DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS I

DIODOS

Instituto Federal Catarinense

Campus Blumenau
Curso de Engenharia Elétrica

Professor Damian Larsen Bogo

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• O mais simples e fundamental elemento não linear é o diodo.
• Assim como o resistor ele possui dois terminais, porém,
diferente do diodo que possui uma característica linear entre
tensão e corrente, o diodo não.
• Inicialmente iremos estudar o diodo ideal.
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DIODO IDEAL

• O diodo possuí dois terminais, chamados de ânodo e cátodo.

• Quando reversamente polarizado funciona como uma chave
aberta (tensão aplicada no diodo menor que zero).
• Quando diretamente polarizado funciona como uma chave
fechada (corrente aplicada no diodo maior que zero).
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DIODO IDEAL
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DIODO IDEAL
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DIODO IDEAL

• Uma aplicação típica e simples do diodo é como retificador.

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DIODO IDEAL
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DIODO IDEAL
• Exercício:
Dado circuito abaixo, determine qual a fração de cada ciclo que o diodo conduz.
Encontre também a corrente de pico sobre o diodo e a tensão máxima reversa que ele
precisa aguentar.
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DIODO IDEAL

• Outra aplicação é como porta lógica

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DIODO IDEAL

• Exercício:
Encontre os valores de I e V dos circuitos abaixo:
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DIODO IDEAL

• Exercício:
• Dado os circuitos abaixo, calcule o valor da corrente 𝐼 e a tensão 𝑉 usando o
modelo ideal.
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CARACTERÍSTICAS DA JUNÇÃO

• O diodo é basicamente formado pela junção pn, já estudada

anteriormente:
– A junção pn conduz uma alta corrente na polarização direta e quase
nada na reversa.
• Existem três regiões distintas:
– Região de polarização direta, 𝑣 > 0;
– Região de polarização reversa, 𝑣 < 0;
– Região de ruptura, 𝑣 < 𝑉𝑍𝐾 .
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CARACTERÍSTICAS DA JUNÇÃO
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CARACTERÍSTICAS DA JUNÇÃO

• Região de Polarização Direta:

– Conforme já visto, a relação de corrente-tensão pode ser dada pela
seguinte fórmula:

𝑣ൗ
𝑖 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝑇 −1

– Onde 𝐼𝑆 é uma constante para um diodo em específico a uma

específica temperatura. 𝐼𝑆 é usualmente chamado de corrente de
saturação.
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CARACTERÍSTICAS DA JUNÇÃO

• Região de Polarização Direta:

– A voltagem 𝑉𝑇 é chamada de tensão térmica, e pode ser obtida pela
seguinte fórmula:
𝑘𝑇
𝑉𝑇 =
𝑞
onde 𝑘 é a constante de Boltzmann, 𝑇 é a temperatura em kelvin e 𝑞 a
carga elementar do elétron.
– Em uma aproximação, temos que 𝑉𝑇 ≅ 25,85𝑚𝑉 a temperatura
ambiente (@300 𝐾)
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CARACTERÍSTICAS DA JUNÇÃO

• Região de Polarização Direta:

– Sabendo que na região de polarização direta temos 𝑖 ≫ 𝐼𝑆 , podemos
aproximar a corrente em:

𝑣ൗ
𝑖 ≅ 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝑇
– ou
𝑖
𝑣 = 𝑉𝑇 𝑙𝑛
𝐼𝑆
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CARACTERÍSTICAS DA JUNÇÃO

• Região de Polarização Direta:

– Se considerarmos para o mesmo diodo duas correntes distintas 𝐼1 e
𝐼2 , teremos duas quedas de tensão correspondentes 𝑉1 e 𝑉2

𝐼2 𝑉2 −𝑉1 ൗ
𝑉𝑇
≅𝑒
𝐼1
𝐼2
𝑉2 − 𝑉1 = 𝑉𝑇 𝑙𝑛
𝐼1
𝐼2
𝑉2 − 𝑉1 = 2,3𝑉𝑇 𝑙𝑜𝑔
𝐼1
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CARACTERÍSTICAS DA JUNÇÃO

