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1. TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO
1.1. CONSTRUÇÃO DO TRANSISTOR
O transistor é um dispositivo semicondutor de três camadas, pode ser duas camadas tipo P e uma tipo
N, ou duas camadas tipo N e uma tipo P, o primeiro tipo é denominado transistor PNP, e o segundo,
transistor NPN. Abaixo ilustramos essas configurações.
Figura 1: Tipos de
transistor (a) pnp e (b)
npn.
O transistor desenvolvido na década de 50 foi quem permitiu uma revolução na tecnologia.
1.2. ESTRUTURA FÍSICA
O transistor possui três camadas como já falado, e essas camadas recebem nomes específicos, temos
então a base, o coletor e o emissor. A camada do emissor é fortemente dopada, enquanto a base te
fraca dopagem e o coletor possuem uma dopagem intermediária entre a do coletor e a da base, o fato
do emissor ser fortemente dopado é exatamente porque dele é que partem os elétrons para a outra
região, no caso, a base. Na base, como ela é fina e fracamente dopada, a maioria dos elétrons injetadas
(pelo emissor) para o coletor, o coletor é a maior das três regiões, pois nele é gerada uma quantidade
de calor maior (chamamos de coletor pois ele coleta os elétrons da base), como já falado, o nível de
dopagem do coletor é intermediário entre o do emissor e o da base.
Acomodação das cargas
Prof. Wagner Menezes TBJ

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Quando estudamos os diodos, vimos que quando os cristais P e N se recombinam, surge uma barreira
de potencial entre os dois, devido a recombinação das cargas nessa região, fazendo com que exista
uma mínima tensão que é necessária ser aplicada para que haja condução no diodo. No caso do
transistor (que nada mais é do que dois diodos associados) haverá a formação de duas barreiras de
potencial, uma entre base-emissor e uma entre base-coletor.
Figura 2: Camadas de depleção (ou barreira

de potêncial) formada entre os cristais de um
transistor.
1.3. MODOS DE OPERAÇÃO
Podemos observar que existem duas junções nas estruturas cristalinas: uma entre base-coletor e outra
entre base-emissor. O diodo situado entre base-emissor chamaremos de diodo emissor. O diodo
situado entre base-coletor, chamaremos de diodo coletor. Como temos dois diodos, poderemos
polarizá-los de quatro formas
Modo de Polarização Diodo Emissor Diodo Coletor

Corte Reversamente Polarizado Reversamente Polarizado
Não Utilizado Reversamente Polarizado Diretamente Polarizado
Ativo Diretamente Polarizado Reversamente Polarizado
Saturação Diretamente Polarizado Diretamente Polarizado
Nos modos de corte e saturação o transistor é usado para operar como chave eletrônica em circuitos
lógicos (um exemplo desse uso é o processador dos computadores). No modo ativo, o transistor opera
como fonte de corrente e é capaz de amplificar sinais.
No modo ativo, um transistor NPN por exemplo, onde a base-emissor estão diretamente polarizados e
a base-coletor estão reversamente polarizados e duas fontes de tensão externas são utilizadas para
estabelecer as condições de operação. A tensão V BE (tensão aplicada a base-emissor) faz com que a
base tipo P esteja em um potencial mais alto do que o emissor tipo N; assim, se a ddp entre as duas
regiões for aproximadamente 0,7 V, o diodo está diretamente polarizado. A tensão na junção base-
coletor VBC faz com que o coletor tipo N esteja em um potencial mais alto do que o da base (tipo P),
portanto, este diodo está reversamente polarizado.
Figura 3: Polarização direta-

Prof. Wagner Menezes reversa de um transistor NPN. TBJ
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O fluxo de corrente no TBJ nessa configuração, será descrito a seguir.

Se a fonte V BB for suficiente para garantir 0,7 V em V BE, os elétrons livres do emissor entrarão na base
em grande quantidade, devido a repulsão causada pelo polo negativo de V BB. Na região da base tipo P,
poucos elétrons provenientes do emissor recombinam-se com as lacunas (por conta da base ser
fracamente dopada) e os elétrons que encontram lacunas seguem pelo positivo de V BB, como temos
poucas lacunas na base, a grande maioria dos elétrons segue para o coletor e ao vencerem a larga
barreira de potencial do coletor, são atraídos pelo terminal positivo da bateria V CC.
A base fina e com fraca dopagem é quem determina a quantidade de elétrons que forma a corrente do
coletor, assim, dizemos que a base é quem controla a corrente de coletor do transistor.
Temos que observar também, que devido a larga barreira de potencial do coletor, a maior parte da
energia dos elétrons é dissipada na forma de calor, e o transistor deve ser capaz de trocá-la com o
meio ambiente o mais rápido possível. Os fabricantes normalmente aumentam a região do coletor
para melhorar a dissipação de calor, além disso, pode-se utilizar um dissipador acoplado ao coletor do
transistor para auxiliar na dissipação do calor.
Figura 4: Fluxo de elétrons em um

transistor NPN
Relação entre as correntes de base, emissor e coletor
Já temos conhecimento sobre a ordem de grandeza entre as correntes que circulam em um transistor
polarizado direta e reversamente. Esta relação dependerá do nível de dopagem das regiões do
transistor, como sabemos, a base é fracamente dopada, o coletor tem dopagem média e o emissor é
intensamente dopado, podemos dizer que, para os transistores modernos, a corrente de coletor é 99%
da corrente do emissor, assim, a corrente de base é em torno de 1%.

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Utilizamos relações chamadas α e β para relacionar essas correntes. A relação α mede quão próxima a
corrente de coletor IC está da corrente de emissor IE, ou seja, é o cociente entre elas. β é a razão entre a
corrente de coletor IC e a corrente de base I B, e diz o quanto de portadores majoritários do emissor (os
elétrons) fluem pelo coletor e qual a taxa que se recombina na base.
IC
α= (1-1)
IE
IC
β= (1-2)
IB
EXEMPLO 1 Um transistor tem as seguintes correntes: I E = 40,8 mA, IC = 40 mA, IB = 0,8 mA. Calcule a α
e β para esse transistor.
Solução
Aplicando os valores nas equações de α e β, temos:
40 mA
α= =0,98
40,8 mA
40 mA
β= =50
0,8 mA
1.4. SIMBOLOGIA DOS TRANSISTORES NPN e PNP
As simbologias abaixo representam o transistor, do tipo NPN e do tipo PNP.
Figura 5: Simbologia para transistores

(a) NPN e (b) PNP.
As setas na simbologia do transistor, representam a região do emissor e indicam o sentido
convencional da corrente. Nas análises anteriores utilizamos o sentido real da corrente, porém, como
de costume, utilizaremos o sentido convencional, no caso do TBJ NPN, a corrente entra pela base e
pelo coletor e saem pelo emissor.
Conexões do Transistor Bipolar de Junção
Existem configurações típicas elaboradas com o TBJ e é essencial aprender a reconhecê-las apenas
olhando um circuito transistorizado. São três as configurações com terminal em comum: base, emissor
e coletor.

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Figura 6: Tipos de conexões do Transistor.

Os estudos realizados até o momento se basearam em uma configuração em base comum, como
pode ser observado na figura 4.
Configuração Emissor-Comum (EC)
Entre as três configurações do TBJ, a mais utilizada, na prática é a configuração em emissor comum, a
qual requer uma análise mais apurada. Novamente iremos nos ater a estrutura NPN (a partir dessa
seção, utilizaremos a simbologia usual dos transistores).
Para analisar a configuração EC, primeiramente vamos colocar o transistor na vertical, com o emissor
em baixo. Cuidamos para que esse terminal seja realmente comum as duas fontes, conectando os
negativos das fontes a ele. Dois resistores RB e RC limitam a corrente na base e no coletor,
respectivamente.
Faremos a análise de cada etapa de funcionamento com suas ilustrações. Nesse caso, iremos omitir as
fontes e os resistores para simplificar, admita que V CC >> VBB, com VBB > 0,7 V, e o sentido adotado
nessa análise, ainda será o sentido real.
1ª Etapa – injeção de portadores no emissor – Nesta etapa, a polarização correta do diodo emissor
permite as fontes injetarem elétrons no interior do emissor pela repulsão mútua entre elétrons das
fontes e os elétrons livres e em excesso, pertencentes a essa região.

