Sumrio

Introduo 5

Polarizao por divisor de tenso 6

Anlise do circuito do coletor 7

O circuito da base 9

Determinao dos elementos de circuito 10

Corrente de emissor 10
Ganho do transistor 10
Parmetros de entrada 10
Parmetros da malha do coletor 11

Modificao do ponto de operao 16

Fator de estabilidade 19
O processo de estabilizao trmica 19

Apndice 22

Questionrio 22

Bibliografia 23
 Espao SENAI

Misso do Sistema SENAI

Contribuir para o fortalecimento da indstria e o desenvolvimento

pleno e sustentvel do Pas, promovendo a educao para o trabalho e a
cidadania, a assistncia tcnica e tecnolgica, a produo e disseminao
de informao e a adequao, gerao e difuso de tecnologia.
Srie de Eletrnica

Introduo
Um fator que sempre representa um problema na utilizao dos
componentes semicondutores a dependncia trmica dos parmetros materiais.
O transistor no foge regra. Circuitos transistorizados so sensveis s
variaes de temperatura, sofrendo mudanas no ponto de operao.

Uma forma de amenizar os efeitos da dependncia trmica polarizar o

transistor por diviso de tenso.

Este fascculo tratar dessa tcnica de polarizao, tratando do princpio

de funcionamento do circuito, do clculo de parmetros eltricos e das
caractersticas, visando a capacitar o leitor na tarefa de polarizao e correo do
ponto de operao de um circuito transistorizado.

Para a boa compreenso do contedo e desenvolvimento das

atividades contidas neste fascculo, o leitor dever estar
familiarizado com os conceitos relativos a:

Transistor bipolar: relao entre parmetros de circuito.

Transistor bipolar: ponto de operao.
Divisor de tenso.

5
 Transistor bipolar: polarizao por divisor de tenso

Polarizao por
divisor de tenso
A polarizao da base de um transistor pode ser feita a partir da utilizao
de um divisor de tenso, atravs do qual aplica-se uma tenso VBE entre a base e
o emissor do transistor.

A Fig.1 mostra um circuito transistorizado que emprega esse tipo de

polarizao. Essa tcnica denominada de polarizao de base por divisor de
tenso.

Fig.1 Circuito transistorizado com base polarizada por divisor de tenso.

Do divisor de tenso mostrado na Fig.1 resulta um potencial VB no

terminal base do transistor que polariza diretamente a juno base-emissor,
produzindo assim a corrente de base quiescente IBQ.

A finalidade do divisor de tenso polarizar diretamente a

juno base-emissor.

6
Srie de Eletrnica

Como se pode observar na Fig.1, com o emissor aterrado, o potencial da

base VB corresponde tenso VBE aplicada juno base-emissor do transistor.
Dessa forma, o controle da corrente IBQ obtido ajustando-se a tenso VBE
fornecida pelo divisor.

Normalmente os circuitos
polarizados por diviso de tenso
tm ainda um resistor de emissor RE,
como mostrado na Fig.2. Esse
resistor tem por finalidade melhorar
a estabilidade trmica do circuito.

A incluso de um resistor
de emissor no circuito de
polarizao de um transistor Fig.2 Emprego de um resistor de emissor
melhora a estabilidade trmica em um circuito transistorizado.
do circuito.

O uso conjunto de um divisor de tenso e de um resistor de emissor

propicia um alto grau de estabilidade trmica no circuito. Outra caracterstica
importante desse tipo de polarizao a menor variao dos parmetros de
polarizao quando o transistor substitudo.

ANLISE DO CIRCUITO DO COLETOR

Nos circuitos polarizados

por divisor de tenso, a malha de
coletor, mostrada na Fig.3,
composta dos seguintes elementos:

Fonte de alimentao.
Resistor de coletor.
Transistor.
Resistor de emissor.
Fig.3 Malha de coletor de um transistor
polarizado por divisor de tenso.

7
 Transistor bipolar: polarizao por divisor de tenso

Como se pode observar na Fig.3, a tenso fornecida pela fonte distribui-se

sobre os elementos da malha do coletor na forma

VCC VR VCE VE 1

onde

V Rc RC I C 2

VE RE I E 3

Na Eq.(1) a dependncia da tenso VCE na corrente de coletor

determinada atravs das curvas caractersticas de sada do transistor.

