Instituto Superior Politécnico de Songo

Transistor

, Fevereiro de 2023
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Introdução
O transistor é um dispositivo semicondutor de três
camadas, muito utilizado na construção de chips
electrônico para as mais variadas aplicações.
Composto principalmente por silício e germânio, o
transistor é empregado em processos de amplificação e
produção de sinais e em operações de chaveamento.

Os transistores podem ser divididos em função do seu

tipo e da sua aplicação.
Entre os diversos tipos de transistores existentes
destacam-se dois:

• Os transistores de Junção Bipolar;

• Os transistores de efeito de Campo.

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O transistor de junção (TJB) bipolar recebe este nome
porque possui duas junções PN combinadas e por
envolver tanto as cargas positivas como as cargas
negativas no processo de condução.

Os dois tipos de transistor de junção bipolar mais comuns

são o NPN e o PNP.

O transistor de efeito de campo (FET), diferente do TJB, é

controlado de acordo com a tensão no seu terminal de
controlo denominado Gate (porta).
O FET é um dispositivo unipolar, ou seja sua condução
envolve apenas um tipo de carga por vez. Não há junção
PN definindo o tipo de carga conduzida, apenas um canal
semicondutor de ligação entre as duas camadas (source e
drain)
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Com esta caraterística origina os dois principais tipos de
FET, os FET de canal N (conduzem electrões) e os FET
canal P (conduzem lacunas)

O transistor TJB não polarizado

Um transistor tem três regiões dopadas, nomeadamente
um emissor, uma base e um coletor como mostra a figura
abaixo

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Como mostrado na figura anterior, os transistor TJB é
formado por duas junções. Uma entre a base e o emissor e
outra entre a base e o coletor. Fazendo com que se pareça
a dois diodos.
A base e o emissor formam um dos diodos, enquanto a
base e o coletor formam o outro diodo.

Camada de depleção

Conforme foi descrito na aula sobre o diodo de junção,

assim que os electrões livres na região n se difundem
através da junção e se recombinam com as lacunas na
região P, resulta em duas camadas de depleção como
mostra a figura a seguir:

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6
Com a formação das três regiões aparecem
automaticamente duas outras regiões internas
nomeadamente a barreira de potencial ou região de
depleção.

As barreiras de potencial são campos electroestáticos

formados na linha de juncão. De acordo com a figura
anterior, os elementos P possuem grande quantidade de
portadores positivos e o elemento N grande quantidade de
elementos negativos.

A difusão de electrões da região N e lacunas da região P

resultam em recombinações nas linhas das juncões
ionizando os átomos das impurezas usadas no processo
de dopagem.

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Os átomos ionizados com carga positiva diferentes
(negativos na região P, porque recebem electrões e
positivos na região N, porque doam electrões(), formam
um campo electroestático que paralisam o processo de
difusão.

A difusão é o movimento de portadores de carga numa

area, onde estão mais concentrados, para uma região
onde a sua concentração é menor.

Os três terminais do transístor bipolar de juncão são

denominados:
• Base;
• Coletor;
• Emissor;

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A base
O terminal da base é responsável por controlar o processo
condução (controla o fluxo de portadores entre o emissor e
o coletor).
O coletor
O terminal do coletor, é uma das extremidades do
transistor, é nele que entra a corrente a ser controlada ou
seja é nesta conexão onde os dispositivos a serem
controlados são conectados.
O emissor
O terminal do emissor é outra extremidade, por onde sai a
corrente que foi controlada.

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Polarização do transístor
O transístor só ira funcionar corretamente se o mesmo
estiver polarizado de forma adequada.
Quando liga-se a fonte de tensão na juncão da base-
emissor, obtém-se o que corresponde a uma polarização
directa de acordo com a imagem abaixo.

Desta forma fluirá uma corrente através da baixa

resistência da juncão, emissor-base.

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Se for aplicada uma ensaio através da segunda juncão
base-coletor, como mostrado na figura abaixo fluirá uma
pequena corrente através da resistência de juncão base-
coletor, pois a polarização é inversa.

Esta pequena corrente criada na polarização inversa é

devido aos portadores minoritários, corrente esta chamada
corrente de fuga ou corrente de saturação como explica o
slide a seguir.

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A corrente de portadores minoritários

Existe uma pequena corrente apos a camada de

depleção ser estabelecida, corrente esta que apresenta
uma polarização reversa.
Tendo em conta que a energia térmica gera pares
electrões livres e lacunas incessantemente, isto significa
que mesmo com os poucos portadores minoritários os
dois lados da juncão surge uma pequena corrente que
circula no circuito externo.
Esta corrente reversa causada pelos portadores
minoritários

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De acordo com a figura abaixo, pode-se ver que a
corrente passa pelo emissor (𝐼𝐸 ) se divide em dois ramos,
uma que vai para o terminal da base (𝐼𝐵 ) e outra que vai
para o coletor (𝐼𝐶 ).

𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶

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Principio de funcionamento (NPN)

Os electrões na região do emissor são repelidos pelo

potencial negativo da fonte em direcção a base,
passando com facilidade pela juncão base-emissor,
pois a mesma esta polarizada directamente
apresentando assim baixa resistência.

Alguns electrões se recombinam com lacunas

existentes na base, formando a corrente da base, como
o numero de lacunas na base é inferior ao numero de
electrões que nela penetram, e também devido ao facto
da base ter dimensões muito reduzidas, a maioria dos
electrões atinge a juncão base-coletor.

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Esses electrões que estão sendo atraídos pelo potencial
positivo do coletor ultrapassam a juncão base coletor
chegando aos terminais positivos da fonte.

Este movimento de electrões nos elementos do transístor

constituem as correntes através do mesmo.

A analise feita para o transístor TJB do tipo NPN é análoga

ao do tipo PNP, entretanto para que a juncão emissor-base
seja polarizada directamente e a juncão base-coletor
inversamente, é necessário mudar as polaridades das
fontes, com relação as usadas no transístor NPN.

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Modos de funcionamento do TJB

Operação na região linear (Activa)

• Juncão base-emissor polarizada directamente
ON
• Juncão base-coletor polarizada inversamente

Operação na região de corte

• Juncão base-emissor polarizada reversamente
• Juncão base-coletor polarizada reversamente OFF

Operação na região de saturação

• Juncão base-emissor polarizada directamente ON
• Juncão base-coletor polarizada directamente

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Aplicação
Modo activa Amplificação
Corte Interruptor (OFF)
Saturação Interruptor (ON)

Símbolo esquemático do transístor

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A figura anterior mostra o símbolo esquemático para um
transístor. Existem três correntes diferentes. A corrente do
emissor, da base e do coletor.

Como o coletor é a fonte directo, sua corrente é maior das

três. Quase todos os eletrões do emissor circulam pelo
coletor, logo a corrente do coletor e aproximadamente
igual ao do emissor.

A corrente da base é muito pequena se comparada as

outras duas.

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Ganho do transístor

Como a principal função do transístor é amplificar os

sinais, o mesmo deve apresentar um ganho de tensão e
corrente, ou seja a tensão ou a corrente de saída deve
ser maior que a tensão e ou a corrente de entrada.

𝐶𝑜𝑟𝑟𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑖𝑑𝑎 𝐼𝐶
𝐺𝑎𝑛ℎ𝑜 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑒𝑛𝑡𝑒 = =
𝐶𝑜𝑟𝑟𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 𝐼𝐸

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