• Região de Polarização Direta:

– Exemplo:
• Considere um diodo de silício, cuja a queda de tensão para uma corrente de
1𝑚𝐴 é 0,7𝑉, calcule a corrente de saturação para esse diodo. Agora,
considere um diodo que para uma corrente de 1𝐴 a queda de tensão é de
0,7𝑉, calcule a corrente de saturação.
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CARACTERÍSTICAS DA JUNÇÃO

• Região de Polarização Direta:

– Como tanto 𝐼𝑆 quanto 𝑉𝑇 estão em função da temperatura, temos
que a relação 𝑖 − 𝑣 varia com a temperatura. Para um determinado
diodo, com uma corrente constante, temos uma queda de
aproximadamente 2𝑚𝑉 para cada acrescimento de 1°𝐶.
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CARACTERÍSTICAS DA JUNÇÃO

• Região de Polarização Direta:

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CARACTERÍSTICAS DA JUNÇÃO

• Região de Polarização Direta:

– Exemplos:
• Ache a diferença da queda de tensão sob um diodo cuja a corrente mude de
0,1𝑚𝐴 para 10𝑚𝐴?
• Uma junção de diodo possui uma queda de tensão de 0,7𝑉 @ 𝑖 = 1𝑚𝐴. Ache
a queda de tensão para 𝑖2 = 0,1𝑚𝐴 e para 𝑖3 = 10𝑚𝐴.
• Sabendo que 𝐼𝑆 aumenta 15% a cada aumento de 1°𝐶, qual será o valor de 𝐼𝑆
a uma temperatura de 125°𝐶 sabendo que 𝐼𝑆 = 10−14 𝐴 a 25°𝐶?
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CARACTERÍSTICAS DA JUNÇÃO

• Região de Polarização Reversa:

– Como temos que 𝑣 é negativo e muitas vezes maior do que 𝑉𝑇 em
magnitude, o termo exponencial se torna insignificante, logo, a
corrente pode ser escrita somente em função de 𝐼𝑆 :
𝑖 ≅ −𝐼𝑆
– Dessa forma temos que o corrente na polarização reversa é constante
e igual a −𝐼𝑆 , por esse motivo chamamos 𝐼𝑆 de corrente de
saturação.
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CARACTERÍSTICAS DA JUNÇÃO

• Região de Polarização Reversa:

– Diodos reais, apresentam uma corrente reversa na onde de 1𝜂𝐴
diferentemente do valor de 𝐼𝑆 que gira na ordem de 10−14 e 10−15 .
A corrente reversa também aumenta com o aumento da tensão
reversa.
– Grande parte da corrente reversa é devido aos efeitos de fuga, sendo
proporcionais a área da junção, assim como 𝐼𝑆 . Porém,
diferentemente de 𝐼𝑆 , que aproximadamente dobra de valor a cada
aumento de 5°𝐶, a corrente em virtude dos efeitos de fuga dobra a
cada aumento de 10°𝐶
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CARACTERÍSTICAS DA JUNÇÃO

• Região de Polarização Reversa:

– Exemplo:
• Dado o diodo de alta corrente da figura abaixo e sabendo que a sua corrente
reversa de fuga é razoavelmente independente da tensão, encontre 𝑉@40°𝐶 e
𝑉@0°𝐶 , sabendo que 𝑉@20°𝐶 = 1𝑉.
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CARACTERÍSTICAS DA JUNÇÃO

• Região de Ruptura:
– Nessa região, a corrente reversa cresce rapidamente, enquanto a
queda de tensão varia muito pouco. Essa região normalmente não é
destrutiva, desde que a potência dissipada seja limitada por um
circuito externo (esse valor normalmente especificado no datasheet).
– Essa região é denotada por 𝑉𝑍𝐾 , onde Z é de zenner e 𝐾 de knee
(joelho). Mais a frente veremos aplicações de diodos nessa região.
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MODELAGEM DE UM DIODO NA POLARIZAÇÃO DIRETA

