Capítulo 4

Transistores
bipo ares
EléT~ÔNICA 1 CA P IT ULO ◄

Cada uma das regiões do transistor apresenta características próprias:

A base é a região mais estreita, m enos dopada (com menor concentração de

impureza) e extremamente fina.

O emissor é a região mais dopada (com maior concentração de impureza), onde

são emitidos os portadores de carga (elétrons no caso de transistor NPN e lacu-
nas no caso de transistor PNP).

O coletor é a região mais exrenu, porque é nela que a potência se dissipa.

aansisror fui desenvolvido nos laboratórios da Bcll em M urray 4.1. 1 Funcionamento

Hill, ew Jersey, E.smdos Unidos, em 1947 pelos ciem iscas John
Bardecn, Walter Br,mai n e Wil liam Shockley. O descnvolvimenro
de se omponcmc semicondutor foi de gra nde rdcvân ia para a hi tória da clctrô-
nic, e d" inforrnááca , poi ele esd presente em inúmeras invenções elecroeletrôni-
ca , modifi ndo vcrtiginos:i meme no . a sociedade.
4.1 Construção básica e princípio de
funcionamento
O termo "transistor" é a contração de duas palavras em inglês: transfer resistor
(resistor de transferência). Existem dois tipos básicos de transistores de acordo
com o tipo de dopagem de cada terminal (base, coletor e emissor), NPN e PNP.
A figura 4.1 ilustra, de maneira simplificada, sua simbologia e a estrutura interna
(na forma de sanduíche). A construção física é diferente.
Analisando a figura 4.1, é possível observar que não existe simetria, isto é, as
regiões NPN não possuem as mesmas dimensões, como às vezes a literatura
sugere, e, portanto, não é possível confundir o emissor com o coletor. As
áreas ci nza d e cada lado d a junção rep resentam as regiões de carga espacial ou
de de pleção.
Figura 4.1
T,pos de transistor e
simbologia:
e
(a) NPN e (b) PNP.
emissor___ .:J N coletor
e~
E base comum.
símbolo
Vamos entender como um transistor funciona, tomando como exemplo o tran-
sistor NPN, por ser o mais utilizado. De maneira simplificada, para compreen-
der a operação de trabalho do PNP, basta inverter o sentido das tensões e cor-
rentes. Consideremos uma situação em que as duas junções foram polarizadas
diretamente, assim as correntes que circulam serão altas (da ordem de mA). Se
as duas junções estiverem polarizadas reversamente, todas as correntes serão pra-
ticamente nulas. No entanto, se a junção da base com o emissor for polarizada
diretamente e a outra junção polarizada reversamente, também as correntes de
coletor e emissor serão altas, aproximadamente de mesmo valor. Como se expli-
ca isso? Em polarização normal (como amplificador), a junção base-emissor é
polarizada diretamente e a junção base-coletor reversamente.
Na configuração ilustrada na figura 4.2, como a junção base-emissor está polari-
zada diretamente, os elétrons são emitidos no emissor (que possui alta dopagem),
isto é, passa a existir uma corrente (de elétrons) indo do emissor para a base. Os
elétrons atingem a base e, por ela ser muito fina e pouco dopada, quase todos atin-
gem a região de carga espacial (região de depleção) da junção base-coleror, onde
são acelerados pelo campo elétrico e direcionados para o coletor. Dos elétrons
em itidos no emissor, apenas pequena parcela (1 % ou menos) consegue se recombi-
nar com as lacunas da base. formando a corrente de base; os oucros (99% ou mais)
aclngem a ju 11ç:lo d cok1 r. b r11c que one.rnamencc sem-ido indi d é o
convencional para as t ' orrcmcs: de base (le), de coletor (lc;) e de emissor (le).
ma neira como o transistor esd conectado é cham ada de ligação base comum.
Figura 4.2
Trans1~or· l1 gação

E
em issor p p - roletor B~
e
símbolo
ELHRÔN ICA 2 CAPITULO ◄

4.2 Operação do transistor Podemos representar o transistor como indicado na figura 4.4. Nesse caso, a li-
gação é chamada de emissor comum. A polarização das duas junções continua
a esrrutura definida na figu ra 4.2 - ligaçáo base mmum - , a junçáo base-emis- como antes, junção base-emissor polarizada diretamente e junção base-coletor
sor é polarizada diretamente e a junção base-coletor reversamente. A polarização reversa meme. A operação é~ mesma da ligação b:ise comum .
direta faz aparecer um fluxo de elétrons indo do emissor para a base e, como essa
região é muito estreita e com baixa dopagem, poucos elétrons se recombinam Figura 4.4
com lacunas existentes na base(! o/o ou menos dos elétrons emitidos), Quase todos Trans,stor· ligação
os elétrons emitidos conseguem atingir a região de carga espacial da junção base- em,ssor comum,
-coletor, onde são acelerados em direção ao coletor. A corrente de base é originada 'e~
da corrente das lacunas, que se difunde no enüssor, e dos elétrons, que se reco111- C ,~ - -
+--"-
'1,••"'Y~~..-- - -~
binam com lacunas na base. A corrente de base apresenta va lor muito pequeno,
normalmente 200 vezes m enor que a de emissor. Retorne à figura 4.2 e observe a
indicação das três correntes do transistor, considerando o sentido convencional.
=l
Em um transistor podemos adotar a seguinte relação entre as três correntes:

lc
Define-se a= - (4.1)

como o ganho de corrente na ligação base comum. Importante: o parâmetro a Para essa con figuração, defi ne-se o gan ho de correme como :
é um número sem unidade, menor que 1, porém próximo de 1 (ex. : a = 0,99).

