Instituto Superior Politécnico de Songo

Dispositivos de potência

DIODO

Songo, 2021
07/03/2023 2

Dispositivos semicondutores de potência

Podem-se classificar em cinco tipos:

Díodos de potência
TBJ de potência (transístores bipolares de juntura)
Tirístores
MOSFET de potência
IGBT (insulated gate bipolar transístors)
07/03/2023 3

DIODOS DE POTÊNCIA
07/03/2023 4

Díodos de potência
Os diodos de potência são provavelmente o dispositivo
semicondutor mais simples utilizado em aplicações da
Eletrônica de Potência

É uma estrutura P-N que, dentro de seus limites de tensão e

corrente, permite a circulação de corrente em um único sentido
07/03/2023 5

Díodos de potência

São três tipos:

 GENÉRICOS. São fornecidos em até 300V, 3500A

 ALTA VELOCIDADES (ou alta recuperação). A faixa pode ir até

3000V ,1000 A. Tempo recuperação reversa entre 0,1 - 5 s.
Fundamentais para chaveamento em alta frequência dos
conversores de potência.

 SCHOTTKY. Limitados a 100V, 300A. Baixa queda de tensão em

sentido directo e tempo de recuperação na ordem de ns
07/03/2023 6

Díodos de potência
Os diodos semicondutores de potência não se diferencia
quanto seu princípio de funcionamento do seus
similares de baixa potência

Em particular possuem algumas características

construtivas e elétricas que lhe permitem trabalhar com
altas corrente.

Em sua estrutura interna estará formado pela união P -

N uma capa de material P e uma N em uma oblea de
material semicondutor.
07/03/2023 7

Díodos de potência
Os díodos de potência caracterizam-se por:
Em estado de condução, devem ser capazes de suportar uma
alta intensidade com uma pequena queda de tensão.

Em sentido inverso, devem ser capazes de suportar uma forte

tensão negativa de ânodo com uma pequena intensidade de
fugas.

 qV K T 
O díodo responde à equação: I  IS 
e  1

 
Onde
 IS e corrente de fuga ou de saturação, tipicamente faixa de 10-6 a 10-15A ;
 q e a carga do electrão 1,6022x10-19 C ,
 V tensão díodo com o ânodo positivo em relação a cátodo em V,
 K e constante de Boltzmann=1,3806x10-23J/K ,
 n constante empírica conhecida como coeficiente de emissão ou factor idealidade,
cujo valor varia de 1 a 2, e
 T a temperatura absoluta em graus Kelvin (K = 273 + C)
07/03/2023 8

A- ÁNODO

A
+
VAK

-
K SÍMBOLO
ELÉTRICO

ESTRUCTURA
K- CÁTODO INTERNA

UNIÓN P-N

DISPOSITIVO
UNIDIRECIONAIS
07/03/2023 9

Aplicações
Desempenham um papel importante nos circuitos de
electrónica de potência como:
Rectificadores não controlados, efectuando uma
conversão de tensões AC para DC fixas,
Como díodos de retorno, a fim de fornecer uma
passagem para o fluxo de corrente em cargas
indutivas.
07/03/2023 10

ESTRUCTURA INTERNA BÁSICA DE UM DIODO

SEMICONDUTOR (junção p-n)
07/03/2023 11

Analise de circuitos com díodo

A análise de circuitos com díodos requer, a verificação

do estado do díodo (ligado ou desligado). Pode ser
substituído por um circuito chave equivalente.
Em alguns circuitos pode não ser fácil descobrir que
tipo de chave equivalente deve ser utilizada (circuitos
com mais de uma fonte ou mais de um díodo em série)
07/03/2023 12

Exemplo
Determine no circuito mostrado a corrente do diodo ID, a
tensão do diodo VD e a tensão no resistor VR

Solução
Uma vez que a corrente estabelecida pela fonte flui na
direção da seta, o diodo está ligado e pode ser substituido
por uma chave fechada

Tensão do diodo VD = 0 V
Tensão no resistor VR = ES – VD = 20 - 0 = 20 V
Corrente do diodo ID = VD / R = 20 / 100 = 0,2 A
07/03/2023 13

Exemplo

Inverta o díodo e repita o exemplo

Solução
A direcção da corrente é agora oposta à seta. O díodo está
desligado e pode ser substituído por uma chave aberta

Corrente do díodo ID = 0 A
Tensão no resistor VR = ID R = 0
Tensão do díodo VD = ES – VD = 20 - 0 = 20 V
 07/03/2023 14

Características de tensão-corrente

Diodo ideal em serie com Diodo ideal em serie com

uma fonte de tensão uma fonte de tensão e
Díodo ideal
com a resistência do
diodo em condução

Curto-circuito
Pd  V D I Dmedia Pd  V D I Dmedia  rd I D2 ,ef
A característica ideal indica que é um condutor perfeito quando está
polarizado diretamente e um condutor aberto em sentido inverso
07/03/2023 15

Características de tensão-corrente

0,7 V

Corrente de avalanche
07/03/2023 16

As curvas características V-I podem

ser expressadas pela equação
conhecida como equação do díodo
Schottley

ID: Corrente através do díodo, em A

VD: tensão do díodo, com o ânodo positivo em relação ao cátodo em V
IS: corrente de fuga (ou de saturação, tipicamente na faixa de 10-6 a 10-15 A)
n: constante empírica conhecida como coeficiente de emissão ou factor de idealidades,
cujo valor varia de a 1 a 2. Esse coeficiente depende do material e da construção física
do díodo. Para díodos de germânio é considerado como 1. Para silício a expectativa do
valor é de 2, más para maioria dos díodos práticos do valor na faixa de 1,1 a 1,8
VT na é uma constante chamada tensão térmica (termal voltage)
 07/03/2023 17

VT na é uma constante chamada tensão térmica (termal voltage)

A uma temperatura específica, a corrente de fuga IS, é uma constante

para um dado diodo. As curvas características do diodo podem ser
divididas em três regiões:
• Região de polarização direta, onde VD  0
• Região de polarização reversa, onde VD  0
• Região de ruptura reversa, onde VD  VZK
07/03/2023 18

Região de polarição
Directa
Na região de polarização direta VD  0.

