Universidade Federal do ABC

Engenharia de Instrumentação, Automação e Robótica

Eletrônica de Potência I
Prof. Dr. José Luis Azcue Puma

 Semicondutores de Potência
 Retificadores a Diodos

1
Métodos de Disparo do Tiristor
Um tiristor é disparado aumentando-se a corrente de
anodo. Podemos considerar cinco maneiras distintas de
conseguir isto:

 Térmica: A altas temperaturas, a corrente de fuga

dobra aproximadamente com o aumento de 8 ℃.
Assim, a elevação da temperatura pode levar o
tiristor à condução.

 Luz: Se for permitido que a luz atinja as junções de

um tiristor, os pares, elétrons-lacunas aumentarão; e
o tiristor poderá ser disparado.

2
Métodos de Disparo do Tiristor
 Tensão elevada: Se a tensão direta anodo-catodo for
maior que a tensão direta de ruptura Vbo, fluira uma
corrente de fuga suficiente para iniciar o disparo. Esse
tipo de disparo pode ser destrutivo e deve ser evitado.

 Taxa de crescimento da tensão direta (dv/dt): Se a taxa

de crescimento da tensão direta for suficientemente
elevada, a corrente que atravessara a junção pode ser
suficiente para levar o tiristor à condução.

 Corrente de gatilho: Se o tiristor estiver diretamente

polarizado, a injeção de corrente de gatilho pela
aplicação de tensão positiva entre os terminais de
gatilho e catodo irá dispara-lo.

3
Tríodo de CA (TRIAC)
O TRIAC pode conduzir em ambos os sentidos
(dispositivo bidirecional). Ele pode ser considerado
como dois SCR conectados em antiparalelo com uma
conexão de gatilho em comum.

Símbolo
Circuito equivalente

4
 Tríodo de CA (TRIAC)

Curva característica v-i

Os TRIACs normalmente são operados:

• no quadrante I: tensão e corrente de gatilho positivas.
• ou no quadrante III: tensão e corrente de gatilho negativas .

5
Tiristores de desligamento pelo gatilho
(GTO)
O GTO pode ser disparado pela aplicação de um sinal
positivo de gatilho e pode ser desligado por um sinal de
gatilho.

As vantagens dos GTOs sobre os SCRs são:

• Eliminação dos componentes utilizados na

comutação forçada.
• Redução no ruído acústico e eletromagnético devido
à eliminação dos indutores de comutação.
• Desligamento mais rápido.
• Melhor eficiência dos conversores.

6
Transistor Bipolar de Potência (TBP)
1. O TBP é um dispositivo controlado por corrente.
2. Os transistores de potência são operados na região
de saturação, resultando em uma baixa queda de
tensão em estado de condução.
3. A velocidade de chaveamento e muito maior que a
dos tiristores.
4. São amplamente utilizados em conversores CC/CC
e CC/CA.
5. Operam com tensões e correntes menores que a
dos tiristores.
6. Normalmente utilizados em aplicações de baixa
para média potência.

7
Transistor Bipolar de Potência (TBP)
Transistor bipolar é formado pela adição de uma
segunda região p ou n a um diodo de junção pn.

Os três terminais são designados como coletor, emissor

e base.

Transistor NPN Transistor PNP

8
 Transistor Bipolar de Potência (TBP)
Existem três configurações possíveis de operação:
coletor comum, base comum e emissor comum. Em
aplicações de chaveamento geralmente é utilizada a
configuração emissor comum.

Configuração emissor comum. Curvas características de entrada

9
 Transistor Bipolar de Potência (TBP)
Há três regiões de operação de um transistor:
• Corte: o transistor está desligado ou a corrente de base não é
suficiente para liga-lo.
• Ativa: o transistor age como um amplificador, no qual a corrente de
coletor é amplificado por um ganho.
• Saturação: a corrente de base é suficientemente elevada para que a
tensão coletor emissor seja baixa e o transistor aja como uma chave.

Curvas características de saída

10
 Transistor Bipolar de Potência (TBP)

Curva característica de transferência

Relações importantes:

(ganho de corrente)

11
Característica Dinâmica do (TBP)

Carga Resistiva

12
 Característica Dinâmica do (TBP)

Carga Resistiva

(1) Bloqueio
(2) Atraso de entrada em
condução (carga
capacitor base-emissor) .
(3) Tempo de subida da
corrente.
(4-5) Em condução.
(6) Atraso de bloqueio
(descarga do capacitor base-
emissor).
(7) Tempo de descida da
corrente.
(8-9) Bloqueado.

13
 Conclusões
O TBP tem sido substituído nos últimos anos por interruptores mais eficientes
em determinadas faixas de potência.

