Características gerais do diodo semicondutor

Quando polarizado no sentido direto, após a barreira de potencial ser vencida, temos um
aumento exponencial da corrente no diodo em função da tensão em seus terminais.

Com o auxílio da física do estado sólido, pode-se mostrar que as características gerais de
um diodo semicondutor são definidas pela seguinte equação para as regiões de polarização
direta e reversa:

Onde:
ID é a corrente através do diodo,
IS é a corrente de saturação reversa,
K é uma constante que vale (11.600 / ), sendo:
( = 1 para diodos de germânio)
( = 2 para diodos de silício)
VD é a tensão nos terminais do diodo
Tk é a temperatura em Kelvin (Tk = TC + 273º) (TC é a temperatura ºC).
• Para valores positivos de VD a corrente ID será positiva e irá crescer rapidamente (polarização
direta).
• Para valores negativos de VD, o termo exponencial da equação acima irá decrescer rapidamente,
resultando em ID = – IS (considerada desprezível)

• Em um diodo de germânio, o joelho da curva inicia com uma tensão de 0,2 V (aproximadamente) e
do Silício próximo de 0,6V
• Pela curva característica do diodo verificamos que ele é um dispositivo não-linear e não segue a
lei de Ohm.

Curva característica do diodo e denota o comportamento

de sua corrente em função da tensão em seus terminais.
Região zener

• Se a tensão reversa aplicada aos terminais do diodo for

aumentando, chegará um ponto onde ocorrerá uma brusca
mudança na curva característica e uma corrente começará a
circular no sentido inverso.

• A partir deste ponto, a tensão nos terminais do diodo será

praticamente constante e a corrente aumentará a uma taxa
muito rápida na direção oposta da região de tensão positiva.
Região zener

• O potencial de polarização reversa que resulta esta brusca

mudança na curva característica é chamado tensão zener (Vz).

• Quando a tensão reversa é alta, os elétrons minoritários são

acelerados.

• A colisão desses elétrons com os átomos do cristal produz

outros elétrons livres, aumentando mais ainda a corrente
reversa e as colisões até causar a ruptura (breakdown) da
junção, ou seja, a queima do diodo.
Região zener
• Esse aumento brusco da corrente reversa é
denominado efeito avalanche.

• Dessa forma, os fabricantes de diodos

especificam a tensão máxima de
polarização reversa permitida para que o
diodo não entre na região zener.

• Essa tensão é chamada de TPI ou TPR,

respectivamente, tensão de pico inversa ou
tensão de pico reversa.
Níveis de resistência
A medida que o ponto de operação de um diodo move-se de uma região para
outra, a resistência do diodo também será alterada devido à forma não linear da
sua curva característica.

Resistência estática ou DC (RD )

• A aplicação de uma tensão DC em um circuito contendo um diodo
semicondutor resultará em um ponto de operação sobre a curva do diodo
inalterado com o tempo (VD e ID serão constantes).
• A resistência do diodo no ponto de operação pode ser encontrada simplesmente
dividindo-se os valores de VD e ID encontrados para esse ponto.
• Dessa forma: RD = VD / ID.
Resistência estática ou DC (RD)

• Os níveis de resistência DC no joelho e abaixo dele serão maiores

que os obtidos para a região vertical da curva característica.
Naturalmente, a resistência DC na polarização reversa será
muito alta.
• O ponto de operação de um diodo é chamado de ponto quiescente
(ponto Q), que significa nível invariável ou estacionário.
• Dada um circuito com uma tensão contínua, no diodo aparecerão
uma determinada tensão e corrente que não se alterarão com o
tempo, definindo seu ponto de operação para esse circuito
Resistência dinâmica ou AC (rD)

• Se uma senóide, ao invés de uma tensão DC for aplicada ao diodo,

a situação mudará completamente.

• A entrada variando, moverá o ponto de operação para cima e

para baixo em uma região da curva, definindo uma mudança
específica na corrente e na tensão.

• Uma linha reta desenhada tangente à curva característica através

do ponto Q, definirá uma variação particular da tensão e da corrente
e pode ser usada para determinar a resistência ac ou dinâmica para
essa região da curva do diodo.

• Na forma de equação: rD = dVD / dID