ELETRÔNICA ANALÓGICA

LISTA DE EXERCÍCIOS PARA REVISÃO

1. O processo de adição de outros materiais chamados impurezas ao cristal

de silício para mudar suas características elétricas é chamado:
A) Cristalização
B) Dopagem
C) Ionização
D) Ligação

2. Com base na teoria de semicondutores, coloque (V) para verdadeiro ou

(F) para falso e, em seguida, assinale a alternativa com a sequência
correta.
( ) I. Um semicondutor dopado é chamado de semicondutor intrínseco.
( ) II. Uma forma de aumentar a condutibilidade de um semicondutor é
através da dopagem.
( ) III. A polarização direta ocorre quando o terminal positivo de uma
fonte de tensão contínua é aplicado no terminal negativo do diodo.
( ) IV. Um diodo fortemente dopado possui uma camada de depleção
larga.

a) V–V–F–F
b) V–F–V–V
c) F–V–F–F
d) F–V–V–V

3. Os semicondutores mais utilizados na indústria de eletrônica são feitos a

partir de cristais de:
a) Silício e Germânio
b) Cobre e ouro
c) Alumínio e silício
d) Prata e bromo
e) Cobre e germânio

4. De acordo com a teoria para os dispositivos semicondutores, para o diodo

de silício afirma-se que:
I. A região de depleção é formada pelo deslocamento de cargas negativas
(elétrons) dentro de material tipo “N”.
II. A quantidade de portadores majoritários e minoritários não depende da
dopagem dos dois tipos de materiais, tipo “N” e tipo “P”.
III. A polarização reversa do diodo tende a diminuir a camada de depleção.
 IV. A camada de depleção é formada na junção entre os dois tipos de
materiais e será maior quanto maior for a dopagem dos materiais tipo “N”
e tipo “P”.
Está(ão) correta(s) apenas a(s) afirmativa(s)

a) II e III
b) I, III e IV
c) I e II
d) IV
e) II

5. Assinale a alternativa que descreve corretamente a ordem (da esquerda

para a direita) dos símbolos abaixo, usados em circuitos eletrônicos:

a) Resistor, capacitor variável, varistor e diodo.

b) Diodo, varistor, indutor e transistor.
c) Indutor, potenciômetro, diodo e capacitor.
d) Capacitor, indutor, diodo e transistor.
e) Capacitor, potenciômetro, indutor e diodo.

6. No circuito da figura a seguir, é correto afirmar que:

a) se E = 3 V, VD = 0,6 V e R = 500 Ω, logo o valor da corrente que flui

através do diodo será de 18 mA.
b) o ponto de corte da reta de carga intercepta o eixo de iD em iD = E/R.
c) o ponto de saturação da reta de carga intercepta o eixo de vD em vD
= E.
d) se R = 500 Ω e iD = 5 mA, logo a queda de tensão sobre o resistor é
de 2,5 V.
e) a corrente que flui através do diodo possui valor diferente daquela que
flui através do resistor.

7. Um diodo com tensão zener de 20 V e potência de 1.000 mW é alimentado

por uma fonte de 50 V. A corrente de zener mínima é igual a 10% da
corrente de zener máxima, e a corrente média de carga é igual a 10 mA.
O valor da resistência RS a ser ligada em série com esse diodo deve ser:

a) de 600Ω a 2.000Ω
b) de 500Ω a 2.000Ω

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 c) de 400Ω a 2.000Ω
d) de 600Ω a 2.500Ω
e) de 650Ω a 2.500Ω

8. Assinale a alternativa que apresenta a funcionalidade de um diodo zener

que se encontra na saída de um retificador e em paralelo com a carga
elétrica.
a) Filtrar ruídos de tensão.
b) Manter constante a tensão na carga.
c) Eliminar corrente de fluxo reversa.
d) Otimizar a relação potência de saída versus potência de entrada do
retificador.
e) Aumentar a impedância do circuito visto pelo retificador.