A Eq.(3) pode ser reescrita na forma

VE RE I C I B 4

Como a corrente de base geralmente muito inferior corrente de coletor,

vlida a seguinte aproximao:

IC IB IC

e a Eq.(4) pode ser posta na forma

VE RE I C 5

A seguir apresentado um exemplo de utilizao das equaes do circuito

do coletor.

Exemplo 1: Para o circuito mostrado na

Fig.4, determinar os valores de VRc, VE e
VCE.
As tenses nos resistores de coletor
e de emissor so obtidas das Eqs.(2) e (5),
resultando em

V Rc 1.000 0 ,004 A 4 V
Fig.4 Circuito transistorizado do
V E 270 0 ,004 A 1,08 V Exemplo1.

A tenso VCE obtida da Eq.(1):

8
Srie de Eletrnica

VCC VRc VCE VE VCE VCC V Rc VE VCE 10 4 1,08

V CE 4 ,92 V

O CIRCUITO DA BASE

O circuito da base, que

compreende o divisor de tenso,
tem por finalidade polarizar
diretamente a juno base-emissor
do transistor e estabelecer o valor
quiescente da corrente de base IBQ.

A tenso base-emissor VBE

a diferena de potencial entre os
terminais B e E do transistor.
Como se pode observar na Fig.5
Fig.5 Circuito transistorizado com base
polarizada por divisor de tenso.
V BE VB VE 6

A tenso VBE aplicada

juno base-emissor d origem a
uma corrente de base que pode ser
obtida a partir da curva
caracterstica da juno. Dessa
forma, a juno base-emissor se
comporta efetivamente como um
diodo diretamente polarizado,
conforme ilustrado na Fig.6. Fig.6 Circuito equivalente da juno base-
emissor, com base polarizada por
divisor de tenso.

9
 Transistor bipolar: polarizao por divisor de tenso

DETERMINAO DOS ELEMENTOS DE

CIRCUITO
A incluso do resistor de emissor torna o circuito mais estvel
termicamente, o que interessante do ponto de vista prtico. Entretanto, essa
adio modifica a anlise grfica do circuito, pois a reta de carga deve levar em
conta a presena daquele novo elemento no circuito. Por essa razo, a
determinao dos valores dos resistores de polarizao usualmente feita
matematicamente.

Para simplificar a anlise matemtica, podem ser consideradas algumas

aproximaes e estimativas, que em nada prejudicam os resultados obtidos,
como delineado a seguir.

CORRENTE DE EMISSOR

A pequena diferena existente entre IC e IE permite utilizar a aproximao

IE IC

cujo erro pequeno comparado com a tolerncia de 5 a 10% dos resistores do

circuito.

GANHO DO TRANSISTOR

O ganho de transistores que empregam a polarizao por divisor de tenso

usualmente satisfaz a condio 100.

PARMETROS DE ENTRADA

Na determinao dos valores

dos elementos de circuito,
mostrados na Fig.7, os parmetros
de entrada so geralmente:

A tenso de alimentao, VCC.

A corrente de coletor
quiescente, ICQ.
A tenso quiescente sobre o
resistor de coletor, VRcQ. Fig.7 Alguns parmetros do circuito
transistorizado.
10
Srie de Eletrnica

A corrente de coletor ICQ nos estgios transistorizados polarizados por

divisor de tenso assume normalmente valores que variam de 1 a 10 mA.

O parmetro VRcQ diretamente relacionado tenso de alimentao. Na

prtica adota-se normalmente uma tenso no resistor de coletor prxima
metade da tenso de alimentao, ou seja,

VCC
VRcQ 7
2

PARMETROS DA MALHA DO COLETOR

Dispondo dos valores VCC,

ICQ e VRcQ pode-se determinar os
valores dos componentes da malha
do coletor, mostrados na Fig.8.

Resistor de coletor: calculado

atravs da Lei de Ohm, utilizando
os valores conhecidos de ICQ e VRcQ,
resultando em

8 Fig.8 Parmetros da malha do coletor no

V RcQ
RC
I CQ circuito transistorizado.

