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caracterstica resistiva quando em conduo, a qual se torna mais significativa quanto maior for
a tenso suportvel pelo componente. As camadas que fazem os contatos externos so
altamente dopadas, a fim de fazer com que se obtenha um contato com caracterstica hmica e
no semi-condutor (como se ver adiante nos diodos Schottky).
O contorno arredondado entre as regies de anodo e catodo tem como funo criar
campos eltricos mais suaves (evitando o efeito de pontas).
No estado bloqueado, pode-se analisar a regio de transio como um capacitor, cuja
carga aquele presente na prpria regio de transio.
Na conduo no existe tal carga, no entanto, devido alta dopagem da camada P+, por
difuso, existe uma penetrao de lacunas na regio N-. Alm disso, medida que cresce a
corrente, mais lacunas so injetadas na regio N-, fazendo com que eltrons venham da regio
N+ para manter a neutralidade de carga. Desta forma, cria-se uma carga espacial no catodo, a
qual ter que ser removida (ou se recombinar) para permitir a passagem para o estado
bloqueado do diodo.
O comportamento dinmico de um diodo de potncia , na verdade, muito diferente do de
uma chave ideal, como se pode observar na figura 1.2. Suponha-se que se aplica uma tenso vi
ao diodo, alimentando uma carga resistiva (cargas diferentes podero alterar alguns aspectos
da forma de onda).
Durante t1, remove-se a carga acumulada na regio de transio. Como ainda no houve
significativa injeo de portadores, a resistncia da regio N- elevada, produzindo um pico de
tenso. Indutncias parasitas do componente e das conexes tambm colaboram com a
sobre-tenso. Durante t2 tem-se a chegada dos portadores e a reduo da tenso para cerca de
1V. Estes tempos so, tipicamente, da ordem de centenas de ns.
No desligamento, a carga espacial presente na regio N- deve ser removida antes que se
possa reiniciar a formao da barreira de potencial na juno. Enquanto houver portadores
transitando, o diodo se mantm em conduo. A reduo em Von se deve diminuio da
queda hmica. Quando a corrente atinge seu pico negativo que foi retirado o excesso de
portadores, iniciando-se, ento, o bloqueio do diodo. A taxa de variao da corrente, associada
s indutncias do circuito, provoca uma sobre-tenso negativa.
Diodos rpidos possuem trr da ordem de, no mximo, poucos microssegundos, enquanto
nos diodos normais de dezenas ou centenas de microssegundos.
O retorno da corrente a zero, aps o bloqueio, devido sua elevada derivada e ao fato
de, neste momento, o diodo j estar desligado, uma fonte importante de sobre-tenses
produzidas por indutncias parasitas associadas aos componentes por onde circula tal corrente.
A fim de minimizar este fenmeno foram desenvolvidos os diodos "soft-recovery", nos quais est
variao de corrente suavizada, reduzindo os picos de tenso gerados.
DIODOS SCHOTTKY
Quando feita uma juno entre um terminal metlico e um material semicondutor, o
contato tem, tipicamente, um comportamento hmico, ou seja, a resistncia do contato governa
o fluxo da corrente. Quando este contato feito entre um metal e uma regio semicondutora
com densidade de dopante relativamente baixa, o efeito dominante deixa de ser o resistivo,
passando a haver tambm um efeito retificador.
Um diodo Schottky formado colocando-se um filme metlico em contato direto com um
semicondutor, como indicado na figura 1.3. O metal usualmente depositado sobre um material
tipo N, por causa da maior mobilidade dos portadores neste tipo de material. A parte metlica
ser o anodo e o semicondutor, o catodo.
Numa deposio de Al (3 eltrons na ltima camada), os eltrons do semicondutor tipo N
migraro para o metal, criando uma regio de transio na juno.
Note-se que apenas eltrons (portadores majoritrios em ambos materiais) esto em
trnsito. O seu chaveamento muito mais rpido do que o dos diodos biplares, uma vez que
no existe carga espacial armazenada no material tipo N, sendo necessrio apenas refazer a
barreira de potencial (tipicamente de 0,3V). A regio N tem uma dopagem relativamente alta, a
fim de reduzir as perdas de conduo, com isso, a mxima tenso suportvel por estes diodos
de cerca de 100V.
A aplicao deste tipo de diodos ocorre principalmente em fontes de baixa tenso, nas
quais as quedas sobre os retificadores so significativas.
Com o transistor desligado (Ib=0) a tenso que provoca a ruptura da juno J2 maior,
elevando-se ainda mais quando a corrente de base for negativa. Isto uma indicao
interessante que, para transistores submetidos a valores elevados de tenso, o estado
desligado deve ser acompanhado de uma polarizao negativa da base.
atraso.
td: tempo de atraso
Corresponde a tempo de descarregamento da capacitncia da juno b-e. Pode ser reduzido
pelo uso de uma maior corrente de base com elevado dib/dt.
tri: tempo de crescimento da corrente de coletor
Este intervalo se relaciona com a velocidade de aumento da carga estocada e depende da
corrente de base.
Como a carga resistiva, uma variao de Ic provoca uma mudana em Vce.
diodo de circulao.
Figura 1.20 Forma de onda de corrente de base recomendada para acionamento de TBP.
As transies devem ser rpidas, para reduzir os tempos de atraso. Um valor elevado Ib1
permite uma reduo de tri. Quando em conduo, Ib2 deve ter tal valor que faa o TBP operar
na regio de quase-saturao. No desligamento, deve-se prover uma corrente negativa,
acelerando assim a retirada dos portadores armazenados.
Para o acionamento de um transistor nico, pode-se utilizar um arranjo de diodos para
evitar a saturao, como mostrado na figura 1.21.
Neste arranjo, a tenso mnima na juno B-C zero. Excesso na corrente Ib desviado
por D1. D3 permite a circulao de corrente negativa na base.
Figura 1.25 Formas de onda na entrada em conduo de MOSFET com carga indutiva.
Os manuais fornecem informaes sobre as capacitncias operacionais do transistor
(Ciss, Coss e Crss), mostradas na figura 1.26, as quais se relacionam com as capacitncias do
componente por:
Ciss = Cgs + Cgd , com Cds curto-circuitada
Crs = Cgd
Coss ~ Cds + Cgd
BIBLIOGRAFIA:
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/pdffiles/eltpot/cap1.pdf