9. Considerando uma fonte C.C. de 12 V alimentando um circuito com um

diodo zener de 10 V cuja dissipação máxima de potência é de 30 mW.
Qual deve ser a resistência associada em série a esse zener, de forma
que o regulador de tensão formado pelo mesmo componente funcione
sem nenhuma carga associada em paralelo?
a) 500Ω
b) 66,6 Ω
c) 666,6 Ω
d) 50 Ω

10. Em circuitos retificadores de meia onda com diodo, é comum a inserção

de um capacitor em paralelo com a carga. Qual o efeito desse capacitor?
a) Aumento da tensão de pico na carga.
b) Diminuição da tensão de pico na carga.
c) Aumento do tempo de condução do diodo.
d) Diminuição do tempo de condução do diodo.

11. Tratando-se dos circuitos retificadores com diodo, marque verdadeiro (V)
ou falso (F), para as afirmações abaixo e, em seguida, assinale a
alternativa com a sequência correta:

a) V–V–V
b) F–F–F
c) V–F–V
d) F–V–F

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 12. A seguinte figura apresenta um transformador monofásico alimentando
uma carga puramente resistiva com uma potência de 220W.
Desconsidere as impedâncias internas e considere que a bobina primária
possui dez vezes mais espiras que a bobina secundária. Sabendo que a
tensão de pico da fonte é descrita por E = 311,13V e sua frequência é
de 60 hertz, assinale a alternativa correta.

a) Esse transformador é um rebaixador de tensão. A corrente eficaz na

bobina primária é de 10A e a tensão eficaz sobre a carga é de 22V.
b) Esse transformador é um elevador de tensão. A corrente eficaz na
bobina primária é de 1A e a tensão eficaz sobre a carga é de 2200V.
c) Esse transformador é um rebaixador de tensão. A corrente eficaz na
bobina secundária é de 7,07A e a tensão eficaz sobre a carga é de 31,1V.
d) Esse transformador é um elevador de tensão. A corrente eficaz na
bobina secundária é de 3,11A e a tensão eficaz sobre a carga é de 311V.
e) Esse transformador é um rebaixador de tensão. A corrente eficaz na
bobina primária é de 1A e a tensão eficaz sobre a carga é de 22V.

13. A figura abaixo ilustra aspectos construtivos e de circuitos de um

transformador monofásico com dois enrolamentos. No esquema
representado na figura, Np e Ns correspondem ao número de espiras
nos enrolamentos primário e secundário, respectivamente, e a
impedância de carga conectada ao secundário é ZL .

Se Np = 1.100 e Ns = 100, para uma tensão senoidal vg de amplitude

220 V aplicada ao enrolamento primário, qual a tensão na carga VL.
a) 15V
b) 10V
c) 25V
d) 20V

14. Considere um circuito retificador monofásico de meia onda a diodo,

alimentando uma carga puramente resistiva. Considere, também, que o
diodo seja ideal e que a fonte possua tensão eficaz de 127 V e o resistor

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 (carga) o valor de 100 Ω. Com base no exposto, assinale a alternativa que
apresenta o valor mais próximo da corrente média na carga.
a) 0,57
b) 0,13
c) 1,79
d) 0,28
e) 0,63

15. Em circuitos retificadores de média, cada diodo possui um ângulo de

condução de 180º. Nos retificadores de pico, cada diodo possui um ângulo
de condução de poucos graus. Isso acontece porque os diodos que
acompanham o filtro a capacitor são ligados por um breve intervalo de
tempo próximo ao pico. Considere que o retificador seja de onda completa
em ponte, possua uma frequência de linha de 60Hz, uma corrente de
carga de 25mA e um filtro a capacitor de 330μA, qual o valor da tensão
de ondulação.

a) Vond = 0,32V.
b) Vond = 0,63V.
c) Vond = 1,26V.
d) Vond = 1,89V.

16. Retificadores são circuitos eletrônicos que convertem a tensão alternada

em tensão contínua. Observe a imagem a seguir.

Considerando um retificador de onda completa, sem filtro a capacitor,

construído com diodos de silício ideais, utilizando um transformador com
tensão no secundário de 80Vac, calcule o valor da corrente direta (Io) e a
tensão de pico inversa (PIV) através de cada diodo.

a) Io = 720mA e PIV = 56,6V.

b) Io = 360mA e PIV = 56,6V.
c) Io = 720mA e PIV = 113,2V.
d) Io = 360mA e PIV = 113,2V.