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2ª Etapa – entrada de elétrons na base e recombinação com as lacunas – nesta etapa, os elétrons do
emissor tem energia suficiente para vencer a barreira de potencial do diodo emissor e penetrar na
base. Lá, poucos elétrons livres encontram lacunas em sua trajetória, mas os que conseguem, se
recombinar e formam a corrente de base. A grande maioria mantém a trajetória em direção ao coletor
pela repulsão contínua provocada pelo campo elétrico das fontes.
3ª Etapa – elétrons atravessando o diodo coletor e formando a corrente – aqui, os elétrons livres do
emissor, que não conseguiram se recombinar na base, atravessam a grande região da barreira de
potencial do coletor (diodo reverso) deixando boa parte da energia adquirida das fontes e sendo
atraídos pelo forte potencial de VCC.

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LKC no TBJ
A lei de kirchoff das correntes pode ser aplicada ao TBJ na configuração EC, assim:
I E=I B + I C (1-3)
V CE =V BE +V CB (1-4)
Onde:
IE = corrente do emissor
IB = corrente da base
IC = corrente do coletor
VCE = tensão de coletor relativa ao emissor
VBE = tensão de base relativa ao emissor
VCB = tensão de coletor relativa a base
EXEMPLO 2 Um estudante testa um circuito transistorizado. Ele mede uma corrente de base (I B) de 60
μA e uma VCB = 24,3 V. Sabe também, que o transistor que está analisando tem um β de 100. Se o
transistor é de silício e está polarizado no modo ativo, qual o valor de I C, IE e VCE ele deve ter obtido?
Solução
Pela definição de β, temos
IC
β=
IB
Assim,
I C =β I B
I C =100(60 μ A)=6 mA
E pela LKC, temos que:
I E=I C + I B
I E=6 mA +0,060 mA
I E=6,060 mA
Se o transistor está no modo ativo, sabemos que o valor de V BE deve necessariamente der de 0,7 V,
assim:
V CE =V CB +V BE=24,3 V +0,7 V =25V
Resumo
Na operação no modo ativo, temos que ter o diodo emissor diretamente polarizado e o diodo coletor
reversamente polarizado.
Como vimos no estudo dos diodos, tensões reversas suficientemente grandes podem destruir a junção
PN. Como o diodo coletor deve ser polarizado reversamente, pode ocorrer avalanche térmica se a
tensão exceder a especificação do fabricante. Dessa maneira, devemos estar certos de que a tensão
sobre o diodo coletor seja menor que a de ruptura.

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1.5. MODELO EQUIVALENTE EBERS-MOLL
Anteriormente definimos o fator α, que exprime quão próximo o valor da corrente de coletor está do
valor da corrente de emissor, ao mesmo tempo que α aponta a porcentagem dos elétrons injetados
pelo emissor que seguem o caminho do coletor. Assim, na região ativa, é plausível assumir que o
transistor em circuitos lineares é uma fonte de corrente de valor α vezes IE em série com o diodo
emissor. Esse é o modelo de Ebers-Moll e será muito útil na análise de amplificadores.
Figura 7: Modelo de
Ebers moll.
Para elaborar o modelo de Ebers-moll, devemos:
1. Fazer VBE igual a 0,7 V para os transistores de silício.
2. Tratar IC como sendo igual a IE, por conta da relação α se aproximar da unidade.
3. Aproximar IB a IE/β, porque IC é praticamente igual a IE.
No modelo de Ebers-Moll, o coletor é uma fonte de corrente de valor αIE. Se, ao invés de
considerarmos que a fonte de corrente de coletor é controlada pela corrente de emissor e admitirmos
que a relação IC = βIB seja uma relação de controle, passaremos a assumir que um transistor bipolar é
um dispositivo eletrônico no qual corrente controla corrente. A corrente de controle é a corrente de
base, e a corrente controlada é a corrente de coletor.
Analisando quantitativamente o transistor no modo ativo, pela LKC temos que I E = IC + IB e que
podemos aproximar a corrente de coletor com a de emissor de modo que podemos afirmar que I C = IE,
portanto, a corrente de base na maioria dos casos é uma corrente desprezível.
1.6. CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS DO TRANSISTOR
O transistor bipolar trabalha com muito mais correntes e tensões que um diodo. Por isso, temos muito
mais curvas e parâmetros elétricos para analisar. Nosso circuito para análise será o da figura abaixo.
Figura 8: Circuito transistor em configuração

EC atuando na região ativa.
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Curvas de base
A curva de base de um transistor, pelo fado de termos junções PN é similar a curva de um diodo,
porém, como o transistor possui bem mais variáveis elétricas que um diodo, as curvas de base de um
transistor serão plotadas para cada valor de V CE. Temos que, quanto maior a tensão reversa no diodo
coletor, maior é a região da barreira de potencial dentro da base, diminuindo ainda mais a região, que
normalmente já é estreita. Com a diminuição dessa região, a probabilidade de encontrar lacunas nesse
espaço, diminui significativamente, e como a corrente de base é formada pela recombinação dos
elétrons livres injetados pelo emissor com as lacunas da base, a corrente de base tende a diminuir e a
tensão VBE aumenta.
Figura 9: Curva de base para um

transistor.
Curvas do Coletor
O circuito da figura 7 serve também para levantar as curvas do coletor. A ideia básica é fixar a corrente
na base através de VBB e variar VCC, anotando os valores de IC e VCE. Quando traçamos curvas IC versus
VCE com IB fixo, temos as curvas a seguir.
Figura 10: Curvas do Coletor de um

Transistor
Temos nesse gráfico, três regiões de interesse, a que se estende de 0 até V CESAT, a de VCESAT até BVCEO e a
região além de BVCEO.
A região entre 0 e V CESAT é chamada de região de saturação, pois nela os transistores funcionam como
chave eletrônica, nessa região, a relação I C = βIB não é mais válida, pois a corrente de coletor passa a

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depender muito mais da fonte VCC e RC do que da própria corrente de base, o termo saturação é pra
caracterizar a perda de controle da corrente de base em relação a de corrente de coletor.
A região situada entre VCESAT e BVCEO é a região ativa, essa região é caracterizada pela polarização reversa
do diodo coletor e por obtermos praticamente os mesmos valores de I C para qualquer valor de VCE
pertencente a esta faixa.
A região acima de BVCEO é a região de ruptura. Nessa região, o transistor está na iminência de ser
destruído. O diodo coletor polarizado reversamente é o responsável por ela. Isso não chega a ser um
problema, pois a faixa de VCE é ampla e escolhida pelo projetista.
Abaixo temos um gráfico medidas sucessivas de IC e de VCE e para uma corrente de base constante.
Figura 11: Curvas de coletor de um transistor.
Especificações de um Transistor Bipolar de Junção
As principais características que devem ser observadas em um TBJ através da folha de dados
(datasheet) obtido no site do fabricante do transistor são:
IB = corrente de base
IC = corrente de coletor
IE = corrente de emissor
PD = potência dissipada
VCEO = tensao de coletor ao emissor com a base aberta
VCBO = tensão de coletor a base com emissor aberto
VEBO = tensão de emissor a base com o coletor aberto
ΔP = fator de degradação
RTHJ = resistência térmica da junção
As três primeiras especificações são naturalmente necessárias, quanto a potência P D, esta é importante
para evitar a queima do transistor por potência dissipada além do seu limite, essa potência pode ser
obtida por:
P=V CE I C (1-5)
Essa equação não nos dá toda a potência dissipada, mais se aproxima muito dela.
As três tensões VCEO, VCBO e VEBO são importantes na escolha do transistor. V CEO e VEBO são boas
aproximações para as tensões de ruptura dos diodos coletor e emissor, respectivamente.

