Eletrônica Aplicada

Prof.: Flávio da Silva Vitorino Gomes

O Diodo

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 O diodo

Para se fabricar um diodo é necessária a formação de

uma junção metalúrgica P-N.
Inicialmente dopa-se uma das faces da lâmina de silício
intrínseco com dopantes tipo P. Em seguida dopa-se a
outra face da lâmina de silício com dopantes tipo N.
Desta forma obtem-se a junção PN.

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 O diodo

No momento da junção haverá uma corrente de

difusão, criando uma região de íons negativos e
positivos não combinados chamado de Região de
Depleção.

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 O diodo

A largura da região de depleção é dependente

dos níveis de dopagem dos materiais P e N.
O Campo elétrico que aparece na região de
depleção é chamada de Barreira de potencial.
À temperatura de 25o C, a barreira de potencial
é aproximadamente 0,3 V para o Ge (Germânio)
e 0,7 V para o Si (Silício).
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 O diodo

• Símbolo:

• O lado P da junção PN é conhecido como anodo (A)

do diodo e o lado N como catodo (K).

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 Polarização
das Junções

• Em uma junção PN polarizada diretamente, os

elétrons livres do lado N são atraídos pelo polo
positivo da fonte externa e as lacunas são forçadas a
entrar na região N.

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 Polarização
das Junções

• Os elétrons difundem-se pela região de depleção e

recombinam-se com as lacunas do material P.
• Os elétrons adquirem energia suficiente para superar
a barreira de potencial, produzindo um grande
aumento da corrente elétrica pelo diodo.

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 Polarização das
Junções

• A tensão direta aplicada tem que ser maior do que a

diferença de potencial que aparece na junção
(barreira de potencial) que, para o semicondutor de
silício, está compreendida ente 0,5 e 0,8 V;
• Para fins práticos o valor normalmente utilizado para
o silício é de 0,7 V.

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 Polarização das
Junções

• Em uma junção PN polarizada reversamente a fonte

de tensão está invertida aumentando a barreira de
potencial na junção.

10
 Polarização das
Junções

• O polo positivo atrairá os elétrons e o polo negativo

as lacunas, aumentando assim a barreira de
potencial, não havendo, portanto, condução de
corrente elétrica devido aos portadores majoritários,
existindo apenas uma corrente devido aos
portadores minoritários – corrente de Saturação (Is),
que para o Silício é da ordem de 10-9 A (nA).

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Tensão de Ruptura

• É o valor de tensão reversa que um diodo pode

suportar sem conduzir.
• Os portadores minoritários são acelerados e colidem
com os átomos do cristal produzindo elétrons livres,
que por sua vez colidem com outros átomos
liberando mais elétrons livres, que vão se somando
aos já existentes até que a corrente se torne muito
alta.
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Curva Característica

Equação de Shockley

Tensão térmica

(27oC)

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 Região de Ruptura

Embora a escala da figura anterior esteja em dezenas de volts

na região negativa, há um ponto em que a aplicação de uma
tensão suficientemente negativa (polarização reversa) resultará
em uma mudança brusca na curva característica, como
mostrado abaixo. A corrente aumenta a uma taxa muito rápida
em um sentido oposto ao da região de tensão positiva. O
potencial de polarização reversa que resulta nessa mudança
radical na curva característica é conhecido como potencial de
ruptura.

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Região de Ruptura

O potencial máximo de polarização

reversa que pode ser aplicado antes da
entrada na região de ruptura ou Zener é
chamado de tensão de pico inversa
(ou simplesmente PIV, do inglês Peak
Inverse Voltage) ou tensão de pico
reversa (PRV, do inglês Peak Reverse
Voltage).

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Silício, Germânio e
Gálio-Arsênio

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Efeito de Temperatura

Na região de polarização direta, a

curva característica de um diodo de
silício desvia-se para a esquerda a
uma taxa de 2,5 mV por aumento de
grau centígrado na temperatura.

Na região de polarização reversa, a

corrente reversa de um diodo de
silício dobra a cada elevação de 10
°C na temperatura.