Resistor de emissor: Observa-se na prtica que o emprego de um resistor de

emissor tal que a queda de tenso satisfaa condio

V EQ 0 ,1VCC 9

permite a obteno de um fator de estabilidade timo, usualmente na faixa de

valores 10 S 15. Nessa condio, o resistor de emissor determinado da
expresso

0 ,1VCC
RE 10
I CQ

11
 Transistor bipolar: polarizao por divisor de tenso

Resistores de base: O divisor de tenso formado pelos resistores de base tem

por finalidade fornecer a tenso VB base do transistor, como mostrado na Fig.9.

Fig.9 Tenso fornecida pelo divisor base do transistor.

Para que a juno base-emissor conduza, a tenso fornecida base deve

corresponder soma
V B V BEQ V EQ 11

Com base na Fig.9, a queda de tenso sobre RB1 pode ser obtida de
VB1 VCC V B 12
Dispondo dos dois valores de tenso sobre os resistores, deve-se assumir
um valor conhecido para a corrente ID atravs do divisor. Esse valor deve ser
suficientemente grande para que pequenas variaes na corrente de base no
alterem significativamente a proporo de diviso da tenso sobre os resistores.
Dessa forma, prtica usual adotar uma corrente atravs do divisor satisfazendo
condio
I D 0 ,1I CQ 13

Com essa escolha, considerando-se que o transistor tenha um ganho de

pelo menos 100, a corrente do divisor pelo menos 10 vezes superior corrente
de base.
Uma vez obtidos os parmetros VB1 e VB por intermdio das Eqs.(11) e
(12), utiliza-se a Eq.(13) para se obterem os valores de resistncia do divisor,
resultando em

12
Srie de Eletrnica

VCC V B
R B1 14
ID
V BEQ V EQ
R B2 15
ID

As expresses utilizadas na determinao dos parmetros do circuito

transistorizado com polarizao por divisor de tenso esto sumarizadas na
Tabela 1.

Tabela 1 Sumrio das expresses utilizadas na determinao dos parmetros de

um circuito transistorizado com polarizao por divisor de tenso.
Parmetros de entrada
Tenso de alimentao VCC
Tenso no resistor de coletor ou tenso VRcQ ou VCEQ
coletor-emissor
Corrente de coletor ICQ
Parmetros de sada
Parmetro Equao
Tenso no resistor de emissor V EQ 0 ,1V CC

Tenso no resistor de coletor, conhecida a V RcQ VCC VCEQ V EQ

tenso coletor-emissor
V RcQ
Resistor de coletor RC
I CQ

0,1VCC
Resistor de emissor RE
I CQ
Tenso no resistor RB2 V B V BEQ V EQ

Tenso no resistor RB1 VB1 VCC V B

Corrente no divisor I D 0,1I CQ
EMBED Equation
Resistor RB2 V BEQ V EQ
R B2
ID
VCC VB
Resistor RB1 RB1
ID

Os exemplos a seguir ilustram o emprego das expresses do circuito

transistorizado com polarizao por divisor de tenso.

Exemplo 1: Para o circuito mostrado na Fig.10, determinar os valores de RC,

RE, RB1 e RB2 para que o circuito opere com uma corrente de coletor de 5,8 mA
e uma tenso no resistor de coletor de 10 V.

13
 Transistor bipolar: polarizao por divisor de tenso

Fig.10 Circuito transistorizado para o Exemplo 1.

Utilizando a Tabela 1 resulta:
Parmetros de entrada
Tenso de alimentao VCC = 20 V
Tenso no resistor de coletor VRcQ = 10 V
Corrente de coletor ICQ = 5,8 mA
Parmetros de sada
10
RC 1.724
Resistor de coletor 0 ,0058
Tenso no resistor de emissor V EQ 0 ,1 20 2 V
10
RC 1.724
Resistor de coletor 0 ,0058
2
RE 344
Resistor de emissor 0 ,0058
Tenso no resistor RB2 V B 0 ,6 2 2 ,6 V
Tenso no resistor RB1 V B1 20 2,6 17 ,4 V
Corrente no divisor I D 0,1 5,8 0,58 mA
EMBED Equation
Resistor RB2 0 ,6 2
R B2 4 ,48 k
0 ,00058
20 2,6
RB1 30 k
Resistor RB1 0 ,00058
Exemplo 2: Para o circuito mostrado na Fig.11, determinar os valores de RC,
RE, RB1 e RB2 para obter uma tenso coletor-emissor de 7 V e uma corrente de
coletor de 12 mA.

14
Srie de Eletrnica

Fig.11 Circuito transistorizado para o Exemplo 2.

