TEMA: Semicondutores

AULA: Diodos
 Diodos

Assuntos:

• Tipos de Semicondutores;

• Junção PN - Polarização Direta e Reversa;

• Diodo;

• Tensão de Ruptura;

• Dependência da Curva Caracterı́stica V x I com a Temperatura;

• Funcionamento do Diodo com Tensão Contı́nua e com Tensão Alternada;

• Linearização da Curva Caracterı́stica do Diodo.

Habilidades e Competências:

• Identificar os tipos de semicondutores;

• Conhecer as principais caracterı́sticas do diodo;

• Identificar e diferenciar o funcionamento do diodo em tensão contı́nua e em tensão alternada;

• Analisar a curva caracterı́stica do diodo.

Recursos:

• Kit XA102-Banco de ensaios para Eletrônica Analógica com Cartões de Experiências;

• Módulo XA100M02.01.01;

• Datasheet do diodo 1N4007.

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Semicondutores
Existem materiais que podem conduzir a corrente elétrica com facilidade, sendo denominados condu-
tores. Por outro lado, existem materiais em que a corrente elétrica não pode passar, pois o portador de
carga não tem mobilidade, são denominados isolantes. Dentre os isolantes temos alguns elementos que não
são nem bons condutores e nem ao menos isolantes. Estes elementos formam materiais semicondutores e
dentre eles, no uso de diodos, se destacam o Germânio (Ge) e o Silı́cio (Si).
Dopar um semicondutor significa adicionar átomos de impurezas (átomos diferentes do silı́cio) ao
cristal, a fim de aumentar o número de elétrons livres ou o número de lacunas livres. Neste caso, o
semicondutor é dito semicondutor extrı́nseco.

Semicondutor tipo N - Doadores

Pode ser obtido pela adição de átomos penta valente como: Arsênio, antimônio ou fósforo (doadores
de elétrons).

Figura 1: Efeito de impureza tipo N

De acordo com a figura 1, quatro dos cinco elétrons de valência participarão das ligações covalentes
com os átomos circundantes de Si. O quinto elétron de valência, fracamente ligado, fica sem lugar e
devido a agitação térmica ou outras causas quaisquer, o quinto elétron pode abandonar o átomo doador,
deixando no local um ı́on positivamente carregado, conforme figura 2.

Figura 2: Representação do semicondutor tipo N

Semicondutores tipo P - Aceitadores

É obtido pela adição de impurezas trivalentes como: Alumı́nio, boro ou gálio (aceitadores de elétrons).
A figura 3 mostra a dopagem do Silı́cio pelo elemento Boro.

Figura 3: Efeito da impureza tipo P

A quantidade de impurezas que devem ser adicionadas ao semicondutor para que haja um apreciável
efeito na condutividade é muito pequena. A proporção de 1/108 aumenta a condutividade do germânio, a
30o C, cerca de doze vezes. Através do controle de dopagem consegue-se uma modulação da condutividade
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do semicondutor extrı́nseco.

Junção PN
Suponhamos um cristal de silı́cio no qual, por meio de um processo qualquer, foi feita uma dopagem
diferente em duas regiões do mesmo, conforme figura 4.

Figura 4: Representação de uma Junção PN

Sabe-se que as partı́culas (elétrons e lacunas) estão em constante movimento randômico (movimento
aleatório), causado pela energia térmica fornecida pela temperatura ambiente. Temos na região P uma
elevada concentração de lacuna e, na região N uma baixa concentração (inversamente para elétrons).
Torna-se, portanto, razoavelmente lógico que, estando as lacunas submetidas a um movimento randômico
e havendo maior número de lacunas no lado P, mais lacunas deverão atravessar a superfı́cie do lado
esquerdo para o direito (e inversamente para os elétrons). Existe portanto, um processo de difusão de la-
cunas, do lado de maior concentração para o de menor concentração. Do mesmo modo, existe o fenômeno
de difusão de elétrons de uma região de alta concentração para uma região de baixa concentração.
Porém, quando os elétrons se difundem para o lado P, eles se recombinam com as lacunas, criando
uma região de ı́ons fixos, do lado N da junção ı́ons positivos e do lado P ı́ons negativos.
Cada vez que um elétron se difunde através da junção, ele cria um par de ı́ons, conforme figura 5.