• O objetivo é analisar o circuito abaixo, afim de obter a tensão

sob o diodo 𝑉𝐷 e a corrente 𝐼𝐷 .
• Para tal, precisamos apresentar o diodo com um modelo, dos
quais já conhecemos o modelo exponencial e o modelo ideal.
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MODELAGEM DE UM DIODO NA POLARIZAÇÃO DIRETA

• Modelo Exponencial
– No modelo exponencial temos que:
𝑉𝐷
ൗ𝑉
𝐼𝐷 ≅ 𝐼𝑆 𝑒 𝑇

– aplicando a lei de Kirchhoff temos que:

𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷
𝐼𝐷 =
𝑅
– É possível resolver por uma análise interativa ou graficamente.
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MODELAGEM DE UM DIODO NA POLARIZAÇÃO DIRETA

• Modelo Exponencial (Análise Gráfica)

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MODELAGEM DE UM DIODO NA POLARIZAÇÃO DIRETA

• Modelo Exponencial (Análise Iterativa)

– Pode ser resolvido através de uma simples iteração, como pode ser
visto no exemplo:
• Encontre a corrente 𝐼𝐷 e a queda de tensão no diodo 𝑉𝐷 para o circuito
abaixo, onde 𝑉𝐷𝐷 = 5𝑉 e 𝑅 = 1𝑘Ω. Assuma que o diodo possui uma queda
de tensão 0,7V a corrente de 1𝑚𝐴 .
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MODELAGEM DE UM DIODO NA POLARIZAÇÃO DIRETA

• Modelo Equivalente Simplificado

– O modelo mais simples e usado para o diodo prevê uma queda de
tensão constante no mesmo (no caso do diodo de silício essa queda
de tensão é 0,7𝑉).
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MODELAGEM DE UM DIODO NA POLARIZAÇÃO DIRETA

• Modelo Equivalente Simplificado

– Exemplo:
• Encontre a corrente 𝐼𝐷 e a queda de tensão no diodo 𝑉𝐷 para o circuito
abaixo, onde 𝑉𝐷𝐷 = 5𝑉 e 𝑅 = 10𝑘Ω. Assuma que o diodo possui uma queda
de tensão 0,7𝑉 a corrente de 1𝑚𝐴 . Utilize (a) o modelo exponencial iterativo
e o (b) o modelo equivalente simplificado.
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MODELAGEM DE UM DIODO NA POLARIZAÇÃO DIRETA

• Exemplo:
• Encontre o valor de 𝑅 para que a tensão fornecida seja igual a 2,4𝑉. Assuma
que todos os diodos tenham uma queda de tensão de 0,7V a uma corrente de
1𝑚𝐴
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MODELAGEM DE UM DIODO NA POLARIZAÇÃO DIRETA

• Exemplo:
• Dado os circuitos abaixo, estime o valor da corrente 𝐼 e a tensão 𝑉 usando o
modelo equivalente simplificado do diodo (0,7𝑉 de queda).
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MODELAGEM DE UM DIODO NA POLARIZAÇÃO DIRETA
• Modelo de pequenos sinais:
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MODELAGEM DE UM DIODO NA POLARIZAÇÃO
DIRETA

• Modelo de pequenos sinais:

Utilizamos quando 𝑣(𝑑) menor que

5 𝑚𝑉.
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MODELAGEM DE UM DIODO NA POLARIZAÇÃO DIRETA
• Modelo de pequenos sinais:
– Com uma linha tangente traçada à curva no ponto 𝑄 definiremos
uma resistência CA ou dinâmica, que será válida para essa região do
diodo. A equação pode ser dada por:

Δ𝑉𝐷 𝑉𝑇
𝑟𝐷 = =
Δ𝐼𝐷 𝐼𝐷
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MODELAGEM DE UM DIODO NA POLARIZAÇÃO DIRETA
• Modelo de pequenos sinais:
– Exemplo:
• Considere o circuito abaixo, onde 𝑅 = 10𝑘Ω. A fonte de tensão 𝑉 + tem uma
tensão contínua de 10𝑉 com uma onda senoidal superposta com 1 𝑉𝑃 .
Calcule tanto a queda de tensão sob o diodo da parte contínua quanto a
amplitude da queda de tensão senoidal. Assuma que o diodo possua 0,7 𝑉 de
queda com uma corrente de 1𝑚𝐴
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MODELAGEM DE UM DIODO NA POLARIZAÇÃO DIRETA

