ELETRÔNICA

FUNDAMENTAL I

1
 SEMICONDUTORES
CLASSIFICAÇÃO DE MATERIAIS
É definida em relação à condutividade elétrica. De uma maneira
geral os materiais podem ser divididos em:
Condutores
Facilita o fluxo de carga elétrica
Condutores elétricos são materiais de baixa resistividade.
Isolantes
Dificulta o fluxo de carga elétrica
Isolantes elétricos são materiais de alta resistividade, de modo
que os portadores de carga (elétrons e íons) têm dificuldade de
se movimentarem através dos mesmos.
Semicondutores
Os semicondutores são uma classe especial de elementos cuja
condutividade está entre a de um bom condutor e a de um
isolante.
 SEMICONDUTORES
Resistividade (ρ)
A resistividade elétrica é uma propriedade que define o quanto um material opõe-se à
passagem de corrente elétrica, de forma que: quanto maior for a resistividade elétrica de um
material, mais difícil será a passagem da corrente elétrica, e quanto menor a resistividade, mais
ele permitirá a passagem da corrente elétrica

Oposição ao fluxo de carga elétrica.

Onde:
ρ é a resistividade elétrica específica do material
A é a área de seção transversal do condutor.
R é a resistência elétrica
l é o comprimento do condutor

Resistividade típica (Semicondutores Elementares):

Condutor Semicondutor Isolante
Cobre: ρ ≈10-6 Ω.cm Silício: ρ ≈50 x 10+3 Ω.cm Mica: ρ ≈10+12 Ω.cm
Germânio: ρ ≈ 50 Ω.cm
 SEMICONDUTORES
A manufatura de cada dispositivo eletrônico especifico de estado sólido
(estrutura de cristal rígido) ou circuito integrado é iniciado com um
material semicondutor característico.

Via de regra, os materiais semicondutores recaem em uma de duas

classes: cristal singular e composto. Os de cristal singular, como
germânio (Ge) e silício (Si), têm uma estrutura de cristal repetitiva,
enquanto os compostos, como arseneto de gálio (GaAs), sulfeto de
cádmio (CdS), nitreto de gálio (GaN) e fosfeto de arseneto de gálio
(GaAsP), constituem-se de dois ou mais materiais semicondutores de
estruturas atômicas diferentes.
Os três semicondutores mais regularmente usados na construção de
dispositivos eletrônicos são Ge, Si e GaAs.
 SEMICONDUTORES

Os componentes fundamentais de um átomo são o

elétron, o próton e o nêutron. Na estrutura de treliça,
nêutrons e prótons formam o núcleo enquanto os
elétrons aparecem em órbitas fixas ao redor do núcleo.
O modelo de Bohr para os três materiais é fornecido na
Figura 1 a seguir:
 SEMICONDUTORES
Figura 1. Estrutura atômica de (a) silício, (b) germânio e (c) gálio e arsênio .

Fonte: Adaptado de BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos
 SEMICONDUTORES
Assim como indicado na Figura anterior o silício tem 14 elétrons em órbita, o
germânio tem 32, o gálio, 31, e o arsênio, 33 (o mesmo arsênio que é um agente
químico extremamente venenoso). No germânio e no silício, há quatro elétrons na
camada mais externa, chamados de elétrons de valência. O gálio tem três elétrons
de valência e o arsênio, cinco. Os átomos que possuem quatro elétrons de valência
são chamados de tetravalentes, aqueles com três elétrons são os trivalentes e os
com cinco, pentavalentes. O termo valência é usado para indicar que o potencial
(potencial de ionização) necessário para remover algum desses elétrons da
estrutura atômica é significativamente menor do que o requerido para qualquer
outro elétron na estrutura.