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Todas as especificações de componentes eletrônicos são feitas a determinadas temperaturas. ΔP mede

o fator de degradação da especificação de potência a medida que nos distanciamos das temperaturas
ideais de funcionamento.
E o último parâmetro é importante para a determinação do dissipador de calor, visto que em alguns
casos, a quantidade de calor gerada na junção não é trocada com o meio ambiente, assim, se faz
necessário a utilização de um dissipador de calor bem dimensionado para sanar esse problema.
Modo de Operação como Chave
Uma das aplicações interessantes do transistor é a possibilidade de ser utilizado como chave
eletrônica. Isso é feito aplicando-se duas polarizações iguais aos diodos emissor e coletor (lembre-se,
sempre nos referimos como diodo emissor e diodo coletor, exatamente pela semelhança construtiva
do mesmo com diodos), ou seja, polarização direta-direta ou reversa-reversa. Mostramos abaixo essas
duas condições.
Figura 12: O transistor como chave, em polarização direta-direta (chave

fechada) e em polarização reversa-reversa (chave aberta).
Na polarização direta-direta, ambos os diodos conduzem, forçados pela polarização da duas fontes.
VCC e VBB polarizam diretamente os diodos coletor e emissor, respectivamente. A correntes de coletor e
de emissor somam-se formando a corrente de base (nessa análise já estamos adotando o sentido
convencional para a corrente). Se observarmos a ilustração logo acima, que faz uma analogia aos
diodos, a tensão VCE é 0V, o que corresponde a uma chave fechada entre os dois terminais, coletor (C) e
emissor (E).
Na polarização reversa-reversa, a barreira de potencial dos diodos coletor e emissor assume o valor de
VCC e VBB nessa ordem. A corrente circulante, em qualquer um dos terminais, é 0 A e a tensão resultante
entre coletor e emissor é a diferença entre VCC e VBB. Essa situação equivale a uma chave aberta entre (C)
e (E).
Nessa configuração, os conceitos de α e β não se aplicam, pois não há um controle sobre as correntes
de emissor e de coletor, essas agora dependem mais das fontes V CC e VBB e dos resistores externos do
que propriamente das relações α e β.
1.7. RETA DE CARGA CC PARA CIRCUITOS TRANSISTORIZADOS

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A reta de carga nada mais é que um meio geométrico para localizar o ponto de operação de um
circuito contendo algum componente eletrônico.
Para essa análise, primeiro precisamos escrever a equação das tensões para a malha do coletor, em
seguida, usamos a ideia da chave eletrônica entre coletor e emissor, ou seja, fazer V CE = 0V (chave
fechada) e encontrar a corrente I C que circula, no caso, esta será a corrente I CSAT. Depois, fazemos IC =
0A (chave aberta) e encontrar a tensão VCE, no caso, esta será a tensão de corte VCE CORTE. Com a VCE CORTE e
ICSAT podemos traçar uma semi-reta sobre as curvas de coletor, interceptando-as. Em alguma curva do
coletor está localizado o ponto de operação.
Para plotar o ponto de operação na reta de carga usamos a malha da base. Lá, escrevemos a equação
das tensões e a manipulamos para encontrar alguma corrente de operação; ou a da base I B ou a do
emissor IE (podemos aproximar e dizer que I C = IE). Com a corrente de operação I C, calculamos a tensão
VCE de operação.
Se analisarmos um circuito genérico passando V CC = 18 V; VBB = 4,7 V; RB = 100 KΩ; RC = 4 KΩ e β = 50,

podemos traçar a reta de carga conforme a figura abaixo.
Figura 13: Reta de carga para um

transistor.
Dessa reta, podemos tirar algumas conclusões. Em um circuito transistorizado, qualquer corrente de
operação normal, sempre é menor que a corrente de saturação. Assim, se você sabe que um circuito
satura com uma IC = 10 mA e ao tentar calcular a corrente de operação você acha 15 mA, descarte-a,
pois a maior corrente admissível neste circuito é 10 mA. A corrente I CSAT é a maior corrente que pode
circular no coletor do circuito a transistor em questão, e não a máxima corrente que o transistor pode
suportar. A primeira quem define é o projetista, a segunda é o próprio fabricante quem define.
Simbologia do Terra em Circuitos

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É usual para simplificação do desenho de circuitos eletrônicos o emprego do terra para simbolizar o
ponto em comum entre as fontes e componentes, o outro polo do circuito é representado
normalmente por um círculo.
Figura 14: Uso da

simbologia do terra para
representar pontos comuns
no circuito.
Podemos observar pela figura 14 que os polos positivos de V CC e VBB foram mostrados e os polos
negativos que são comuns entre si em relação ao emissor foram representados pela simbologia do
terra (ground).
1.8. TRANSISTOR COMO CHAVE
Para facilitar a compreensão, o primeiro circuito que estudaremos é o uso do transistor como chave.
Com um projeto bem elaborado, o transistor opera apenas no modo de saturação e corte. O modo de
chaveamento do transistor é base para o funcionamento dos computadores e circuitos digitais.
Circuito esquemático
O transistor como chave eletrônica se utiliza do terminal de base como controle e a saída é retirada do
coletor, ambos em relação à terra.
Figura 15: Configuração do transistor como

chave.
O controle do chaveamento é feito tipicamente aplicando um sinal quadrado, que varia de 0 a um nível
fixo, que é 5 V para circuitos denominados TTL (Transistor – Transistor Lógico). Quando o sinal de
controle está em 0 V, a malha da base está submetida a 0V de ddp, assim, não há corrente na base e
nem no coletor. Como IC = 0 A, a queda de tensão em RC é nula e, pela LKT, VCE assume o valor da fonte

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VCC, assim, temos a chave aberta. Quando temos o pulso de nível alto (5 V), haverá corrente na base e,
se esta corrente for suficientemente alta, o transistor entra na região de saturação tornando V CE
aproximadamente igual a 0 V. A corrente que circula no coletor é I CSAT e, de coletor para emissor, o
transistor se assemelha a uma chave fechada, nesse momento, o resistor de coletor R C terá entre seus
terminais a tensão da fonte VCC.
Podemos notar pela figura 15, o sinal quadrado de saída é exatamente oposto ao sinal de controle.
Isso se deve as condições em que ocorrem os chaveamentos, quando o controle é 0V, a saída será
igual a VCC, se controle igual a 5 V, a saída é igual a 0V.
As condições para que o transistor funcione como chave, além da polarização, é que a corrente de
base IB seja grande o suficiente para levar a corrente de coletor à saturação.
Para o projeto de chaves a transistor, se utiliza uma regra superdimensionada para escolher o resistor
de base (RB) e o resistor de coletor (R C). Se adota um β = 10, sabemos que este β praticamente não se
encontra em transistores comerciais, assim, dividimos o projeto de circuitos de chaveamento em três
etapas a saber:
1. O resistor de coletor normalmente é a carga que se deseja acionar. É imprescindível conhecer
sua resistência elétrica ou a corrente de funcionamento. Essa corrente deverá ser adotada
como ICSAT.
2. Calculamos IB usando um beta critico igual a 10, assim:
I CSAT
I B=
10
3. Encontramos o valor de RB usando a lei de Ohm, visto que sabemos que a tensão nos terminais
dele deve ser VBB – 0,7 V e IB encontramos no passo 2, assim
V BB−0,7 V
RB =
10
Na prática, o circuito funcionará de acordo com o que desejamos.
Reta de Carga no Modo Chaveamento
Como desejamos que o transistor atue como chave, a reta de carga para o circuito deve ter o ponto de
operação Q oscilando entre a saturação e o corte. Quaisquer outros pontos que não sejam as
extremidades da reta não são desejáveis e não devem ocorrer quando se aplica a regra de projeto
acima.
1.9. ACIONAMENTO DE CARGAS COM TRANSISTORES
Em circuito práticos, o transistor é muito empregado para acionar relés, motores CC de pequeno porte,
lâmpadas de baixa potência, LEDs indicadores e outras cargas.
Observe alguns exemplos dessas aplicações
Acionamento de LED e lâmpadas de baixa potência

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Transistor acionando relé para ligar (ou desligar) cargas CA
Observações
Toda vez que um transistor for utilizado para chavear cargas indutivas é necessário acrescentar um
diodo, reversamente polarizado, em paralelo com a carga, pois, quando a carga for acionada a
indutância da carga recebe energia da fonte. Quando a carga é desligada, ocorre a inversão da tensão
nos terminais da carga para manter a corrente circulando no mesmo sentido. Essa tensão pode ser alta
o suficiente para danificar o diodo coletor, assim, o diodo D1 faz o retorno da corrente e dissipa a
energia armazenada na indutância da carga, protegendo assim o transistor.
As especificações VEBO (tensão reversa no diodo emissor) são relativamente pequenas, se comparadas
com o diodo coletor, normalmente estão na faixa de 4 a 10 V. O diodo D2 limita a tensão reversa no
diodo em -0,7 V já que ele está em antiparalelo com a junção base emissor.
Figura 16: Motor CC de

baixa potência sendo
acionado por um
transistor.
1.10. TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE
Vimos que para o transistor atuar como chave, ele deve operar apenas nas extremidades da reta. A
outra aplicação muito utilizada do transistor é como fonte de corrente e para isso ele deve ter seu
ponto de operação Q em algum lugar entre as extremidades, ou seja, no interior da reta. Para isso,
devemos polarizar o transistor na região ativa (polarização direta-reversa) como visto anteriormente.
A razão de utilizarmos o transistor como fonte de corrente está no fato de que, nesta configuração, o
transistor é capaz de amplificar sinais CA. Vamos fazer nessa seção uma análise do transistor como
fonte de corrente, em uma seção posterior nos aprofundaremos em amplificação de sinais
propriamente dita.