• Para baixas tensões (<500V) o TBP tem sido substituído pelo MOSFET.
• Para tensões acima de 500V o TBP tem sido substituído pelo IGBT.
• O TBP apresenta maiores tempos de comutação em relação ao
MOSFET (operação em baixas frequências). Porém, o TBP apresenta
menores perdas de condução.
• O TBP apresenta maiores tempos de comutação em relação ao IGBT
e menor capacidade de corrente.
• Para aplicações em tensões mais elevadas (>500V), o BPT pode operar
em configuração Darlington.

Configuração
Darlington

14
 MOSFET de Potência
 O MOSFET de potência é um dispositivo controlado por
tensão e requer apenas uma pequena corrente de entrada.
 A velocidade de chaveamento é muito alta.
 São aplicados em conversores de alta frequência e baixa
potência.
 MOSFET de potência é normalmente do tipo canal N.

Símbolo

Estrutura básica
15
MOSFET de Potência

MOSFET em condução
O diodo intrínseco Di apesar de
suportar tensões e correntes nominais,
possui tempos de comutação maiores
que o próprio MOSFET.
16
Característica Estática do MOSFET

Curva característica v-i

17
 Característica Dinâmica do MOSFET
Capacitâncias equivalentes dos MOSFETs:

18
Característica Dinâmica do MOSFET
Carga Resistiva

19
 Transistor IGBT
 O IGBT alia a facilidade de acionamento do MOSFET
com as pequenas perdas em condução dos TBP.
 Permite frequências de chaveamento em dezenas de
kHz, nos componentes para correntes na faixa de
algumas dezenas de amperes.

Símbolo

20
 Transistor IGBT
 A estrutura do IGBT é similar à do MOSFET , mas com a
inclusão de uma camada P+ que forma o coletor do IGBT.

Construção básica

21
Característica Estática do IGBT

22
Característica Dinâmica do IGBT

23
 Característica de Alguns IGBTs

 As aplicações para IGBT normalmente encontra-se para

elevados níveis de tensão VCE (500 a 1700V) e elevadas
potências (1-1000kW), 1998.
 Circuitagem de controle simples (similar aos MOSFETs).
 Mais lentos do que os MOSFETs, mais rápidos que TBPs,
GTOs e SCRs.
 Frequências típicas de chaveamento até 200kHz.
24
 Retificadores a Diodos
Retificador monofásico de meia onda

 Carga resistiva Pura

Tensão média na carga

O diodo bloqueia os semiciclos
negativos, portanto, somente os
semiciclos positivos são
aplicadas à carga.
25
Retificadores a Diodos
Assim, a tensão média na carga será

A corrente média na carga é calculada através de:

Então: v

26
Retificadores a Diodos
A corrente de pico no diodo:

A tensão de pico inversa no diodo:

v

Valor eficaz da corrente:

A corrente eficaz no diodo:

27
Retificadores a Diodos
Logo:

Exemplo

28
Retificadores a Diodos

 Carga RL

Retificador monofásico alimentando uma carga RL

29
Retificadores a Diodos
Formas de onda para o retificador com carga RL
Em quanto a
corrente de carga
não se anula o diodo
se mantem em
condução.

A tensão na carga
torna-se negativa
para ângulo
superiores a pi.

30
Retificadores a Diodos
A corrente na carga é obtida através da solução da seguinte equação
diferencial:

A solução da expressão anterior é

Sendo que

Então a corrente na carga tem dois componentes:

Resposta em regime permanente Parcela transitória da corrente

31
Retificadores a Diodos
As duas componentes estão ilustradas na seguinte figura

Para tem-se . Assim:

32
Retificadores a Diodos
Portanto,

Para calcular o valor médio da tensão é necessário conhecer o ângulo

beta.
De acordo com a Figura anterior quando ,
considerando isto na expressão anterior, tem-se:

Como,

Tem-se:

33
Retificadores a Diodos
Simulando numericamente a expressão anterior, tem-se a seguinte
figura.

Conhecido o ângulo beta  tensão média de carga.

34
Retificadores a Diodos

Então:

A presença da indutância causa uma redução na tensão média da carga.

35
Próxima Aula
1. Retificadores monofásico de onda completa.
2. Retificador trifásico.

36
Referências Bibliográficas
1. BARBI, I. Eletrônica de Potência - Florianópolis, 6ta Edição do
Autor, 2006.
2. RASHID, M.H. Eletrônica de Potência - Circuitos, Dispositivos e
Aplicações. Ed. São Paulo: Makron Books, 1999.
3. Pomilio, J.A.; Apostilas da disciplina de Eletrônica de Potência,
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/
4. Gonçalves, F.A.S., Apostilas da disciplina Eletrônica Industrial
para Controle e Automação I.
http://www2.sorocaba.unesp.br/professor/flavioasg/ei/index.php

37