Figura 5: Formação da região de depleção

Surge, portanto, a seguinte pergunta: até quando continua esta difusão?

Este processo não continua indefinidamente, pois as cargas da região de depleção começam a repelir a
aproximação de novos portadores de carga. Cada par de ı́on é denominado dipolo. Cada dipolo cria um
campo elétrico, que aumenta a cada par de ı́ons gerados. Este campo restringe a difusão, atingindo-se o
equilı́brio.
A região adjacente de cada lado da junção é, portanto, relativamente livre de lacunas e elétrons e, é
denominada região de depleção.
O campo elétrico (Eo ) entre cada lado da junção pode ser convenientemente representado por uma
bateria colocada através da junção (barreira de potencial Vo ).
Uma junção PN pode ser polarizada de duas formas: diretamente ou reversamente.

Polarização Direta

Suponhamos uma junção PN, com sua barreira de potencial Vo, a qual vai ligar uma bateria externa
V, como na figura 6.
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 Figura 6: Junção PN diretamente polarizada

A tensão V forma um campo elétrico (E1 ), através da junção, o qual se opõe ao campo elétrico da
região de depleção (Eo ), portanto, reduz seu efeito, diminuindo a barreira de potencial.
A bateria tenderá a empurrar as lacunas do lado P para o lado N, e elétrons do lado N para o lado
P. Esta corrente resultante é chamada de corrente direta.

Polarização Reversa

Se o terminal positivo da bateria é ligado ao lado N e o terminal negativo ao lado P, temos uma
junção polarizada reversamente, conforme figura 7.

Figura 7: Junção PN reversamente polarizada

O campo elétrico (E1 ) estabelecido por V é de polaridade tal que se soma ao campo elétrico (E0 )
da região de depleção, aumentando a barreira de potencial. A corrente no diodo, nesta situação, é
praticamente nula.
Na realidade flui uma pequena corrente negativa, pois um pequeno número de pares elétrons-lacuna é
gerado no cristal como resultado da agitação térmica. Esta corrente (da ordem de alguns micro amperes)
é denominada corrente de saturação reversa, pois independe da tensão da bateria. Mesmo aumentando
a tensão reversa, não aumentamos o número de portadores minoritários gerados térmicamente (até certo
limite - bloqueio corrente reversa).
Além disso, existe também uma pequena componente de corrente de fuga pela superfı́cie, que aumenta
ligeiramente com a tensão reversa.

Diodo
Vimos anteriormente que uma Junção PN polarizada diretamente permitia o fluxo de portadores de
um lado a outro de seus terminais e polarizada reversamente, bloqueava a corrente do circuito levando a
corrente a um valor extremamente baixo, a ponto de ser considerada desprezı́vel para a maioria de suas
aplicações.
O dispositivo obtido desta maneira é chamado diodo semicondutor de junção, cujo sı́mbolo é o da
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figura 8.

Figura 8: Diodo de junção

O circuito elétrico da figura 9, pode ser usado para se obter a curva de tensão em função da corrente
de um diodo polarizado diretamente.

Figura 9: Circuito para obtenção da curva caracterı́stica do diodo

Invertendo-se os pólos da fonte de tensão (E), da figura 9, obtém-se a curva de V x I para a região
de polarização reversa.
Na figura 10 pode-se observa uma curva caracterı́stica tı́pica para um diodo de silı́cio.

Figura 10: Caracterı́stica V x I de um diodo de silı́cio

Verificamos que no primeiro quadrante da figura 10 a corrente (I) cresce, de inı́cio, muito lentamente
com o aumento da tensão (V) e, a seguir muito rapidamente, atingindo correntes elevadas para valores
ainda pequenos de tensão. Continuando a aumentar a tensão (V) após aproximadamente 0,7[V] para o
diodo de Si, a resistência do diodo torna-se desprezı́vel, comparada com a resistência externa colocada
no circuito, e a relação tensão-corrente se torna linear.
No terceiro quadrante, a corrente é muito menor que a corrente direta e da ordem de micro amperes
ou mesmo nano amperes.