A onfiguraçã.o ilustrada na figurn 4.2 e d agora represenrada pelo ci rcuito elé-

rrico da Ílgurn . , com o sim bolo usual do rra nsi_«or NP .

Figura 4.3 Nesse caso, o valor do parâmetro ~ é muito maior que 1 e também não tem
RepresentacJo por melo unidade (ex.: p = 300).
de esquema elétrico de VCE

-
oxn lr.lf151S!Dr NPN do RC A relação entre os dois parâmetros é dada por:
R8 ~
circuito da figura 4,2.

IE V ~~03 1c a = _p_ (4.3) e p = __!!:__ (4.4)

VEE BE vcc ~+ 1 a-1
'e
A configuração ilustrada na fi gura 4.4 está agora representada pelo circuito elé-
rri n da figura 4. , om o ímbolo usual d rra n istor P .

Figu,.a 4.5
Em um lransismr p<)demos adotar a seguinre relação entre as ,rés rensões: •e Representação por me,o
de esquema e létrico de
um trans1st0r NPN do
circUJto da figura 4.4.
Note que a tensão é abreviada por V e que a primeira letra do índice representa
o ponto de maior potencial; por exemplo, no caso da tensão entre a base e o
emissor (V8 J. a base é mais positiva. Em um transistor P P, :1 no t:açáo pará
essa mesma tensão é V EB·
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A relação enrre as ren óes conri nua valendo, ou seja: 4.3 Curvas características de coletor
ão gráficos que relacionam a correnre de coletor com a rensáo enue coletor e
emissor, considerando como parâmetro a corrente de base. Essas representações
A figura .6 apri: cnrn alguns cxcmplus de m111sisrorcs comerciai • são chamadas também de curvas características de saída. No circuito represen-
tado no gráfico da figura 4.7a, a corrente de base é fixada em determinado valor
Figura 4.6 - por e.xc mpl , 1 mA. A ren mrc: olecor e cm l or é vnl'iávd e, paro ada
Transistores comerc,ais. vnl >r d VcE• é arribu íd• um3 mcdid~ de corrente de cole1or. m cguida, e
vnlorcs são colocados em um gránco Oc · VcrJ, como mostra a fi gurn .76.

Ana lisan do o primeiro gráfico, é possível norar que na região de atura · o, para
uma pequena variaçáo em Vcr, ocorre aumento demasiado de lc, Quando a
j,rnção base-rnlemr passa a ser polariczada reversameme, o rransisror entrn na
regi:ío oríva, ,ambén't ham. da de regi:io de ampl ifi a iio. A parrir d se ponco.
a co rrente de coletor pmticamcnu, não varia quando Vce au menta. e sa n:giâo.
o transis tor se comporta como fume de corrente consrnnre. a pr:icica, ocorre
lume nro nn corrcme de letor qu.mdo VCE . e d va por feiro E..rly. 01110 a
Figura ◄ .7
pola ri ~~1ção r versa da junçlo ba e-coletor aumcnr , "largura da r.-gião de arg;i
Curv c.i.racten'st1cas
e~pa b l :iv:tnÇ!lr.:i mais nn base e. pon-::inro. ni::i i elétrons cmicido.s pQd r o ser
de coletor do
cap rurados em d ireção ao col ror.
trar,SIStor MJE240.

,oor---,_ .. ....._ ooo ~ - - - - - - - - - - - - -

r~1ão adlla soo
• ◄
520
160 •ao
'" 440

•OO L---~:__;.....;..-j:,_~--;- - •••1 mA

120
A rnbcla rrn pane da folha de dados do mirui tom B 6, B 547 e I I!:
J,eo /......--,-_..;--1--------- l- •2 mA
~
B 5 8( m principa is llmircs. eo
"º
200
160
4(1
120
Tabefo 41 80

Caracten'st,cas
,4(] ,,.º
O llóO lf/0 2,00 Ulll . . . i,00 .,00 1,.00 UIII 9.00 10..00 O o,m 1,00 UX> JJD ~ "S.m 5.00 lJ:n .-.00 9,00 lQPO
elétncas máximas. ai Vc,:M bl vCE M
BCS46 65

Tensão coletor-emissor BCS47 VcEo ◄S V

BCS48 30
Para 18 = 1 mA, lc = 150 mA. o que ignifi a um ga nho ele aproximadamcnu::

BCS46 80

BCS47 Vcao 50 V

BCS48 30 essas co ndi ções, poderiama esperar que, e 18 au mentasse para 2 mA, o
valor .da corrcnre de coletor rambém dobraria. Isso, porém , náo acontece,
Tensão emissor-base VEllO 6 V
pois lc aumema aprox.imadameme para 260 mA. Outra expecrativa seria em
relação às curvas caracrcri rica . que d.-·eriam esrar espaçadas igualmente.
Correnr:e de coletor {CC) 1~ 100 mA
mas o <{UC e verifica é que a para ão dim inui à medida que a correm
Potêncl3 dissipada pd 625 mW au me ntam . A explicação para esse fato é que o gan ho de co rrenr não se
ma nté m 011 . 1 me, e sim vui..:a conforme• correnre de coletor.
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Muit.as vezes o
O gráhco da figura 4.8 foi obcido da folh a de dados do rransisror BC548 e mos- Para rraçarmos essa reca , uril i>ámos do is poncos:
ganho de corrente
tra a dependência do ganho com a corrente de coletor para dada rcmpcrarura e
vem com a notação
rensão coletor-emissor. Primeiro ponto: igualando lc = O na equação anterior, obremos Vc" = Vcc,
h FEI isto é, P= hFE•
que fisicamente representa o corte. Como no corte as duas junções estáa po-
Figura 4.B larizadas reversamente e, portanto, todas as três correntes são muito pequenas
Dependência do ganho (nA), podemos admitir que nessas condições o transistor é uma chave aberta
de corrente com a (figurn 4. tOb).
corrente de coletor
&: , .. - - V • 10Y
, ,-.>Si'1:'
' 1 ij_
,! I.D L
Obs.: para cormr um cransi_sror d i, b:ista fuze r V aE < O V; para um u anrisror
~
. ... --
! ...
-::
.
,· i
~

~
........
de · e. VaE < -0,4 V.

