Diodo Schottky

Origem: Wikipdia, a enciclopdia livre. Diodo Schottky um tipo de diodo que utiliza o efeito Schottky na semiconduo. Seu nome uma homenagem ao fsico alemo Walter Schottky. Esse Diodo serve para diminuir a carga "armadilha" no diodo. Um diodo comum ao passar da regio direta de conduo para a reversa, produz em um curto tempo uma corrente reversa alta, resultante de cargas armadilhas, tendo um efeito importante no uso de diodos atravs de frequncia alta, com a fabricao de um diodo utilizando-se ao invs do material P um metal, no haver lacunas que possam armadilhar eltrons vindos dos outros materiais durante a corrente direta, de forma que na passagem para corrente reversa haver este aumento de corrente.

Diodos de juno
| Topo pg | Fim pg | O princpio bsico de operao j foi dado na pgina Semicondutores I-20. Este tpico retorna ao assunto com informaes mais detalhadas. Conforme o prprio nome, uma simples juno de um semicondutor tipo P com outro tipo N. A Figura 01 (a) d uma idia do arranjo e, em (b), o conhecido smbolo.

Figura 01 No semicondutor tipo P, os portadores de carga eltrica so positivos (buracos) e, no tipo N, so negativos (eltrons). Se nenhum potencial eltrico externo aplicado, ocorre um natural rearranjo de cargas nas proximidades da juno. Os portadores negativos do semicondutor N tendem a se difundirem no semicondutor P, atrados pelos seus portadores positivos. E vice-versa. Esses portadores opostos se combinam e formam, em ambos os lados da juno, uma regio com reduo (depleo) de portadores livres.

Figura 02 Mas o processo de difuso no continua indefinidamente. O desequilbrio eltrico cria um campo eltrico E, que se ope ao movimento de cargas e o processo se estabiliza, deixando uma "barreira de potencial" na juno. Se um potencial eltrico externo aplicado na juno conforme Figura 02, a regio de depleo aumenta e quase no h corrente no circuito. Nessa condio, o diodo est inversamente polarizado.

Figura 03 Se o potencial externo V aplicado no sentido dado na Figura 03, a regio de depleo diminui e entra em colapso, permitindo a troca dos portadores de carga de ambas as partes. O resultado uma considervel corrente I pelo circuito. Nessa condio, o diodo est diretamente polarizado, ou seja, ele conduz. Na realidade, para a conduo ocorrer, o potencial V deve ser um mnimo, superior ao da barreira. Para diodos de germnio esse valor cerca de 0,3 V. Para diodos de silcio, 0,7 V. A frmula seguinte expressa a relao da corrente no diodo com a tenso e outras grandezas fsicas:

Figura 04
I = I0 (eqV/kT 1)

#A.1#. Onde:

I: corrente no diodo em ampres (A). I0: corrente de saturao (A). q: carga do eltron ( 1,6 1019 C). V: tenso aplicada em volts (V). k: constante de Boltzmann ( 1,38 1023 J /K). T: temperatura da juno em kelvin (K). Se V positivo, a corrente cresce exponencialmente com a tenso aplicada no diodo. Na polarizao inversa (V negativo), a corrente quase constante e igual a aproximadamente I0. Na prtica, claro, existem limites para ambos os lados e a curva corrente x tenso de um diodo tpico tem forma parecida com o grfico da Figura 04 (no h preocupao com escalas no grfico. Nas aplicaes usuais, a corrente inversa praticamente desprezvel em relao direta). Notar que, na polarizao direta, a tenso pouco varia em uma ampla faixa de corrente. Por isso, usual considerar a queda de tenso um um diodo diretamente polarizado igual a um dos valores mencionados (0,3 V para germnio e 0,7 V para silcio). Observar tambm que no h meno da temperatura T no grfico. Assim, ela considerada constante. Entretanto, se ela variar, a curva tambm varia e esta propriedade permite que diodos de juno sejam tambm usados como sensores de temperatura. desnecessrio dizer que a principal aplicao dos diodos de juno a retificao de tenses alternadas. H outros tipos para finalidades especficas, alguns dos quais so vistos nos prximos tpicos desta pgina.