• Modelo de pequenos sinais:

– Exemplo:
• Considere o circuito. A sequencia dos três diodos fornece uma tensão
constante de 2,1𝑉. Calcule a mudança da tensão de saída (a) causada pela
variação de ±10% na tensão de entrada e (b) com a conexão de uma carga
com 1𝑘Ω.
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MODELAGEM DE UM DIODO NA POLARIZAÇÃO DIRETA

• Modelo de pequenos sinais:

– Exemplo:
• Encontre o valor de 𝑟𝐷 para as seguintes correntes 0,1𝑚𝐴, 1𝑚𝐴 e 10𝑚𝐴.
• Considere um diodo conduzindo a 1𝑚𝐴. Encontre a diferença de corrente em
virtude da mudança de tensão por (a) −10𝑚𝑉, (b) −5𝑚𝑉, (c) 5𝑚𝑉 e (d)
10𝑚𝑉, usando o modelo de pequenos sinais e pelo modelo exponencial.
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MODELAGEM DE UM DIODO NA POLARIZAÇÃO DIRETA
• Modelo de pequenos sinais:
– Exemplo:
• Dado o circuito, sabendo que 𝑉0 = 3𝑉 quando 𝐼𝐿 = 0 A, e que
𝑉0 muda 20𝑚𝑉 para cada 1𝑚𝐴 de corrente de carga.
• Determine o valor de 𝑅 utilizando o modelo de pequenos
sinais.
• Ache 𝐼𝑆 para cada diodo;
• Utilizando o modelo exponencial para o circuito calculado em
(a) e (b), determine quanto 𝑉0 mudará quando 𝐼𝐿 = 1𝑚𝐴
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OPERAÇÃO NA REGIÃO DE RUPTURA – DIODO ZENER

• Os diodos zeners, são diodos fabricados especialmente para

funcionar na região de ruptura.
• Em aplicações normais, a corrente flui do cátodo para o ânodo.
Sendo assim, 𝐼𝑍 e 𝑉𝑍 são positivos.
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OPERAÇÃO NA REGIÃO DE RUPTURA – DIODO ZENER

• Modelo para o Diodo Zener:

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OPERAÇÃO NA REGIÃO DE RUPTURA – DIODO ZENER

• Modelo para o Diodo Zener:

𝑉𝑍 = 𝑉𝑍0 + 𝑟𝑍 𝐼𝑍

– Essa equação é válida para 𝐼𝑍 > 𝐼𝑍𝐾

e, obviamente, para quando 𝑉𝑍 >
𝑉𝑍0
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OPERAÇÃO NA REGIÃO DE RUPTURA – DIODO ZENER
• Diodo Zener como Regulador Shunt
– Exemplo: O diodo zener 6,8 𝑉 da figura a seguir tem as seguintes
especificações: 𝑉𝑍 = 6,8 𝑉 a uma corrente de 𝐼𝑍 = 5𝑚𝐴, 𝑟𝑍 = 20Ω, e
𝐼𝑍𝐾 = 0,2𝑚𝐴. A fonte de tensão 𝑉 + tem tensão nominal de 10𝑉 mas pode
variar ±1𝑉.
a) Ache 𝑉0 para o circuito sem carga e alimentando com a tensão nominal.
b) Ache a variação de 𝑉0 para uma variação da tensão de alimentação de
± 1𝑉. Note que ∆𝑉0ൗ∆𝑉 + é normalmente expresso em 𝑚𝑉Τ𝑉 e é chamado
de regulação de linha.
c) Ache a variação de 𝑉0 resultante da inserção de uma carga 𝑅𝐿 que drena
∆𝑉0
uma corrente de 𝐼𝐿 = 1𝑚𝐴. Encontre a regulação de carga ൗ∆𝐼𝐿 em
𝑚𝑉Τ𝑚𝐴 .
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OPERAÇÃO NA REGIÃO DE RUPTURA – DIODO ZENER

d) Ache 𝑉0 quando 𝑅𝐿 = 2𝑘Ω.