:; a.,t 1 1 1 1 \ . Figura 4.10

~ li \ Tr.111s!Stor no cor te:
g~
1 (a) □rruito e
i'3 .., IU
1
0.S 1,0 l,Cl .S,O 10 20 SiO UD lOD
(b) modelo simphfkado.
V«
lc - cotrirrne d~ coletor (mA) IOV

Como é possível ohservar na figura 4.8, o gan ho de correme 13 (hF,J varia com a O) bl
corrente de coletor, rem pera1ura e tensão coletor-em issor. O gráli<:o do ganho de
corrente é no rmalizado, isto é, para a correme de 4 m.A, o ganho é 100%. Para
corremes menores ou maiores que 4 mA, o gan ho aprese ma outros valores: pa ra
0,4 mA , por exemplo, o ganho sení 70% do ganho a 4 mA.
Segundo ponto: faz.cndo VCE = O. obcemos lc = VccfRc , que fis;camenre re-
4.4 Regiões de operação: reta de carga presenta a sa[uraç...1.o . Na saruraçáo, o transistor se comporta como uma chave
fecha da e as duas junções escão polarizadas d ireramem e. Pa ra garantirmos que
dr uiro da figura 4.9 imbol iw Ltm tran sistor om :u urvas ra tcrísricns o rransisror smure, remos de impor algumas condições, uma delas consid erar
apre cnrada na figura .7 b. VcE = O. No manro, para obc rm e a condição, devem s rer lc < 13 • 18 ;
co1110 o gn nho de nrremc de um 1r.rnsi 1or vn ria c111re um min i mo e um mJxi-
Figura 4.9 mo, usamos o valor mini mo (l3....,); ponanco. lc < 13mtn· le, Figura 4.11
I.Jga,;Ao emrssor comum.
Transistor na saturação:
A figura 4. lla mostra o circuito de um transistor na saturaçáo e a figura 4.116, o
(a) circuit o e
modelo simplificado para ele (chave fechada).
Va; (b) modelo simplificado.
10V

v.,
IOV Vr,
IOY

Na figura 4.9, o equacionamento do circuito de coletor resulta em:

·º
., bl

Essa" a equação de uma re ia, chamada de reta de c.uga. que é rcp1c,en1:1da no

pi, no lc · Va, da curva cua terísricns de colcror. Apó.•~ dcrcrmina ode doisponc , devemo un i-lo ,un.çandoarci.adccarga.
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Obrigaroriamenre, o ponto de operação, ram bém chamado de ponto quiescen- Figura 4.13
te, rcprcsrn rado por O (valores dt 180 , Ice, VcEal, csrará sempre cm cima da Amplificação:
rem de c:irga. (a) c,rcu,10 e
(b) análise gráfica.
Figura 4. 12
Ci.irv.J.5 C,ll"oCteristica de
coletor com a reta de carga
600

~
a)

...
.
400 ~
600
t., (mA)

51)1)
I ~ /-
. ~

'-
,..._, r
/
_,
;
"1 / ........
100
.......... . \ I /

,...... ........... 1 \/ i
_....... r , 0 l_,• 211JÀ

---·
!
!
l
...........
,~
!
~
100
'
! i Í ~
O 0 ,00 ,.oo 2.00 :uo "4.00 5.00 Í 6,00 7,00 8.00 9.00 10.00

6Vuc '
o gdfi o da figura 4.12, observe que. no 1}()mo
lc 0 = 273mA c VcEo =4,6 V.
O. rcmo.s 180 = 2 m A,
limlrc.s d:ircradcc:arga ·oa ,mmçftO,lJU n-
do VcE = O, e corce. quando 18 = O. Enrre esses doi pomo (sa1uraç. o e corce),
o 1rnnsi.1or opera omo amplifiCJdor, isco é, a rcl.1 o nm: lc e 18 é dnd I por
- ~- b)

lc = ~ · 18 • essa região (região ativa), o crnn,i tor é usado como amp lificador.

Para encender como o cransismr passa a funcionar como amplificador, considere o

Figura 4.14
circuiro apresentado na figura 4.J3a. essa situação, um pequeno v:uor de tensão
l~fluênoa da localização
alcernada esomado à tensão de polarização V8 8 . Desse modo, no sem icido posiri- a) b) e)
dopon oQ:
vo. a corrente de base e eleva aci ma de 180 , f:12endo a corrente de coletar ~umen-
(a) me,o da reta.
1 r proporrionalmeme e a ren s~o de colt-tor diminuir. A tensão obt ida no olewr
(b) próximo da saturação e
costuma ser maior que a temão apli da na IY.lsc, ou seja, houve amplilicação de
(e) pJ"6x1mo do corte.
tensão. Além disso, essa configu ração causa defasagem de 180º na tensão de saída
em relação à de entrada. O gráfico da figura 4.136 m ostra essa operação.