Diodos de juno: principais parmetros

| Topo pg | Fim pg | Os diodos reais so especificados por diversos parmetros, em geral fornecidos nos datasheets dos fabricantes. Segue relao dos principais, com indicao dos nomes e smbolos em ingls porque so assim encontrados em muitas fontes. Lembrar que vrios parmetros so dependentes de outros, em especial da temperatura. Por isso, os fabricantes costumam informar as condies de cada valor ou fornecem grficos. Capacitncia tpica da juno (CJ - Typical Junction Capacitance): na polarizao inversa, a regio de depleo atua como um isolante, formando um pequeno capacitor. Isso pode ter influncia significativa em freqncias mais altas. Corrente direta de pico mxima (IFSM - Maximum Peak Forward Current): limitada pela dissipao trmica do diodo. Corrente direta mdia mxima (IF(AV) - Maximum Average Forward Current): limitada basicamente pelas caractersticas de dissipao trmica do componente (tamanho, etc). Corrente inversa mxima (IRM - Maximum Reverse Current): a corrente inversa se aplicada a tenso inversa contnua mxima (VR). Seria nula em um diodo ideal. Nos dispositivos prticos, bastante pequena em relao corrente direta. desprezvel na maioria dos casos. Faixa de temperatura de armazenagem (TSTG - Storage Temperature Range): em vrios casos, a temperatura mxima de armazenagem igual mxima de operao. Potncia dissipada (PD - Power Dissipation): a mxima potncia dissipada pelo diodo. Resistncia trmica (Thermal Resistance): dada para juno-ambiente (RJA) ou junocondutores (RJL). Indica a oposio que o conjunto oferece dissipao do calor gerado na juno. Seria nula em um dispositivo ideal. Temperatura de operao da juno (TJ - Operating Junction Temperature): a mxima temperatura de trabalho do diodo. Diodos de alta potncia em geral usam dissipadores para manter a temperatura abaixo da mxima especificada. Tempo de recuperao inverso (trr - Reverse Recovery Time): o tempo decorrido para o diodo deixar de conduzir, aps a mudana de polarizao de direta para inversa. Seria nulo para um diodo ideal. Diodos comuns apresentam tempos na faixa de microssegundos e diodos rpidos (para freqncias mais altas), na faixa de nanossegundos. Tenso direta (VF - Forward Voltage): a queda de tenso, em geral especificada para a

corrente nominal. Seria zero em um diodo ideal. Tenso inversa de pico (PIV - Peak Inverse Voltage): no grfico da Figura 1.4 pode-se notar que a tenso inversa limitada por um mximo absoluto, acima do qual h ruptura e destruio da juno. O fabricante especifica um valor mximo seguro, para operao sem ocorrncia da ruptura. Tenso inversa contnua mxima (VR ou VDC - Maximum DC Reverse Voltage): a mxima tenso contnua de operao. Seria infinita para um diodo ideal. Tenso inversa repetitiva mxima (VRRM - Maximum Repetitive Reverse Voltage): a tenso inversa mxima de operao em forma de pulsos repetidos. Seria infinita para um diodo ideal.

Diodos zener
| Topo pg | Fim pg | Quando a tenso inversa aplicada em um diodo atinge determinado valor, ocorre um efeito tipo ruptura. Nessa situao, o diodo passa a conduzir e pequenas variaes de tenso produzem grandes variaes de corrente, isto , a curva se torna praticamente vertical.

Figura 01 Diodos comuns no devem operar nesse ponto sob pena de danificao. Mas possvel construir diodos que suportam essa condio, os chamados diodos zener. Detalhes do mecanismo da ruptura no se encaixam no contexto desta pgina. Comentase apenas que ela pode ocorrer devido ao "efeito avalanche" ou ao "efeito zener". Na

prtica, ambos os efeitos esto presentes, mas o segundo predominante nos diodos zener. A tenso zener a tenso inversa que se mantm quase constante em uma ampla faixa de corrente. A Figura 01 deste tpico mostra o aspecto tpico da curva de um diodo zener com destaque na rea de polarizao inversa. Diodos zener comerciais so produzidos com tenses desde cerca de 4 volts at algumas centenas de volts. So amplamente utilizados para fornecer tenses de referncia (constantes) em fontes estabilizadas e outros circuitos.