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Se aplicarmos a lei de kirchoff nas malhas da base e do coletor, obtemos as seguintes equações:
V CC
I CSAT = (1-6)
R C+ R E
V CECORTE =V CC (1-7)
V BB −0,7 V
I CQ = (1-8)
RE
V CEQ =V CC−I CQ (RC + R E) (1-9)
Observe que a equação da corrente I CQ e veja que ela depende apenas de V BB e RE. Se garantirmos a
estabilidade destas duas grandezas, temos que a corrente I CQ será fixa e independente do β.
Independente por que o beta não aparece explicitamente na equação da corrente, mais se fizermos I B
= 0, naturalmente que IC também será igual a zero.
Nesse caso, temos uma situação diferente da encontrada no transistor como chave, na qual utilizamos
um beta mínimo igual a 10 para que o circuito funcionasse corretamente. Agora, o beta apenas define
o valor da corrente de base que circula a medida que são mudados os valores de V BB e RE. É importante
salientar que a corrente I CQ necessariamente tem que ser menor que I CSAT, pois caso contrário, a fonte
de corrente estará comprometida.
Observando novamente a equação 1-8, nessa equação também não aparece R C. É por esse motivo que
o circuito é chamado fonte de corrente, pois para qualquer valor de R C no coletor a corrente no resistor
seria a mesma. Na prática isso não acontece, porém, se a escolha de R C for adequada para garantir que
o transistor não entre em saturação, a corrente no coletor do transistor não dependerá do valor do
resistor do coletor (RC).
Reta de Carga e Ponto Quiescente (Q)
Uma fonte de corrente tem o ponto Q em algum lugar da reta, deferente dos dois pontos extremos.
Por razões que ficam obvias no estudo dos amplificadores, a melhor localização do ponto Q está no
centro geométrico da reta de carga.

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Uma boa técnica para garantir que o ponto Q esteja localizado no centro da reta de carga, será
descrita aqui
1. Faça VCEQ a metade da fonte VCC. Matematicamente temos:
V CC
V CEQ =
2
2. Faça com que VRC seja igual a 0,4VCC, assim
V RC =0,4 V CC
3. Faça com que VRE seja igual a 0,1VCC, assim
V R E =0,1V CC
4. Escolha a corrente de saturação (ICSAT) de modo que ela seja o dobro do valor desejado para ICQ
5. Calcule os resistores RC e RE para o funcionamento correto da fonte de corrente.
Transistor Darlington
Abrimos um espaço aqui pra falar de uma configuração especial do TBJ, muito utilizado em circuitos
amplificadores e chaveamento em maior nível de potência, basicamente ele é formado pela conexão
de dois transistores, o emissor do primeiro é ligado a base do segundo, os coletores são ligados
juntos. A base do primeiro, o emissor do segundo e a conexão em comum dos coletores são: a base, o
emissor e o coletor do darlington, nessa ordem. O beta desse transistor é o produto de β1 e β2. E nesse
caso, VBE = 1,4 V.
1.11. POLARIZAÇÃO DO TRANSISTOR BIPOLAR
Nesta seção veremos as formas de polarizar o transistor para que ele funcione de forma linear (na
região ativa), o que implica em estabelecer o ponto Q próximo ao meio da reta de carga. Nos
amplificadores de pequeno sinal e nos de classe A, o ponto Q deve ter essa localização.
Inicialmente estudamos circuitos utilizando duas fontes, porém, na prática não se utilizam duas fontes
de tensão, e sim algum arranjo pra prover as tensões através de uma rede resistiva. Nesta seção
analisaremos a pior forma de fazer isso e evoluiremos até um modelo de excelência para polarização
do TBJ.
Para analisar circuitos polarizadores utilizaremos as leis de Kirchoff, lei de Ohm e a relação entre I C e IB
(β) no transistor, quando necessário.
As etapas podem ser descritas genericamente aqui
1. Aplique a lei de Kirchoff para tensões em uma malha que tenha pontos em comum da base
com o coletor e/ou emissor.
2. Na relação obtida aparecerão IB, IC e IE como incógnitas. Faça IC = IE quando necessário, e use IC
= βIB para lidar com apenas uma variável desconhecida, escolha a que facilitar mais a análise.
3. Trace a reta de carga e marque o ponto Q para verificar a localização do mesmo. Isto evita
possíveis transtornos o ponto indo a saturação ou ao corte.
Polarização da base

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Use a configuração do transistor como chave, mais evite polarizar o transistor no corte ou na
saturação. A fonte VBB foi eliminada através da conexão do resistor R B à fonte VCC. Desta forma, a
corrente IB provém da fonte VCC e alimenta a base. A junção base-emissor é polarizada diretamente,
com a base 0,7 V acima do terra. Necessita-se, então, providenciar uma corrente de coletor I C e
consequentemente uma corrente de base IB, que torne a tensão VC maior 0,7 V, visando reverter a
polarização do diodo coletor. Essa configuração é mostrada na figura abaixo.
Use a configuração do transistor como chave, mais evite polarizar o transistor no corte ou na
saturação.
Polarização por realimentação do coletor
É também chamada de autopolarização, constitui um avanço significativo em relação à polarização de

base. Esta forma é uma alternativa útil quando o fator economia é relevante. A estrutura é construída
com o mínimo de componentes e tem uma resposta não estável, mais é satisfatória em determinadas
aplicações.
O termo realimentar em eletrônica significa ter a saída, ou parte dela (o que é mais usual), conduzida
de volta à entrada. Nesse caso, a realimentação é utilizada para estabilizar a polarização do transistor,
ela é descrita de forma sucinta a seguir.
Admita que a temperatura se eleve, aumentando o valor da corrente I C do transistor. Tão logo a
corrente aumenta, a queda de tensão em RC também aumenta, tornando assim VCE menor. Como
VCE é a tensão aplicada à malha da base, temos que I B também diminui. Se IB diminui, IC volta a
diminuir, compensando o aumento do β.
Na prática, essa compensação não é perfeita, por que a proporção em que a corrente de coletor (I C)
aumenta não é a mesma em que a corrente de base (I B) diminui. Isto explica a mudança no ponto Q
quando ocorrem variações no beta ou na corrente de coletor/base.

19
Polarização por divisor de tensão (Polarização Universal)
Essa é a polarização com fonte simples mais utilizada em circuitos lineares. O esquema a seguir ilustra
essa configuração. Veja que, basicamente, temos a fonte de corrente anteriormente estudada, com a
fonte VBB substituída por um divisor de tensão.
Aplicação do Teorema de Thevenin na base
Para aplicar fazer a análise, abriremos o terminal da base e aplicaremos o teorema de thevenin no
divisor de tensão. Esse circuito é mostrado abaixo.
Figura 17: Equivalente de

thevenin para o circuito por
polarização por divisor de
tensão.
Assim, podemos encontrar a tensão de thevenin (V TH) e o resistor equivalente de thevenin (RTH):
V CEQ =V CC−I CQ (RC + R E)
(1-10)
V EC R2
V TH = (1-11)
R1 + R2
Somando as tensões ao longo da malha da base da figura acima, temos:
V TH −I B RTH −I E RE −V BE =0 (1-12)
Como IC ≈ IE, então IB ≈ IE/βCC
Se RE for muito maior, por exemplo, 100 vezes, do que R TH/βCC então podemos esquecer o segundo
termo e simplificar a equação