A tensão de ruptura reversa de um

diodo semicondutor aumentará ou
diminuirá em função da temperatura.
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 O Diodo Ideal

O diodo semicondutor comporta-se de maneira semelhante a uma

chave mecânica na medida em que pode controlar se uma
corrente fluirá entre seus dois terminais. O diodo semicondutor é
diferente de uma chave mecânica porque, quando o chaveamento
for fechado, permitirá somente que a corrente flua em um
sentido.

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 O Diodo
Ideal x Real

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 Resistência do
Diodo

À medida que o ponto de operação de um diodo se move

de uma região para outra, a resistência do diodo também
mudará devido à forma não linear da curva característica.

20
Resistência CC ou
Estática

21
Resistência CC ou
Estática

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 Resistência CA ou
Dinâmica

Se for aplicada uma entrada

senoidal, em vez de uma entrada
CC, a situação mudará
completamente.

A entrada variável moverá o ponto

de operação instantâneo para cima
e para baixo em uma região da
curva característica e, assim,
definirá uma alteração específica em
corrente como mostrado na figura ao
lado.

23
 Resistência CA ou
Dinâmica

Deve-se fazer um esforço para manter a mudança em tensão e corrente tão

pequena quanto possível e equidistante de cada lado do ponto Q. Em forma de
equação:

De modo geral, portanto, quanto menor o ponto Q de operação (corrente menor

ou tensão inferior), maior a resistência CA.

24
Resistência CA ou
Dinâmica

25
 Resistência CA ou
Dinâmica

Descobrimos a resistência dinâmica graficamente, mas há uma definição básica

em cálculo diferencial que afirma:
A derivada de uma função em um ponto é igual à inclinação da linha tangente
traçada nesse ponto.

Então, se definirmos a derivada da Equação de Shockley relativa à polarização

aplicada resultará em:

Sabendo que ID >> Is , temos:

Invertendo:

Substituindo n e VT, temos:

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 Resistência CA
média

Quando o sinal de entrada é grande o suficiente para produzir uma amplitude

como a indicada na figura abaixo, a resistência associada ao dispositivo para
essa região é chamada de resistência CA média. Trata-se, por definição, da
resistência determinada por uma linha reta traçada entre as duas interseções
estabelecidas pelos valores máximo e mínimo da tensão de entrada.

27
Circuitos Equivalentes
do Diodo

Um circuito equivalente é uma combinação de elementos

adequadamente escolhidos para melhor representar as
características reais de um dispositivo ou sistema em
determinada região de operação.

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 Circuito Equivalente
Linear por Partes

Uma técnica para obter um circuito equivalente para um diodo é

aproximar a curva característica do dispositivo por segmentos de
reta (fonte Vcc + resistor + diodo ideal), como mostrado abaixo:

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 Circuito Equivalente
Simplificado

Na maioria das aplicações, a resistência r_av é pequena o suficiente

para ser desprezada na comparação com outros elementos da rede.
Remover r_av do circuito equivalente é o mesmo que considerar
que a curva característica do diodo apresenta a forma mostrada
abaixo:

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 Circuito Equivalente
Ideal

Agora que r_av foi retirado do circuito equivalente, avançaremos

um pouco, estabelecendo que um valor de 0,7 V pode ser muitas
vezes desprezado em comparação com o nível de tensão aplicada.
Nesse caso, o circuito equivalente será reduzido a um diodo ideal,
conforme mostra a figura abaixo:

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Circuitos Equivalentes

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 Folha de Dados do
Diodo

Os dados sobre dispositivos semicondutores específicos normalmente são

fornecidos pelo fabricante de duas formas. Com maior frequência, os dados são
apresentados por meio de uma breve descrição, que não se estende além
de uma página. Ou então é feita uma análise completa das características
utilizando gráficos, desenhos, tabelas etc. Em ambos os casos, há partes
específicas dos dados que devem ser incluídas para a utilização correta do
dispositivo.
São elas:
1. A tensão direta V_F (em corrente e temperatura específicas).
2. A corrente direta máxima I_F (a uma temperatura específica).
3. A corrente de saturação reversa I_R (a uma tensão e temperatura específicas).
4. A tensão reversa nominal [PIV ou PRV ou V(BR), em que BR vem do termo breakdown
(“ruptura”) a uma temperatura específica].
5. O valor máximo de dissipação de potência a uma temperatura específica.
6. Níveis de capacitância.
7. Tempo de recuperação reversa t_rr .
8. Faixa de temperatura de operação.
33
 Folha de Dados do
Diodo

Se a potência máxima ou dissipação nominal também for fornecida, será

considerada igual ao seguinte produto:

onde I D e V D são a corrente e a tensão no diodo em um ponto específico de operação.