Tensão de Ruptura

Observa-se na curva caracterı́stica do diodo, de acordo com a figura 10, que se aumentarmos muito a
tensão reversa sobre o diodo, o mesmo atuará em uma região onde ocorre um aumento brusco de corrente
reversa.
O que ocorre é que quanto mais forte o campo externo, mais rápido se movem os elétrons minoritários.
Este elétron de altı́ssima velocidade colide com um elétron de valência (elétron da última camada), e, se
tiver energia suficiente, provoca a quebra de uma ligação covalente. Isto resulta em dois elétrons livres.
Estes dois elétrons livres irão colidir com mais dois e assim por diante. Tal fenômeno é denominado
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multiplicação por avalanche, podendo acarretar a destruição do diodo (em função da amplitude da tensão
reversa aplicada).

Dependência da Curva Caracterı́stica V x I com a Temperatura

A corrente de saturação reversa aumenta aproximadamente 7 [%/o C], ou seja, praticamente aumento
de 10[0 C] (1,0710 ≈ 2), conforme ilustrado na figura 11.

Figura 11: Efeito da temperatura sobre a corrente reversa

No primeiro quadrante da figura 11, observa-se que existe uma tensão de limiar Vy , abaixo da qual a
corrente é muito pequena. A figura 12 mostra o deslocamento de Vy com a temperatura.

Figura 12: Efeito da temperatura sobre a caracterı́stica direta

Funcionamento com Tensão Contı́nua

Analisemos o circuito esquematizado na figura 13.

Figura 13: O diodo com tensão contı́nua

Vamos considerar primeiro o caso de polarização direta. Aplicando a Lei de Kirchhoff à malha da
figura 13, tem-se a seguinte equação 1:

v =V −R×I (1)

Verificamos, então, que a relação entre v e I linear pode ser representado por uma reta num gráfico
v x I : é chamada reta de carga do circuito, de acordo com a figura 14.
É necessário notar ainda que v e I são variáveis, enquanto V e R são constantes. Com essa única
equação é impossı́vel determinar a tensão nas extremidades do diodo e a corrente circulante; já que
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qualquer par de valores correspondendo a um ponto da reta é solução do problema. Para determinarmos
o ponto de operação do diodo, necessitamos de mais uma relação entre v e I; além da equação dada.
Esta relação é fornecida, não sob a forma de equação, mas sob forma gráfica, exatamente pela curva
caracterı́stica do diodo.
Superpondo a curva caracterı́stica do diodo com a reta de carga, encontramos o par de valores (v, I)
que satisfaz o problema, que deve estar situado na interseção da reta com a curva (Ponto Q), de acordo
com a figura 14.

Figura 14: Determinação do ponto de operação

De acordo com a figura 14, o ponto Q é chamado Ponto de Operação, ponto quiescente, ou ponto Q
do diodo.
No caso da polarização reversa, só circulará pelo circuito a fraca corrente de fuga do diodo, que é
geralmente desprezada.

Funcionamento do Diodo com Tensão Alternada

Vamos aplicar ao circuito da figura 15 uma tensão alternada senoidal, tal que:

V1 = Vm .senωt (2)

Figura 15: Circuito elementar com diodo sob corrente alternada com carga puramente resistiva

Considere o primeiro semi-ciclo da tensão alternada vi . Neste intervalo, a tensão é positiva e o diodo
fica polarizado diretamente, deixando passar uma corrente que tem a mesma forma de onda da tensão de
entrada. No semi-ciclo seguinte, a tensão se torna negativa e o diodo é polarizado inversamente. Neste
caso ele oferece uma resistência muito grande à passagem de corrente, circulando somente a corrente de
fuga, que pode ser desprezada em comparação com a corrente direta, de acordo com a figura 15.