Em um cristal puro de silício ou germânio, os quatro elétrons de valência de um

átomo formam um arranjo de ligação com quatro átomos adjacentes, como
mostrado na Figura 2 a seguir.
 SEMICONDUTORES

O termo intrínseco aplica-se a qualquer material semicondutor que tenha sido

cuidadosamente refinado para reduzir o número de impurezas a um nível muito baixo
— essencialmente, com o grau máximo de pureza disponibilizado pela tecnologia
moderna.
 SEMICONDUTORES
.Figura 3. Ligação covalente de um átomo de Silício

Fonte: Adaptado de BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos

Essa ligação de átomos, reforçada pelo compartilhamento de elétrons, é

chamada de ligação covalente
SEMICONDUTORES
SEMICONDUTORES
 SEMICONDUTORES
NÍVEIS DE ENERGIA
Dentro da estrutura atômica de todo e qualquer átomo isolado, há níveis
específicos de energia associados a cada camada e elétron em órbita, como
mostrado na Figura 4. Os níveis de energia associados a cada camada serão
diferentes para cada elemento. No entanto, de modo geral:
Quanto maior a distância de um elétron em relação ao núcleo, maior o estado
de energia, e qualquer elétron que tenha deixado seu átomo de origem tem um
estado de energia mais alto do que qualquer outro elétron na estrutura
atômica.
Figura 4. Níveis de energia: (a) níveis discretos em estruturas atômicas isoladas; (b) bandas de condução
e valência de um isolante, um semicondutor e um condutor.
 SEMICONDUTORES
Observe na Figura 4(a) anterior, que somente níveis específicos de energia podem
existir para os elétrons na estrutura atômica de um átomo isolado.

Um elétron na banda de valência do silício deve absorver mais energia do que outro na banda
de valência do germânio para se tornar um portador livre. Da mesma forma, um elétron na
banda de valência do arseneto de gálio deve ganhar mais energia do que outro no silício ou
germânio para entrar na banda de condução.
SEMICONDUTORES
SEMICONDUTORES
SEMICONDUTORES
 SEMICONDUTORES
Um material semicondutor que tenha sido submetido ao processo de dopagem é
chamado de MATERIAL EXTRÍNSECO.

Na Figura 4, as unidades de medida são os elétron-volts (eV). Ela é adequada

porque W (energia) = QV (conforme definida pela equação da tensão: V = W/Q).
Substituindo-se a carga de um elétron e uma diferença potencial de 1 V, obtém-se
um nível de energia conhecido como elétron-volt. Isto é:

W = QV
= (1,6 × 10–19 C) (1 V)
= 1,6 × 10–19 J

1eV = 1,6 x 10-19 J

 SEMICONDUTORES

Camada de depleção

• No lado N os elétrons repelem-se em todas as direções,

inclusive alguns elétrons são lançados através da junção PN

• recombina-se com uma lacuna e deixa de ser elétron livre

e passa a ser um elétron de valência

• Na verdade temos a geração de um íon positivo no lado P

e um íon negativo no lado N

Essa região de íons positivos e negativos descobertos é chamada região de

depleção devido ao “esgotamento” de portadores livres na região.
 SEMICONDUTORES

Todos os portadores minoritários de material do tipo n que se encontrarem

na região de depleção passarão diretamente para o material do tipo p.
 DIODOS
DIODO SEMICONDUTOR
Agora que tanto o material do tipo n quanto o do tipo p
estão disponíveis, pode-se construir o primeiro dispositivo
eletrônico de estado sólido. O diodo semicondutor, cujas
aplicações são numerosas demais para serem citadas, é
criado pela simples junção de um material do tipo n com
outro do tipo p, nada mais, apenas a união de um material
com a maioria dos portadores elétrons a outro com a
maioria dos portadores lacunas.
A tensão VD proporcionada pela barreira de potencial no interior do diodo,
depende do material utilizado na sua fabricação. Valores aproximados para os
diodos de germânio e silício são VD = 0,3 [V] e VD = 0,7 [V], respectivamente.
 DIODOS
DIODO IDEAL
Por diodo ideal entende-se um dispositivo que apresenta características ideais de
condução e bloqueio.
Um diodo ideal, polarizado diretamente, deve conduzir corrente elétrica sem apresentar
resistência, comportando-se como um interruptor fechado. O interruptor fechado é,
portanto, o circuito equivalente para o diodo ideal em condução.
Polarizado inversamente, o diodo semicondutor ideal deve comportar-se como um isolante
perfeito, impedindo completamente o fluxo de corrente. O interruptor aberto é, portanto,
o circuito equivalente para o diodo ideal na condição de corte.