20
V CC −0,7
I E=I C = (1-13)
RE
Podemos dizer que um circuito de polarização por divisor de tensão estabilizado se ele satisfizer a
condição
RTH <0,01 β CC R E
Um inconveniente é que este divisor estabilizado pode ter valores de R 1 e R2 tão pequenos que podem
surgir outros problemas, como consumo excessivo, por conta disso podemos ter outras soluções.
Podemos adotar ao invés do divisor de tensão estabilizado, uma versão um pouco menos estável,
denominado divisor de tensão firme, neste caso, ele deve obedecer a seguinte regra.
RTH <0,1 β CC R E
Esta regra deve ser satisfeita para o βCC mínimo encontrado sob quaisquer condições, ou seja, se um
transistor tiver um βCC variando na faixa de 80 a 400, use o valor menor.
Na análise desse circuito, é conveniente medir algumas tensões dos transistores com relação ao terra,
as tensões VC, VE e VB são respectivamente:
V C =V CC −I CQ RC (1-14)
V E =I CQ R E=V TH −V BE (1-15)
V B =V TH (1-16)
Polarização do Emissor
Uma outra excelente maneira de polarizar um transistor é usar a polarização do emissor. A diferença
basicamente é que o emissor é polarizado negativamente em relação a base, que normalmente fica no
terra através de um resistor. Esta é uma excelente configuração de polarização quando se tem uma
fonte simétrica.
(V EE)−V BE
I CQ =I E= (1-17)
RE
1.12. TRANSISTORES PNP
Nossas análises até o momento tem sido utilizando transistores NPN, ambos os tipos são amplamente
empregados e seu funcionamento basicamente é o mesmo, o que muda é o sentido do fluxo de
corrente, faremos agora a análise do tipo PNP, seguindo o caminho natural de aprendizado.

21
Polarização do Transistor PNP
Basicamente, nossa intenção é operar o transistor na região ativa ou linear, pois queremos introduzir o
estudo dos circuitos amplificadores. Sabemos que nessa região a junção base-coletor deve ser
polarizada diretamente, ao passo que a junção base-emissor deve estar reversamente polarizada.
Como o transistor PNP muda suas polaridades em relação ao NPN, a base deve ter 0,7 V mais negativa
que o emissor e positiva em relação ao coletor, ou seja, o coletor deve estar mais negativo que a base
para reverter a polarização do diodo coletor. A seguir mostramos essa situação para os dois tipos de
transistores.
Figura 18: Polarização transistores NPN

e PNP.
Um detalhe importante que deve ser observado é que estamos utilizando o sentido convencional das
correntes no transistor PNP, basicamente, as correntes são todas contrárias as correntes no transistor
NPN, abaixo as figuras mostram os sentidos das correntes em ambos os tipos de transistores.
Figura 19: Sentido das correntes nos

transistores NPN e PNP.
Diodo a partir de um transistor
Para construir um diodo utilizando um transistor bipolar, basta conectar a base ao coletor e usar o
diodo emissor como um diodo comum. Essa técnica é empregada em circuitos integrados, na
topologia de espelho de corrente.
Figura 20: Utilização de um

transistor como diodo.
22
Deslocando o terra do circuito
Desde que apenas um dos polos de uma fonte seja conectado ao terra, podemos deslocá-lo de um
lado para o outro sem comprometer o funcionamento do circuito.
Exemplo
Redesenhar a polarização universal com o positivo da fonte VCC ligado ao terra, ao invés do negativo.
Figura 21: Mudança da posição do terra em relação ao potencial da fonte.
Como podemos observar, nada foi alterado em relação ao funcionamento do circuito, no início, o nó
um estava VCC volts mais positivo que o terra. No circuito redesenhado, continuamos tendo o nó um,
VCC volts mais positivo que o nó dois, porém, agora o terra está ligado ao nó um. As correntes
permanecem circulando com os mesmos sentidos e valores iniciais. A única diferença significativa é
que o circuito redesenhado está em uma outra forma. O fato de termos redesenhado o circuito, foi
para utilizar essa forma para simplificar a inserção do conceito da polarização do transistor PNP.
O passo a passo é:
1. Redesenhar o circuito mostrando a fonte e qual polo está ligado ao terra.
2. Em seguida, desloca-se o terra para o outro polo, deixando sem referência o polo que possuia
o terra anteriormente.
3. Por fim, mostra-se o novo referencial aterrado, omite-se o polo onde está ligado o terra e
troca-se o sinal da fonte de tensão.
Circuitos polarizadores com transistores PNP
Abaixo mostramos exemplos de duas polarizações envolvendo o transistor PNP, veja que o que
fizemos foi retirar o transistor NPN e invertemos a fonte em cada caso. Em seguida, utilizamos o
artifício de deslocamento do terra para redesenhar o circuito de “cabeça para baixo”.
Polarização por Divisor de Tensão

23
Polarização da Base
Nesse, caso na penúltima etapa do processo, se faz uma rotação do circuito, de modo que traga o
positivo da fonte VCC para cima e o terra para baixo, como é usual se utilizar. Isto coloca o transistor
PNP com o emissor em cima (de ponta cabeça).
1.13. REGULADORES DE TENSÃO
Abordaremos nessa sessão, outra utilização muito útil do transistor, que se trata da estabilização (ou
regulação) de tensão em circuitos de fontes. Os reguladores de tensão são circuitos eletrônicos que
mantêm em sua saída, uma tensão elétrica constante, mesmo que os valores de carga e da tensão de
entrada variem, logicamente que essa de entrada deve estar dentro de um certa faixa de valores. A
forma mais básica de um regulador de tensão é o regulador shunt (paralelo).
Regulador Shunt
Um regulador shunt é montado em paralelo com a carga R L. O regulador shunt básico é construído
empregando diodos zener, onde a tensão de entrada desde regulador normalmente é proveniente de
um circuito retificador de onda completa com filtro capacitivo.
Figura 22: Circuito regulador de

tensão com diodo Zener.
As equações para este circuito são:

I L =I i−I Z (1-18)
V L =V i−I i R i (1-19)
i
Podemos também, utilizar um transistor em conjunto com o diodo zener para a regulação de tensão. A
tensão em cima da carga é a soma da tensão zener com a queda de tensão VBE do transistor.

24
Figura 23: Regulador de tensão com transistor

associado ao diodo zener.
V L =V Z +V BE (1-20)
Regulador Série
Podemos melhorar consideravelmente as características de um regulador de tensão se utilizarmos

dispositivos ativos como os transistores. Na figura 24 temos o regulador de tensão tipo série a
transistor mais simples possível. Nesse modelo, o transistor pode ser comparado a um resistor de
resistência variável cuja resistência vai ser determinada pelas condições de operação.
Figura 24: Regulador série utilizando transistor.

Para uma carga RL decrescendo ou crescendo, R T deve mudar na mesma proporção a fim de manter a
mesma divisão de tensão.
Lembre-se que a regulação de tensão é determinada a partir das variações na tensão dos terminais,
em função da demanda de corrente que flui para a carga. Para o circuito da figura 24, uma demanda
de corrente crescente associada a um R L decrescente resultará em uma tendência na diminuição de V L.
Pela LKT aplica a malha temos:
V L =V Z +V BE (1-20)
Uma diminuição em VL (a tensão VZ do zener é fixa e depende do próprio diodo zener) resultará em um
aumento em VBE, em consequência disso, esse efeito produzirá um aumento no nível de condução do
transistor, resultando na diminuição na resistência em seus terminais coletor-emissor, este efeito faz
com que a tensão VL se mantenha constante.
Regulador com realimentação da tensão

