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Programa da aula
 Introdução
 Bandas de Energia
 Definição - Materiais
 Semicondutores Tipo N e P
 Diodo Semicondutor
 Junção PN
 Polarização Direta e Inversa
 Principais Especificações
 Curva Característica e Reta de Carga
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 Introdução
 Antes de entrarmos no assunto propriamente
dito, é necessário fazermos algumas
considerações sobre o material de que são feitos
alguns dos mais importantes componentes
eletrônicos, tais como: diodos e transistores
entre outros; este material é conhecido como
semicondutor.

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 Bandas de Energia
 Um átomo é formado por elétrons que giram ao
redor do núcleo (prótons e nêutrons).
 O número de elétrons, prótons e nêutrons é
diferente para cada tipo de elemento químico.

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Figura 1 - Modelo atômico de Niels Bohr
 Bandas de Energia
A quantidade de elétrons da última camada
define quantos deles podem se libertar do átomo
em função da absorção de energia externa ou se
esse átomo pode se ligar a outro através de
ligações covalentes.

Figura 2 - Elétron Livre e Banda de condução

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 Bandas de Energia
 Os
elétrons da banda de valência são os que têm
mais facilidade de sair do átomo.
 Elestêm uma energia maior
 Por causa da distância ao núcleo ser grande, a força
de atração é menor (menor energia externa)
A região entre uma órbita e outra do átomo é
denominada banda proibida, onde não é possível
existir elétrons.
 O tamanho da banda proibida na última camada
de elétrons define o comportamento elétrico do
material.
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Bandas de Energia

Energia Energia Energia

Banda de condução Banda de Condução Banda de Condução

Banda Proibida Banda Proibida

Banda de Valência Banda de Valência Banda de Valência

Figura 3 - Isolantes, Condutores e Semicondutores

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 Bandas de Energia
 Material isolante: banda proibida grande
exigindo do elétron muita energia para se livrar
do átomo.
 Material condutor: um elétron pode passar
facilmente da banda de valência para a banda de
condução sem precisar de muita energia.
 Material semicondutor: um elétron precisa dar
um salto pequeno. Os semicondutores possuem
características intermediárias em relação aos
dois anteriores.
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 Definição – Materiais
 Condutor é qualquer material que sustenta um
fluxo de carga, quando uma fonte de tensão
com amplitude limitada é aplicada através de
seus terminais.
 Isolante é o material que oferece um nível muito
baixo de condutividade sob pressão de uma
fonte de tensão aplicada.
 Um semicondutor é, portanto, o material que
possui um nível de condutividade entre os
extremos de um isolante e um condutor.
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 Definição – Materiais
A classificação dos materiais em condutor,
semicondutor ou isolante é feita pelo seu valor
de resistividade (ρ).
 A Tabela I apresenta os valores de resistividades
típicos dos materiais.
Tabela I – Valores de resistividade típicos

Condutor Semicondutor Isolante

1.72x10-6 Ω-cm (Cobre) 50 Ω-cm (Germânio) 1012 Ω-cm (Mica)
2.82Ω-cm (Alumínio) 50x10³ Ω-cm (Silício)
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 Definição – Materiais
 Semicondutores Intrínsecos
 Os semicondutores mais comuns e mais utilizados
são o silício (Si) e o germânio (Ge).
 Eles são elementos tetravalentes, possuindo quatro
elétrons na camada de valência.

Figura 4 - Representação Plana dos Semicondutores

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 Definição – Materiais
 Semicondutores Intrínsecos
 Cada átomo compartilha 4 elétrons com os
vizinhos, de modo a haver 8 elétrons em torno
de cada núcleo

Figura 5 – Compartilhamento de elétrons

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 Semicondutores Tipo N e P
 Seum cristal de silício for dopado com átomos
pentavalente (arsênio, antimônio ou fósforo),
também chamados de impurezas doadora, será
produzido um semicondutor do tipo N (negativo)
pelo excesso de um elétron nessa estrutura.