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 17. Considere que no circuito subsequente, que apresenta uma uma fonte de
alimentação não regulada, os componentes sejam componente típicos
para esse tipo de fonte. Considere também que o valor do capacitor seja
de 2000 microfarads, que RL = 100Ω e que a tensão RMS no secundário
seja de 12V. Com relação a esse circuito, julgue o item a seguir.

A tensão média sobre o resistor de carga RL é menor que 12V.

a) Certo
b) Errado

18. Acerca das características elétricas de elementos de circuitos elétricos,

julgue o seguinte item abaixo.
Um transistor em estado de corte se comporta, idealmente, como um
interruptor fechado.

a) Certo
b) Errado

19. No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos

componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item
subsequente.
Para que transistores bipolares do tipo NPN operem na região ativa, é
necessário que a junção entre o coletor e a base seja submetida à
polarização reversa, e a junção entre base e emissor seja polarizada
diretamente.

a) Certo
b) Errado

20. Considere as seguintes afirmativas relativas aos transistores:

I. Construtivamente, o emissor é fortemente dopado, com grande número
de portadores de carga.
II. A base tem uma dopagem média e é muito fina, não conseguindo
absorver todos os portadores emitidos pelo emissor.
III. O coletor tem uma dopagem leve e é a maior das camadas, sendo o
responsável pela coleta dos portadores vindos do emissor.

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 IV. Semelhantemente aos diodos, são formadas barreiras de potencial
nas junções das camadas P e N.
V. Quando polarizado diretamente, a junção base emissor, e
inversamente a junção base-coletor, a corrente do coletor IC passa a ser
controlada pela corrente da base IB.

Está CORRETO apenas o que se afirma em:

a) I, III, IV e V.
b) I, II, III, IV e V.
c) I, II e V.
d) III, IV e V.
e) II, III, IV e V.

21. Determine a corrente de saturação ( Icsat ) para o circuito abaixo, para o

transistor em seu estado de saturação. Em seguida, marque a alternativa
que contém o valor correto de (Icsat), em mA.

a) 2
b) 4
c) 3,3
d) 6,6

22. Observe o circuito a seguir.

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 Marque a alternativa que contém um valor aproximado para os parâmetros do
circuito apresentado. (Desconsidere os capacitores).
a) IB = 15μA
b) IC = 3mA
c) VC = 4,5V
d) VCE = 3,5V

23. Acerca das correntes e tensões do transistor de junção bipolar, julgue as

sentenças:
I – Na polarização direta, a junção base emissor tem a mesma
funcionalidade da junção PN do diodo semicondutor, e portanto, a
diferença de potencial necessária pra quebrar a barreira de depleção
equivale a 0,7V para um TBJ de silício;
II – O Ganho de corrente do TBJ é a razão entre a corrente do coletor e
da base;
III – Aplicando-se a lei de kirchoff das tensões em um TBJ, tem-se que:
Vbe = Vce + Vcb;
IV – Aplicando-se a lei de kirchoff das correntes em um TBJ, tem-se que:
Ie = Ib + Ic

São corretas:
a) II e III
b) I, II e III
c) I e IV
d) II e IV
e) I, II e IV

24. A imagem a seguir representa um circuito de polarização direta para um

transistor bipolar de junção com VBE = 0,7V e β = 50.

a) IC = 3mA e está operando na região ativa

b) IC = 3mA e está operando na região de saturação
c) VCE = 6V e está operando na região de corte
d) IB = 64µA e está operando na região ativa
e) N.D.A

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 25. Para o circuito abaixo, são dadas as seguintes informações: VCC = 12 V,
VCE = 7 V, IB = 100 µA e β = 100.

Pode-se afirmar que a potência dissipada em RE , em mW, vale:

a) 7,5
b) 12,4
c) 70,3
d) 50,5
e) 100

26. Determine Ib, Ic, Vce, Vb, Vc, Vbc no circuito abaixo. Considere a queda
de tensão entre a base e o emissor de 0,7V (ignorar os capacitores no
cálculo):

27. Para o circuito abaixo, determine Ib, Ic, Vce, Vc, Vb, Ve, Vbc. Considere
a queda de tensão entre a base e o emissor de 0,7V (ignorar os
capacitores no cálculo).

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 28. Determine Ic e Vce para Beta igual à 90 e 135 no circuito da figura abaixo
e considerando a queda de tensão entre a base e o emissor de 0,7V
(ignorar os capacitores no cálculo).

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