Figura 02 O circuito da Figura 02 uma configurao bsica (notar o smbolo um pouco diferente do diodo de juno). O diodo zener deve operar sempre na polarizao inversa. Supe-se que a tenso zener do diodo seja por exemplo 5,6 V (um valor comercialmente disponvel). Se a tenso varivel da fonte (V) se mantm acima de 5,6 V, a tenso Vz do circuito ser sempre 5,6 V para qualquer valor da tenso da fonte. evidente que o valor de V no pode subir indefinidamente. Fica limitado pela corrente mxima (Iz max na Figura 01) que o diodo zener pode suportar.

Diodos schottky
| Topo pg | Fim pg | Diodos de juno metal e semicondutor no so coisas recentes. Os primitivos rdios de galena, do incio do sculo XX, usavam um fio metlico e um cristal de galena (sulfeto de chumbo) para formar um diodo detector de radiofreqncia. A Figura 01 (a) mostra o arranjo bsico.

Figura 01 Diodos de metal e semicondutor atuais, chamados diodos schottky, so obtidos pela deposio, por evaporao ou por meios qumicos, de uma camada metlica sobre a superfcie de um semicondutor. Normalmente h uma camada de xido na borda para evitar alguns efeitos indesejveis do campo eltrico mais intenso nessa parte. A Figura 01 (b) d uma idia do dispositivo e o smbolo eltrico usual. O principal destaque do diodo schottky o menor tempo de recuperao, pois no h recombinao de cargas do diodo de juno. Outra vantagem a maior densidade de corrente, o que significa uma queda de tenso direta menor que a do diodo comum de juno. A contrapartida uma corrente inversa maior, o que pode impedir o uso em alguns circuitos. So usados principalmente em circuitos de alta freqncia, de alta velocidade de comutao.

Diodos emissores de luz (led)

| Topo pg | Fim pg | Ao passar por uma juno PN, eltrons sofrem transies de nveis de energia e, de acordo com princpios da fsica quntica, devem emitir alguma radiao. Semicondutores de germnio, de silcio e outros comuns no emitem radiao visvel. Mas ela emitida por alguns semicondutores de compostos qumicos, como arsenieto de glio, fosfeto de glio e ndio, etc.

Figura 01 Leds so simplesmente diodos de semicondutores desses tipos envolvidos por embalagem translcida. O diodo led deve ser diretamente polarizado para emitir luz. A Figura 01 d um circuito bsico. Para a determinao de R uma vez conhecido V, pode-se supor corrente mxima de 20

mA e tenso no diodo de 2 a 2,5 volts. A tenso inversa mxima da maioria dos leds pequena, de forma que uma inverso de polaridade com alguns volts pode ser suficiente para danificar.

Tipos Especiais de Diodos

Schottky
Existem dois tipos de juno metal-semicondutor: hmica e retificadora; o primeiro o tipo de contato desejado quando um terminal soldado ao semicondutor; por outro lado o contato retificador resulta em um dodo metal-semicondutor (chamado barreira Schottky), com uma caracterstica volt-ampre muito similar quela de um dodo p-n. O dodo metal-semicondutor foi estudado vrios anos atrs, mas at o final da dcada de 60, os dodos Schottky no eram comercialmente disponveis devido a problemas de fabricao. A maior parte das dificuldades de fabricao so devidas aos efeitos de superfcie: empregando algumas tcnicas em circuitos integrados possvel construir um dodo metal-semicondutor quase ideal, com menor custo. O alumnio comporta-se como uma impureza do tipo p, quando em contato com o silcio. Se utilizarmos o alumnio para formar os contatos com o silcio do tipo n, desejvel a formao de um contato hmico, mas devemos evitar a formao da juno p-n; por esta razo que so feitas difuses n+ nas regies do tipo n prximo a superfcie, onde o alumnio ser depositado. Porm, se no fizermos a difuso n+ teremos uma estrutura p-n equivalente, resultando em um excelente dodo metalsemicondutor. A figura ao lado mostra um dodo Schottky; o contato 1 uma barreira Schottky, ao passo que o contato 2 hmico (no retificador); assim, existe um dodo metalsemicondutor entre estes dois terminais, com o nodo no contato 1. A fabricao de um dodo Schottky realmente mais simples do que um dodo p-n, que requer uma difuso (tipo p) extra. A caracterstica volt-ampre externa de um dodo metal-semicondutor essencialmente a mesma que a de uma juno p-n, mas os mecanismos fsicos envolvidos so mais complicados. No sentido direto de polarizao, eltrons cruzam a juno do silcio do tipo n para o metal, onde so abundantes. Neste sentido, este um dispositivo de portadores majoritrios, enquanto os portadores minoritrios explicam a caractersticas do dodo p-n. Dodos Schotky apresentam um tempo de armazenamento pequeno, pos a corrente devida predominantemente aos portadores majoritrios. A tenso no dodo Schottky tambm muito menor que a do dodo p-n, para a mesma corrente direta. Assim, uma tenso limiar de cerca de 0,3 V razovel para dodo metal-semicondutor, enquanto para uma barreira p-n, a tenso limiar 0,6 V. Assim o dodo metal-semicondutor mais prximo do dodo ideal do que um dodo p-n.