25
Em aplicações críticas, as tensões zener próximas de 6V são utilizadas por que elas se mantêm
praticamente constante quando a temperatura varia ao longo de uma grande faixa. Esta estabilidade
da tensão zener, muitas vezes chamadas de tensão de referência, pode ser amplificada através de um
amplificador com realimentação negativa, obtendo-se desta forma, uma tensão de saída com valores
mais elevados, porém com a mesma estabilidade de temperatura que a tensão de referência.
Abaixo podemos ver um regulador com realimentação da tensão discreta. O transistor Q2 é chamado
de transistor de passagem, pois toda a corrente de carga passa por ele. Na saída temos um divisor de
tensão que faz a amostragem da tensão na carga e envia uma tensão de realimentação V F para a base
do transistor Q1, que por sua vez, controla a corrente de emissor do transistor Q2, que é o mesmo que
controla a tensão de saída.
Figura 25: Circuito regulador de tensão a transistor com

realimentação negativa.
A alimentação desse regular é proveniente de um retificador com filtro capacitivo, cuja ondulação de
pico a pico (ripple) é de aproximadamente 10% da tensão CC. A tensão de saída V L praticamente não
possui ondulação, sendo constante (ou muito próximo disso), mesmo que a tensão de entrada e a
corrente de carga variem. Isso ocorre basicamente por que qualquer variação na tensão de saída
produz uma tensão de erro que compensa automaticamente essa variação. Ou seja, se a tensão de
saída tende a aumentar, a tensão V F também segue essa mesma tendência, o que provoca um
aumento na corrente de coletor maior em Q1, assim, a corrente de base de Q2 diminui, o que provoca
uma diminuição da tensão de saída.
V F =V Z +V BE (1-21)
R1+ R2
V L= VF (1-22)
R2
O transistor de passagem está em série com a carga e dai vem o nome regulador série, uma
desvantagem deste tipo de regulador, é a dissipação de potência no transistor de passagem.
PD =V CE I C (1-23)
Quando a corrente de carga é muito intensa, o transistor de passagem precisará dissipar muita
potência, assim, precisaremos utilizar maiores dissipadores de calor e uma fonte de alimentação de
maior potência.
Limitação de corrente

26
A figura 26 ilustra uma forma simples de limitar a corrente de carga em valores seguros, mesmo que a
saída seja curto-circuitada. O resistor R 4 é um sensor de corrente. Esse resistor produz uma tensão, que
é aplicada aos terminais base-emissor do transistor Q3. Se a corrente de carga I L for menor que VBE/R4,
a tensão VR4 será menor que V BE de Q3. Nesse caso, Q3 está em corte e o regulador funciona
normalmente. Quando a corrente de carga I L for maior que VBE/R4, a tensão sobre o resistor R 4 será
maior que VBE de Q3, fazendo com que este transistor entre em condução. A corrente de coletor de Q 3
circula através de R 3, diminuindo a tensão na base de Q 2, isto fará com que haja diminuição de tensão
na carga. Ou seja, temos uma realimentação negativa, pois um aumento inicial de corrente na carga
produz uma diminuição na tensão de carga. Se a queda em R 4 for de 0,6 a 0,7 V essa realimentação
negativa se torna mais intensa.
Figura 26: Circuito regulador com controle de corrente de

carga.
Regulação de Tensão
A qualidade dos circuitos reguladores de tensão estão intimamente ligados a tensão de carga,
corrente de carga, regulação de carga e de linha, da ondulação, entre outros fatores.
Regulação de carga
Dizemos que um regulador de tensão tem boa regulação quando o valor da tensão de saída sem carga
é o mais próximo possível da tensão de saída com sua carga máxima, a regulação de carga é dada em
valores percentuais, e pode ser obtido pela equação
V NL−V FL
LR = x 100 % (1-23)
V FL
Onde:
LR = regulação de carga (LR vem do inglês load regulation).
VNL = tensão de carga sem corrente de carga.
VFL = tensão de carga com corrente de carga máxima.
Regulação de linha
A tensão da nossa rede elétrica tem valor nominal de 127 V para sul e sudeste, e para demais regiões
seu valor é de 220 V, sabemos que esse valor pode sofrer uma variação de 10% para mais ou para
menos. Em fontes com retificadores, alimentados por um transformador, a tensão que irá alimentar o
transformador, pode sofrer essas variações e naturalmente isso irá refletir na tensão de saída do
transformador e conseguinte nos retificadores, isso faz com que naturalmente a tensão sobre o

27
capacitor de filtro também varie e assim, a tensão na entrada do regulador também sofrerá variação o
que pode ser refletido na saída desse regulador. Quando houver variações de tensão de rede e a
tensão de saída regulada permanecer praticamente inalterada, o regulador de tensão terá uma boa
regulação de linha. A regulação de linha pode ser obtida a partir da equação
V HL −V L L
SR= x 100 % (1-24)
V nom
Onde:
SR = regulação de linha.
VHL = tensão de carga com tensão de linha alta.
VFL = tensão de carga com tensão de linha baixa.
Vnom = tensão de carga nominal
Reguladores monolíticos
A maioria dos reguladores disponíveis no mercado são montados na forma de um circuito integrado,
basicamente eles possuem três terminais, internamente ele possuem uma fonte de tensão de
referência com compensação de temperatura, um circuito amplificador de erro, um circuito limitador
de corrente e estabilizador térmico e por fim, um transistor de passagem, ou seja, ele se baseiam nos
princípios estudados até agora acerca dos reguladores de tensão com transistor.
A máxima corrente que estes dispositivos podem fornecer variam de 100 mA a 5 A, são de baixo custo
e de fácil aplicação, é ilustrado o diagrama de blocos de um regulador na figura abaixo.
Séries 78xx e 79xx de reguladores
As séries 78xx e 79xx são séries de reguladores, a série 78xx é composta por reguladores positivos,
enquanto que a série 79xx é composta por reguladores negativos. Ambas as séries tem valores
variados para regulação de tensão, basicamente no lugar do XX o fabricante coloca o valor da tensão
de regulação, por exemplo, um regulador 7803 é um regulador para uma tensão de saída regulada em
3V, enquanto que o 7905 é um regulador para uma tensão de saída de -5 V. A máxima tensão
disponível para essa série de reguladores é de +24 ou -24 V. Os encapsulamentos utilizados para a
fabricação destes é o TO92 e TO220.
Figura 27:
Prof. Wagner Menezes Encapsulamento TO92 TBJ
28
Figura 28: Encapsulamento

TO220.
Utilizando um regulador fixo para obter uma tensão variável
Os reguladores da série 78xx e 79xx possuem um valor de tensão de saída fixo de acordo com a
especificação do fabricante, porém, há uma forma de obter tensões de saída ajustável dentro de uma
faixa que é sempre acima da tensão fixa estabelecida pelo fabricante. Isso é feito acrescentando dois
resistores externos R1 e R2. Os reguladores da série 78xx tem sua tensão de saída fixa em relação ao
terminal comum do mesmo. Se o terminal comum de um regulador 7805 estiver conectado ao 0V,
teremos 5 V em relação a referência de zero volt, porém, se utilizarmos uma referência diferente de
zero volt ao terminal comum do mesmo, teremos uma tensão de saída que será a soma da tensão fixa
com a tensão de referência aplicada, isto em relação ao zero volt.
A figura abaixo ilustra essa solução
A equação para calcular a tensão de saída V O, é dada por
(
V O=V reg + I Q +
V reg
R1 ) (1-25)
onde:
VO = tensão de saída
Vreg = tensão de saída fixa do regulador
IQ = corrente quiescente (dado do fabricante, aproximadamente 8 mA)
Reforçadores de corrente para reguladores monolíticos
Como já foi visto, os reguladores de tensão possuem uma corrente máxima de carga que eles
conseguem fornecer, se precisarmos de correntes mais elevadas nos reguladores, uma forma eficiente
de se conseguir esse acréscimo é mostrada na figura abaixo. Nesse caso, a corrente de carga é a soma
da corrente do regulador com a corrente do coletor de Q1.

29
A corrente máxima que irá circular pelo regulador é determinada por R S, pois quando a queda de
tensão em RS for de 0,6V o transistor Q 1 entrará em condução, suprindo corrente extra para a carga. A
equação para calcular RS é dada a seguir
I O =I S + I SC (1-26)
V RS =V BE (1-27)
V BE =R S I RS (1-28)
V BE
RS = (1-29)
I RS
1.14. AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA EM ÁUDIO
Os estágios de amplificação estudados até o momento, tratam de amplificação de sinais com maios
enfase no ponto de vista de tensão. Porém, para que possamos aplicar estes sinais a carga, que
geralmente tem valor de resistência baixo, alguns poucos ohms, assim, é necessário que eles também
sofram uma amplificação de corrente. Ou seja, os sinais precisam passar por dois estágios de
amplificação, um em relação a tensão e outro em relação a corrente, isto é, esses sinais são
amplificados em potência. Assim, os transistores do estágio final de amplificação (potência) dissipam
grande quantidade de calor, visto que a potência do sinal é elevada (acima de 0,5 W). Precisamos
então prover uma forma de dissipar esse calor gerado, montando dissipadores de calor para que eles
troquem calor com o meio externo, evitando a sua destruição por dissipação excessiva de potência. Os
transistores do estágio inicial são de potência inferior (abaixo de 0,5 W) e não precisam ser dotados de
dissipador, chamamos este estágio de pré-amplificador.
Discutiremos nessa seção os amplificadores de potência das classes A, B e AB.
Amplificador Classe A
Na operação classe A, o transistor é polarizado na região linear ou ativa, ou seja, ele não entrará em
corte e nem em saturação durante todo o ciclo do sinal de entrada.
O ponto quiescente Q (ponto de operação) deve estar situado aproximadamente no meio da linha de
carga CC. Vamos fazer uma análise dos parâmetros de um amplificador EC, para que possamos
entender o funcionamento de um amplificador classe A.

