Transistor de potência

O transistor bipolar é constituído de três camadas semicondutoras PNP ou NPN,

formando duas junções PN conectadas em série e em contraposição. Cada camada
corresponde a um dos três terminais do dispositivo: emissor, base e coletor.

Fig. 1.11
Funcionamento do transistor de potência

As junções base-emissor e base-coletor devem ser polarizadas por fontes externas de

tensão para que o transistor entre em operação. Quando o componente é adequadamente
polarizado, fluem pelos terminais emissor, base e coletor as correntes de emissor (iE), de
base (iB) e de coletor (iC) respectivamente. Existem três formas possíveis de polarizar um
transistor que definem as suas chamadas regiões de operação:
1 Região ativa - nesta região a junção base-emissor é polarizada diretamente e a junção
base-coletor, reversamente. Quando o transistor trabalha na região ativa são válidas as
seguintes relações:
iE = iB + iC
iC
= = hFE = ganho de corrente
iB
2. Região de saturação - na região de saturação, as junções base-emissor e base-coletor
são polarizadas diretamente.
3. Região de corte - o transistor estará operando na região de corte se as duas junções
estiverem reversamente polarizadas.

Tipos de configurações do transistor de potência

Como nos transistores existem somente três terminais e usualmente são necessários dois
para entrada de sinal e dois para saída, sempre existirá um comum a ambas. Existem três
configurações possíveis para o transistor: base comum, coletor comum e emissor comum
(a mais usada).

Fig. 1.12

Curvas características do transistor de potência

Em qualquer aplicação de transistores é importante utilizar as curvas características do
componente, que constam nos manuais de fabricantes. As curvas características
relacionam as tensões e correntes tanto na entrada como na saída de cada uma das três
configurações possíveis.
Serão mostradas em seguida as curvas relacionadas à configuração emissor comum, que
é a mais usada, sobretudo nas aplicações da eletrônica de potência.
iC – CORRENTE DE COLETOR
iB – CORRENTE DE BASE
iE – CORRENTE DE EMISSOR
vBE – TENSÃO ENTRE BASE E EMISSOR
vCE – TENSÃO ENTRE COLETOR E EMISSOR

Fig. 1.13`

As curvas características principais para configuração emissor comum são a de corrente

de base por tensão de base (iB x VBE) e a de corrente de coletor pela tensão de coletor (iC
x VCE)com iB como parâmetro.

Gráf. 7

Transistor como chave

O transistor bipolar é utilizado, na maioria das aplicações da eletrônica de potência, como

uma chave comandada pela corrente de base. Neste tipo de operação, o dispositivo
funciona ora na saturação (corrente de base elevada), ora no corte (corrente de base nula),
passando rapidamente pela região ativa durante um breve período de comutação (tempo
total de chaveamento).
O gráfico 8 mostra a variação da corrente e da tensão de coletor de um transistor atuando
como chave em resposta a um pulso de corrente aplicado á base. Os tempos de chaveamento
são:

tp - tempo de atraso da ordem de dezenas de nanossegundos;

tR - tempo de subida da ordem de centenas de nanossegundos;
tS - tempo de armazenamento da ordem de microssegundos;
tS - tempo do descida da ordem do centenas do nanossegundos.
A perda de potência no transistor é função do produto entre a corrente e a tensão de
coletor. Portanto quanto menores forem os tempos de chaveamento, menor será a potência
dissipada pelo componente. Desta forma um transistor se caracteriza basicamente por:
tensão de ruptura elevada entre coletor e emissor (da ordem de centenas de volts);
capacidade de suportar correntes elevadas de coletor (da ordem de dezenas de ampères);
tempos de chaveamento pequenos (da ordem de dezenas de microssegundos).
Os transistores de potência são utilizados em aplicações onde a precisão é fundamental,
tais como servoacionamentos de corrente contínua e alternada, fontes chaveadas e
circuitos com modulação de largura de pulsos (PWM).
É comum a utilização da configuração Darlington para os transistores de potência, com o
objetivo de melhorar o ganho de corrente. Estes componentes são encapsulados com um
diodo de recuperação conectado em paralelo com o coletor e emissor para o chaveamento
de cargas indutivas.
CONFIGURAÇÃO DARLINGTON DE TRANSISTOR DE POTÊNCIA

Fig. 1.14

MOSFET

O mosfet é um dispositivo semicondutor que, da mesma forma que o transistor bipolar,

pode ser utilizado como chave eletrônica; é um dispositivo controlado por tensão e não
por corrente, como no caso do transistor bipolar.
Existem dois tipos básicos de mosfets: o de depleção e o de indução. Será analisado a
seguir apenas o segundo tipo por ser o mais difundido em aplicações de chaveamento.
A construção básica de um mosfet é feita a partir de um elemento de silício de alta
resistividade, chamado de substrato. Sobre este conjunto deposita-se uma fina camada de
óxido de silício, na qual são abertas janelas para o acesso direto ao canal. Desse modo
obtém-se a Fonte (S) e o Dreno (D). Um terceiro contato é ligado à estrutura substrato
mais canal, porém isolado pelo óxido isolante. Tal contato é a porta (G).

