Experimento 6 Fundamentos de Eletromagnetismo

DISPOSITIVOS NÃO-ÔHMICOS

Objetivos

¶ Observar através de circuitos simples o comportamento de dispositivos não-ôhmicos.

Introdução
Um resistor pode ser denido, no geral, como o elemento de circuito elétrico que produz
uma oposição à passagem da corrente elétrica. Os resistores ôhmicos são aqueles cuja re-
sistência elétrica independe da diferença de potencial aplicada entre os seus terminais e é
descrito matematicamente por
V
R= , (1)
i
essa equação corresponde à lei de Ohm e a curva V × i característica desses elementos é
descrita por uma reta.
Quando um dispositivo ôhmico é ligado a um circuito é observado dissipação de energia na
forma de calor, a variação da temperatura do resistor devido a esse fenômeno pode acarretar
no desvio da lei de Ohm, de forma que um aumento da temperatura leva a um aumento da
resistência elétrica R. A curva característica V × i desse tipo dispositivo é, em geral, uma
parábola, sendo a lâmpada incandescente um exemplo típico.
Existem outros tipos de materiais que não obedecem a lei de Ohm, como, por exemplo, os
semicondutores. Materiais semicondutores são a base dos dispositivos eletrônicos e, neles,
a lei de Ohm é observada apenas para campos elétricos pequenos. Um semicondutor pode
ter sua condutividade controlada por meio da adição de átomos de outros materiais, em um
processo chamado de dopagem.
Um diodo semicondutor consiste numa junção de uma camada de semicondutor tipo n
(elétrons livres são portadores de carga negativa) com outra de semicondutor tipo p (buracos
livres são portadores de carga positiva). Em semicondutores dopados, os elétrons e os

(a) (b)

Fig. 1: (a) Diodo semicondutor visto microscopicamente e (b) símbolo que o representa em circuitos. Figura retirada
de [2].

buracos são provenientes dos átomos dopantes, Fig. 1. Na junção do material do tipo n
com o material do tipo p os elétrons livres se recombinam com os buracos livres gerando
uma zona desprovida de portadores de carga. Os íons do material dopante geram um campo
elétrico que impede a continuidade da difusão de elétrons e buracos - região de depleção.
Quando a região do tipo p (anodo) está em um potencial maior do que a do tipo n
(catodo), Fig. 2(a), temos a polarização direta e pode ser observada uma corrente não nula
no circuito, já quando a região do tipo p está em um potencial menor, Fig. 2(b), temos
a polarização reversa e o diodo não permite a circulação de cargas, comportando-se como
uma chave aberta. Quando um diodo é polarizado diretamente, devemos considerar a queda
de tensão do diodo. Assim, em uma fonte de tensão polarizando diretamente um diodo de
silício, por exemplo, em série com uma resistência, 0,7 V ca no diodo.
Na polarização direta, somente com uma tensão superior à tensão de corte, VF , é observado

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(a) (b) (c)

Fig. 2: Circuito com um diodo em (a) polarização direta e (b) polarização reversa. (c) Curva característica de um
diodo. Figura retirada de [2].

corrente no circuito, Fig. 2(c), e a corrente em função da tensão, com V > 0, 1V , é dada
por
i = i0 e V0 ,
V
(2)
onde i0 é uma pequena corrente, aproximadamente constante, que aparece em polarização
direta, e V0 é uma constante de origem térmica.

+ Explique, do ponto de vista microscópico, as Fig. 2 (a) e (b).

PARTE EXPERIMENTAL

Materiais
ˆ Fonte de tensão contínua ˆ Resistor
ˆ 2 Multímetros ˆ Diodo
ˆ Lâmpada ˆ Cabos de ligação.

Procedimentos

¶ Curva V × i de uma lâmpada

ˆ Meça a resistência da lâmpada e do resistor disponíveis em sua bancada com um ohmí-
metro.
ˆ Monte o circuito da Fig. 3(a), usando um amperímetro em série com a lâmpada e um
voltímetro ligado em paralelo à ela (note que a tensão de interesse é a que passa por
ela) - o resistor serve para limitar a corrente que passa pelo circuito.
ˆ Colete valores de tensão sobre a lâmpada em função da corrente no circuito sendo que
os pontos coletados devem cobrir toda a faixa de 0 a 7,0 V (Sugestão: varie a tensão de

(a) (b)

Fig. 3: Esquema do circuito com (a) uma lâmpada e (b) um diodo.

2
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0,2 em 0,2 V até 2,0 V e, a partir daí, varie de 0,5 em 0,5 V) - não há necessidade da
lâmpada acender.
Não aplique mais de 7,0 V sobre a lâmpada, pois isso pode queimá-la.

ˆ Anote em uma tabela os valores de tensão e corrente, construa o gráco de V versus i

e discuta o resultado obtido. Lembre-se que, devido à presença do resistor, a tensão da
fonte não é igual à tensão sobre a lâmpada.
ˆ Faça um gráco da resistência V /i versus i. Analise o gráco obtido e discuta se ele
está de acordo com o esperado considerando que a resistência da lâmpada aumenta com
a temperatura.
ˆ Determine a região de tensão em que a lâmpada se comporta como um resistor ôhmico
e compare a resistência nessa região com a medida com o ohmímetro.
· Curva V × i de um diodo
ˆ Substitua a lâmpada pelo diodo, Fig. 3(b). Varie a tensão lentamente e identique o
valor da tensão de corte, VF (repita esta medida várias vezes, se necessário, e determine
seu valor médio com sua incerteza).
ˆ Meça a corrente no diodo em função da tensão e anote em uma tabela esses valores.
(Sugestão: inicialmente, varie a tensão de 0,02 em 0,02 V por alguns pontos a partir da
tensão de corte, então, varie de 0,05 em 0,05 V).
ˆ Na análise é mais usual fazer um gráco de i versus V . A partir desse gráco, faça uma
linearização e um regressão linear e determine o valor das constantes da eq. (2).
ˆ Inverta o diodo de modo que ele que polarizado reversamente e faça medidas variando
a tensão da fonte de 0 V a 7,0 V. Discuta esse resultado.

+ Considerando que a tensão de corte no diodo de germânio 0,3 V e no diodo de silício é 0,7 V, discuta de qual
elemento é o diodo usado na prática.

Referências
[1] SZE, S. M. Physics of Semicondutors Devices. 2. ed. New York: John Whiley, 1981.
[2] http://lilith.sica.ufmg.br/∼labexp/roteirosPDF/Diodo_semicondutor.pdf
[3] http://granada.ifsc.usp.br/labApoio/images/apostilas/sicaiii-200815.pdf