JOÃO PEDRO GONÇALVES DIAS - 211270156

LISTA DE EXERCÍCIOS 1 – DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS (DEL) – 2023/1

1. Sobre o conceito de dopagem em semicondutores, responda:
a) O que é dopagem de um semicondutor? Explique o processo em si e como ele afeta as
propriedades elétricas do material.
Resposta: O processo de dopagem envolve a adição de átomos de impurezas, conhecidos como
dopantes, ao material semicondutor. Esses dopantes têm um número diferente de elétrons em sua
camada externa em comparação com os átomos do material semicondutor, o que significa que
eles introduzem elétrons extras ou lacunas no material.
b) Explique os processos de dopagem tipo N e tipo P.
Resposta: Existem dois tipos de dopagem: tipo n e tipo p. Na dopagem tipo n, impurezas como
fósforo são adicionadas ao material semicondutor. Esses átomos têm um elétron extra em sua
camada externa, o que significa que, quando incorporados ao material, eles se tornam doadores
de elétrons extras. Isso resulta em uma concentração maior de elétrons no material semicondutor
e, consequentemente, em uma condutividade elétrica mais alta.
Já na dopagem tipo p, impurezas como boro são adicionadas ao material semicondutor. Esses
átomos têm um elétron a menos em sua camada externa, o que significa que, quando incorporados
ao material, eles criam lacunas na estrutura do material, tornando-se aceitadores de elétrons. Isso
resulta em uma concentração maior de lacunas no material semicondutor e, consequentemente,
em uma condutividade elétrica mais baixa.
c) O que é um semicondutor intrínseco e um semicondutor extrínseco?
Resposta: Um semicondutor intrínseco é um material semicondutor puro, que não contém
dopantes adicionais. O material intrínseco é formado por átomos de silício ou germânio, que
possuem quatro elétrons em sua camada externa, formando uma rede cristalina. Em um
semicondutor intrínseco, a condutividade elétrica é baixa porque os elétrons na banda de valência
(banda de energia mais baixa, onde os elétrons estão ligados aos átomos) estão quase
completamente ligados aos átomos e não são livres para conduzir eletricidade.
Um semicondutor extrínseco é um material semicondutor dopado com impurezas
intencionalmente adicionadas ao material. A dopagem extrínseca altera a concentração de elétrons
livres ou lacunas no material, o que afeta diretamente suas propriedades elétricas. A dopagem
extrínseca pode ser do tipo p ou do tipo n, conforme explicado anteriormente.
2. Sobre o conceito de polarização em diodos, responda:
a) O que é polarização direta e reversa em um diodo de junção PN? Como o
comportamento elétrico do diodo é afetado em cada tipo de polarização?
Resposta: A polarização é a aplicação de uma tensão externa em um diodo de junção PN. Existem
dois tipos de polarização: polarização direta e polarização reversa.
A polarização direta ocorre quando o terminal P do diodo é conectado ao polo positivo de uma
fonte de tensão externa e o terminal N é conectado ao polo negativo. Nessa situação, a tensão
externa diminui a barreira de potencial na junção PN, permitindo que os elétrons fluam da região
N para a região P e os lacunas fluam da região P para a região N. Isso resulta em um fluxo de
corrente elétrica através do diodo, o que o torna condutor. Em outras palavras, um diodo
polarizado diretamente comporta-se como um interruptor fechado, permitindo a passagem da
corrente elétrica.
Já a polarização reversa ocorre quando o terminal P do diodo é conectado ao polo negativo de
uma fonte de tensão externa e o terminal N é conectado ao polo positivo. Nessa situação, a tensão
externa aumenta a barreira de potencial na junção PN, o que faz com que o fluxo de corrente
elétrica através do diodo seja bloqueado, impedindo a passagem da corrente elétrica. Em outras
palavras, um diodo polarizado reversamente comporta-se como um interruptor aberto.
b) O que é a tensão de ruptura de um diodo de junção PN?
Resposta: A tensão de ruptura (também conhecida como tensão reversa de pico) é a tensão
máxima que um diodo de junção PN pode suportar quando polarizado reversamente antes de
entrar em colapso ou sofrer uma ruptura.
Quando um diodo é polarizado reversamente, a tensão aplicada faz com que a camada de depleção
(zona de carga espacial que se forma na junção p-n) se alargue, aumentando a largura da zona de
transição. Se a tensão reversa aplicada for suficientemente alta, os elétrons em alta energia térmica
na camada de depleção pode adquirir energia suficiente para quebrar as ligações covalentes do
material, produzindo pares de elétron-lacuna. Isso leva a uma avalanche de elétrons, que podem
causar danos ao material do diodo e, eventualmente, levá-lo à falha permanente.
3. Sobre o fluxo de cargas em um diodo de junção PN, responda:
a) O que é corrente de deriva e como ela contribui para a corrente total no diodo?
Resposta: A corrente de deriva é a corrente elétrica resultante do movimento dos portadores de
carga livres (elétrons e lacunas) no material do diodo de junção PN, quando este é polarizado
diretamente. Quando uma tensão direta é aplicada ao diodo, os elétrons na camada n (material
dopado do tipo n) são atraídos em direção à junção p-n, onde se recombinam com as lacunas na
camada p (material dopado do tipo p), liberando energia na forma de fótons de luz ou calor.
b) O que é corrente de difusão e como ela contribui para a corrente total no diodo?
Resposta: A corrente de difusão é a corrente elétrica resultante do movimento dos portadores de
carga livres (elétrons e lacunas) através da junção de um diodo de junção PN, quando uma
diferença de concentração de portadores é estabelecida através da junção. Quando um diodo é
polarizado diretamente, os portadores de carga se movem através da junção p-n devido a uma
diferença de potencial elétrico causada pela queda de potencial na região de transição.
A corrente de difusão é gerada pela diferença de concentração de portadores de carga na junção
p-n. Os elétrons da região n (material dopado do tipo n) possuem uma maior concentração de
portadores do que as lacunas da região p (material dopado do tipo p). Quando o diodo é polarizado
diretamente, os elétrons se difundem da região n para a região p e as lacunas se difundem da
região p para a região n, resultando em uma corrente líquida.
c) Como a temperatura afeta a corrente de deriva e a corrente de difusão?
Resposta: A temperatura afeta tanto a corrente de deriva quanto a corrente de difusão em um
diodo de junção PN. Em geral, o aumento da temperatura leva a um aumento na corrente total do
diodo.
A corrente de deriva é afetada pela temperatura porque a mobilidade dos portadores de carga
livres no material do diodo depende da temperatura. Quando a temperatura aumenta, a mobilidade
dos portadores de carga também aumenta, o que resulta em um aumento na corrente de deriva
quando o diodo é polarizado diretamente.
Por outro lado, a corrente de difusão é afetada pela temperatura porque a difusividade dos
portadores de carga livres no material do diodo depende da temperatura. Quando a temperatura
aumenta, a difusividade dos portadores de carga diminui, o que pode levar a uma redução na
corrente de difusão.
d) Qual é a relação entre a corrente de deriva e a corrente de difusão em um diodo em
equilíbrio?
Resposta: Em um diodo de junção PN em equilíbrio, a corrente de deriva e a corrente de difusão
são iguais em magnitude, mas opostas em direção. Isso ocorre porque em equilíbrio, a diferença
de potencial elétrico através da junção p-n é exatamente igual à diferença de potencial elétrico
causada pela diferença de concentração de portadores na junção.
A corrente de deriva é gerada pelo movimento dos portadores de carga livres quando o diodo é
polarizado diretamente, enquanto a corrente de difusão é gerada pela diferença de concentração
de portadores na junção p-n. Quando o diodo está em equilíbrio, a magnitude da corrente de
difusão é exatamente igual à magnitude da corrente de deriva, mas as duas correntes fluem em
direções opostas e se cancelam mutuamente, resultando em uma corrente líquida zero.
4. Sobre polarização de diodos de junção PN, responda:
a) O que é a curva característica de um diodo de junção PN?
Resposta:

A curva característica de um diodo de junção PN é uma representação gráfica da relação entre a

tensão aplicada e a corrente que flui através do diodo
A curva característica do diodo pode ser obtida aplicando-se uma variedade de tensões externas
ao diodo e medindo a corrente resultante. A curva é normalmente plotada em um gráfico com a
tensão ao longo do eixo horizontal e a corrente ao longo do eixo vertical.
A curva característica de um diodo de junção PN tem duas regiões distintas: a região direta e a
região reversa. Na região direta, a corrente aumenta rapidamente com o aumento da tensão
aplicada, enquanto na região reversa, a corrente é muito baixa e praticamente constante em relação
à tensão aplicada.
b) O que é a região de polarização direta e como ela se relaciona com a curva
característica?
Resposta: Na região de polarização direta, a corrente aumenta rapidamente à medida que a tensão
aplicada aumenta. Esse comportamento ocorre porque, quando o diodo é polarizado diretamente,
a tensão aplicada reduz a barreira de potencial na junção p-n, permitindo que os portadores de
carga se movam livremente através da junção e contribuam para a corrente total que flui através
do diodo.
c) O que é a região de polarização reversa e como ela se relaciona com a curva
característica?
Resposta: A curva característica de um diodo de junção PN tem duas regiões distintas: a região
direta e a região reversa. Na região direta, a corrente aumenta rapidamente com o aumento da
tensão aplicada, enquanto na região reversa, a corrente é muito baixa e praticamente constante em
relação à tensão aplicada.
d) Defina a tensão de limiar do diodo e explique como ela se relaciona com a curva
característica.
Resposta: A tensão de limiar do diodo é a tensão mínima necessária para que o diodo comece a
conduzir corrente significativa na região de polarização direta. É a tensão na qual a curva
característica do diodo começa a se curvar para cima, indicando um aumento significativo na
corrente.
A tensão de limiar do diodo é determinada pelas propriedades intrínsecas do material
semicondutor e da junção p-n. Em geral, a tensão de limiar do diodo é de cerca de 0,6 a 0,7 volts
para diodos de silício e cerca de 0,2 a 0,3 volts para diodos de germânio.
A relação entre a tensão de limiar e a curva característica do diodo é importante porque a tensão
de limiar é um parâmetro chave que determina o comportamento do diodo em circuitos
eletrônicos. Abaixo da tensão de limiar, o diodo se comporta como um circuito aberto, permitindo
pouca ou nenhuma corrente. Acima da tensão de limiar, o diodo começa a conduzir corrente e a
curva característica se aproxima de uma linha reta na região de polarização direta.
e) Como a temperatura afeta a curva característica do diodo?
Resposta: A temperatura tem um efeito significativo na curva característica do diodo. Em geral,
o aumento da temperatura faz com que a curva característica do diodo se desloque para a esquerda,
o que significa que a tensão de limiar diminui e a corrente na região de polarização direta aumenta.
Isso ocorre porque a temperatura afeta a mobilidade dos portadores de carga no material
semicondutor, o que afeta tanto a corrente de deriva quanto a corrente de difusão no diodo. A
corrente de deriva aumenta com o aumento da temperatura, pois a mobilidade dos portadores de
carga aumenta, permitindo que eles se movam mais facilmente através do material semicondutor.
f) Desenhe a curva característica de um diodo de junção PN com tensão de joelho 0,7 V e
tensão de ruptura 25 V. Indicar as regiões de polarização direta, reversa e de ruptura.