Fig. 1.15

Funcionamento do mosfet

Quando a porta é polarizada positivamente com relação à fonte, forma-se um canal de

cargas descobertas negativas na região do substrato entre a fonte e o dreno. Tal efeito se
deve à característica similar à de um capacitor formado pela metalização do contato da
porta, pelo substrato e pela camada de isolante de óxido.
O canal formado pelas cargas negativas reduz a resistência elétrica entre o dreno e a fonte
e permite a condução de corrente entre os dois terminais. Quanto maior for a tensão
positiva aplicada entre porta e fonte, menor se tornará a resistência de canal. Portanto o
mosfet é um dispositivo que apresenta uma resistência controlada por tensão.

Fig. 1.16
Os mosfets podem chavear frequências até na faixa de 200kHz, bastante superior ao
transistor bipolar (30kHz), proporcionando uma economia sensível quanto ao peso,
volume e custos de componentes magnéticos e de filtragem, associados, por exemplo, a
um inversor.
É comum incluir um diodo de recuperação no encapsulamento dos mosfets de potência
para o chaveamento de cargas indutivas.
 Fig. 1.17

IGBT

O transistor bipolar de base de porta isolada, IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),
combina a atuação rápida e a alta potência do transistor bipolar com a característica de
controle de tensão pela porta do mosfet. As características de coletor-emissor são
similares àquelas dos transistores bipolares, mas as formas de controle são as do mosfet.

SIT

Os Transistores de Indução Estática são dispositivos de alta potência e alta freqüência e

seu comportamento é similar ao dos transistores de junção de efeito de campo (JFETs),
isto é, possuem as mesmas características de excitação dos MOSFETs: São dispositivos
controlados por tensão.
Os tempos de disparo e comutação dos SITs são, em geral, bastante pequenos, na ordem
de 0,25 µs. Entretanto, suas características de normalmente ligado e de alta queda de
tensão entre os terminais no estado de condução limitam bastante sua aplicação em
sistemas de conversão de potência em geral.
A queda de tensão no sentido direto é elevada: tipicamente 90 V para um dispositivo de
180 A e 18 V para um dispositivo de 18 A. O SIT é um dispositivo que opera normalmente
ligado, isto é, em estado de condução quando não está sendo excitado pela porta. Uma
tensão negativa na porta mantém o dispositivo no estado de não condução (desligado).
Os SITs são mais adequados a aplicações de alta potência e alta frequência envolvendo
amplificação de sinais de áudio, VHF, UHF e microondas, por exemplo. Seus valores
nominais podem chegar a 1200 V / 300 A com velocidades de chaveamento na ordem de
100 kHz.
 símbolo

SITH

Tiristor de Indução Estática - As características de um tiristor de indução estática (do

inglês Static Induction Thyristor - SITH) são similares àquelas de um MOSFET. Um
SITH é um dispositivo que normalmente está conduzindo. É desligado pela aplicação
negativa em seu gatilho e religado pela aplicação de tensão positiva no gatilho como os
tiristores normais. Um SITH tem velocidade de chaveamento (ou comutação) rápida e
capacidade de suportar taxas de variação de corrente e tensão muito elevadas. O tempo
de chaveamento é da ordem de 1 a 6 µs. Entretanto, suas características de normalmente
ligado e de alta queda de tensão entre os terminais no estado de condução limitam bastante
sua aplicação em sistemas de conversão de potência em geral.

símbolo

MCT

O tiristor controlado por mosfet é um dispositivo novo que combina as características do

transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (metal-oxide semicondutor field-
effect transistor – MOSFET) e do SCR. Tem uma queda de tensão direta baixa no estado
ligado e um baixo tempo de desligamento. É similar, em funcionalidade, ao GTO, mas
exige uma corrente de porta menor para o desligamento. Sua principal desvantagem é a
baixa capacidade de bloqueio de tensão inversa.
As figuras mostram o símbolo e o circuito equivalente do MCT. Em um MCT, um SCR
e dois MOSFETs são combinados dentro de um mesmo dispositivo. Os dois MOSFETs
têm o mesmo terminal de porta, que é a porta do MCT, além do mesmo terminal da fonte,
que é o anodo do MCT. O MOSFET QOFF canal N, ligado entre o anodo e uma das
camadas internas, passa o SCR para o estado desligado, enquanto o MOSFET QON canal
P, ligado entre a porta e o anodo, passa-o para o estado ligado.

Ao contrário de um GTO, que passa para os estados ligado e desligado quando se

estabelece uma corrente de porta, o MCT é chaveado quando se emprega a tensão
apropriada entre a porta e o anodo. Quando a tensão porta-anodo é de aproximadamente
-5V, QON passa para o estado ligado e fornece corrente de porta para o SCR. Isso faz com
que o dispositivo passe para o estado ligado. O MCT passa para o estado desligado com
a aplicação de uma tensão porta-anodo de aproximadamente +10V, a qual passa QOFF
para o estado ligado. Isso desvia a corrente do SCR e o faz passar para o estado desligado.