Idealmente conduz corrente em somente uma direção

 DIODOS
Operação Básica
Idealmente conduz corrente em somente uma direção

e age como uma chave aberta quando polarizado inversamente

 DIODOS
Características de um diodo ideal: Região de Condução

Olhe o eixo horizontal!

Na região de não condução, idealmente
• toda a tensão está através do diodo,
• a corrente é 0A,
• a resistência reversa (RR) é definida como RR = VR/IR,
• o diodo age como uma chave aberta.
 DIODOS
Condições de Operação
Sem Polarização (No Bias)
Nenhuma voltagem externa é aplicada: VD = 0V e nenhuma corrente está fluindo
ID = 0A.

Existe somente uma modesta camada de depleção.

 DIODOS
Polarização Direta (Forward Bias)
A tensão externa é aplicada através da junção p-n na mesma polaridade dos
materiais tipo-p e tipo-n.
A camada de depleção é fina. Os elétrons trafegam do material tipo-n e as lacunas
através do material tipo-p possuindo energia suficiente para atravessar a junção.
DIODOS
 DIODOS

ID = Is(e kVD/TK
- 1) ou ID = Is.e kVD/TK
- Is
Is = Corrente de saturação reversa
k = 11.600/η com η = 1 para o Ge e 2 para o Si em níveis relativamente baixos de
corrente do diodo (ou abaixo do joelho da curva) e η = 1 para Ge e Si para níveis
maiores de corrente de diodo (no trecho onde a curva acentua-se rapidamente).
TK = Tc + 273.
 DIODOS
Condição de Polarização Reversa
A voltagem externa é aplicada através da junção p-n em polaridade oposta dos
materiais tipo-p e tipo-n.

Isso causa uma larga camada de depleção.

Os elétrons no material tipo-n são atraídos em
direção ao terminal positivo e as lacunas no
material tipo-p são atraídas em direção ao
terminal negativo
 DIODOS
Diodo Semi -Ideal
Polarização Direta
Com respeito às características de condução do diodo semicondutor, deve-se
levar em conta que o diodo entra em condução efetiva apenas a partir do
momento em que a tensão da fonte externa atinge um valor ligeiramente
superior ao valor Vγ da barreira de potencial.
Deve-se também considerar a existência de uma resistência elétrica através da
junção quando o diodo está sob polarização direta. Essa resistência existe em
qualquer semicondutor, devido a colisões dos portadores com a rede cristalina do
material. O valor da resistência interna dos diodos em estado de condução é
normalmente inferior a 1 [].
 DIODOS
Polarização Direta
Assim, um modelo mais aprimorado para o circuito equivalente do diodo em
condução pode ser obtido pela associação série de um resistor RD, representativo da
resistência direta de condução, com uma fonte de tensão VB correspondente ao
valor da barreira de potencial na junção:

Em situações em que o diodo é utilizado em série com componentes que exibem

resistências muito superiores à sua resistência de condução, esta pode ser
desprezada e o diodo pode ser considerado como ideal, sem que se incorra em
um erro significativo:
DIODOS
 DIODOS

Polarização Reversa
Sempre existe uma corrente de fuga, quando o diodo é inversamente polarizado,
correspondendo à passagem de portadores minoritários através da junção. Essa
corrente de fuga é geralmente da ordem de alguns [μA], o que indica que a
resistência da junção inversamente polarizada pode chegar a vários [MΩ], podendo
ser modelado como apresentado abaixo:
 DIODOS

RESUMINDO