Semicondutores (25h)

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 Introdução
Os materiais mais utilizados na Indústria Electrónica podem ser classificados,
para além de outras formas, de acordo com a facilidade com que conduzem
a corrente eléctrica. Assim temos:

Materiais Bons Condutores – os metais que, por os seus átomos apresentarem

na última camada um ou dois electrões que se libertam facilmente
e se tornam susceptíveis de conduzir a corrente eléctrica, têm resistividades
muito baixas, pelo que são utilizados com esse objectivo específico;

Materiais Maus Condutores ou Isoladores – os que são utilizados como

isolantes, por terem resistividades muito altas, dado que, por os seus átomos
terem as últimas camadas atómicas preenchidas, ou quase, têm muito poucos
electrões livres;

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 Introdução
Materiais Semicondutores – são materiais com resistividades de
valores entre os Bons Condutores e os Maus Condutores.

Os semicondutores não são nem bons condutores nem bons isoladores

e isso levaria a pensar que são de pouco interesse do ponto de vista
eléctrico.

Porém, a sua utilização é muito importante, no fabrico de componentes

electrónicos, precisamente porque têm propriedades que nem os
condutores nem os isoladores possuem. Os elementos semicondutores
mais importantes são: o Silício e o Germânio.

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 Estrutura cristalina dos
semicondutores
Caracterizam-se por os seus átomos
terem 4 electrões na última camada,
(o que é uma situação intermédia entre os
metais bons condutores e os isoladores).
No caso dos semicondutores, a ligação
entre os átomos é de tipo covalente,
(recorde-se que existem basicamente dois
tipos de ligações, a electrovalente, em que
os átomos são atraídos entre si, por
forças electrostáticas e a covalente):
nesta, os átomos mantém-se ligados
por interpenetração das suas partes
periféricas, isto é, átomos vizinhos
partilham, entre si, os referidos electrões,
dando origem a ligações fortíssimas.

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 Semicondutor
O silício tem, no seu átomo, 14 electrões: 2
+ 8 + 4; o germânio tem 32: 2 +
8 + 18 + 4. Dado que os fenómenos que
nos interessam do ponto de vista da
electrónica, se passam a nível da última
camada electrónica, vamos passar a
representar o átomo do semicondutor, de
acordo com a seguinte figura, em que o
núcleo e as camadas de electrões, excepto
a última são representados por
uma circunferência, com carga positiva,
uma vez que lhes faltam os 4 electrões
da última camada e esta última camada é
representada mais em pormenor:

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 Semicondutor
Átomos vizinhos unem-
se, como vimos,
partilhando entre si os 4
electrões da última
camada, cada um dos
quais fica a pertencer
indiscriminadamente a
dois átomos:

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 Electrões Livres e Lacunas.
Condução
Um pedaço de semicondutor, à temperatura ambiente, apresenta alguns
electrões livres que se libertaram das respectivas ligações entre os átomos, o
que explica a existência de alguma condutividade do material. Em cada uma
destas ligações, fica a falta um electrão, o que representa a existência de uma
carga positiva, a que se dá o nome de Lacuna, (ver figura anterior). Se a
temperatura aumentar, mais electrões livres e lacunas aparecerão, pelo que o
aumento da temperatura faz baixar a resistividade do material.

A condução, através de um material semicondutor, submetido a uma tensão

eléctrica, é feita por dois mecanismos: os electrões livres deslocam-se para
o lado a potencial positivo, enquanto que outros vão preencher as lacunas
mais próximas, deixando novas lacunas no seu lugar e aparentemente, haverá
um deslocamento de lacunas, por saltos, para o lado do potencial negativo.
Assim, existem dois tipos de portadores de carga: os electrões livres, como nos
metais, a fluírem para o terminal positivo, uma vez que são portadores negativos
e as lacunas, deslocando-se para o lado do terminal negativo.
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 Dopagem
Se, ao semicondutor, no estado puro, (Semicondutor Intrínseco), se juntar
uma pequena percentagem de impurezas de um elemento com 5 electrões na
última camada, por exemplo, o fósforo ou o arsénio, os átomos deste vão integrar
a estrutura mas, como têm 5 electrões de valência, apenas quatro entram
em ligações covalentes, ficando o quinto, em liberdade, o que vai aumentar o
número de electrões livres. pelo que a este tipo de impurezas se dá o nome de
Impureza Dadora e ao material, assim obtido, Semicondutor de Tipo N.