Com base nessa aná lise, podemos conclu ir que o ponto de operaçáo (Q) deve ser
bem localizado para que seja possível obter a máx im a sa ída de pico a pico sem
d istorção. A melhor local ização é no meio da reta de carga (VcEo = Vcc/2), pois
permite um valor Vcc de máxima saída. Observe os rrês casos representados na
figura 4.14. o primeiro (figura 4. 14a), a máxima saída de pico a pico possível
é de 10 V., nces que ocorra o cifumcnl() (d istorção) por rnraç:io ou orce; nos
outros dois (liguras 4.1 b e ..1 e), é de 4 V - cm am os os a .so , se a entrada
aumentar, o inal de saída di corccrn .
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4.5 Potência dissipada: dissipadores Figura 4.16

S-istema de arrefecimento
Em um rransistor, a maior pane da pmência é dissipada no coletor. A pocência de urna CPU de
dissipada é calculada aproximadamente por: computador.

Em relação à capacidade de dissipar pocência, os uansiscores podem ser classifica-

dos em três cipos: de baixa pocência (ex.: BC548 e BC109), de média pocência (ex.:
BO140 e TIP41) e de alta potência (ex.: 2N3055). A figura 4.15 mostra os princi-
pais encapsulamentos de transistores de baixa, média e alta potência. Observe que
os encapsulamentos preveem local para a colocação do dissipador - alguns apre-
sentam furos que facilitam a união entre o transistor e o dissipador.

Figur 4.15
Enc.!psulamentoS usuais

- CPU(CI)

• i
~ 4.6 Conexão Darlingcon

1
41,
. • li
1
~ C onexão Darli n gron é uma ligação realizada entre dois rransisrores quando
se deseja obter um transistor equivalente com valor de ganho de corrente
i~
elevadíssimo.

Figura 4.17
Como vimos, os semicondutores são sensíveis às variações de temperatura. Uma e (a) Conexão Darlington e
das maneiras de amenizar a ação do excesso de temperatura nesses dispositivos (b) tranSJStor equivalente.
é prender ao corpo do transistor uma placa metálica chamada dissipador de
calor. Os dissipadores de calor usados em eletrônica são feitos de alumínio ou e
cobre. Os dissipadores de alumínio são mais baratos, porém menos eficientes
que os de cobre.
TR

Por vezes, o dissipador está acoplado a um pequeno ventilador, chamado cooler,

TR,
que auxilia a retirada do ar quente para o meio externo. A figura 4.16 mostra o
sistema de arrefecimento da CPU de um computador. Observe que esse sistema
é constituído de um dissipador fixado à CPU por parafusos e pasta de silicone, E
que faci lita a trans&:rêm:ia. de calor e clitn il1à as bolha de ar, e de um coo/,:r. que a) b)
aspira o ar quenre próximo ao d issipador.
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O 1ransistor equh<a lente tem g.m ho de orrenre igual a f3 = /3 1 ·!3:i, em que ll, e Figura 4.20
Figura 4.18
/32 são os gan hos dos t ransi.ston:s TR 1 e TR2, respcni,ramrnre. A tensão base- Polarizando reversamente
em issor quando em condução vale V 8 E = V 8 E, + Vat;i· (a) a Junção coletor-base e
(a) Exemplo de conexão
(b} a Junção emissor-base.
Darlington (PN P).
Esse cipo de conexão é u ado na saída de estágios de porênda, em fonres de ali-
(b) circuito equivalente e
mentação e em q ualquer situ ação em que for necessário obter va riações de cor-
(e) gráfico do ganho de
rente ex1rcmame111 ba ixas com forn e imenco de gm nd orremcs.
corrente coníorme Ie•

10K
e

TIP125/126/127 a) b)

1K

A que conclusão podemos ch egar depo.is de analisar as situações representadas

nas figuras 4.19 e 4.20? Testando dois a dois, nos dois sentidos, os terminais de
., ·10
um transistor, quando encontramos valor de resistência alta entre dois terminais,
de uma forma ou de outra, o terminal que sobrou é a base!
L&.s. 2...CnllMt or ] .Em1tter l<(A). Corr• nte d• coleto,

a) b) e)
Para saber qual terminal é o coletor e qual o emissor, devemos usar o multímetro
analógico com escala de resistência R x 10 k ou de maior valor. N a figura 4.21,
mede-se a resistência reversa das dua.s junções; a do em issor é a de n1eno r va lor,
pois sua do pagem é ma ior.
4.7 Teste de transistores
Figura 4.21
Para testar transistores, são usados os mesmos princípios do diodo, com alguns ldentJlicaçào do
procedimentos adicionais. Observe que, nas situações representadas na figura em,ssor e do coletor.
4.19. utiliza-se multímet ro ana lógico com a chnve na po ição oh m ímet ro na cs-
ab de rc i 11!11 ia R xl.

Figura 4.19
Trans&or polarizado
(a) reversamente e
(b) diretamente.

4.8 Leitura dos códigos em semicondutores

a) b) É possível conhecer o valor da rcsisrên ia de um resiscor lendo , faw e lorida

Agora veja, n ligum 4.20, o tJU<' aco nte e quando o mulríme1ro é ligado cnrre
cml or (E) e coletor (C ): em qualq uer u m dos casos a.isrirásemprc uma junção
polnri iad.a reversa.menre.
ao r •dor dele. De manci111 semd hame, os scmiconduton:s (rransi ror, diodo e
circuito integrado, entre outros) também apresentam uma codificação que per-
mite saber se o material é germânio ou silício e se o componente é um transistor
ou um diodo, além de outras informações. Existem associações que elaboram
essas cocli ficaçõcs: as mais conhcdclas sáo: Pro -Electron, Joint Elc:ctron D evi e
Engi neer ing ouncil (Jedcc) e Japane,;e .Industrial ca ndard (J !S).
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4.8.1 Pro-Eleccron Portanto, o dispositivo em questão é um diodo Z ener industrial de 12 V.