Figura 6 – Semicondutor tipo N

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 Semicondutores Tipo N e P
 Material semicondutor tipo N

Figura 7 – Semicondutor tipo N com Arsênio

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 Semicondutores Tipo N e P
 Assim,o número de elétrons livres é maior que o
número de lacunas. Neste semicondutor os
elétrons livres são portadores majoritários e as
lacunas são portadores minoritários.
- - - + - -
- - - - - -
- + - - - -
- - - - - -
- - - + - -
- - - - - -
- - + - - -

Figura 8 - Semicondutor Tipo N

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 Semicondutores Tipo N e P
 Se um cristal de silício for dopado com átomos
trivalente (alumínio, boro ou gálio), também
chamados de impurezas aceitadora, será
produzido um semicondutor do tipo P (positivo)
pela falta de um elétron nessa estrutura.

Figura 9 – Semicondutor tipo P

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 Semicondutores Tipo N e P
 Material semicondutor tipo P

Figura 9 – Semicondutor tipo P com Índio

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 Semicondutores Tipo N e P
 Assim, o número de lacunas é maior que o
número de elétrons livres. Neste semicondutor
as lacunas são portadores majoritário e os
elétrons livres são portadores minoritários.
- + + + +
+ + + + +
+ + + - +
+ + + + +
+ - + + +
+ + + + +
+ + + - +

Figura 8 - Semicondutor Tipo P

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 Diodo Semicondutor
 Junção PN
A união de dois cristais (P e N) provoca uma
recombinação de elétrons e lacunas na região da
junção, formando uma barreira de potencial.
íons negativos íons positivos

- + + + + - - - + - -
+ + + + + - - - - - -
+ + + - + - + - - - -
+ + + + + - - - - - -
+ - + + + - - - + - -
+ + + + + - - - - - -
+ + + - + - - + - - -
P N
Barreira

Figura 9 – Barreira de Potencial

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 Diodo Semicondutor
 Junção PN
 Cadalado do diodo recebe um nome: O lado P
chama-se de anodo (A) e o lado N chama-se de
catodo (K).
A K
P N

A K

Figura 1 – Imagem e símbolos do Diodo

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 Diodo Semicondutor
 Polarização direta da junção PN
 Consiste em colocarmos o terminal positivo da
bateria no elemento P da junção PN e o terminal
negativo da bateria ao lado N.

Figura 1 – Junção PN polarizada diretamente

21
 Diodo Semicondutor
 Polarização inversa da junção PN
 Consiste em colocarmos o terminal positivo da
bateria no elemento N junção PN e o terminal
negativo da bateria no lado P.

Figura 3 – Junção PN polarizada inversamente

22
Diodo Semicondutor

23
 Diodo Semicondutor
 Principais Especificações do Diodo
 Na polarização direta só existe corrente elétrica
se a tensão aplicada ao diodo for maior que Vd
(0,7V). Existirá uma corrente máxima que o
diodo poderá conduzir (Idm) e uma potência
máxima de dissipação (Pdm): Pdm = V.Idm
 Na polarização reversa existe uma tensão
máxima chamada de tensão de ruptura ou
breakdown (Vbr) e uma corrente muito pequena
denominada de corrente de fuga.(If) 24
 Diodo Semicondutor
 Curva Característica do Diodo
 Na polarização direta

Figura 4 – Diodo polarizado diretamente e sua curva característica

25
 Diodo Semicondutor
 Curva Característica do Diodo
 Na polarização inversa

Figura 5 – Diodo polarizado inversamente e sua curva característica

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 Diodo Semicondutor
 Curva Característica do Diodo
 Gráfico completo

Figura 6 – Curva característica do Diodo 27

 Diodo Semicondutor
 Reta de Carga
 Método para determinar o valor exato da
corrente e da tensão sobre o diodo.

Figura 7 – Reta de carga do Diodo 28

 Diodo Semicondutor
 Aproximações do Diodo
 1ª aproximação (Diodo ideal)

Figura 15 – Diodo como chave

29
 Diodo Semicondutor
 Aproximações do Diodo
 2ª aproximação

Figura 16 – Diodo como chave e fonte

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 Diodo Semicondutor
 Aproximações do Diodo
 3ª aproximação

Figura 17 – Diodo como chave, fonte e resistência 31

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Programa da aula
 LED
 FOTODIODO
 OPTOACOPLADOR
 DIODO ZENER

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 LED
 Num diodo, quando
polarizado diretamente,
uma grande quantidade
de portadores atravessa a
junção e alguns deles
recombinam-se com
átomos ionizados. Nesse
processo, os elétrons
perdem energia na forma
de radiação, liberando de
energia na forma de luz. 34
 LED

Esse diodos são chamados de diodos emissores de luz ou

LED (Light Emitting Diode) e podem emitir luz visível,
infravermelho ou ultravioleta.