Note-se que um semicondutor de tipo N tem uma carga total neutra, (as cargas
positivas, todas somadas, continuam a equilibrar e a anular as cargas negativas),
embora apresente mais electrões livres do que lacunas.

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 Dopagem
Se, pelo contrário, se juntar um elemento que tenha 3 electrões nas
últimas camadas dos seus átomos, como o gálio ou o índio, vão ficar
ligações incompletas, isto é formadas por um electrão e uma lacuna.
Impurezas deste tipo chamam-se Impurezas Aceitadoras e dão
origem a Semicondutores de Tipo P, uma vez que apresentam mais
lacunas positivas do que electrões livres, embora, globalmente,
continuem electricamente com carga neutra.

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Junção PN

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 A junção PN
A junção de um material semicondutor do tipo P (com excesso de
lacunas) com um material semicondutor do tipo N (com excesso de
electrões livres) origina uma junção PN. Na zona da junção, os
electrões livres do semicondutor N recombinam-se com as lacunas do
semicondutor P formando uma zona sem portadores de carga
eléctrica que se designa por zona neutra ou zona de deplecção.

Electrões livres Lacunas

Zona neutra ou
zona de
deplecção

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Junção PN directamente e
inversamente polarizada

A junção PN está directamente

polarizada quando o potencial negativo
da alimentação está ligado ao
semicondutor N e o potencial positivo da
alimentação está ligado ao semicondutor Quando directamente polarizada a
P. junção PN conduz

A junção PN está inversamente

polarizada quando o potencial negativo
da alimentação está ligado ao
semicondutor P e o potencial positivo da
alimentação está ligado ao semicondutor
Quando inversamente polarizada a
N. junção PN não conduz.

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 Principio de funcionamento
– Inversamente polarizada
Se ligarmos o terminal positivo da fonte ao Electrões livres
lado N e o terminal negativo, ao
lado P, a barreira de potencial da junção
aumenta: alguns electrões do lado N
são atraídos para o pólo positivo da fonte e
o pólo negativo desta injecta electrões que
anulam lacunas do lado P, ficando o lado N
com mais cargas positivas do que tinha e o Zona neutra ou
lado P com mais cargas negativas e, zona de deplecção
portanto, o campo eléctrico que existia, mais alarga
forte. Assim, não há possibilidades de as
cargas eléctricas maioritárias atravessarem
a junção e não há corrente eléctrica, através
do díodo, a não ser uma pequeníssima Quando polarizada directamente a junção PN
corrente de fuga, correspondente à conduz porque na junção PN a zona neutra ou
formação de mais alguns pares electrão zona de deplecção (zona sem portadores de
livre - lacuna, devida ao aumento de carga eléctrica) estreita a resistência eléctrica
diminui e a corrente eléctrica passa.
temperatura no díodo.

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 Principio de funcionamento
– Directamente polarizada
Nesta situação, ligamos o terminal
positivo da fonte ao lado P: a tensão
aplicada diminui e, se for suficiente,
anula a barreira de potencial, na zona
da junção; os electrões livres do lado
N são atraídos para o pólo positivo e,
não tendo nada a opor-se, atravessam
a junção, enquanto que as lacunas do
lado P são atraídas para o pólo
negativo, atravessando, também elas, Quando polarizado inversamente a junção PN
a junção. A fonte injecta novos não conduz porque na junção PN a zona
electrões no lado N e estes vão-se neutra ou zona de deplecção (zona sem
portadores de carga eléctrica) alarga a
combinar com as lacunas que
resistência eléctrica aumenta
atravessaram a junção. Temos, assim, significativamente e a corrente eléctrica não
passagem de corrente eléctrica, passa.
através do corpo do díodo.
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 Queda de tensão
Quando a junção PN está polarizada directamente a corrente eléctrica
ao passar pela zona neutra ou zona de deplecção, que apresenta
uma certa resistência, origina uma queda de tensão (u=RxI).
Nas junções PN de silício essa queda de tensão pode variar entre
0,6Volt e 1Volt.
Nas junções PN de germânio essa queda de tensão pode variar
entre 0,2Volt e 0,4Volt.

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 Díodo rectificador

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 Constituição

Um díodo rectificador é constituído por uma junção PN de

material semicondutor (silício ou germânio) e por dois
terminais, o Ânodo (A) e o Cátodo (K).