T rara-se da norma europeia. Vamos tomar como exemplo llill serniconduroc com
a especificação BC 548 A. Com base nessa especificação, conclui-se que esse se-
micondutor é um transistor de silício. Essa informação é obtida observando as
duas letras iniciais: a segunda letra (C) identifica o tipo de componente - um
transistor-, e a primeira letra (B), o tipo de material - silício. Os três números
(548) servem para identificar o tipo específico de transistor, ou seja, sua família.
A última letra (chamada de sufixo) indica o grupo de ganho de corrente ~- nesse
caso baixo ganho (A).
BZX84 é a série, que pode ter dispositivos de várias tensões. A série tem a ver
com máxima po1ência. Por exemplo: a 56-ie BZXS é para o 3 W, enqu:111ro a
érie BZX85 é para 1.3 '- , BZ 5 para 0,5 \Y/ ct
4.8.2 Joint Eieccron Device Engineering Council Uedec)
Es.sa norma é norte-americana e opresema a seguime codificação:

W
digito letra número de sêrie [sufixo]
D e modo geral, a regra é:
~ grupo de ganho 7

UL
letra letra [letra! número de sé rie [sufücoJ
t L
Y Numerodosé(ie(10(ll9999l
úmero de sêrle ( 1oo a 9999)
tndlc1g,up0clo9 nho
número de term n.alunenos 1

A ll!ofCl!!lra. l(!tra lndlca apllcaçla indonr1ó!il

Segunda letra lndt<a a apllcaçao

Quando existir sufixo, indicará o grupo de ganho.
Priffle1ra lmra 1ndka o marerla l ]

Exemplos: 1N400 1 (diodo), 2N2222A (uansismr), 2 5444 (TRIAC), 2N6399

pri meira letra - ind ica o material: A: germ il nio (Ge); B: ilido ( i); C, arse- (SCR), IN475A (Zener), 2 3821 UFET).
□i eto de gálio (GaAs).
4.8.3 Japanese Industrial Standard (JIS)
segw1d a letra - idenrilica o cipo de componeme: A: d iodo de RF; B: variac;
C: transistor, AF, pequeno sina l; D: tra11sistor, AF, porência; E: d iodo túnel; A no rm a japon,-sa apr sem, a 5eguimc odili a .;io:
F: tran sistor, H , pcque,10 sinal; K: d ispositivo de efeito H all; L: crnnsiswr,
HF, potência; N: acoplador 6pt ico; R: ciriscor, baixa potência; T: tirisror,
potência; Y: retificador; Z: diodo Zener.

terceira letra - em alguns componemes, serve para informar a aplicação

indumi a 1: Pode ser W, X, Y ou Z.
'-----.,;
nlúmem de termina~ rnenm 1
sufiJ<O - indka o grupo de ga nho de co rrente f3: A: bai:10 g;inho; B: méd io
gll nh o; C: alro ganho: em suliiw: qualq uer ganho.
As letras indicam a arca de apliação de acordo com o c6digo:

Exemplo: BZX84C12 • SA: PN P, transistor de alta frequência;

• SB: PN P, transistor de áudio;
B =Si, Z =Zener • SC: NPN, transistor de alta frequência;
• SD: N PN, transistor de áudio;
As três informações seguintes - no caso, X84 - poderiam ser números com • SE: diodo;
três algarismos (de 100 a 999) se o dispositivo fosse dirigido ao consumidor co- • SF: tiristor;
mum, ou uma letra (Z, X ou Y) no caso de equipamentos industriais, seguido • SJ: FET/MOSFET canal P;
de números com dois algarismos, que variam de 1O a 99. • SK: FET/MOSFET canal N ;
• SM: TRIAC
C 12 refc:-re-se à tensão de regufação, 12 V no caso. • SR: reri ficador.
ELHRÔNICA 2 CAPITULO ◄

4.8.4 Oucras formas de especificação b) A rel açi\o enrre 16 e lc é dadn pelo ~. logo:

Além das normas Pro- Electron, Jedec e JJS, alguns fabricantes 1êm a própria
forma de apresentar a especificaçáo e a identificaçáo de seus componentes por 1,, = ~ = 2 mA O 01 mA = 10 µA
~ 200 '
meio de prefixos. Veja os exemplos:

• MCR: Motorola, tiristor (ex.: MC RI06); J Equaclonnn do. mallu de cntrnda: 5 = R88 · 18 + 0,7 V, oh1 ·mo .
• MJ: M otorola, dispositivo de potência em invólucro m etálico (ex.: MJ15004);
• MJE: Motorola, dispositivo de potência em invólucro plástico (ex.:
MJE13003); R = 5 - 0,7 = 430 kQ
88 10 ~LA
• MPS: Motorola, dispositivo de baixa potência em invólucro plástico (ex.:
MPS3638);
• MRF: Motorola, transistor para HF, VHF e micro-ondas; orno VCE = 4 V. o cransismr se enconrra na região ativa.
• RCA: RCA;
• RCS : RCS; 2. Analise o circuito da figura 4.23 e calcule R8 e Rc para que o t ra ru.isror cure
• TIC: Texas lnstruments, tiristor em invólucro plástico (ex.: TIC106, co m 10 = 40 mA.
TIC226C);
• TIP: Texas lnstruments, transistor de potência em invólucro plástico (ex.: <lo·: ~rntn = 100, VcEA, = O V e V8e..,_ = 0,7 V.
TIP36).
figura4.23
Exemplos

1. No circuito d a fi gura 4 .22, conside re as segu.intes informações:

lc =2 mA, ~ =200 e t rarnisto1 de Si. Calcu le:

10v
a) Vce
b) 18
e) Raa

Qual o e cado do iransi IOr (saturado/conadolrcgiiio ativa)?