Utilizando a Tabela 1 resulta:

Parmetros de entrada
Tenso de alimentao VCC = 12 V
Tenso coletor-emissor VCEQ = 7 V
Corrente de coletor ICQ = 12 mA
Parmetros de sada
Tenso no resistor de emissor V EQ 0 ,1 12 1,2 V
Tenso no resistor de coletor VRcQ 12 7 1,2 3,8 V
1, 2
Resistor de emissor REQ 100
0, 012
3, 8
Resistor de coletor RC 317
0, 012
Tenso no resistor RB2 V B 0 ,6 1,2 1,8 V
Tenso no resistor RB1 V B1 12 1,8 10,2 V
Corrente no divisor I D 0 ,1 12 1,2 mA
EMBED Equation
Resistor RB2 0 ,6 1,2
R B2 1.500
0 ,0012
12 1,8
R B1 8.500
Resistor RB1 0 ,0012

15
 Transistor bipolar: polarizao por divisor de tenso

MODIFICAO DO PONTO DE OPERAO

Os estgios transistorizados
polarizados por divisor de tenso
possuem tima estabilidade
trmica, no necessitando de
correes quando submetidos a
variaes de temperatura. Dessa
forma, a alterao intencional do
ponto de operao s pode ser
obtida pela modificao de alguns
elementos de circuito.

A discusso a seguir ilustra a Fig.12 Estgio transistorizado com base

forma de obteno de um aumento polarizada por divisor de tenso.
ou diminuio da tenso coletor-
emissor de um estgio polarizado
por divisor de tenso com os
parmetros indicados na Fig.12.

Seja, por exemplo, a

situao em que se deseja
aumentar a tenso VCE do
transistor. Para isso necessrio
reduzir a queda de tenso nos
resistores RE e RC, como sugere a
Fig.13.
Fig.13 Aumento de VCE pela diminuio
As tenses VRc e VE so
dos parmetros VRc e VE.
proporcionais corrente IC, e
portanto uma reduo nos valores
de VRc e VE pode ser obtida pela
reduo de IC.

VRc
IC VCE
VE
Como a corrente IC proporcional a IB , para reduzir IC deve-se reduzir IB.

16
Srie de Eletrnica

IC IB
A corrente IB varia com a
tenso VBE de acordo com a curva
mostrada na Fig.14 e, portanto,
uma reduo na corrente IB pode
ser obtida diminuindo-se a tenso
VBE.

Como mostra a Fig.15, a

tenso VBE corresponde
diferena de potencial entre os
terminais da base e do emissor.
Com VE j tendo sido reduzido
pela reduo de IC, deve-se Fig.14 Curva caracterstica IB VBE.
tambm reduzir VB para obter-se
a diminuio desejada em VBE.

Como se pode observar na

Fig.15, a tenso VB aquela
fornecida pelo divisor de tenso e
corresponde queda de tenso
sobre o resistor RB2. Assim a
diminuio de VBE pode ser obtida
diminuindo o valor de RB2 e
aumentando o valor de RB1, de
forma a garantir que a corrente ID
Fig.15 Trecho do estgio transistorizado e
no sofra nenhuma modificao relao entre tenses na malha da
substancial. Esse efeito est base.
ilustrado no diagrama seguinte.

RB1
VBE
RB2
17
 Transistor bipolar: polarizao por divisor de tenso

O processo de diminuio da tenso VCE pela alterao dos resistores do

divisor est representado diagramaticamente na Fig.16.

RB1
VB VBE

RB2

IB

VCE VRc IC
VE
Fig.16 Diagrama representativo do processo de aumento da tenso VCE.

Para se obter uma reduo na tenso VCE do transistor, deve-se reduzir RB1
e aumentar RB2, como sugere o diagrama mostrado na Fig.17.

RB1 VB VBE
RB2

IB

VCE VRc IC
VE

18
Srie de Eletrnica

Fig.17 Diagrama representativo do processo de reduo da tenso VCE.

FATOR DE ESTABILIDADE

Os circuitos polarizados por divisor de tenso exibem um fator de

estabilidade S de bom a timo. A alta estabilidade trmica desse mtodo de
polarizao deve-se, principalmente, incluso do resistor de emissor.