30
Linha de carga CC
Como já foi visto em outras disciplinas, os capacitores em CC após sua carga se comportam como
chaves abertas, sendo assim, podemos redesenhar este circuito reduzindo este ao seu equivalente CC
e obter as equações dos pontos de saturação e corte da linha de carga CC. Assim
Na saturação temos:
V CC
I CSAT = + RE
RC
No corte temos:
V CE =V CC
Assim, o ponto de trabalho, ou ponto quiescente (Q) encontra-se plotado na linha de carga CC, onde
podemos observar a corrente quiescente do coletor (ICQ) e a tensão quiescente de coletor (VCEQ).
Linha de carga CA
Fazendo a mesma análise anterior, porém agora em CA, os capacitores se comportam como chaves
fechadas. Assim, podemos redesenhar o circuito fazendo os capacitores análogos a chaves fechadas e
a com fonte VCC em curto e assim podemos redesenhar o circuito equivalente CA, mostrado abaixo.

31
Na saturação temos que VCE = 0 V e a corrente ICSAT pode ser dada por:
V CEQ
I CSAT =I CQ +
rc
No corte temos que a corrente de coletor IC = 0 A, e a tensão de coletor é dada por:
V CECORTE=V CEQ + I CQ r c
Onde:
ICSAT = corrente CA de saturação
ICQ = corrente contínua do coletor
VCEQ = tensão CC do coletor-emissor
rC = resistência CA vista pelo coletor (RC // RL).
O gráfico a seguir ilustra as duas linhas de carga (CC e CA) sobrepostas em um único gráfico, a fim de
que se possa visualizar o quanto podemos deslocar o ponto quiescente (Q) sem distorção do sinal
(corte).
Compliance CA de saída pico a pico (PP)
Chamamos de compliance CA, o máximo valor de tensão pico a pico na saída de um amplificador sem
que haja corte do sinal ( e naturalmente distorção), ou seja, é quanto o ponto Q pode se deslocar ao
longo da linha de carga CA sem atingir os pontos de corte e saturação. A figura abaixo ilustra isso.
Figura 29: Compliance CA de um

sinal.
Sabendo que a tensão CA de corte é dada por
V CEQ + I CQ r C
A maior tensão positiva do sinal partindo do ponto Q será dado por
V CEQ + I CQ r C −V CEQ
Que podemos reduzir a

32
I CQ r C
Analogamente, considerando a tensão CA de saturação idealmente zero, a máxima excursão negativa,
partindo do ponto Q, será
0−V CEQ
Podemos reduzir portanto, para
V CEQ
Assim, a compliance CA de um amplificador EC é dada pelo menor destes dois valores aproximados:
PP=2 I CQ r c (1-30)
ou
PP=2 V CEQ (1-31)
Sendo a linha de carga CA o recurso mais importante para o calculo da compliance CA de saída,
analisaremos a linha de carga dos outros modelos de amplificador.
Coletor comum ou seguidor de emissor
Figura 30: Amplificador em configuração

coletor comum (ou seguidor de emissor).
Sabendo que o sinal de saída é retirado no emissor do transistor, a resistência CA vista neste ponto (r e)
é igual a
re = Re // RL
A corrente CA de saturação e a tensão V CE de corte são obtidas por meio de deduções matemáticas
idênticas às que foram apresentadas para o amplificador EC, sendo seus valores dados por
V CEQ
I CSAT =I CQ +
re
e
V CECORTE=V CEQ + I CQ r e
A compliance CA de saída é menor que

PP=2 I CQ r e (1-32)
ou
PP=2 V CEQ (1-33)
Base comum

33
As análises feitas para o amplificador EC são válidas para o amplificador em base comum,
considerando a grande aproximação entre eles. Sendo assim, a compliance de saída é
aproximadamente a mesma. Temos:
rC = RC // RL
PP=2 I CQ r C (1-30)
ou
PP=2 V CEQ (1-31)
Figura 31: Amplificador em

configuração base comum.
Amplificador Linearizado (com realimentação parcial no emissor)
A corrente de saturação nesse caso é igual a

V CEQ
I CSAT =I CQ +
r e + R e1
e
V CECORTE=V CEQ + I CQ (r e + Re 1)
A compliance CA de saída é igual a
PP=2 I CQ r c (1-34)
ou
rc
PP=2 V CEQ (1-35)
r c + R e1

34
Compliance máxima de saída

Em se tratando de amplificadores para grande sinal, a localização do ponto Q é de fundamental
importância para obtermos, na saída, a máxima compliance. Conforme vimos anteriormente, com o
ponto Q no meio da reta de carga CC, não podemos ter excursões iguais positivas e negativas do sinal,
uma vez que o deslocamento do ponto Q ao longo da linha de carga CA é maior em direção à
saturação do que em direção ao corte.
Assim, devemos satisfazer as seguintes relações para cada amplificador básico, a fim de obtermos a
máxima excursão positiva e negativa do sinal ao longo da linha de carga CC:
Para estágio em emissor comum:
I CQ r c =V CEQ
Para estágio em coletor comum:
I CQ r e =V CEQ
Para estágio com realimentação parcial de emissor
rc
I CQ r c =V CEQ
r c + Re1
A figura abaixo mostra um amplificador classe A, a seguir analisaremos alguns parâmetros importantes
desse amplificador.
Figura 32: Amplificador classe A.

Ganho de tensão (AU)
O ganho de tensão é a relação entre a tensão de saída e a tensão de entrada. Podemos determinar o
ganho de tensão com carga a sem carga a partir das equações:
Ganho de tensão sem carga
−RC
AU=
r 'e
Ganho de tensão com carga

35
−r C
AU=
r 'e
Ganho de Corrente (Ai)
O ganho de corrente é dado pela relação entre as correntes CA de coletor e de base, podendo ser
aproximada a β com uma margem de erro desprezível.
−i C
A i= ≈β
iB
Ganho de potência (AP)
O ganho de potência é a relação entre a potência de saída (P O) e a potência de entrada (Pin) de um

amplificador, podemos expressar matematicamente como
PO
A P=
P in
Sendo
PO=−V O i C
e
Pi n=V i n i B
O ganho de potência também pode ser obtido através do produto entre o ganho de corrente e o
ganho de tensão, assim
A P=− AU A i
Onde:
AP = ganho de potência
AV = ganho de tensão
Ai = ganho de corrente
VO = tensão de saída
Vin = tensão de entrada
IC = corrente de coletor
IB = corrente de base
Potência na carga (PL)
Corresponde ao valor da potência CA na saída do amplificador, isto é, sobre a carga.

Considerando os valores de tensão eficaz e de resistência de carga, a potência (P L) é dada por
2
V picoapico
PL = (1-36)
8 RL
Se considerando que o maior valor de tensão pico a pico não ceifado na saída de um amplificador é
igual à compliance do mesmo (PP), reescrevemos a equação anterior para a máxima potência na carga
(PLMAX), assim
PP 2
PLMAX = (1-37)
8 RL
Potência dissipada no transistor (PD)
Devemos tomar cuidado de especificar a potência nominal do transistor como sendo maior que a
potência quiescente (potência do ponto de operação) P DO, visto que a situação crítica de dissipação de

36
potência ocorre quando não há sinal na entrada do mesmo, ou seja, P D diminui a medida que a tensão
pico a pico na carga aumenta, assim, temos que
PDO =V CEQ I CQ (1-38)
E PD(MAX) > PDO
Onde:
PDO = potência de dissipação quiescente
VCEQ = tensão entre coletor-emissor quiescente
ICQ = corrente de coletor quiescente
PD(MAX) = potência de dissipação máxima
Rendimento do amplificador
O rendimento é uma relação entre a potência CA na carga pela potência entregue pela fonte V CC.
PL
η= x 100 % (1-39)
PCC
onde:
PL = potência CA na carga.
PCC = pontencia da fonte
Os amplificadores de classe A com acomplamento RC é de 25%.
Classe B
Na operação em classe B, o transistor é polarizado de modo a operar no corte, o mesmo só conduzirá

quando for aplicado o sinal.
Figura 33: Amplificador classe B

Para o transistor conduzir, deve-se ter uma tensão V BE acima de 0,5 V (limiar da condução dos
transistores de silício).
Como na há polarização CC de base, tem-se que o transistor só irá conduzir quando o sinal V g
ultrapassar 0,5 V. Isso ocasiona, na saída, uma deformação do sinal denominada distorção de
cruzamento (crossover). A figura abaixo ilustra isso.

