Introdução

• Já se passaram mais de 50 anos desde a introdução do primeiro transistor em 23

de dezembro de 1947.

• O transistor da época foi baseado nas válvulas termoiônicas.

• Ao longo das décadas essa tecnologia foi substituída pelos dispositivos

semicondutores, mantendo-se o mesmo princípio básico.

• Além disso, outro processo que foi muito importante é a miniaturização dos
dispositivos semicondutores (diodos e transistores).

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 Materiais semicondutores puros

• A expressão semicondutor
fornece uma dica sobre suas
características.

• O prefixo semi normalmente se

aplica a uma faixa de níveis
que se situa entre dois limites.

• Os materiais semicondutores
possuem 4 elétrons de valência.
Os semicondutores usados com
maior frequência são o
germânio e silício.
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Ligação covalente entre átomos de silício

• Embora na ligação covalente (compartilhamento

de elétrons da camada de valência) não esteja
associada com elétrons livres, os materiais
semicondutores podem absorver energia cinética
e assumir o estado ‘livre’.

• Esse fato leva os materiais semicondutores a

assumir um estado de material condutor.

• O termo ‘livre’ revela que seu movimento é

bastante sensível a campos elétricos aplicados
como os estabelecidos pelas fontes de tensão ou
por qualquer diferença de potencial.
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 Materiais tipos n e p

• As características dos materiais semicondutores podem ser consideravelmente

alteradas pela adição de determinados átomos.

• Embora adicionadas apenas na razão de uma parte em 10 milhões, essas impurezas

podem alterar suficientemente a estrutura de banda para modificar por completo as
propriedades elétricas do material.

• Um material semicondutor submetido ao processo de dopagem é chamado de

material extrínseco.

• Há dois materiais extrínsecos imprescindíveis para a fabricação de um dispositivo

semicondutor: o material do tipo n e o material do tipo p.

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 Material tipo n
• O material do tipo n é criado com a
introdução dos elementos de impureza que
têm cinco elétrons de valência (pentavalente),
como o antimônio, o arsênio e o fósforo.

• Observe que existe um quinto elétron

adicional devido à existência do átomo de
impureza.

• Esse elétron adicional, tenuemente ligado a

seu átomo de origem (antimônio), está
relativamente livre para se mover dentro do
recém-formado material do tipo n.

• As impurezas difundidas com cinco elétrons

de valência são chamados de átomo doadores 5
 Efeito da dopagem tipo n

• Em um material de Si intrínseco (sem dopagem) existe cerca de um elétron livre para

cada átomos.

• Se o nível de dosagem fosse 1 em 10 milhões (, a razão melhorou em vezes.

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 Material tipo p

• O material do tipo p é obtido dopando-se um

cristal de germânio ou silício puro com
átomos de impureza que possuam três
elétrons de valência. Os elementos mais
comumente utilizados para esse propósito são
o boro, o gálio e o índio.

• Note que há agora um número insuficiente de

elétrons para completar as ligações
covalentes da rede recém-formada.

• O espaço vazio resultante é chamado de

lacuna.

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 Material tipo p

• O espaço é representado por um pequeno círculo ou sinal positivo devido à ausência de

uma carga negativa.

• Com o efeito da dopagem tipo p, essa lacuna criada aceitará rapidamente um elétron
livre.

• As impurezas difundidas com três elétrons de valência são chamadas átomos

aceitadores.

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 Diodo semicondutor

• O diodo semicondutor é formado pela simples união desses materiais

(construídos a partir da mesma base – Ge ou Si).

• Neste caso existe a união de um material com a maioria dos portadores de

elétrons a outro com a maioria dos portadores lacuna.

Os elétrons em excesso no material tipo p são

atraídos pelo material tipo p.

As cargas positivas presentes no material tipo p

são atraídas pelo material tipo n.

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Diodo semicondutor

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Diodo semicondutor: ideal

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Nomenclatura utilizada para os terminais do diodo

Quando o diodo está diretamente polarizado, significa

que a tensão de anodo é maior que a tensão de catodo.

O diodo conduz (chave fechada)

Quando o diodo está reversamente polarizado, significa

que a tensão de catodo é maior que a tensão de anodo.

O diodo não conduz (chave aberta)

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Diodo ideal x Diodo real

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 Queda de tensão direta (VD)

• A queda de tensão (VD) nos diodos é típica de:

 Aproximadamente 0,7 V (Si)

 Aproximadamente 0,3 V (Ge)

Potência dissipada (PD)

• A potência dissipada pelo diodo é dada pela queda de tensão entre seus
terminais e a corrente que trafega entre os mesmos. Portanto, a potência
dissipada em um diodo é:

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 Exercícios

• Para o circuito abaixo, determine a corrente I R, a tensão VR e a potência

dissipada pelo diodo PD. Considere o diodo feito de silício.

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 Exercícios

• Determine os níveis de
resistência CC do diodo
utilizando sua curva.

 a) ID = 2 mA;
 b) ID = 20 mA;
 c) VD = -10 V (polarização
reversa);

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Simuladores: Tinker cad

https://www.tinkercad.com/

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