SV -
1\

1-

f igura 4.22

2mAl
Soblftío:
10V

Com o rransiscor saturado, toda a rensáo da fonte estará aplicada cm Rc. Assim,
o valor pode ser calculado por:

R
e
=~
40mA
= O 25 k =
'
250 Q

Solução:
A corrente de base de ve ser.
a) Equacionando a malha de saíd : 10 = 3 K · 2 mA + Vce. ob1emos:

Vce = 10 - 6 = 4 V
El éT~ÔNICA 1
Portanto, a resistência de base deve ser:
R 8 :s; 5 - 0,7 = 10,75 k.ü
0,4 mA
Parn i so , é ad md o alor mcrcia l d~ 10 krl .
4.9 Circuitos de po larização
Polariza r um tra nsisto r significa dete rm inar valo res de tensão e corrente que se
mantenham estáveis de acordo com a temperatura de trabalho, o desgaste das
panes internas características d e vida útil do con1ponenre e a própria substirui-
ção do componente. Ao polarizar um transistor, é preciso levar em conta que
valores de ponto de operação (ponto Q , quiescente) estabelecidos devem garantir
baixo grau de distorção, de modo a não prejudicar o sinal amplificado.
Consideran do am pli6cadores de pequenos si nais, a melh or localização do ponto
O é no meio da reta de ca rga, isto é, a tensáo coletor-emissor (Vcel deve medir
aprox imadamente mecade da censão da fom e (Vçç) . Isso gara mi rá que a sa ída de
pico a p ico seja a máx ima possível e sem d isrorção do sina l. A segui r apresen ta m-
-se dois tipos de pola rização: por corrente d e base constante e por divisor de
censão na base.
4.9.1 Polarização por corrente de base constante
É o circuito de polarização mais simples e consiste em aplicar uma corrente
constante na base, como exemplificado na figura 4.24.
Figur 4.24
Gmuto de pofa.riiação por
corrente de base constante.
v,.
r l
O cálculo dessa corrente é determi nado por:
CA P IT ULO ◄
Como a correnre de coleror é dada por lc = f3 · 18 , encão:
C omo o ganho de corrente de uma fa mília de transistor pode variar entre um
valor mínimo e um valor máximo, podemos concluir que esse tipo de polariza-
ção é altamente instável com a troca de transistor e temperatura.
4.9.2 Polar ização por divisor de tensão na base
O circuito de polarização por corrente de base constante explicado na seção
4.9.1 apresenta algumas características importantes que devem ser levadas em
conta. Esse tipo de polarização, além de depender muito do valor ~' apresenta
alta instabilidade com o aumento de temperatura. Isso pode acarretar um efeito
conhecido por disparo térmico, ou seja, um ciclo em que, a cada aumento de
temperatura, ocorre uma elevação de corrente e, consequentemente, outro au-
mento de temperatura.
É possível, porém, polarizar o transistor de maneira que não fique vulnerável à
variação de~- Na configuração da figura 4.25, chamada de circuito de polariza-
ção por d ivisor de rensão na base, a realimentação negaú va em CC estabiliza o
ponto Q, isto é, q ua ndo a rempera1ura aumen ta, a corrente de emi r e a ten ão
VE também aumentam . o encanto, como a tensão na base (Vs1 é constante.
ob rigaro ria mem t- V 8 ~ diminui. despobrizando a base e reduziJ1do as orrcmes
que rin ham au menrndo com a tempcraLura. la rnmenre, o circu ito pos.suj um
on rrolc inrcrno por , u de· n-alimema ·o.
Figur 4.25
(a) Grcutto de
polarização por divisor
de tensão na base e
(b) circuito com
equivalente na base.
r
lal (b)
llET~ÔNIC_. l CAPITULO~

Para ana lisar o circuito, tornemos o equiva lente Théven in na base (figura 4.25a): 2 . Como lc é conhecido, é possível calcu lar RE:

Observando o circuito equivalente da figura 4.256, temos as seguintes equaçóes

na malha de entrada:
4, R2 :S: 0,1 · ~mfn· RE (rm grrnl, <,,sco)he-5e um va lor igu..,I a 0,1 · 13... · RE. Em
mornemo oporruno vamos avaliar que a escolha de um valor mu.ico ba.ixo para
R2 leva a urna diminu ição na impedància de entrada). Não faremos a deduçfo
dessa expressão, mas ela é inruiriva, ou seja, R 2 não pode ser de grande valor,
1
e, como IE ::õ IC e 1,. = i,_: pois nesse caso• condição de correme de base desprezÍ\•e l não seria verdadeira.
13
5. Conhecido o valor de R2 para e-ai ular R,. é prcd o lembrar que o do" ruis•
tores 1'e e: ern érie\\ portanf :

rc ult",\lldo:
u
R, = ....l., R2 , cm que U2 "' 0 ,7 + VRE e U, = Vcc - U2,
u,
Exe mplo

Projete um circuito de polarização por divisor de tensão na base, considerando

os valores da tensão de alimentação, o tipo de transistor e o valor da corrente de
R
e calcularmo os componente& de forma que RE>> -1!!.., então: coletor.
~mln

Dados: Vcc = 12 V, 13m., = 100 e lco = 5 mA.