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LED

A K

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 LED
 Os LEDs de luz visível são fabricados acrescendo
partículas de fósforo, podendo irradiar luz verde,
vermelha, amarela, laranja ou azul. Sendo
utilizados na sinalização de aparelhos eletrônicos
 Os LEDs infravermelhos são fabricados com InSb
(antimoneto de Índio) com aplicação em
alarmes, transmissão de dados por fibra ótica,
controle remoto e etc.
 Os LEDS ultravioletas são fabricados a partir do
sulfato de Zinco (ZnS).
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LED

Rs ID

+
9V + VD
-

Polarização direta do LED

38
LED

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 FOTODIODO
 Um fotodiodo é um diodo com uma janela sobre
a junção PN que permite a entrada da luz. Essa
luz produz elétrons livres e lacunas aumentando
a quantidade de portadores, o que controla a
corrente reversa.
Fotodiodo ou fotodíodo é um
A K dispositivo semicondutor que
converte luz em corrente
elétrica.

Representação gráfica do Fotodiodo 40

FOTODIODO

41
 FOTODIODO
 Desta forma, quanto maior a incidência de luz,
maior a corrente no fotodiodo polarizado
reversamente.
 Deve-se sempre liga-los em série com um
resistor limitador de corrente, para não danificá-
los quando os mesmos ficarem polarizados
diretamente.
 Os fotodiodos são sensíveis a luz infravermelha,
ultravioleta, etc. sendo aplicados em alarmes,
medidores de intensidade luminosa e etc.
42
FOTODIODO

Rs IR

Fotodiodo polarizado reversamente

43
FOTODIODO

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 OPTOACOPLADOR
 Um optoacoplador (ou acoplador óptico) nada
mais é do que um LED associado a um fotodiodo
num mesmo invólucro. A sua representação é
mostrada abaixo:
Um opto-isolador é um
componente eletrônico
Rs Rs
1 2

V
1
+ que transfere sinais
V
2 elétricos entre dois
circuitos isolados
usando luz.
Representação gráfica do Optoacoplador
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 OPTOACOPLADOR
 Quando o LED é polarizado diretamente ele
emite uma luz que atinge o fotodiodo, fazendo
com que sua corrente reversa seja proporcional
a intensidade luminosa emitida pelo LED.

 Issosignifica que a corrente de saída depende

da corrente de entrada mesmo havendo uma
isolação elétrica entre os dois estágios. O meio
transmissor é a luz.
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 OPTOACOPLADOR
 Este
dispositivo é muito utilizado em aparelhos
com circuitos em altas e baixas tensões,
permitindo uma isolação segura entre eles.

 Também são utilizados na decodificação de

sinais pulsados, como em mouses, leitura de
cartões perfurados, etc.

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 DIODO ZENER
O diodo zener é um dispositivo que tem quase
as mesmas características que um diodo normal.
A diferença está na forma como ele se comporta
quando está polarizado reversamente.
 No diodo normal, polarizado reversamente,
ocorre um fenômeno chamado de efeito
avalanche ou efeito zener, que consiste num
aumento repentino da corrente reversa,
dissipando potência suficiente para ruptura da
junção PN, danificando o diodo.
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 DIODO ZENER
A tensão na qual ocorre o efeito zener é
chamada de tensão de ruptura ou Breakdown
voltage (VBR)
 O diodo zener é construído com uma área de
dissipação de potência suficiente para suportar o
efeito avalanche. Assim, a tensão na qual este
efeito ocorre é denominado de tensão zener (VZ)
e pode variar em função do tamanho e do nível
de dopagem da junção PN. Comercialmente são
encontrados diodos com VZ de 2 a 200 volts.
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 DIODO ZENER
 Nestaregião, o diodo zener dissipa uma potência
PZ que pode ser calculada por:

PZ = VZ . IZ

 Com esta sua propriedade de tensão constante a

grande aplicação do diodo Zener é de atuar
como regulador de tensão.
50
Fim

OBRIGADO

<leonel89panda@mail.ru>

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