Princípios de Eletrônica

Prof. Marcus Vinicius Figueiredo

RECIFE, 2022
Uma tensão CC é comumente produzida por uma bateria; uma tensão CA é produzida por um gerador elétrico.
Existem dois tipos de elementos encontrados nos circuitos elétricos: elementos passivos e elementos
ativos. Um elemento ativo é capaz de gerar energia enquanto um elemento passivo não é.

Exemplos de elementos passivos são resistores, capacitores e indutores; os elementos ativos típicos
são geradores, baterias e amplificadores operacionais.
Resistência
Leis de Kirchhoff
Resistores em série e divisão de tensão
Resistores em paralelo e divisão de corrente
A análise nodal fornece um procedimento genérico para análise de circuitos usando tensões nodais como
variáveis de circuitos.
A análise de malhas usa as correntes de malha como variáveis de circuito, o que reduz o número de
equações que devem ser resolvidas.

Uma malha é um laço que não contém qualquer outro laço dentro de si.
Em diversas situações práticas, um circuito é projetado para fornecer potência a uma carga.
Capacitores
Capacitor é um elemento passivo projetado para armazenar energia em seu campo elétrico.

Em diversas aplicações práticas, as placas podem ser constituídas por folhas de alumínio, enquanto o
dielétrico pode ser composto por ar, cerâmica, papel ou mica.
Para o capacitor de placas paralelas, mostrado na Figura 6.1, a capacitância é dada por

Relação corrente-tensão do capacitor:

A potência instantânea liberada para o capacitor é
Indutor é um elemento passivo projetado para armazenar energia em seu campo magnético.
Uma vez que o capacitor está carregado inicialmente, podemos
supor que no instante t = 0 a tensão inicial seja
A derivada da função degrau unitário u(t) é a função impulso unitário d(t), que é escrita como segue
Resposta a um degrau é a resposta do circuito decorrente de uma
aplicação súbita de uma fonte de tensão ou de corrente CC.
Diodos Semicondutores

1.1 INTRODUÇÃO

O primeiro dispositivo eletrônico a ser apresentado aqui é

o mais simples de todos, mas possui uma gama de
aplicações que parece interminável.
1.2 MATERIAIS SEMICONDUTORES: Ge, Si E GaAs

Os semicondutores são uma classe especial de elementos cuja condutividade está entre a de um
bom condutor e a de um isolante.

Duas classes: cristal singular e composto.

• germânio (Ge) e silício (Si)

• arseneto de gálio (GaAs), sulfeto de cádmio (CdS), nitreto de gálio (GaN) e fosfeto de
arseneto de gálio (GaAsP)

Os três semicondutores mais frequentemente usados na construção de dispositivos eletrônicos são

Ge, Si e GaAs.
Germânio (Ainda utilizado)

• Utilizado desde o descobrimento do diodo (1939) e do transistor (1947).

• Relativamente fácil de encontrar.
• Disponível em quantidades razoavelmente grandes. Relativamente fácil de refinar até obter níveis
muito elevados de pureza.
• Diodos e transistores construídos tendo o germânio como material de base sofriam de baixos níveis
de confiabilidade, principalmente por causa de sua sensibilidade a variações de temperatura.

Silício (Mais utilizado, inclusive em processadores)

• Menos afetado pela temperatura,

• Em 1954, o primeiro transistor de silício foi lançado, logo tornando-se o material semicondutor
preferido. O silício é um dos materiais mais abundantes da terra.
• As comportas foram abertas para esse novo material.

Arseneto de gálio GaAs (Utilizados em CIs de larga escala e alta velocidade)

• Desenvolvido por necessidade de mais velocidade no campo da eletrônica.

• Desenvolvimento do primeiro transistor de GaAs, no início da década de 70.
1.3 LIGAÇÕES COVALENTES E MATERIAIS INTRÍNSECOS
Os elétrons livres em um material devido somente a causas externas são chamados de portadores
intrínsecos.
 Diferença importante e interessante entre semicondutores e condutores:

No caso dos condutores, a resistência aumenta à medida que o calor aumenta. Isso ocorre porque os
números dos portadores em um condutor não aumentam de modo significativo em função da
temperatura, mas seu padrão de vibração sobre uma posição relativamente fixa torna cada vez mais
difícil um fluxo contínuo de portadores por todo o material.

Os materiais semicondutores exibem um aumento do nível de condutividade mediante a aplicação de

calor. À medida que a temperatura sobe, um número crescente de elétrons de valência absorve
energia térmica suficiente para quebrar a ligação covalente e contribuir com o número de portadores
livres.

Portanto: Materiais semicondutores têm um coeficiente de temperatura negativo.

 1.4 NÍVEIS DE ENERGIA

• Fotodetectores sensíveis à luz e sistemas

de segurança sensíveis ao calor – aplicações Ge,
sensibilidade ruim para Transistores (elementos estáveis).
1.5 MATERIAIS DOS TIPOS n E p

Um material semicondutor que tenha sido submetido ao processo de dopagem é chamado de

material extrínseco:

• materiais do tipo n e do tipo p.

Tanto os materiais do tipo n quanto os do tipo p são formados pela adição de um número
predeterminado de átomos de impureza a uma base de silício.
 Material do tipo n

Um material do tipo n é criado pela introdução de

elementos de impureza que têm cinco elétrons de
valência (pentavalentes), tais como antimônio,
arsênio e fósforo.