Fotodiodo
Se iluminarmos uma juno p-n reversamente polarizada, a corrente varia quase linearmente com o fluxo luminoso. Este efeito aproveitado no fotododo semicondutor. Este dispositivo formado de uma juno p-n recoberta por um plstico transparente, como mostra a figura ao lado. Com exceo de uma janela sobre a juno, as demais partes so pintadas de preto ou encapsuladas em um invlucro metlico. O dispositivo completo extremamente pequeno e suas dimenses so milimtricas. Se aplicarmos tenses reversas, alm de poucos dcimos de volt, obeteremos uma corrente quase constante. A corrente que obtemos colocando o dispositivo no escuro corresponde corrente de saturao reversa devida gerao trmica dos portadores minoritrios. Se um feixe de luz incide sobre a superfcie, novos pares eltron-lacuna sero gerados. O fotododo p-n particularmente a verso melhorada n-p-n e encontram muitas aplicaes na leitura de altas velocidades das perfuradoras de cartes e fitas de computadores, sistema de deteco de luz, leitura da trilha sonora de um filme, chaves operadas por luz, linhas de produo contendo objetos que interrompam um fluxo luminoso, etc.

LED (Dodos Emissores de Luz)

Assim como necessrio fornecer energia para gerar o par eltro-lacuna, da mesma maneira a energia liberada quando um eltron recombina com uma lacunal; no silcio e no germnio esta recombinao ocorre por meio de armadilhas e a energia liberada transferida para o cristal sob forma de calor; entretanto, em outros semicondutores tais como o arseneto de glio, h uma quantidade considervel de recombinao direta sem a ajuda de armadilhas. Nestas circunstncias a energia liberada pelo eltron, ao cair da banda de conduo para a banda de valncia, aparece em forma de radiao; um dodo que funciona nestas condies chamado dodo emissor de luz (LED), embora a maior parte da radiao emitida esteja na faixa do infravermelho. A eficincia do processo de gerao de luz aumenta com a corrente injetada e com a diminuio da temperatura. A luz est concentrada perto da juno devido ao fato de que a maior parte dos portadores se recombinam nas vizinhanas da mesma. Sob certas condies, a luz emitida coerente (essencialmente monocromtica). Tal dodo chamado de emissor de luz a juno.

LCD (displays de cristal lquido)

O display de cristal lquido (LCD) possui uma vantagem importante em relao ao LED; exige menos potncia para o seu funcionamento. O nvel necessrio da ordem de microwatts para o display, enquanto que em um LED o nvel de potncia exigido da faixa de miliwatts. Este dispositivo, entretanto, necessita de uma fonte de luz externa ou interna, limitado faixa de temperatura de cerca de 0 at 60 C, e sua vida til motivo de polmica, pois os LCDs podem quimicamente se degradar. Os tipos alvo de maior interesse so os dispositivos de efeito de campo e de espalhamento dinmico. O cristal lquido um material (normalmente orgnico para LCDs) que flui como um lquido, mas com uma estrutura molecular com algumas propriedades normalmente associadas aos slidos. Para os dispositivos de espalhamento de luz, o maior interesse est no cristal lquido nemtico. A superfcie condutora de xido de ndio transparente e, sem tenso aplicada, a luz incidente passa atravs da estrutura sem ser obstruda pelo cristal lquido. Se uma tenso for aplicada aos terminais da superfcie condutora, o arranjo molecular perturbado, estabelecendo regies com diferentes ndices de refrao. A luz incidente , portanto, refletida em diferentes dires na interface entre regies de diferentes ndices de refrao. A conseqncia disto que na regio em que a luz espalhada o aspecto de um vidro fosco. Entretanto o vidro fosco aparece somente onde as superfcies condutoras so opostas entre si, e as demais reas permanecem translucidas.