Solução:
Ponanro. teremos um ircuito no qual o po,iro de operação (corrente de coleto r)
não depende de l3. V RE = 0,1 · Vcc = 0,1 · 12 V= 1,2 V

A seguir, descrevem-se os passos para determinar os valores das resistências do

circuito de polarização de divisor de tensão na base. Essas orientações são de ca- Enrão:
ráter essencialmente prático, e pode-se até afirmar que constituem uma "receita",
com fundamentação teórica nas expressões anteriores.
= 4 • RE =4 · 240 =960 n
· m geral, s.ío p«ificados a rensán de alinwnrnç o (VccJ, a correme qL1ksccnre
de oleror e o transistor que ed utlli1.ado: pnnamo, slo conhecido 13m1n e timo•·
Para que ,oda a "rc cim" renha v:t lidadc, devemo admitir que o v:ilor da corrcn• R, !> 0, 1• 13mln ' R• = O,1•100 • 240 = 24QQQ
te de base seja muito menor que o da corrente "descendo" pelo divisor de tensão,
como se a base estivesse "aberta".
R = ~ · R2 = ~ -2,4 k = 12,7k
1 Uz 1,9
Passos para determinar os valores do divisor

1. Adotar os seguintes percentuais da tensão de alimentação: Valores adotados: RE =220 n, Rç = 820 n, R 2 = 2k2 e R, = 12 kn.
Esses valores só.o comerciais e próximo dos va.lores calculo.do .
ELH RÔN ICA 2 CA PITULO ◄

4.10 Reguladores de tensão Dados: V 6 e = 0,7 V e ~= 100.

Como vimm no capimlo 2, a ,ensão senoidal deve ser reri ficada e f-il rrnda ames Figura4.l7
de alimentar um circuito com componentes eletrônicos. Hoje, as fomes retifi-
cadoras fornecem tensão de saída com baixos valores de ripple, porém alguns
componentes eletrônicos não suportam nenhum valor mínimo de ripple. Nes-
ses casos, recomenda-se a utilização de reguladores de tensão para amenizar a
variação de tensão contínua que alimenta o circuito eletrônico. Os circuitos
reguladores de tensão podem ser construídos utilizando transistores e circuitos
integrndos específicos.

4.10.1 Regulador de tensão em série

Sabemos que o diodo Zener é um regulador paralelo que pode ser instalado em
paralelo com a carga. Nessas condições, enquanto a corrente no Zener estiver
dentro da faixa de regulação, a tensão de saída na carga se mantém aproxima-
dameme consrnmc.
Figura 4.26
(a) Regulador com Zener;
regulador de tensão cm sé rie 011 is1c basicarneme no regulador Zen r da fi- o/11çáo:
gura 4.26a, acrescido de um seguidor de emissor (amplificador coletor comum).
(b) e (c) circuitos de
regulador de tensão em
As figuras 4.266 e 4.26c ilustram o circuito desse regulador. Observe que o cir- A cens:io em Rs é 15 - 6 = 9 V; portanto, a co rrente va le:
série com transisto r.
cuito da figura 4.26c é essencialmente o mesmo da figura 4.266.
9V
15 = - - = 60mA
0,15 k

1\ v, . v. Iv.
111

.-
~ A tensão na carga é 6 - 0,7 = 5,3 V; portanto, a corrente na carga vale:

v,

f+i!' (a)
1, JÜ -
(b)
1\ V, l v,.

l'·
(<)
D,

l ~ = 5•3 V = 53 mA
0,1 k

A correnre de base vale 15

53mA
=- - - = O, 53 mA
100

e a correnre no Zener, 12 =60 mA - 0,53 mA =59.47 mA.

Os reguladores de tensão cm ·éric aprcscnram vanragens c1ua ndo com parados
com os reguladores de tensão em paralelo, principalmente considerando que
nos circuitos em série somente o Z ener utilizado pode ser de menor potência e
o valor de impedância de saída, baixo, características técnicas importantes para
uma fonte retificadora.
Exemplo
A figura 4.28 apresenta um circuito com regulador de tensão em série. Conside-
rando os dados a seguir, calcule:
A potência d issipada é P2 =6 V· 59,47 mA =356,82 mW.
A ten são enrre colecor e emi ssor vale
VcE = 15 - 5,3 = 9,7 V e a porén ia dissipada, P TR = 9,7 V · 53 mA = 514,1
mW. A po rencia dls ipada em Rs é Plb = 9 V · 60 mA = 540 mW.
4.10.2 Reguladores integrados de crês terminais
ão reguladon:s que requerem pouco omponenre · ex tern os o u nenhum para
aux iliar sua operação. Estão disponíveis em di versos valores de tensão e cor-
rente e em vários modelos de encapsulamenco; o mais comum é o T -220.
EléT~ÔNICA 1 CAP ITULO ◄

Regulador de tensão fixa em que ~ é o ganho de corrente do transistor (média ou alta potência) e lREG a
con eme no regulador.
O regulador integrado de três terminais é um circuito que fornece uma tensão
altamente regulada a pardr de uma ren iio qu alquer (em geral , é udlizado na (a) (b)
XX representa salda de um mificador com fihro). Esse componente: pode fornece r ten õcs
valor de tensão ---1_

,~T·
regu !adas positivas ou negativas com valores entre 5 e 24 V. Uma de suas v.
regulada na salda . apl ic:i õcs é na on 1rução de um regulador no loca l, poi ele dimina pro-

-
Por exemplo: 7805 blema~ asso íado ô d is1 ribuiçtio d" 1e11,óe~ qu~ndo existe unrn t111 i • fome v,
J
fornece na saída v. 1N l<A7 E
de alimemaçáo. Os regubdores integrados poS<uem prorcçáo inrerna cont ra
tensão regulada de sobrecarga de corrente e eleva ão de cempera1u.r:i. Est o disponíveis em vários
G D 30
\
5 V e 7912, tensão
e, e, O,l3µf O,l"F
encapsulamentos. O modelos mais onhccido são o TO-220 e o TO-3, com
regulada de -12 V. capacidade de conente de até 2 A (deve-se coomlra, o datasheer, poi s, d epen-
dendo do fabrica me, esse valor pode mudar). l =a.. +ll!',,.-V,.111,I