Impurezas difundidas com cinco elétrons de

valência são chamadas de átomos doadores.
 Material do tipo p

O material do tipo p é formado pela dopagem

de um cristal puro de germânio ou silício com
átomos de impureza que possuem três
elétrons de valência.

Os elementos mais comumente utilizados

para esse fim são boro, gálio e índio.

As impurezas difundidas com três elétrons de

valência são chamadas de átomos
aceitadores.

O espaço vazio resultante é chamado de

lacuna e representado por um círculo
pequeno ou um sinal positivo, indicando a
ausência de uma carga negativa. Uma vez
que a lacuna resultante aceitará prontamente
um elétron livre:
 Fluxo de elétrons versus fluxo de lacunas

O sentido a ser usado neste livro é o do fluxo convencional, que é indicado pelo sentido do fluxo da
lacuna.
 Portadores majoritários e minoritários
No estado intrínseco, os espaços vazios deixados para trás na estrutura de ligação covalente representam
nossa quantidade bem limitada de lacunas.

Em um material do tipo n [Figura 1.11(a)], o elétron é Em um material do tipo p, a lacuna é o portador

chamado de portador majoritário e a lacuna de portador majoritário e o elétron é o portador minoritário.
minoritário.
OBS: Quando o quinto elétron de um átomo doador deixa o átomo de origem, o átomo restante
adquire uma carga líquida positiva: daí o sinal positivo na representação do íon doador. Pelos
mesmos motivos, o sinal negativo aparece no íon aceitador.

Os materiais dos tipos n e p representam os blocos de construção básicos dos dispositivos

semicondutores.
1.6 DIODO SEMICONDUTOR

O diodo semicondutor, cujas aplicações são numerosas demais para serem citadas, é criado pela
simples junção de um material do tipo n com outro do tipo p, nada mais, apenas a união de um
material com a maioria dos portadores elétrons a outro com a maioria dos portadores lacunas.
 Sem polarização aplicada (V = 0 V)
No instante em que os dois materiais são “unidos”, os elétrons e as lacunas na região da junção
se combinam, resultando em uma falta de portadores livres na região próxima à junção, tal como
mostrado na Figura 1.12(a).

Na ausência de uma polarização aplicada a um diodo semicondutor, o fluxo líquido de carga em um sentido é igual
a zero.
Em outras palavras, a corrente sob a condição sem polarização é igual a zero.
Condição de polarização reversa (VD < 0 V)

A corrente existente sob condição de

polarização reversa é chamada de
corrente de saturação reversa e
representada por Is.
Equação de Shockley
Os diodos que empregam apenas
essa porção da curva de uma
junção p-n são chamados de
diodos Zener.
Na região de polarização direta, a curva
característicade um diodo de silício desvia-se para
a esquerda auma taxa de 2,5 mV por aumento de
grau centígrado na temperatura.
2.2 ANÁLISE POR RETA DE CARGA

Resolver o circuito da
figura significa determinar
os valores de corrente e
tensão que vão satisfazer
ao mesmo tempo tanto as
características do diodo
quanto os parâmetros de
circuito escolhidos.
 Na Figura 2.2, a curva característica do diodo é colocada sobre o mesmo conjunto de eixos de uma
linha reta definida pelos parâmetros do circuito.

O ponto de operação é
normalmente chamado de
ponto quiescente (abreviado
por “ponto Q”) para refletir
suas qualidades de
“imobilidade, inércia” definidas
A interseção das duas curvas vai definir a solução para o circuito e por um circuito CC.
determinar seus valores de corrente e tensão.
Para todas as análises a seguir, neste capítulo, suponhamos que a resistência direta do diodo seja
geralmente tão pequena, em comparação com os outros elementos em série do circuito, que possa
ser desprezada.
2.6 ENTRADAS SENOIDAIS: RETIFICAÇÃO DE MEIA-ONDA
Transformador com derivação central
TRANSISTOR
O que é um transistor?
É um componente eletrônico semicondutor de 3 regiões semicondutoras.

Aplicações:
• Chave eletrônica
Processamento de sinais (eletrônica digital)
Acionamento de motores.
• Amplificador
• Oscilador

Classificação:
• Unipolares: FET (JFET e MOSFET) e TUJ

• Bipolares: TBJ (Transistor bipolar de junção)

E se houvesse um dispositivo na qual fosse possível regular essa resistência não sendo apenas pode ou não
pode passar corrente?
 COLETOR

BASE Transistor desse circuito possui um ganho

de 100, pois ele amplifica a corrente da base
em 100 vezes.
EMISSOR
Simbologia (com ou sem o círculo):
 COLETOR
A corrente da base controla a corrente que
BASE entra no coletor. É como se fosse o abrir e
fechar da torneira controlando se sai muita
ou pouca água.
EMISSOR
Os dois parâmetros são adimensionais.
CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM

Essa terminologia deriva do

fato de a base ser comum
tanto na entrada quanto na
saída da configuração. Além
disso, ela é normalmente o
terminal cujo potencial está
mais próximo do potencial
terra ou está efetivamente
nele.
Ponto de acionamento ou parâmetros de entrada
Parâmetros de saída
CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM
CONFIGURAÇÃO COLETOR-COMUM
Região Ativa (linear)
Região de corte (Ib = 0)