Linearização da Curva Caracterı́stica do Diodo

No funcionamento do Diodo com Tensão Contı́nua, observa-se que a solução exata do circuito da figura
13, exige a aplicação de métodos gráficos, por superposição de curvas. A partir daqui, abandonaremos a
vontade de estabelecer análises exatas e sim, estabeleceremos o grau de precisão que desejamos para a
solução do problema.
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 A escolha de qual modelo devemos utilizar depende muito da ordem de grandeza da precisão desejada.
Se estivermos fazendo uma análise preliminar, erros razoáveis podem ser aceitos. Não é necessário gastar
tempo se quisermos ter uma ideia básica de como trabalha o circuito. Outras vezes haverá necessidade
de muita precisão, ou seja, erros não maiores que 1 ou 2 %.

Primeira Aproximação
A primeira aproximação trata-se do diodo ideal, que atua como um circuito automático, sendo que,
conduz na direção direta e bloqueia na reversa. O diodo neste caso será modelado por uma simples
chave, de acordo com a figura 16, sendo que: SW aberta (polarização reversa) e SW fechada (polarização
direta).

Figura 16: O diodo ideal (primeira aproximação)

Esta primeira aproximação é usada quando a tensão é superior à 70[V] e a resistência externa (R)
maior do que 100[Ω]. Sendo que:

rF = resistência de corpo do diodo

Ou, quando a precisão admite erros de aproximadamente 10% e a resistência R for maior do que
10.rF .

Segunda Aproximação
Quando a tensão no circuito for grande, Vy pode ser desprezada, porém, para pequenas tensões
inferiores a 70 Volts, Vy deve ser considerada, de acordo com a figura 17.

Figura 17: Modelo linearizado do diodo (silı́cio) - Segunda aproximação

A segunda aproximação, segundo a figura 17, é usada quando rF pode ser desconsiderada, ou seja,
quando a resistência externa (R), for maior do que 100.rF , ou, para erros de aproximadamente 10%,
quando (R) for maior do que 10.rF .
A aproximação da figura 17 é a mais utilizada.

Terceira Aproximação
Quando tem-se pequenas tensões no circuito do diodo em análise, ou, quando a precisão exige pequenos
erros, a resistência de corpo (rF ) e a tensão de limiar (Vy ) não devem ser ignoradas, de acordo com figura
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18.

Figura 18: Modelo linearizado do diodo - Terceira aproximação

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Questão 1:

O que determina se um material é condutor, semicondutor ou isolante?

Questão 2:

Resumidamente, explique com suas palavras o que é um diodo e suas caracterı́sticas principais.

Questão 3:

O que acontece ao diodo se aplicarmos uma tensão reversa muito alta?

Questão 4:

Na polarização direta o potencial positivo deve estar ligado em qual terminal?

Questão 5:

Na polarização reversa o potencial positivo deve estar ligado em qual terminal?

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Usando a segunda aproximação do diodo (modelo simplificado) no circuito apresentado abaixo, en-

contre a tensão de alimentação E para produzir uma corrente de 10[mA] no diodo D1 (diodo de silı́-

cio) e demonstre que esta corrente através do diodo D1 é de 10[mA]. Utilize a 1a e 2a leis de Kirch-

hoff.

Dados: Fórmulas:

R1 = 100 [Ω] V = R.I

R2 = 220 [Ω]

R3 = 220 [Ω]

Cálculo:

Resposta:

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 Orientações ao Professor:

• Baixe na Exsto Academy e disponibilize aos alunos o datasheet do diodo: 1N4007;

• Auxilie na interpretação das caracterı́sticas do Diodo.

Dispositivo:

Diodo.

Manual:

1N4007 Datasheet. (TA = 25 ◦ C)

Caracterı́sticas Valor/Faixa Unidade

Tensão Reversa Repetitiva de Pico
Corrente Direta Retificada Média
Temperatura de Operação
Faixa de Temperatura de
Armazenamento
Potência de Dissipação
Resistência Térmica, Junção ao
Ambiente
Tensão Direta @ 1[A]
Corrente Reversa em TA =100[◦ C]

Compreensão:

a) O que é Corrente Reversa?

b) O que é Corrente Direta?

c) Analisando a curva caracterı́stica reversa na figura 4 do datasheet, qual a tensão de ruptura para o
diodo na temperatura ambiente?

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