A principai famílias de rcgu ladorc integrado de crês 1crmina i são:

Figura 4.29
• 78XX: regu lado res de ten /in fixft po. itiva ; circulto da figura __9b npre. e11ta um regulador par.a cen áo po. i1 iva com re- (a) Orcull.o básico para
Os reguladores • 79 · : reguladores de 1t11siio lixa negat iva. forço de orrenrc na s.~/d . Ne ·e moddo, a corrente de ida (IJ é • 1 ubda p r: reguladores de saída fixa
78XX e 79XX têm postllVa ou negativa e
pinagem diferente A figura .28 mosrr a pinagem para en apsulamenro TO-220 para reguladore (b) saída de alta corrente.
um do outro e, e.aso da fumífü 78XX e 79XX.
a corrente solicitada
esteja próxima da
maxima, deve ser em que fJ é o g,mho de corrente do transisror (média ou alia potência) e IREG a
usado dissi pador. corrcnrc no regulador.

A figura .30 mosrra uma apli ação do regulador KA7 XXE como fome de
Figura 4.28 ·orrc1irc. bscrvc que lcnsfo regulada ( •x) fomec:id pelo mponcnrc é.
Encapsu lamentos
aplicada no resismr R, e, portanto, a corrente e a rensáo em R, são constantes.
1

TO-220 Pilf3 regul,1dores 1 ' )

Desse modo, a corrente na carga rnmbém será conscanre e va lerá:
(a) 7SXX e (ai (b)
(b) 79XX
1
L
= Vxx
R,
+I
Q
A figura 4.29a apresenta a configuração básica para esses reguladores . É impor-
tante enfatizar que, para funcionamento adequado, a entrada deve ter tensão mí-
nima de XX+ 2,5 V. Assim, no caso do regulador 7805, para obter 5 V na saída, em que Vxx é a tensão regulada - para o cücu ito integrado 7805, por aemplo,
o valor de entrada mínimo tem de ser 7,5 V. Existe rambém um valor de tensão Vxx = 5 V - e 10 a rrcn1e de polarização, norma lmente da o rdem de µA .
de entrada máximo, que, em geral, não pode exceder 40 V (é importante consul-
tar o valor exato no datasheet do fubricame). Recomenda-se o uso dos capacitares Figura 4.30
C1 e C 2 , porém, sem eles, o circuito funciona. O C1 deve ser ut ili zado quando Regulador de corrente
o capacitor do filtro do tcrificador estiver discante do regulador e o capacitor C 2 v, constante.
melhora a resposta transiente de proteção contra ruídos.

O circuito da figura 4.296 apresenta um regulador para tensão positiva com re-
forço de corrente na saída. esse modelo, a corrente de saída (IJ é calculada por:
EléT~ÔNICA 1 CAP ITULO ◄

Regulador de tensão ajustável C 1 : não é fun cional, mas recomendado, em e~pecial se o fil [ro do rerificador não
estiver próximo do regulador.
Esse regulador (figura 4.31) fornece uma tensão de referência da ordem de 1,25 V
e é indicado para a construção de fontes ajustáveis. Existe grande variedade de C 2: melhora a resposta rr:rnsiente e deve ser usado, principa lmen,e, para prevenir
modelos, entre os quais o mais conhecido é o LM317, que fornece até 1 A de que ruido prejudiquem o funcionamcmo de dispo irivo ligados na saída d
corrente (dependendo do encapsulamento) na faixa de tensão entre 1,25 V e 35 V. regulado r.
'sse modelo nece ir:1 de: um cl r ulro 0 111 doi rcsi. r rc · po ui proceç o comr:i
sobre orrcnre e .robrecarb"' ,érmi c;i. C 3 : melhora a rejeição ao ripp/e da fonte, sobretudo quando o ajuste é feito com
ganho elevado. Caso esse capacitar seja usado, é meU10r colocar os d iodos de
Figura 4.31 proteção.
Regul.idor de
(a)
tensão aiustável: D1 e D2 : sáo urfüzados para providenciar um caminho de baixa impedância
(a) circuito bás,co e v, o----""" caso a en [rada seja zero, evirando que os capacirores se descarreguem na saída do
(b) orcu;to completo. circuito integrado.

Exemplos

1. Calcule a máxima e a mínima tensão na saída do regulador do circuito da fi-

gura 4.32. Considere des prezível a corrente de polarização do circuito integrado.

Figura 4.32
IN OUT

470 V,
v.

O LM317 gera uma tensão de referência fixa de 1,25 V entre o terminal de saída
(OUT) e o terminaJ de ajuste (ADJ). Em uma primeira anáfüe, se considerar- Soluçdo:
mos a corrente de polari-zaçáo (l,. 0 J) desprezível em relação ils outras correntes,
podemo;. afirmar que 11 = 12. EncCio, eq ,rncionando na malha de ída, temos: A tensão de saída é dada pela expressão:

1,25 V 1,25 R
I, = - - e Vs= 1.25 + R2 -12 = 1,25 + R2 - - = 1,25 -(1 +:..:l )
R, R, R,

e leva.rm em conra l,. 0 J, devemos incluir na expressá.o acima o termo R2 · IADJ• cm que R 1 =470 O e R 2 =3k3 (0 a 3k3).
É imporranrc ressalta r qllc a rcsiirência.s R, e R2 devem rcr va lore, baixos para
garantir que a corrente de polarização seja desprezível. Uma aproximação razoá- A saída é máxima quando R 2 = 3k3:
vel é considerar que a soma das duas resistências não exceda 5 kO.

3300
As funções dos demais compcmentts do circuito aptcsentàdo aa figura 4.30b sáo VS(nu!xl = 1,25 , (1+ - - ) = 10 V
as seguimcs: 470