34
Folha de Dados do
Diodo

35
Notação do Diodo
Semicondutor

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 Diodo Zener

A curva característica, nesta região, cai de forma quase vertical em um

potencial de polarização reversa denotado por Vz. Essa região de
características singulares é empregada no projeto dos diodos Zener, cujo
símbolo gráfico é mostrado abaixo:

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 Diodo Zener

Podemos controlar a localização da região Zener variando os níveis de

dopagem. Um aumento na dopagem, que produz um aumento no número de
impurezas adicionadas, diminuirá o potencial Zener. Diodos Zener estão
disponíveis com potenciais Zener de 1,8 a 200 V e potências nominais entre 14
W e 50 W.
Em função de suas excelentes características de temperatura e corrente, o
silício é o material mais utilizado em sua fabricação.

Seria interessante assumir que o diodo Zener fosse ideal com uma linha reta
vertical no potencial Zener. No entanto, existe uma ligeira inclinação na curva
característica que exige o modelo equivalente por partes que aparece na
Figura abaixo para essa região.

Para a maioria das aplicações, pode-se desprezar o elemento resistivo em

série e empregar o modelo equivalente reduzido de uma bateria CC de Vz
volts. 38
Diodo Zener

Não Condução Polarização Direta

Região Zener

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 Diodo Zener

Na Tabela abaixo, é fornecida a folha de dados para um diodo Zener de 10 V, 500 mW,
20%. Uma vez que se trata de um diodo de 20%, o potencial Zener da unidade é
selecionado de um lote (termo usado para descrever um pacote de diodos) e pode-se
esperar que varie de 10 V ± 20% ou de 8 a 12 V em sua faixa de aplicação.

A corrente de teste Izt é definida pelo nível de ¼ da potência. Trata-se da corrente que
definirá a resistência dinâmica Zzt e aparece na equação geral para a especificação de
potência do dispositivo. Isto é,

40
 Diodo Zener

O potencial Zener de um diodo Zener é muito sensível à temperatura de operação. O

coeficiente de temperatura pode ser utilizado para encontrar a alteração no potencial
Zener devido a uma mudança de temperatura por meio da seguinte equação:

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Diodo Zener

42
Diodo Emissor de Luz
(LED)

O uso crescente de displays digitais em calculadoras, relógios e todas as

formas de instrumentação tem contribuído para um interesse cada vez maior
em dispositivos que emitem luz quando devidamente polarizados. Atualmente,
os dois tipos de uso comum que realizam essa função são o diodo emissor de
luz (LED- light emitting diode) e o display de cristal líquido (LCD).

Como o nome indica, o diodo emissor de luz (LED) é aquele que emite luz
visível ou invisível (infravermelha) quando energizado. Em qualquer junção p-n
polarizada diretamente, existe, dentro da estrutura e principalmente próximo da
junção, uma recombinação de lacunas e elétrons.

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Diodo Emissor de Luz
(LED)

Essa recombinação exige que a energia do elétron livre não ligado seja
transferida para outro estado. Em todas as junções p-n semicondutoras, uma
parte dessa energia será liberada na forma de calor e outra parte, na forma de
fótons.

Em diodos de Si e Ge, a maior porcentagem de energia convertida durante a

recombinação na junção é dissipada na forma de calor no interior da estrutura,
e a luz emitida é insignificante. Diodos de GaAs emitem luz (invisível) na zona
de infravermelho durante o processo de recombinação na junção p-n.

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Diodo Emissor de Luz
(LED)

Ainda que a luz não seja visível, LEDs infravermelhos possuem inúmeras
aplicações nas quais a luz visível não é um efeito desejável. Incluem-se aí
sistemas de segurança, processamento industrial, acoplamento óptico, controles
de segurança como abridores de porta de garagem e entretenimento doméstico,
nos quais a luz infravermelha do controle remoto é o elemento controlador.
Por meio de outras combinações de elementos, uma luz visível coerente pode
ser gerada. A Tabela 1.9 fornece uma lista de semicondutores compostos
comuns e a luz que eles emitem.

