Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
MAF 1292
Eletricidade e Eletrônica
NOTA DE AULA III
Goiânia 2014
Transistores Bipolares
Até 1950 todo equipamento eletrônico utilizava válvulas que aquecia muito e consumia muitos
watts de potencia. Por ISS, os equipamentos a válvula exigiam uma fonte de alimentação
robusta e criavam uma boa quantidade de calor.
John W. Mauchly e J. Prester Eckert Jr., junto com cientistas da Universidade da Pensylvânia e
em parceria com o Governo dos EUA, construíram o primeiro computador eletrônico,
conhecido como ENIAC (Eletron ic Numerical Integrator and Calculator).
As ideias de von Neumann - que são utilizadas até hoje - fizeram com que os computadores
pudessem ser programados através de programas, rotinas de manipulação de dados que se
utilizam de instruções próprias do computador.
- totalmente eletrônico
- 17.468 válvulas
- 500.000 conexões de solda
- 30 toneladas de peso
- 5,5 m de altura
- 25 m de comprimento
Na figura a seguir vemos cristais que formam o transistor. O emissor é densamente dopado;
sua função é de emitir, ou injetar elétrons na base. A base é levemente dopada e muito fina;
ela permite que a maioria dos elétrons injetados pelo emissor passe para o coletor. O nível de
dopagem do coletor é intermediário, entre a dopagem densa do emissor e a dopagem graça da
base. O coletor coleta ou juntas os elétrons oriundos da base. É o maior pedaço do cristal e é
nele que a maior parte de calor será dissipado.
Os transistores têm duas junções, uma entre o emissor e a base e outra entre a base e o
coletor. Por causa disso, um transistor se assemelha a dois diodos. Chamamos o diodo da
esquerda de diodo emissor e o da direita de diodo coletor. Podemos utilizar transistores tipo
npn e pnp (conforme figuras abaixo). O que difere um do outro é o tipo de portadores de
cargas que serão lançados pelo emissor.
Transistor pnp transistor pnp
Como os diodos, os transistores também possuem sua camada de depleção. Entretanto, como
temos agora dois diodos, teremos duas camadas de depleção. Se for de silício, teremos 0,7 V
para cada camada de depleção. Utilizaremos os transistores de silício, pois proporcionam
especificações de tensões maiores, maior corrente e menor sensibilidade à temperatura.
De forma similar ao transistor do tipo NPN, o transistor PNP tem a junção emissor-base
polarizada diretamente, enquanto a junção base coletor é polarizada inversamente.
Os elétrons que chegam ao emissor são atraídos para o terminal positivo da bateria de
polarização. Cada elétron que passa do emissor para a bateria de polarização, deixa uma
lacuna em seu lugar. Como ocorre no transistor NPN, podemos aplicar uma pequena tensão de
sinal a fim de produzir um sinal amplificado na saída do coletor.
O βCC relaciona a corrente do coletor com a corrente da base, ou seja, quanto a corrente do
coletor é maior que a corrente da base, sabendo que a corrente do coletor é muito maior que
a corrente da base. Quase todos os transistores possuem βCC em torno de 20, ou seja, a
corrente no coletor é 20 vezes maior que a corrente na base. Podemos encontrar β CC variando
de 20 a 300, e em alguns casos, temos transistores com βCC de 1000.
O parâmetro βCC é conhecido como ganho de corrente e pode ser calculado da seguinte
maneira:
IC
CC
IB
Como as duas metades de um transistor são diodos, tensão reversa em demasia em qualquer
diodo pode causar uma ruptura. Essa tensão de ruptura depende da largura da camada de
depleção e dos níveis de dopagem. Como o diodo emissor possui uma dopagem alta, esse
diodo tem uma tensão de ruptura baixa, em torno de 5 a 30 V, o diodo coletor é menos
dopado e portanto possui uma tensão de ruptura maior, em torno de 20 a 300 V.
Características da montagem:
VBB I B RB VBE 0
VBB VBE
IB
RB
No caso do Silício temos VBE igual a 0,7 V. Com essa equação podemos determinar a corrente
que está entrando no transistor pela base, ou seja, a corrente de base.
Ajustando os valores de VBB e de VCC podemos obter valores diferentes para a tensão e a
corrente no coletor e traçamos um gráfico de ICxVCE
Quando VCE for zero, o diodo coletor não está reversamente polarizado e a corrente será nula.
Aumentando a tensão levemente até aproximadamente 1 V, a corrente aumenta mais que a
tensão, ou seja tem um ganho maior que o aumento da tensão. Depois ela se mantém
constante. Acima do valor máximo (tensão de ruptura) o diodo coletor atingirá a ruptura e o
transistor para de funcionar.
Primeira: entre 1 V e Vmáx → Região de operação Normal. Polarização direta no diodo emissor
e polarização reversa no coletor. É conhecida como região ativa. Na região ativa o
transistor opera como amplificador
Segunda: acima de Vmáx → Região de ruptura. Devemos evitar a todo custo que o transistor
esteja nessa região, se não o transistor poderá ser destruído.
Nas regiões de corte e saturação como chave, ou seja, serve para comutação,
conduzindo ou não.
No circuito anterior, tomemos o circuito coletor (malha da direita) e usando kirchhoff, temos:
VCE VCC I C RC
Esta é a equação para descobrirmos qual a tensão está sendo aplicada entre os terminais
emissor e coletor do transistor. Para sabermos a potência dissipada no transistor podemos
utilizar a seguinte expressão: PD VCE I C .