A corrente do díodo ID será muito pequena se a tensão do diodo VD for

menor que um valor específico VTD (Tipicamente 0,7V). O díodo
conduzirá plenamente se VD for maior que esse valor VTD, que é
referido como tensão de limiar (thereshold voltage) ou tensão de corte
(Cut-in voltage) o tensão de ligamento (turn-on voltage)
Assim a tensão de limiar é aquela na qual o díodo conduz
completamente

Considerar uma pequena tensão no díodo VD = 0,1 V, n = 1 e VT =

25,8 mV. La corrente do díodo ID

com um error de 2,1%

07/03/2023 19

Portanto, para VD  0,1 V que é normalmente o caso, ID   IS por

que a ID pode ser aproximada com um erro de 2,1% para

POLARIÇÃO REVERSA

Na região de polarização reversa VD  0

Se VD é negativo e /VD/  VT, que ocurre para VD  - 0,1, o
termo exponencial do equação do ID torna-se insignificante ou
muito pequeno quando comparado com a unidade, e a corrente
do diodo ID torna-se

Indica que a corrente do diodo ID no sentido reverso é constante e igual

a IS
07/03/2023 20

Região de ruptura reversa

• Na região de ruptura reversa (break-down region) a tensão reversa é
muito alta; normalmente maior que 1000V

• A amplitude da tensão reversa excede uma tensão específica,

cohecida como tensão de ruptura reversa (breakdown voltage –VBR)

• A corrente reversa aumenta rapidamente com uma pequena variação

na tensão reversa além de VBR

• A operação na região de ruptura reversa não será destrutiva se a

dissipação de potência estiver dentro de um “nivel seguro”, que é
especificado pela folhas de dados do fabricante

• É sempre necessário limitar a corrente reversa na região de ruptura

reversa para limitar a dissipação de potência a um valor permissível
07/03/2023 21

EXEMPLO

A queda de tensão direta de um diodo de potência é VD =

1,2 V, ID = 300A
Supondo que n = 2 e VT = 25,8 mV

Encontre a corrente de saturação IS

Pode-se encontrar a corrente de fuga
 07/03/2023 22

Recuperação Reversa
• O passo de condução bloqueio não se realiza
instantaneamente. Pois quando o diodo conduz uma
corrente direta I, a zona central da união está saturada
de portadores maioritários, e embora um circuito
externo force a anulação da corrente lhe aplicando uma
tensão reversa, quando a corrente passa por zero ainda
existe uma quantidade de portadores que trocam seu
sentido de movimento e permitem a condução de uma
corrente reversa durante um tempo de recuperação
inverso (trr, reverse recovery time).

• Os parâmetros definidos no processo de corte

dependem da corrente direta, do dI/dt e de a tensão
reversa aplicada. O tempo de recuperação de um diodo
normal é da ordem de 10s, sendo o dos rápidos de 0.5
- 2 s.
07/03/2023 23
07/03/2023 24

trr consiste de dois componentes,

t4 e t5.

O t4 deve-se ao armazenamento
de cargas na região de depleção
da junção e representa o tempo
entre o cruzamento com o zero e o
pico da corrente reversa

t5 deve-se ao armazenamento de
cargas no material semicondutor

A relação t4/t5 é conhecida como

fator de suavidade
07/03/2023 25

Curvas características da recuperação reversa

07/03/2023 26

Tempo de recuperação reverso Trr

O tempo de recuperação reverso tRR pode ser definido como
o intervalo de tempo entre o instante em que a corrente
passa pelo zero, durande la mudança da condição de
condução direta para o bloqueio reverso, e o momento em
que a corrente reversa já caiu a 25 % do seu valor de pico
IRR o tRR é dependente da temperatura da junção, da taxa
de decaimento da corrente directa e da corrente directa
antes da comutação
07/03/2023 27

QRR: carga eléctrica armazenada ou

deslocada
S factor de suavizado. É a relação entre
os tempos de queda e armazenamento

tf
S 
Exemplo de comutação tS
com recuperação suave

Influência do trr na comutação

Se o tempo que demorar o diodo em comutar não é desprezível:

1. Limita-se a frequência de funcionamento  não se pode comutar
até depois da recuperação
2. Existe uma dissipação de potência durante o tempo de
recuperação inversa  há no diodo V e I
 07/03/2023 28

A carga de recuperação reversa QRR é a quantidade de portadores

de carga que fluem através do díodo no sentido reverso devido à
mudança na condição de condução directa para bloqueio reverso.

Seu valor é determinado a partir da área abrangida pelo caminho

da corrente de recuperação reversa.
A carga armazenada, que é a área abrangida pelo caminho da
corrente de recuperação, é aproximadamente:

Pelo pico da corrente reversa