Módulo:

Analisar e Testar Fontes Electrónicas de Alimentação

ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA INDUSTRIAL CV3

Tema: Fundamentos de Semicondutores

Formador:
MSc. Lino Alfredo de Castro

1 Maputo 6/30/2020
 Definições Básicas

1.Condutor é qualquer material que apresenta um nível elevado de

condutividade sob pressão de uma fonte de tensão aplicada, isto é,
facilita a passagem da corrente elétrica com menor dificuldade.

2.Isolante é o material que oferece um nível muito baixo de

condutividade sob pressão de uma fonte de tensão aplicada.

3.Um semicondutor éo material que possui um nível de

condutividade entre os extremos de um isolante e um condutor, isto é,
a condução assim como a bloqueio da corrente são condicionados
(temperatura,tensão ).

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 Classificação dos Materiais

A classificação dos materiais em condutor, semicondutor ou

isolante é feita pelo seu valor de resistividade (ρ).

A Tabela I apresenta os valores de resistividades típicos dos

materiais.

Condutor Semicondutor Isolante

1.72x10-6 Ω-cm (Cobre) 50 Ω-cm (Germânio) 1012 Ω-cm (Mica)
2.82Ω-cm (Alumínio) 50x10³ Ω-cm (Silício)

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 Semicondutores Intrínsecos

São semicondutores sem impurezas, isto é puros sem átomos de outros elementos químicos
Os semicondutores mais comuns e mais utilizados são o silício (Si) e o
germânio (Ge). Ambos são elementos tetravalentes, ou seja, apresentam
quatro eletrões na camada de valência.

Figura 4 – Estrutura interna do Ge e Si

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 Dopagem de Semicondutores
A dopagem é um processo de adição de átomos de outros elementos, tais
como Índio (In) e Arsênio (As) no silício ou germânio. Os elementos
adicionados são designados por impurezas (doadoras ou aceitadoras).

Se o cristal de silício for dopado com átomos pentavalente (impurezas

doadora) tais como, arsênio, antimônio ou fósforo, produz-se um
semicondutor do tipo N (negativo). Portanto,o fluxo da corrente neste material é
devido à electrões

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Figura : Material do tipo N
 Dopagem de Semicondutores
Se um cristal de silício for dopado com átomos trivalente (alumínio,
boro ou gálio), impurezas aceitadora será produzido um semicondutor
do tipo P (positivo) pelo falta de um eletrão nessa estrutura. Portanto,o
Emissor
fluxo da corrente neste material é devido à lacunas

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 Semicondutores– Resumo

Semicondutores intrínsecos:
Semicondutores sem impurezas

Semiconductores extrínsecos:
Tipo P:
-Mais lacunas (maioritários) que electrões (minoritários).
-Impurezas do grupo III (aceitadores).
-Todos os átomos de aceitador ionizados “-”.

Tipo N:
-Mais electrões (maioritários) que lacunas (minoritários)
-Impurezas do grupo V (dadores).
-Todos os átomos de dador ionizados “+”

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 Polarização Directa da Junção PN

Consiste em ligar o terminal positivo da bateria no elemento P da

junção PN e o terminal negativo da bateria ao lado N.

Nesta condição o díodo conduz, comporta-se como interruptor fechado

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 Polarização da Junção PN

Consiste em colocarmos o terminal Negativo da bateria no elemento P da

junção PN e o terminal positivo da bateria ao lado N.

Nesta condição o díodo não conduz (bloqueia), comporta-se como

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interruptor aberto 6/30/2020
 Curva Característica do Díodo

Nesta condição o díodo não conduz (bloqueia), comporta-se como

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interruptor aberto 6/30/2020
 Curva Característica do Díodo
Na polarização direta só existe corrente
elétrica se a tensão aplicada no diodo for
maior que 𝑈𝐷 (0,7V). Existirá uma corrente
máxima que o diodo poderá conduzir
( 𝐼𝑑𝑀 ) e uma potência máxima de
dissipação (𝑃𝑑𝑀 ): 𝑃𝑑𝑀 = 𝑈𝑐𝑐 . 𝐼𝑑𝑀

𝑈𝑐𝑐 − 𝑈𝐷
𝐼𝐷 =
𝑅

O díodo normal quando polarizado inversamente,

ocorre nele um fenômeno designado efeito
avalanche ou efeito zener, que consiste num
aumento repentino da corrente de fuga (If)
dissipando potência suficiente para ruptura da
12 junção PN e danificando assim o díodo. 6/30/2020
 Reta de Carga
Método para determinar o valor exato da corrente e da tensão sobre o diodo.

Type equation here.

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 Alguns Díodos Comercias

14 6/30/2020
 Referências Bibliográficas
MALVINO, Albert Paul. Eletrônica - Vol. 1 e 2. 4ª ed. São Paulo: Pearson.
MARQUES, Angelo Eduardo B.; CRUZ, Eduardo Cesar A.; CHOUERI JÚNIOR,
Salomão. Dispositivos Semicondutores: Diodos e Transistores - Estude e Use. 12ª ed. São
Paulo: Érica. 408 p.
http://ltodi.est.ips.pt/beirante/electronica1/Acet_diodo.pdf
https://pt.slideshare.net/MarioTimotius/semicondutores-juno-pn-
24835671

15 6/30/2020
 Thank You!

Kanimambo!

Vielen Dank!

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