Símbolo:

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 Junção PN
A junção de um material semicondutor do tipo P (com
excesso de lacunas) com um material semicondutor do tipo N
(com excesso de electrões livres) origina uma junção PN. Na
zona da junção, os electrões livres do semicondutor N
recombinam-se com as lacunas do semicondutor P formando
uma zona sem portadores de carga eléctrica que se designa
por zona neutra ou zona de deplecção.

Electrões livres Lacunas

Zona neutra
ou zona de
deplecção

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Identificação visual dos
terminais
O terminal que se encontra mais
próximo do anel é o cátodo (K).

O terminal ligado à parte mais

estreita/afunilada é o cátodo (K).

O terminal ligado à parte roscada

é o cátodo (K).

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 Díodo polarizado
directamente
O díodo rectificador é um componente unidireccional ou seja,
só conduz num sentido (quando o Ânodo está a um potencial
positivo em relação ao Cátodo). Nessa situação diz-se que o
díodo está polarizado directamente.

A K

+
VCC
_

20
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Díodo polarizado
inversamente
Quando o díodo rectificador está polarizado inversamente
(Ânodo a um potencial negativo em relação ao cátodo) não
conduz (está ao corte).

K A

VCC
_

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 Principio de funcionamento
Quando polarizado directamente um díodo rectificador
conduz porque na junção PN a zona neutra ou zona de
deplecção (zona sem portadores de carga eléctrica) estreita
a resistência eléctrica diminui e a corrente eléctrica passa.

Electrões livres Lacunas

Zona neutra
ou zona de
deplecção
estreita

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 Principio de funcionamento
Quando polarizado inversamente um díodo rectificador não
conduz porque na junção PN a zona neutra ou zona de
deplecção (zona sem portadores de carga eléctrica) alarga a
resistência eléctrica aumenta significativamente e a corrente
eléctrica não passa.
Electrões livres Lacunas

Zona neutra ou
zona de
deplecção alarga

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Queda de tensão interna
Quando o díodo está polarizado directamente a corrente
eléctrica ao passar pela zona neutra ou zona de deplecção
que apresenta uma certa resistência, origina uma queda de
tensão (U=RxI).
Nos díodos de silício essa queda de tensão interna pode
variar entre 0,6Volt e 1Volt.
Nos díodos de germânio essa queda de tensão interna
pode variar entre 0,2Volt e 0,4Volt.

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Características técnicas

IF
Tensão UF
1ºquadrante

directa
Corrente IF
directa
UR UF
3ºquadrante

Tensão UR
inversa
Corrente IR
inversa
IR

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 Leitura das características técnicas

Exemplo:
Díodo rectificador 1N4007

UR = 1000V Tensão inversa máxima que se pode aplicar

ao díodo em polarização inversa.
IF = 1A Corrente directa máxima permanente que
pode circular pelo díodo.
IR = 5A Corrente inversa que percorre o díodo
quando polarizado inversamente
VF = 1,1V Queda de tensão interna máxima quando o
díodo polarizado directamente conduz uma
corrente directa de 1A.

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CURVAS CARACTERÍSTICAS
(APROXIMAÇÃO 1)

27
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CURVAS CARACTERÍSTICAS
(APROXIMAÇÃO 2)

28
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CURVAS CARACTERÍSTICAS
(APROXIMAÇÃO 3)

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 Curva característica
IF Pode-se observar na curva
característica do 1º quadrante
(díodo polarizado directamente)
que à medida que se aumenta
a tensão directa (UF) a corrente
Corrente directa (IF) também aumenta.
directa Na curva do 3º quadrante
Tensão de (díodo polarizado
ruptura
inversamente) podemos
observar que para uma dada
UR Corrente de fuga UF faixa da tensão inversa (UR) a
corrente inversa (IR) é
desprezível (corrente de fuga).
A tensão inversa não pode
Corrente de atingir a tensão de ruptura pois
avalanche isso acarreta que o díodo passe
a conduzir em sentido contrário
IR (rompeu a junção PN).
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 Cálculo de Rs( Protecção do
Díodo)

• Calcular o valor da Resistência Rs de 1 watt de potência , de forma que proteja

o díodo de ser percorrido por correntes superiores a 100mA.
• Calcular o valor máximo da tensão que a fonte pode ser regulada.( Considerar
o díodo ideal ).
• Soluções : Rs≥ 100 Ω; Uimáx= 10 V
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