45
Diodo Emissor de Luz
(LED)

Pode haver, evidentemente, alguma absorção dos pacotes de energia do fóton

na própria estrutura, mas uma porcentagem muito grande pode ser emitida,
como mostra a figura abaixo.

Assim como diferentes sons têm diferentes espectros de frequência (geralmente,

sons agudos têm componentes de alta frequência e sons baixos, uma variedade
de componentes de baixa frequência), o mesmo se dá com as diferentes
emissões de luz.
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Diodo Emissor de Luz
(LED)

O espectro de frequência para a luz infravermelha estende-se de cerca de 100

THz (T = tera = 1012 ) a 400 THz, com o espectro da luz visível estendendo-se de
cerca de 400 a 750 THz. É interessante notar que a luz invisível tem um espectro
de frequência inferior ao da luz visível.

De modo geral, quando se trata da resposta de dispositivos eletroluminescentes,

fala-se em seu comprimento de onda em vez de sua frequência. As duas
quantidades são relacionadas pela seguinte equação:

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Diodo Emissor de Luz
(LED)

48
Diodo Emissor de Luz
(LED)

A resposta do olho humano médio, como visto na figura abaixo, estende-se de

cerca de 350 a 800 nm, com um pico próximo de 550 nm.

49
Diodo Emissor de Luz
(LED)

O comprimento de onda e a frequência da luz de uma cor específica estão

diretamente relacionados ao gap de energia do material.

50
Diodo Emissor de Luz
(LED)

Por muitos anos, as únicas cores disponíveis eram verde, amarelo, laranja e
vermelho, permitindo a utilização dos valores médios de V F = 2 V e I F = 20 mA
para obter um nível de operação aproximado.

No entanto, com a introdução do azul, no início da década de 90, e do branco, no

fim dela, a magnitude desses dois parâmetros mudou.

Visto que a maior parte da iluminação de residências e escritórios é a luz branca,

agora temos outra opção em relação à iluminação incandescente e à
fluorescente. As características robustas da luz branca de LED, associadas a
uma durabilidade que excede 25 mil horas, sugerem claramente que esse será
um concorrente real no futuro próximo.

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Diodo Emissor de Luz
(LED)

Várias empresas passaram a oferecer lâmpadas LED de reposição para quase

todas as aplicações possíveis. Algumas têm valores de eficiência que chegam a
135,7 lúmens por watt, ultrapassando em muito os 25 lúmens por watt de alguns
anos atrás.
Prevê-se que, Intensidade relativa em breve, 7 W de potência serão capazes de
gerar 1.000 lm de luz, o que excede a iluminação de uma lâmpada de 60 W.
Imagine a mesma luminosidade com menos de 1/8 de demanda de potência.

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 Diodo Emissor de Luz
(LED)

Recentemente, os LEDs passaram a ser a escolha comum para lanternas e muitos automóveis
de luxo por causa da forte intensidade com menos requisitos de alimentação CC. O tubo de luz
da Figura 1.53(a) substitui a lâmpada fluorescente comumente encontrada nas luminárias de
teto, tanto residenciais quanto industriais. Não só elas consomem 20% menos energia
enquanto proporcionam 25% mais luminosidade como também duram o dobro do tempo de
uma lâmpada fluorescente padrão.

A lâmpada tipo spot da Figura 1.53(b) consome 1,7 watts para cada 140 lúmens de luz,
resultando em uma enorme economia de energia de 90% em comparação com o tipo
incandescente. As lâmpadas de candelabro da Figura 1.53(c) têm uma vida útil de 50 mil horas
e consomem apenas 3 watts de potência enquanto geram 200 lúmens de luz.

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 Referências

SEDRA, Adel S. e SMITH, Kenneth C.. Microeletrônica. . OXFORD UNIVERSITY

PRESS. 2004. – Capítulos 1 e 3.

R. L. Boylestad e L. Nashelsky. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. 8a.

Edição. Pearson Education do Brasil. 2004. – Capítulo 1.

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 Obrigado!

Professor: Flavio da Silva Vitorino Gomes

flavio@cear.ufpb.br