada por esta. Nessa região de funcionamento, a junção B-E deve ser
polarizada diretamente e a junção B-C deve ser polarizada reversamente. Então, para
transistor NPN, devem valer as relações: VBE > 0 e VBC << 0. Como VBE – VBC =
VCE , tem-se que, nessa região de polarização, VCE » 0. Por convenção de quadripolos,
são consideradas positivas as correntes que penetram nos terminais do dispositivo e são
consideradas negativas as correntes que deixam os terminais do dispositivo. Tem-se então
que IC > 0, IB > 0 e IE < 0, ou seja, IE + IC + IB = 0, ou ainda, IE = IC + IB .
A relação entre a corrente de coletor idealizada e a corrente de base idealizada é de-
finida como ganho direto ideal de corrente da configuração emissor comum (β = IC ⁄IB ).
Transistores NPN convencionais de circuitos integrados possuem ganhos diretos de cor-
rente na faixa 50 ≤ β ≤ 500, enquanto transistores PNP, conhecidos como PNP laterais,
possuem ganhos diretos de corrente na faixa 10 ≤ β ≤ 100. Para dispositivos discretiza-
dos, tanto NPN quanto PNP, possuem esses ganhos na faixa 100 ≤ β ≤ 900.

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3 Metodologia
3.1 Procedimento experimental
A obtenção das curvas de entrada a saída do transistor foram obtidas com o uso de 2
potenciômetros de resistência variável conforme a figura 4.

(a) Aparato experimental. (b) Diagrama esquemático do aparato.

Figura 4: Esquema do circuito

Durante o procedimento, o potencial ligado à fonte de tensão foi mantido constante

no valor de 20 V . Para obtenção das 2 curvas características seguiu-se os seguintes
procedimentos:

• Curvas de entrada: mantendo Vce constante, aplica-se uma tensão Vbe conhecida
para medir V1
• Curvas de saída: mantendo Vbe constante, aplica-se uma tensão Vce conhecida
para medir V2

Com a tensão entre os terminais dos resistores R1 e R2 , calculam-se as correntes Ib e

Ic pela Lei de Ohm.

V1 − Vbe = R1 Ib (1)
V2 − Vce = R2 Ic (2)

Executando o procedimento para diversos valores de Vbe e Vce , foram obtidas as curvas
de entrada e saída do transistor. Nesse processo, o ajuste da tensões é feito ao variar a
resistência dos potenciômetros P1 e P2

3.2 Simulação de circuitos no software LTSpice

Para a simulação do projeto foi utilizado o software LTSpice. A partir dele é possível
adicionar componentes eletrônicos que satisfaçam as necessidades do projeto, permitindo
a correta análise dos sistemas.
Foi realizada analisado as curvas características dos transistores, o circuito montado
pode ser visto na Figura 5. Para a montagem do circuito os resistores foram colocados
segundo o circuito apresentado. Ademais, foi utilizada a função DC sweep do LTSpice
para realizar o teste do circuito em diferentes regiões de potenciais.

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Figura 5: Circuito LTSpice para curva característica.

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4 Resultados
Após a aferição dos valores de tensão por meio do multímetro, foram calculadas as
correntes e, em seguida, foi gerado um gráfico da corrente de base em função da tensão
base-emissor. Ademais, para efeitos comparativos, o gráfico gerado está apresentado ao
lado de um gráfico exemplo do roteiro do laboratório, vide Figura 6.