37
Abaixo podemos ver as curvas IC versus VBE e a linha de carga CA do circuito apresentado.
ICQ = 0 A
VCEQ = VCC
Eficiência do estágio
O rendimento é uma relação entre a potência CA na carga pela potência entregue pela fonte V CC.
PL
η= x 100 % (1-39)
PCC
Amplificador push pull
Linhas de carga CC e CA
Pelo fato dos transistores estarem polarizados no corte, a linha de carga CC é vertical, representando
risco de surgimento de correntes elevadas, visto que uma redução significativa no V BE, com a variação
da temperatura, pode deslocar o ponto Q para cima na reta de carga CC, uma vez que o resistor de
coletor não existe. Vamos considerar nessa análise que esse ponto Q é estável no corte, afastando
assim essa hipótese. Já para a linha de carga CA, considerando I CQ = 0; VCEQ = VCC/2 e re = RL, teremos:
V CC
I CSAT = (1-40)
2 RL
e

38
V CC
I CECORTE = (1-41)
2
O gráfico abaixo ilustra essa situação
Funcionamento
• Quando o sinal de entrada (Vg) for positivo, temos somente Q1 conduzindo.

• Quando Vg for negativo, temos somente Q2 conduzindo.
• A tensão de saída está em fase com Vg.
• A fonte VCC só fornecerá corrente quando o transistor Q1 conduzir.
Os transistores Q1 e Q2 estão na configuração seguidor de emissor (coletor comum) e, com isso, temos:
rb
Z saída=r ' e +
β
Sendo rb a resultante da associação paralela das resistências conectadas a base dos transistores.
Alta impedância de entrada (na base).
Z ent (base)= β ( RL +r ' e )
Alto ganho de corrente (Ai)
A i= β
Ganho de tensão unitário (AU)
RL
AU= ≈1
R L +r ' e
Menor distorção não linear, pois os dois semiciclos têm a mesma forma.
A compliance CA na saída de um amplificador push-pull de classe B é maior que no amplificador classe

A, pois o transistor que estiver conduzindo pode deslocar o ponto Q até o extremo da linha de carga
(saturação ou corte). Este valor pode ser obtido por
PP≈V CC (1-42)
A potência CA na carga é dada por:
2
V picoapico
PL = (1-36)
8 RL
Considerando a máxima potência na carga, temos:
2
PP
PLMAX = (1-37)
8 RL
Potência de dissipação no transistor
Quando um sinal não é aplicado a entrada do amplificador push pull, praticamente não flui corrente
pelos transistores, ocasionando uma potência dissipada extremamente baixa. Porém, com sinal, os

39
transistores têm grandes excursões de corrente, o que caracteriza grande dissipação de potência. A
potência máxima dissipada pelo transistor em condução pode ser dada por
PP 2
PDMAX = (1-37)
40 R L
A classe B tem rendimento maior que a classe A, visto que esta produz uma potência de saída mais
alta, com menor potência contínua, a mesma pode ser calculada conforme já foi equacionado
anteriormente.
PL
η= x 100 % (1-39)
PCC
Amplificador push-pull classe B polarizado (classe AB)
Esse modelo tira proveito das melhores características da classe A e da classe B.

O transistor é polarizado no limiar da condução, ou seja, próximo do corte, fazendo isso, a distorção
crossover é praticamente eliminada.
A forma mais simples de polarizar um push-pull é com um divisor de tensão, conforme podemos ver
na figura abaixo.
Figura 34: Polarização de um amplificador push-pull com

divisor de tensão.
Nesse caso, foi acrescentado o resistor R3, de modo a prefixar as tensões VBE de Q1 e Q2.
A queda de tensão sobre R3 será dada por
V R 3=V BE 1 +V BE 2
Se faz necessário que tenhamos uma compensação térmica para os transistores Q 1 e Q2, visto que,
aumentando a temperatura, aumenta-se a corrente de fuga. Também há um deslocamento da
característica IC versus VBE, ou seja, VBE diminui de aproximadamente 2 mV para cada grau Celsius de
aumento de temperatura (-2mV/°C). Como o potencial de R 3 é fixo, pode-se estabelecer uma corrente
cada vez maior no coletor, levando o transistor a danos.
Para evitar a destruição do transistor, pode-se adotar o método de polarização por diodos, aplicando a
técnica de espelho de corrente, basta fazer o casamento das curvas V BE dos transistores com os diodos.
Assim, qualquer aumento na temperatura, irá reduzir a tensão de polarização
imposta pelos diodos compensadores (D1 e D2). Essa compensação térmica pode ser melhorada ainda

40
mais, inserindo no terminal de emissor dos transistores dois resistores de fio (R 4 e R5) a fim de limitar a
corrente máxima de coletor.
Assim, se ICQ tende a aumentar com a elevação da temperatura, e considerando que os diodos
estabilizam a tensão em aproximadamente 1,2 V, o seu valor será limitado a:
1,2−2 V BE
I CQMAX = (1-43)
R4 + R 5
A fim de que não haja perda de energia significativa nos resistores (R4 e R5), devemos ter
RL
R4 =R5≤
10
Figura 35: Compensação térmica de um amplificador

classe AB por diodo.
O casamento das curvas dos diodos com os transistores é um dos pontos complexos desse arranjo,
para facilitar esse casamento, pode-se utilizar transistores iguais a Q 1 e Q2 e montá-los de forma a
trabalharem como diodos, conforme mostra a figura 36.
Figura 36: Transistores polarizados como didos, para casar as

curvas com os transistores Q1 e Q2 afim de promover
compensação térmica do circuito por espelho de corrente.
Podemos também fazer a compensação térmica empregando um termistor NTC entre os terminais de
base dos transistores Q1 e Q2. Aumentando a temperatura, a resistência NTC diminui, o que faz com

41
que haja diminuição da tensão entre as bases, não permitindo que Q 1 e Q2 conduzam de forma
intensa. Abaixo vemos esse arranjo.
Figura 37: Compensação térmica do amplificador classe AB com

termistor NTC.
Para melhorar a sensibilidade do NTC, pode se utilizar o NTC juntamente com o transistor, conforme
circuito abaixo.
O que acontece é que, quando a temperatura aumenta, a tensão entre os pontos A e B (V AB) diminui,
devido a resistência NTC diminuir.
Para altas potências o ideal é se utilizar o transistor darlington no lugar de Q 1 e neste caso temos:
• Impedância de saída (ZO) muito baixa
• Alto ganho de corrente (Ai)
• Impedância de base maior (Zbase)
Dissipadores de Calor
A potência dissipada na forma de calor dos transistores de saída é muito alta. Na temperatura
ambiente de 25° muitas vezes o transistor consegue trocar calor com o ambiente pode ser feita sem
danos para o mesmo, porém, em certas temperaturas, esta troca de calor já não é suficiente para evitar
danos ao transistor, essa falha na troca de temperatura pode fazer com que eles permaneçam quentes
por uma faixa de tempo, o que faz com que surja uma corrente reversa nos terminais do coletor, esta
corrente somada ao nível quiescente, faz com que a dissipação de potência nos transistores sejam
ainda maiores, este efeito é cumulativo e acaba por levar os transistores a destruição, tal efeito é
chamado de deriva térmica.

42
Uma forma de minimizar esse efeito é aumentando a área da superfície do encapsulamento do

transistor, para isso, utilizamos dissipadores de calor (alumínio, cobre, ou metal qualquer), na maioria
dos transistores de potência o terminal do coletor é conectado a uma placa metálica, para facilitar a
conexão deste ao dissipador de calor. Quando isso é feito, muitas vezes é necessário isolar o terminal
do coletor do terra do circuito, isso é feito utilizando-se isoladores de mica.

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