VCC I C RC VCE 0
15 3000 I C VCE 0
Ponto de corte é onde a reta de carga intercepta a região de corte das curvas do coletor. Este
ponto é quase idêntico ao ponto inferior da reta. O ponto diz qual a tensão máxima possível
nos terminais coletor-emissor. Podemos encontrar este valor zerando a corrente.
VCC 15
Ponto de saturação: VCE 0 I c Ic 5mA
RC 3000
Ponto de saturação é o ponto onde a reta de carga intercepta a região de saturação. Este
ponto é quase idêntico ao ponto superior da reta de carga. Este ponto nos diz qual é a máxima
corrente possível para o coletor neste circuito. Este ponto é encontrado fazendo a tensão
entre o coletor e o emissor igual a zero.
6.13 Ponto de Operação.
Após a obtenção dos pontos de saturação e de corte, podemos encontrar o ponto de operação
(ponto Q) do transistor. Este ponto é a intersecção entre a curva do transistor e da reta de
carga do transistor.
VBB 15
IB 30 A
RB 500k
VCE VCC I C RC 15 9 6V
Com isso temos o ponto de operação para este transistor nesse circuito com os valores de 6V
para a tensão entre o coletor e o emissor e uma corrente de 3 mA pelo coletor. O ponto de
operação é chamado de ponto Q e é dado pelo gráfico nos pontos (IC,VCE).
Como saber se o transistor esta na região ativa ou de saturação? Temos duas maneiras para
fazer isso.
Calculemos IB:
VBB 10
IB 0,1mA
RB 100k
Como supomos que o transistor estava na região ativa e encontramos uma resposta absurda
temos que o transistor está na região de saturação.
2) Outro método
VCC 20
I C ( sat ) 2mA
RC 10k
Essa corrente é a maior corrente possível para este circuito. Como idealmente a corrente na
base é de 0,1 mA e como βCC = 50, temos a corrente no coletor igual a 5 mA. Mas esse valor é
acima de 2 mA, isto implica que o transistor está saturado, ou seja, se:
VL RC I C 10k 5m 50V
Vsaída V 50
A L 5
Venrada VBB 10
RC
Podemos calcular o ganho simplesmente por: A CC
RB
Neste caso a base está na entrada e na saída do circuito, ou seja, a base é o eletrodo comum.
Características de montagem:
Aqui a entrada é na base e a saída é no emissor, tendo o coletor como eletrodo comum.
Características de montagem:
Alguns circuitos eletrônicos têm apenas uma fonte simples, e não duas. Neste caso devemos
reprojetar nosso circuito de maneira a utilizar somente esta única fonte. Mesmo o valor da
tensão VCC sendo muito grande, podemos trabalhar com quaisquer valores de R1 e R2 de modo
a garantir que a tensão na base seja baixa o suficiente para não danificar nosso transistor.
O processo de análise do circuito começa com o calculo da tensão aplicada não base. Como
temos a tensão aplicada em R2 representada por V2, e temos esse resistor em paralelo com
transistor, ou seja, R2 está em paralelo com o terminal da base, podemos afirmar que a tensão
aplicada na base é exatamente igual a tensão aplicada no resistor do divisor de tensão, VB = V2.
No circuito acima podemos utilizar a malha do divisor de tensão e encontrar a seguinte relação
com a ajuda da lei das malhas:
VCC R1 I R2 ( I I B ) 0
Onde I é a corrente total que passa pelo divisor de corrente e (I – IB) é a corrente que passa
somente pelo resistor R2.
Aqui podemos fazer nossa primeira aproximação dos cálculos. Como estamos projetando, e
sabemos que na eletrônica podemos trabalhar com uma margem de erro, podemos faze a
seguinte aproximação: se a corrente na base for 20 vezes menor que a corrente em R 2
poderemos desprezar a corrente que passa pela base. É importante salientar que não estamos
falando que a corrente na base seja nula (o que não é verdade) e sim a desprezando nos
cálculos da tensão na base. Na equação acima temos, então, I B I , e com isso podemos
escrever:
VCC
I
R1 R2
10 10
I 0,82mA
10k 2, 2k 12, 2k
Como sabemos que a tensão na base é igual a tensão aplicada a R2, podemos usar a lei
de ohm para encontrar a tensão na base, ou seja
V RI
V2 R2 I
VB R2 I
Como estamos projetando devemos ter um pouco mais de cuidado, com isso estaremos agora
usando a segunda aproximação, onde VBE = 0,7 V.
VBE VB VE
VE VB VBE
Onde VBE é a tensão entre a base e o emissor e é dada pelo valor da barreira de potencial que
existe entre a base e o emissor.
Achada a tensão aplicada no emissor podemos encontra, através da lei de Ohm, a corrente
que passa pelo emissor, ou seja,
VE
IE
RE
Agora podemos achar a tensão no coletor (VC) e entre o coletor e o emissor (VCE). Como já
vimos anteriormente, temos VC VCC I C RC . Como a corrente no coletor é
aproximadamente igual a corrente do emissor, podemos substituí-la pela corrente no emissor.
Com a tensão no coletor calculada, podemos calcular a tensão entre o coletor e o emissor, ou
seja,
VCE VC VE