(a) Curvas de entrada exemplo (b) Curvas de entrada experimentais

Figura 6: Curvas Características da Entrada

Após análise, pode-se perceber que os gráficos são condizentes. Em ambos, o valor da
corrente se torna diferente de 0 a partir do 0.5V e, após esse valor, assume um compor-
tamento exponencial em função da tensão. Ademais, é possível notar também que uma
tensão VCE maior diminui a inclinação da curva, causando um aparente deslocamento do
gráfico para a direita nos valores de tensão maiores que 0.6V, aproximadamente.
Em relação a outros grupos, o comportamento das curvas foram similares. Não houve,
porém, para um deles, curvas para diferentes valores de VCE para comparar a influência
da tensão coletor-emissor no comportamento da corrente no coletor.
Além do gráfico supracitado, a partir dos dados obtidos no multímetro, foi também
gerado um gráfico da corrente no coletor em função da tensão coletor-emissor. Esse gráfico
também está apresentado juntamente a um gráfico exemplo para efeitos comparativos,
vide Figura 7.
Em ambos os gráficos é possível perceber que a inclinação é expressiva para pequenos
valores de tensão. Já para valores maiores que a tensão de saturação, a inclinação é
pequena e tende a permanecer constante. Ademais, valores maiores da corrente na base
geram valores maiores da corrente no coletor, deslocando a curva para cima, como está
retratado em ambos os gráficos.
Em relação a outros grupos houve também similaridade entre as curvas. Porém, em
um dos grupos, não foi possível comparar o alto valor da inclinação para valores de tensão
menores que a tensão de saturação, já que este não está representado. Porém, para valores
maiores é possível perceber que, nesse mesmo grupo, o comportamento da inclinação se
mostrou constante ao longo da variação de tensão, o que se assemelha com os resultados
obtidos.

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 (a) Curvas de saída exemplo (b) Curvas de saída experimentais

Figura 7: Curvas Características da Saída

4.1 Curvas características do transistor

Por meio da análise do circuito no LTSpice, foi possível obter as curvas características
simuladas do transistor, apresentadas nas Figuras 8 e 9.

Figura 8: Curva característica simulada IB x VBE .

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 Figura 9: Curva característica simulada IC x VCE .

Uma maneira alternativa de obtenção das curvas características é por meio da consulta
à folha de dados do modelo do transistor. Dessa forma, a Figura 10 se refere à curva
característica obtida diretamente da folha de dados do transistor BC846, representando
as mesmas grandezas da do gráfico da Figura 9.

Figura 10: Curva característica IC x VCE obtida pela folha de dados.

4.2 Utilidade do dispositivo

A partir dos gráficos gerados experimentalmente e por simulação é possível interpretar
o efeito do dispositivo e propor uma utilidade prática a ele. A curva característica no
coletor, por exemplo, expressa um ganho entre IB e IC . Dessa forma, como o transistor
está ligado em uma configuração emissor comum, houve um ganho de corrente em relação
a corrente de saída em relação à corrente de entrada. Ou seja, esse circuito torna-se
interessante ao ser utilizado como um amplificador.

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5 Conclusão
De posse dos resultados aferidos, pode-se concluir que os objetivos do presente expe-
rimento foram atingidos ao passo que familiarizou os alunos com a utilização e montagem
experimental de circuitos que utilizam transistores, auxiliando a compreender também a
parte teórica do assunto.
Ademais, os resultados encontrados experimentalmente se aproximam muito do es-
perado pela teoria e do encontrado por meio da simulação, conforme esperado pela boa
aproximação de experimentos eletrônicos da teoria estudada. Os pequenos desvios foram
explicados e as conclusões acerca dos fenômenos existentes foram elencadas na seção cor-
respondente. Adicionalmente, foi possível o estudo das curvas características do transistor
BJT e comparar com a curva teórica para uma melhor compreensão dos componentes reais
empregados em circuitos práticos.
Por fim, tendo em vista aquilo que foi citado anteriormente e o senso crítico desen-
volvido para comparação dos resultados encontrados com o que era esperado, constata-se
que os objetivos foram concluídos com êxito.

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Referências Bibliográficas
[1] R. L. Boylestad, L. Nashelsky. Electronic devices and circuit theory. 11th Edition,
Pearson.
[2] G. E. Moore. Cramming more components onto integrated circuits. Electronics,
Volume 38, Number 8, April 19, 1965.
[3] A. F. Ponchet. Eletrônica Analógica: Física do transistor bipolar e amplificadores
bipolares, 2022.

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