e) Ache 𝑉0 quando 𝑅𝐿 = 0,5𝑘Ω.
f) Qual o mínimo valor de 𝑅𝐿 para que o diodo continue funcionando na
região de ruptura?
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OPERAÇÃO NA REGIÃO DE RUPTURA – DIODO ZENER

• Exercícios:
– Um diodo zener, cuja a tensão nominal é 10 𝑉 a uma corrente de 10𝑚𝐴
tem uma resistência de zener de 50Ω. Qual a tensão esperada se a
corrente for reduzida pela metade? E dobrada? Qual o valor de 𝑉𝑍0 ?
– Um diodo zener tem uma tensão constante de 5,6𝑉 para correntes 5 vezes
maiores que a corrente 𝐼𝑍𝐾 . Para esse diodo 𝐼𝑍𝐾 = 1𝑚𝐴. Esse diodo está
sendo usado para um Regulador Shunt com uma fonte de alimentação de
15 𝑉. A corrente de carga varia entre 0𝑚𝐴 e 15𝑚𝐴. Ache o valor do
resistor 𝑅. Qual a potência máxima dissipada por esse diodo?
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OPERAÇÃO NA REGIÃO DE RUPTURA – DIODO ZENER

• Exercícios:
– Um Regulador Shunt utiliza um diodo zener cuja a tensão é 5,1𝑉 a
uma corrente de 50𝑚𝐴 e cujo 𝐼𝑍𝐾 = 7Ω. A fonte de alimentação do
regulador tem uma tensão de 15 𝑉 e um resistor de 200Ω. Qual a
tensão na carga? Ache a regulação de linha e de carga.
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CIRCUITOS DE RETIFICAÇÃO

• Uma das aplicações mais importantes dos diodos

são os circuitos de retificação.
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CIRCUITOS DE RETIFICAÇÃO

• Retificador de Meia-onda:
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CIRCUITOS DE RETIFICAÇÃO

• Retificador de Meia-onda:

𝑃𝐼𝑉 = 𝑉𝑆

Onde 𝑃𝐼𝑉 é a tensão de pico reversa

• É usual escolher diodos que tenham uma tensão
reversa pelo menos 50% maior que o 𝑃𝐼𝑉.
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CIRCUITOS DE RETIFICAÇÃO

• Retificador de Meia-onda:
– Exemplo:
Dado um retificador de meia onda:
(a) para o meio ciclo cujo o diodo conduz, a condução inicia no
ângulo 𝜃 = sin−1 (𝑉𝐷ൗ𝑉𝑆) e termina em (𝜋 − 𝜃).
(b) A tensão média 𝑣0 , onde 𝑉0 ≈ 1Τ𝜋 𝑉𝑠 − 𝑉𝐷ൗ2.
(c) A corrente de pico é (𝑉𝑠 −𝑉𝐷 ) /𝑅
Ache os valores para essas quantidades para o caso de uma
tensão de 12 𝑉 (rms) sinusoidal de entrada, 𝑉𝐷 ≈ 0,7V e 𝑅 =
100Ω. Ache também o valor de PIV.
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CIRCUITOS DE RETIFICAÇÃO

• Retificador de Onda Completa:

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CIRCUITOS DE RETIFICAÇÃO

• Retificador de Onda Completa:

𝑃𝐼𝑉 = 2𝑉𝑆 − 𝑉𝐷

• A tensão de pico reversa é quase duas vezes

maior que no caso do retificador de meia onda.
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CIRCUITOS DE RETIFICAÇÃO

• Retificador de onda completa:

– Exemplo:
Dado um retificador de onda completa:
(a) A saída de tensão é zero para o ângulo 2 sin−1 (𝑉𝐷ൗ𝑉𝑆),
centrado no ponto de cruzamento de zero da tensão de entrada.
(b) A tensão média 𝑣0 , onde 𝑉0 ≈ 2Τ𝜋 𝑉𝑠 − 𝑉𝐷 .
(c) A corrente de pico em cada diodo é (𝑉𝑠 −𝑉𝐷 ) /𝑅
Ache o porcentagem de tempo em que 𝑣0 > 0 𝑉, o valor de 𝑉0 , a
corrente de pico de cada diodo e ao valor de PIV, sendo que a
tensão de entrada é 12 𝑉 (rms) sinusoidal, 𝑉𝐷 ≈ 0,7V e 𝑅 =
100Ω.
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CIRCUITOS DE RETIFICAÇÃO

• Retificador em Ponte:
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CIRCUITOS DE RETIFICAÇÃO

• Retificador em Ponte:

𝑃𝐼𝑉 = 𝑉𝑆 − 2𝑉𝐷 + 𝑉𝐷 = 𝑉𝑆 − 𝑉𝐷
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CIRCUITOS DE RETIFICAÇÃO

• Retificador com Capacitor de Filtro:

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CIRCUITOS DE RETIFICAÇÃO
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CIRCUITOS DE RETIFICAÇÃO

• Retificador com Capacitor de Filtro:

– No caso meia onda

𝑉𝑝
𝑉𝑟 =
𝑓𝐶𝑅
2𝑉𝑝
𝐼𝐷𝑎𝑣 = 𝐼𝐿 1+𝜋 ൘𝑉
𝑟

2𝑉𝑝
𝐼𝐷𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝐿 1 + 2𝜋 ൘𝑉
𝑟
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CIRCUITOS DE RETIFICAÇÃO

• Retificador com Capacitor de Filtro:

– No caso onda completa

𝑉𝑝
𝑉𝑟 =
2𝑓𝐶𝑅
𝑉𝑝
𝐼𝐷𝑎𝑣 = 𝐼𝐿 1 + 𝜋 ൘2𝑉
𝑟

𝑉𝑝
𝐼𝐷𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝐿 1 + 2𝜋 ൘2𝑉
𝑟
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FOTODIODOS E DIODOS EMISSORES DE LUZ

• O fotodiodo é um dispositivo semicondutor de

junção p-n cuja região de operação é limitada à
condição reversa. A simbologia para o dispositivo
é mostrado abaixo
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FOTODIODOS E DIODOS EMISSORES DE LUZ

• Como o nome indica, o diodo emissor de luz

(LED) é aquele que emite luz visível ou invisível
(infravermelha) quando energizado.
 REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS
[1] BOYLESTAD, Robert L. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. 11. ed. São Paulo: Pearson Prentice Hall,
2013. 766 p.
[2] MALVINO, Albert Paul; BATES, David J. Eletrônica - Volume 1. 7.ed. São Paulo: McGraw-Hill, 2007. 672 p.
[3] MALVINO, A P. Eletrônica - Volume 2. 7ed. São Paulo: McGraw-Hill, 2008. p 576.
[4] CRUZ, Eduardo Cesar Alves; CHOUERI JÚNIOR, Salomão. Eletrônica analógica básica. 2. ed. São Paulo: Érica,
2014. 120 p
[5] GRAY, P.E., SEARLE,C.L.; Princípio de Eletrônica. Vol. 1. Livros Técnicos e Científicos, Rio de Janeiro, 1979.
[6] MILLMAN, J., HALKIAS, C.C.; Eletrônica. Vol. 1. McGraw-Hill, São Paulo, 1986.
[7] SEDRA, A. S., SMITH, K. C. Microeletrônica. 5. ed. São Paulo : Pearson Prentice Hall, 2007.
[8] FRENZEL, L. Eletrônica Moderna. 1ª ed. Porto Alegre. 2016. 820p.
[9] SEDRA, Adel S.; SMITH, Kenneth C. Microelectronic circuits. 7. ed. New York: Oxford University Press, 2014. 1488
p.
[10] HOROWITZ, Paul; HILL, Winfield. A Arte da Eletrônica: Circuitos Eletrônicos e Microeletrônica. 3. ed. Porto
Alegre: Bookman, 2017. 1160 p.
[11] HERMAN, Stephen L. Electronics for Electricians. 7. ed. Boston: Cengage Learning, 2016. 512 p.