O fator de estabilidade para esse tipo de circuito pode ser calculado da

expresso

RE RB
S 16
RB
RE
1

onde RB a resistncia equivalente do divisor, dada por

R B1 RB2
RB 17
RB1 RB2

O PROCESSO DE ESTABILIZAO TRMICA

As variaes de temperatura influenciam a corrente de coletor do circuito,

atravs da corrente de fuga ICBO. Essa afirmao o resultado da relao entre
correntes no transistor

I C I B 1 I CBO 18

varivel com
a temperatura

A componente de fuga da corrente de coletor no pode ser alterada

externamente pois se deve a fenmenos internos ao transistor. A polarizao por
divisor de tenso atua, no entanto, na parcela de IC que dependente da corrente
de base, fazendo que as variaes na corrente de fuga sejam compensadas por
variaes opostas na corrente IB.

19
 Transistor bipolar: polarizao por divisor de tenso

Utilizando a condio de alto ganho, i.e., >>1, a Eq.(18) pode ser

aproximada pela expresso

I C I B I CBO 19

variaes em ICBO so compensadas
por variaes opostas em IB

A correo automtica
sugerida na Eq.(19) pode ser
facilmente compreendida analisando-
se o comportamento do circuito
mostrado na Fig.18, quando sujeito a
variaes trmicas.
A partir do momento em que a
temperatura aumenta, a corrente de
coletor IC tende a aumentar como Fig.18 Circuito transistorizado com base
conseqncia do aumento da corrente polarizada por divisor de tenso.
de fuga ICBO.

T ICBO IC
A modificao produzida em IC aumenta a corrente IE, visto que IE IC,
que por sua vez provoca um acrscimo na tenso VE = REIE.

IC IE VE

Da Eq.(6) verifica-se que a tenso VBE diminui com o aumento da tenso

VE, para um valor fixado da tenso VB do divisor.

20
Srie de Eletrnica

VE VBE
Com base na curva caracterstica mostrada na Fig.14, essa diminuio na
tenso VBE provoca um decrscimo na corrente de base IB.

VBE IB

A reduo em IB provoca uma diminuio na corrente IC. Esse processo de

compensao se repete at que a corrente de coletor atinja o valor estabelecido
inicialmente. Dessa forma o circuito praticamente insensvel s variaes de
temperatura.

A Fig.19 mostra a seqncia de eventos que compem o processo de

estabilidade trmica de um circuito transistorizado com polarizao de base por
divisor de tenso.

T
ICBO
IC

IC IE

IB
VBE
VE

Fig.19 Seqncia de eventos que provocam a estabilizao trmica de um

circuito transistorizado com polarizao de base por divisor de tenso.

21
 Transistor bipolar: polarizao por divisor de tenso

Apndice

QUESTIONRIO
1. Quais so os elementos bsicos que compem um circuito transistorizado
com base polarizada por divisor de tenso?

2. Qual a finalidade do divisor de tenso nesses tipos de circuito?

3. Qual a finalidade do resistor RE nesses circuitos?

4. Repita o Exemplo 1 para o caso IC = 6 mA.

5. Na anlise de um circuito transistorizado polarizado por divisor de tenso:

(a) quais so os parmetros de entrada?
(b) quais so os parmetros da malha do coletor?
(c) quais so os parmetros de sada?

6. Qual a principal caracterstica trmica de um circuito transistorizado

polarizado por divisor de tenso?

7. Calcule o fator de estabilidade trmica de um circuito transistorizado

polarizado por divisor de tenso com os seguintes parmetros: RE = 100 ,
RB1 = 8,5 k, RB2 = 1,5 k, = 100.

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Srie de Eletrnica

BIBLIOGRAFIA

CIPELLI, Antnio Marco Vicari & SANDRINI, Valdir Joo. Teoria do

desenvolvimento de Projetos de Circuitos Eletrnicos . 7.ed. So Paulo, rica,
1983. 580p.

MILLMAN, Jacob & HALKIAS, Christos C. Eletrnica: Dispositivos e

circuitos. Trad. Eldio Jos Robalinho e Paulo Elyot Meirelles Villela. So
Paulo, Mc Graw Hill do Brasil. 1981. il. v.2

SENAI/ Departamento Nacional. Reparador de circuitos eletrnicos; eletrnica

bsica II. Rio de Janeiro, Diviso de Ensino e Treinamento, c 1979. (Coleo
Bsica Senai, Mdulo 1).

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